GaN材料的特性與應(yīng)用-新品速遞

精品文檔-下載后可編輯GaN材料的特性與應(yīng)用-新品速遞GaN材料的特性與應(yīng)用2022-4-420:20:03王平1前言GaN材料的研究與應(yīng)用是目前半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景.表1釬鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性2GaN材料的特性GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。它在一個(gè)無(wú)胞中有4個(gè)原子，原子體積大約為GaAs的一半。因?yàn)槠溆捕雀?，又是一種良好的涂層保護(hù)材料。2.1GaN的化學(xué)特性在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質(zhì)量差的GaN，可用于這些質(zhì)量不高的GaN晶體的缺陷檢測(cè)。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現(xiàn)不穩(wěn)定特性，而在N2氣下為穩(wěn)定。2.2GaN的結(jié)構(gòu)特性表1列出了纖鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性比較。2.3GaN的電學(xué)特性GaN的電學(xué)特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補(bǔ)償?shù)?。很多研究小組都從事過(guò)這方面的研究工作，其中中村報(bào)道了GaN遷移率數(shù)據(jù)在室溫和液氮溫度下分別為μn=600cm2/v·s和μn=1500cm2/v·s，相應(yīng)的載流子濃度為n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年報(bào)道的MOCVD沉積GaN層的電子濃度數(shù)值為4×1016/cm3、1016/cm3；等離子激活MBE的結(jié)果為8×103/cm3、1017/cm3。未摻雜載流子濃度可控制在1014～1020/cm3范圍。另外，通過(guò)P型摻雜工藝和Mg的低能電子束輻照或熱退火處理，已能將摻雜濃度控制在1011～1020/cm3范圍。2.4GaN的光學(xué)特性人們關(guān)注的GaN的特性，旨在它在藍(lán)光和紫光發(fā)射器件上的應(yīng)用。Maruska和Tietjen首先地測(cè)量了GaN直接隙能量為3.39eV。幾個(gè)小組研究了GaN帶隙與溫度的依賴關(guān)系，Pankove等人估算了一個(gè)帶隙溫度系數(shù)的經(jīng)驗(yàn)公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。Monemar測(cè)定了基本的帶隙為3.503eV±0.0005eV，在1.6kT為Eg=3.503＋（5.08×10－4T2)/(T－996)eV。另外，還有不少人研究GaN的光學(xué)特性。3GaN材料生長(zhǎng)GaN材料的生長(zhǎng)是在高溫下，通過(guò)TMGa分解出的Ga與NH3的化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)的，其可逆的反應(yīng)方程式為：Ga＋NH3=GaN＋3/2H2生長(zhǎng)GaN需要一定的生長(zhǎng)溫度，且需要一定的NH3分壓。人們通常采用的方法有常規(guī)MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等離子體增強(qiáng)MOCVD（PE—MOCVD）和電子回旋共振輔助MBE等。所需的溫度和NH3分壓依次減少。本工作采用的設(shè)備是AP—MOCVD，反應(yīng)器為臥式，并經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)改裝。用國(guó)產(chǎn)的高純TMGa及NH3作為源程序材料，用DeZn作為P型摻雜源，用（0001）藍(lán)寶石與（111）硅作為襯底采用高頻感應(yīng)加熱，以低阻硅作為發(fā)熱體，用高純H2作為MO源的攜帶氣體。用高純N2作為生長(zhǎng)區(qū)的調(diào)節(jié)。用HALL測(cè)量、雙晶衍射以及室溫PL光譜作為GaN的質(zhì)量表征。要想生長(zhǎng)出完美的GaN，存在兩個(gè)關(guān)鍵性問(wèn)題，一是如何能避免NH3和TMGa的強(qiáng)烈寄生反應(yīng)，使兩反應(yīng)物比較完全地沉積于藍(lán)寶石和Si襯底上，二是怎樣生長(zhǎng)完美的單晶。