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精品文檔-下載后可編輯元旦前期將迎來天旺新一代二三極管-基礎(chǔ)電子1N4004T/B產(chǎn)品詳細(xì)說明：產(chǎn)品：高電導(dǎo)快速恢復(fù)二極管型號：1N4004T/BVR：75VP：350mW結(jié)點(diǎn)溫度：150℃貯存溫度：-55-125℃高電導(dǎo)快速恢復(fù)二極管MMBD4148SE封裝快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用?？旎謴?fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。

SMT貼片三極管產(chǎn)品參數(shù)：制造商:ONSemiconductor制造商零件編號:2N7002LT1G描述:MOSFETN-CH60V115MASOT-23對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求FET型:MOSFETN通道，金屬氧化物FET特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)@25°C:115mA開態(tài)Rds（）@Id,Vgs@25°C:7.5歐姆@500mA，10VId時的Vgs(th)（）:2.5V@250?A閘電荷(Qg)@Vgs-輸入電容(Ciss)@Vds：50pF@25V功率-：225mW安裝類型：表面貼裝包裝剪切帶(CT)以上是天旺科技開發(fā)有限公司提供的一部分技術(shù)資料，需要更多詳細(xì)

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