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文檔簡介
存儲器和空間第1頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一“LF”
-片內(nèi)有Flash存儲器;“LC”
-片內(nèi)有CMOS工藝的程序存儲器,LF2407/LF2407A片內(nèi):2K字的單訪問RAM(SARAM)544字的雙訪問RAM-DARAM(B0塊-256字;B1塊-256字;B2塊-32字)5.1片內(nèi)存儲器5.1.1雙訪問RAM(DARAM)一個機(jī)器周期內(nèi)可被訪問2次:主相寫數(shù)據(jù)到DARAM;而從相從DARAM讀出數(shù)據(jù)。從而大大提高運(yùn)行速度。第2頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一544字DARAM分為三塊:B0、B1和B2該存儲器空間主要用來保存數(shù)據(jù),但是B0塊也可以用來保存程序。B0塊配置成數(shù)據(jù)存儲器空間還是程序存儲器空間,要由狀態(tài)寄存器ST1的CNF位來決定:(1)CNF=1,B0映射到程序存儲器空間;(2)CNF=0,B0映射到數(shù)據(jù)存儲器空間。5.1.2單訪問RAM(SARAM)片內(nèi)有2K字的單訪問RAM(SARAM),在一個機(jī)器周期第3頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一內(nèi)只能被訪問1次。例如,如果要將累加器的值保存,且裝載一個新值到累加器,在SARAM中,完成這個任務(wù)需要兩個時鐘周期,而在DARAM中只需要一個時鐘周期。利用軟件可將SARAM配置成外部存儲器或內(nèi)部SARAM。5.1.3Flash程序存儲器片內(nèi)的Flash存儲器映射到程序存儲器空間。MP/MC*引腳決定是訪問片內(nèi)的程序存儲器(Flash)還是訪問片外的程序存儲器。
第4頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一1.
Flash程序存儲器使用電擦除的方式,進(jìn)行程序的修改和開發(fā)。Flash模塊特點:運(yùn)行在3.3V電壓模式。對Flash編程時需要在VCCP上有5V(±5%)電壓供電。Flash有多個向量,用來保護(hù)它,防止被擦除。Flash的編程是由CPU來實現(xiàn)的。2.Flash控制方式寄存器(FCMR)Flash模塊有4個寄存器。控制對Flash的操作。在任意時刻,用戶可以訪問Flash模塊中的存儲器陣第5頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一列,也可以訪問控制寄存器,但不能同時訪問。模塊有一個Flash控制方式寄存器來選擇兩種訪問模式。該寄存器映射在內(nèi)部I/O空間的FF0Fh,這是一個不能讀的特殊功能寄存器,它可在Flash的存儲器陣列方式下使能Flash,用來對Flash陣列編程。該寄存器的功能如下:使用OUT指令,可以將Flash模塊置于寄存器訪問模式,被使用的數(shù)據(jù)操作數(shù)是無意義的。例如:OUTdummy,0FF0Fh
;選擇寄存器訪問方式第6頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一使用IN指令,可將Flash模塊置于存儲器陣列訪問模式,被使用的數(shù)據(jù)操作數(shù)是無意義的。例如:INdummy,0FF0Fh ;選擇存儲器陣列訪問方式5.2程序存儲器程序存儲器空間尋址范圍為64K,包括了片內(nèi)DARAM和片內(nèi)Flash。圖5-1所示為LF2407A的程序存儲器空間的映射。
第7頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一第8頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一有兩個因素決定程序存儲器的配置:(1)CNF位。CNF位是狀態(tài)寄存器ST1的第12位,決定DARAM中的B0塊配置在數(shù)據(jù)存儲器空間,還是配置在程序存儲器空間。0:256字的B0塊被映射到數(shù)據(jù)存儲器空間。1:256字的B0塊被映射到程序存儲器空間。復(fù)位時,CNF=0,B0塊被映射到數(shù)據(jù)存儲器空間。(2)MP/MC*引腳。該引腳決定是從片內(nèi)Flash讀取指令。還是從外部程序存儲器讀取指令。
第9頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一
0:微控制器方式。此時訪問的是片內(nèi)程序存儲器(片內(nèi)Flash)0000h-7FFFh空間。
1:微處理器方式。此時訪問的是片外程序存儲器的0000h-7FFFh空間。無論MP/MC*引腳為何值,LF240xDSP都是從程序存儲器空間的0000h單元開始執(zhí)行程序。5.3數(shù)據(jù)存儲器尋址范圍高達(dá)64K字:第10頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一前32K字(0000h-7FFFh)是內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器空間,包括了DARAM和片內(nèi)外設(shè)的映射寄存器。后32K字(8000h-FFFFh)空間的存儲器為外部數(shù)據(jù)存儲器。