為了實(shí)現(xiàn)個(gè)目的，設(shè)計(jì)了多種氣流模型和多種形式的反應(yīng)器，終于摸索出獨(dú)特的反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，通過(guò)調(diào)節(jié)器TMGa管道與襯底的距離，在襯底上生長(zhǎng)出了GaN。同時(shí)為了確保GaN的質(zhì)量及重復(fù)性，采用硅基座作為加熱體，防止了高溫下NH3和石墨在高溫下的劇烈反應(yīng)。對(duì)于第二個(gè)問(wèn)題，采用常規(guī)兩步生長(zhǎng)法，經(jīng)過(guò)高溫處理的藍(lán)寶石材料，在550℃，首先生長(zhǎng)250A0左右的GaN緩沖層，而后在1050℃生長(zhǎng)完美的GaN單晶材料。對(duì)于Si襯底上生長(zhǎng)GaN單晶，首先在1150℃生長(zhǎng)AlN緩沖層，而后生長(zhǎng)GaN結(jié)晶。生長(zhǎng)該材料的典型條件如下：NH3：3L/minTMGa：20μmol/minV/Ⅲ=6500N2：3～4L/minH2：21L/min人們普遍采用Mg作為摻雜劑生長(zhǎng)P型GaN，然而將材料生長(zhǎng)完畢后要在800℃左右和在N2的氣氛下進(jìn)行高溫退火，才能實(shí)現(xiàn)P型摻雜。本實(shí)驗(yàn)采用Zn作摻雜劑，DeZ2n/TMGa=0.15，生長(zhǎng)溫度為950℃，將高溫生長(zhǎng)的GaN單晶隨爐降溫，Zn具有P型摻雜的能力，因此在本征濃度較低時(shí)，可望實(shí)現(xiàn)P型摻雜。但是，MOCVD使用的Ga源是TMGa，也有副反應(yīng)物產(chǎn)生，對(duì)GaN膜生長(zhǎng)有害，而且，高溫下生長(zhǎng)，雖然對(duì)膜生長(zhǎng)有好處，但也容易造成擴(kuò)散和多相膜的相分離。中村等人改進(jìn)了MOCVD裝置，他們首先使用了TWO—FLOWMOCVD（雙束流MOCVD）技術(shù)，并應(yīng)用此法作了大量的研究工作，取得成功。雙束流MOCVD生長(zhǎng)示意圖如圖1所示。反應(yīng)器中由一個(gè)H2＋NH3＋TMGa組成的主氣流，它以高速通過(guò)石英噴平行于襯底通入，另一路由H2＋N2形成輔氣流垂直噴向襯底表面，目的是改變主氣流的方向，使反應(yīng)劑與襯底表面很好接觸。用這種方法直接在α—Al2O3基板（C面）生長(zhǎng)的GaN膜，電子載流子濃度為1×1018/cm3，遷移率為200cm2/v·s，這是直接生長(zhǎng)GaN膜的值。4GaN材料的應(yīng)用4.1GaN基新型電子器件圖1雙氣流MOCVD生長(zhǎng)GaN裝置圖2GaN基器件與CaAs及SiC器件的性能比較圖3以發(fā)光效率為標(biāo)志的LED發(fā)展歷程GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數(shù)，是制作微波器件的優(yōu)先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV)及藍(lán)寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。圖2示出了GaN電子器件的性能與GaAs和SiCMESFET的比較，從圖中可以很好地看到GaN基電子器件具有很好的應(yīng)用前景。4.2GaN基光電器件GaN材料系列是一種理想的短波長(zhǎng)發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙復(fù)蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結(jié)GaN藍(lán)色LED之后，InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)超亮度藍(lán)色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問(wèn)世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍(lán)色和綠色LED已進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，從而填補(bǔ)了市場(chǎng)上藍(lán)色LED多年的空白。以發(fā)光效率為標(biāo)志的LED發(fā)展歷程見圖3。