1.數(shù)據(jù)存儲器映射片內(nèi)有3個DARAM塊:B0、B1和B2塊。B0塊:即可為數(shù)據(jù)存儲器,也可配置為程序存儲器。B1、B2塊:只能配置為數(shù)據(jù)存儲器。圖5-2為數(shù)據(jù)存儲器空間的映射。第11頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一第12頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一兩種尋址方式:直接尋址和間接尋址。直接尋址時,128字為一頁的數(shù)據(jù)塊來對數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行尋址。圖5-3顯示了這些塊是如何被尋址的。全部64K的數(shù)據(jù)存儲器分為512個數(shù)據(jù)頁,其標(biāo)號從0-511。當(dāng)前頁由狀態(tài)寄存器ST0中的9位數(shù)據(jù)頁指針(DP)值來確定。因此,當(dāng)使用直接尋址指令時,用戶必須事先指定數(shù)據(jù)頁,并在訪問數(shù)據(jù)存儲器的指令中指定偏移量,偏移量為7位。第13頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一第14頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一編程時要注意,訪問下面的數(shù)據(jù)存儲器的地址空間是非法的,并會對NMI置位。除了以下地址,任何對外設(shè)寄存器映射中的保留地址的訪問也是非法的。
0080h-00FFh 701Fh-71FFh(CAN內(nèi)部的) 0500h-07FFh 7230h-73FFh(部分在CAN內(nèi)部) 1000h-700Fh 7440h-74FFh 7030h-703Fh 7540h-75FFh 7060h-706Fh 7600h-77EFh 77F4h-7FFFh 7080h-708Fh
第15頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一3.第0頁數(shù)據(jù)地址映射數(shù)據(jù)存儲器中包括存儲器映射寄存器,它們位于數(shù)據(jù)存儲器的第0頁(地址0000h-007Fh),表5-1對第0頁數(shù)據(jù)地址映射進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)用中必須注意以下幾點:(1)以零等待狀態(tài)訪問兩個映射寄存器:中斷屏蔽寄存器(IMR)和中斷標(biāo)志寄存器(IFR)(2)測試/仿真保留區(qū)被測試和仿真系統(tǒng)用于特定信息發(fā)送。因此不能對測試/仿真地址進(jìn)行操作。第16頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一表5-1第0頁數(shù)據(jù)地址映射
地址 名稱 說明 0000h-0003h - 保留 0004h IMR
中斷屏蔽寄存器 0005h - 保留 0006h IFR
中斷標(biāo)志寄存器
0023h-0027h - 保留 002Bh-002Fh - 保留用作測試和仿真 0060h-007Fh B2 雙訪問RAM的B2塊第17頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一4.配置數(shù)據(jù)存儲器CNF位決定B0塊的配置,CNF位是狀態(tài)寄存器ST1的第12位。
CNF=0,B0塊被映射為數(shù)據(jù)存儲器空間。復(fù)位時,CNF=0
CNF=1,B0塊被映射到程序存儲器空間。5.4I/O空間I/O空間的尋址可達(dá)64K字,圖5-4
為LF2407A的I/O空間映射。第18頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一第19頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一I/O空間訪問的控制信號為IS*。所有64K的I/O空間均可以用IN和OUT指令來訪問。當(dāng)執(zhí)行IN或OUT指令時,信號IS*變?yōu)橛行?可作為外部I/O設(shè)備的片選信號。訪問外部I/O端口與訪問程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器復(fù)用相同的的地址總線和數(shù)據(jù)總線。數(shù)據(jù)總線的寬度為16位,若使用8位的外設(shè),即可使用高8位數(shù)據(jù)總線,也可使用低8位數(shù)據(jù)總線,以適應(yīng)特定應(yīng)用的需要。第20頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一當(dāng)訪問片內(nèi)的I/O空間時,信號IS*和STRB*變成無效,外部地址和數(shù)據(jù)總線僅僅當(dāng)訪問外部I/O地址時有效。下面是使用匯編語言的直接訪問I/O空間的實際例子。
IN DAT2,0AFEEh;從端口地址為AFEEh的外設(shè);讀數(shù)據(jù),并存入DAT2寄存器
OUT DAT2,0CFEFh;輸出數(shù)據(jù)存儲器DAT2的內(nèi)容
;到端口地址為CFEFh的外設(shè)
第21頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一下面是訪問等待狀態(tài)發(fā)生器的寄存器的實例:
IN DAT2,0FFFFh
;從等待狀態(tài)發(fā)生器讀取數(shù)據(jù)到DAT2寄存器
OUT DAT2,0FFFFh
;將DAT2寄存器的數(shù)據(jù)寫入等待狀態(tài)發(fā)生器,使用等待狀態(tài)發(fā)生器5.5外部存儲器接口選通信號說明LF240xDSP可以訪問如表5-2所列出的外部存儲器和I/O空間。當(dāng)DSP外擴(kuò)存儲器和I/O時,需要將選通信號與外部存儲器和I/O的使能引腳相連。第22頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一表5-2
外部存儲器空間訪問及片選信號外部存儲空間 空間大?。ㄗ郑?選通信號程序空間 64K PS*數(shù)據(jù)空間 64K DS*I/O空間 64K IS*LF240xDSP的外部存儲器和I/O空間接口信號的功能描述如表5-3(P60)所示。第23頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一5.6等待狀態(tài)發(fā)生器當(dāng)訪問速度較慢的外部存儲器或外設(shè)時,CPU需要產(chǎn)生等待狀態(tài)。等待狀態(tài)是以機(jī)器周期為單位,CPU通過READY引腳可產(chǎn)生任意數(shù)目的等待狀態(tài)(延長訪問時間),可使快速的CPU訪問慢速的外部存儲器或外設(shè)。5.6.1用READY信號產(chǎn)生等待狀態(tài)信號若CPU所訪問的外設(shè)沒有準(zhǔn)備好,則外設(shè)應(yīng)保持READY引腳為低,此時LF240x等待一個CLKOUT周期,并再次檢查READY腳。若READY信號沒有被使用,LF240x將在外部訪問時把READY信號拉高。READY引腳可第24頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一用來產(chǎn)生任意數(shù)目的等待狀態(tài)。但是,當(dāng)LF240x全速運(yùn)行時,它不能對第一個周期作出快速響應(yīng)來產(chǎn)生一個基于READY的等待狀態(tài)。為立即得到等待狀態(tài),應(yīng)先使用片內(nèi)等待狀態(tài)發(fā)生器,然后用READY信號產(chǎn)生其余的等待狀態(tài)。5.6.2用等待狀態(tài)發(fā)生器產(chǎn)生等待狀態(tài)等待狀態(tài)發(fā)生器可編程為指定的片外空間(數(shù)據(jù)、程序或I/O)產(chǎn)生第一個等待狀態(tài),而與READY信號的狀態(tài)無關(guān)。為了控制等待狀態(tài)發(fā)生器,就必須對映射到I/O空間的等待狀態(tài)控制寄存器(WSGR,地址為FFFFh)訪問。第25頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一等待狀態(tài)控制寄存器的格式如下:位15-11:保留,讀出的值永遠(yuǎn)為0位10-9:BVIS,總線可視模式。提供了一種跟蹤內(nèi)部總線活動的方式。當(dāng)運(yùn)行片內(nèi)的程序或數(shù)據(jù)存儲器時,位10-9允許各種總線的可視模式。
00-總線可視模式關(guān)(降低功耗和噪聲);
01-總線可視模式開(降低功耗和噪聲);
10-數(shù)據(jù)到地址總線輸出到外部地址總線數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)總線輸出到外部數(shù)據(jù)總線第26頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一
11-程序到地址總線輸出到外部地址總線程序到數(shù)據(jù)總線輸出到外部數(shù)據(jù)總線位8-6:ISWS,I/O空間等待狀態(tài)位。這三位決定了片外I/O空間等待狀態(tài)(0-7)的數(shù)目。復(fù)位時,這三位置為111,為片外I/O空間的讀寫設(shè)定了7個等待狀態(tài)。位5-3:DSWS,數(shù)據(jù)空間等待狀態(tài)位。這三位決定了片外數(shù)據(jù)空間等待狀態(tài)(0-7)的數(shù)目。復(fù)位時,這三位置為111,為片外數(shù)據(jù)空間的讀寫設(shè)定了7個等待狀態(tài)。第27頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一位2-0:PSWS,程序空間等待狀態(tài)位。這三位決定了片外程序空間等待狀態(tài)(0-7)的數(shù)目。復(fù)位時,這三位置為111,為片外程序空間的讀寫設(shè)定了7個等待狀態(tài)。總之,不管READY信號的狀態(tài)如何,等待狀態(tài)發(fā)生器都將向給定的空間(數(shù)據(jù)、程序或I/O)插入0-7個等待狀態(tài),等待狀態(tài)的數(shù)目由軟件來確定。然后READY信號可以變?yōu)榈碗娖?,產(chǎn)生附加的等待狀態(tài)。第28頁,共33頁,2023年,2月20日,星期一如果m是一個特定的讀寫操作的所要求的時鐘周期(CLKOUT)的數(shù)目,w是附加的等待狀態(tài)數(shù)目,那么操作將會花費(fèi)(m+w)個周期。復(fù)位時,WSGR各位均置1,且默認(rèn)每個外部空間(數(shù)據(jù)、程序或I/O)均產(chǎn)生7個等待狀態(tài)。5.7外部存儲器接口LF240x/24
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