藍(lán)色發(fā)光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機(jī)等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用市場(chǎng)。隨著對(duì)Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發(fā)工作的不斷深入，GaInN超高度藍(lán)光、綠光LED技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商品化，現(xiàn)在世界各大公司和研究機(jī)構(gòu)都紛紛投入巨資加入到開發(fā)藍(lán)光LED的競(jìng)爭(zhēng)行列。1993年，Nichia公司首先研制成發(fā)光亮度超過(guò)lcd的高亮度GaInN/AlGaN異質(zhì)結(jié)藍(lán)光LED，使用摻Zn的GaInN作為有源層，外量子效率達(dá)到2.7％,峰值波長(zhǎng)450nm,并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的商品化。1995年，該公司又推出了光輸出功率為2.0mW，亮度為6cd商品化GaN綠光LED產(chǎn)品，其峰值波長(zhǎng)為525nm，半峰寬為40nm。近，該公司利用其藍(lán)光LED和磷光技術(shù)，又推出了白光固體發(fā)光器件產(chǎn)品，其色溫為6500K，效率達(dá)7.5流明/W。除Nichia公司以外，HP、Cree等公司相繼推出了各自的高亮度藍(lán)光LED產(chǎn)品。高亮度LED的市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從1998年的3.86億美元躍升為2022年的10億美元。高亮度LED的應(yīng)用主要包括汽車照明，交通信號(hào)和室外路標(biāo)，平板金色顯示，高密度DVD存儲(chǔ)，藍(lán)綠光對(duì)潛通信等。在成功開發(fā)Ⅲ族氮化物藍(lán)光LED之后，研究的重點(diǎn)開始轉(zhuǎn)向Ⅲ族氮化物藍(lán)光LED器件的開發(fā)。藍(lán)光LED在光控測(cè)和信息的高密度光存儲(chǔ)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。目前Nichia公司在GaN藍(lán)光LED領(lǐng)域居地位，其GaN藍(lán)光LED室溫下2mW連續(xù)工作的壽命突破10000小時(shí)。HP公司以藍(lán)寶石為襯底，研制成功光脊波導(dǎo)折射率導(dǎo)引GaInN/AlGaN多量子阱藍(lán)光LED。Cree公司和Fujitsu公司采用SiC作為襯底材料，開發(fā)Ⅲ族氮化物藍(lán)光LED，CreeResearch公司報(bào)道了SiC上制作的CWRT藍(lán)光激光器，該激光器彩霞的是橫向器件結(jié)構(gòu)。富士通繼Nichia，CreeResearch和索尼等公司之后，宣布研制成了InGaN藍(lán)光激光器，該激光器可在室溫下CW應(yīng)用，其結(jié)構(gòu)是在SiC襯底上生長(zhǎng)的，并且采用了垂直傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)（P型和n型接觸分別制作在晶片的頂面和背面），這是首次報(bào)道的垂直器件結(jié)構(gòu)的CW藍(lán)光激光器。在探測(cè)器方面，已研制出GaN紫外探測(cè)器，波長(zhǎng)為369nm，其響應(yīng)速度與Si探測(cè)器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測(cè)器將在火焰探測(cè)、導(dǎo)彈預(yù)警等方面有重要應(yīng)用。5.GaN的應(yīng)用前景對(duì)于GaN材料，長(zhǎng)期以來(lái)由于襯底單晶沒有解決，異質(zhì)外延缺陷密度相當(dāng)高，但是器件水平已可實(shí)用化。1994年日亞化學(xué)所制成1200mcd的LED，1995年又制成Zcd藍(lán)光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個(gè)采用寬禁帶氮化物材料開發(fā)LED的7年規(guī)劃，其目標(biāo)是到2022年研制密封在熒光管內(nèi)、并能發(fā)出白色光的高能量紫外光LED，這種白色LED的功耗僅為白熾燈的1/8，是熒光燈的1/2,其壽命是傳統(tǒng)熒光燈的50倍～100倍。這證明GaN材料的研制工作已取相當(dāng)成功，并進(jìn)入了實(shí)用化階段。InGaN系合金的生成，InGaN/AlGaN雙質(zhì)結(jié)LED，InGaN單量子阱LED，InGaN多