濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈深度研究報(bào)告_第1頁(yè)
濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈深度研究報(bào)告_第2頁(yè)
濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈深度研究報(bào)告_第3頁(yè)
濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈深度研究報(bào)告_第4頁(yè)
濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈深度研究報(bào)告_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩3頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈深度研究報(bào)告靶材是半導(dǎo)體、顯示面板、光伏等領(lǐng)域制備功能薄膜的核心原材料,存在工藝不可替代性。由于是在濺射過(guò)程中被高速金屬等離子體流轟擊的目標(biāo)材料,又稱“濺射靶材”,純度為99.95%以上,更換不同靶材可得到不同的膜系,實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電或阻擋等功能。不同應(yīng)用的靶材品種性能要求各有側(cè)重,重視高附加值的原料制備。整體而言,靶材的純度、致密度和成分均勻性、晶粒等對(duì)靶材性能都有一定影響,且針對(duì)不同的下游影響程度和側(cè)重點(diǎn)有所不同。從需求結(jié)構(gòu)來(lái)看,顯示用靶材占比最大、國(guó)內(nèi)京東方和TCL等廠家份額有望超60%;半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模在兩百億元量級(jí),技術(shù)要求最高,中國(guó)大陸及臺(tái)灣市場(chǎng)占據(jù)半壁江山。記錄媒體(機(jī)械硬盤HDD為主)用靶材份額僅次于顯示領(lǐng)域,HDD相對(duì)固態(tài)硬盤在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)無(wú)可替代,但市場(chǎng)主要以海外為主光伏領(lǐng)域,當(dāng)前薄膜電池以美國(guó)為主,HJT電池由于效率優(yōu)勢(shì)隨著成本下降發(fā)展可期。據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng),靶材行業(yè)市場(chǎng)空間有望從當(dāng)前200億元水平增至2023年300億元,3年CAGR9.7%較高增長(zhǎng)。靶材制造產(chǎn)業(yè)鏈靶材制造產(chǎn)業(yè)鏈中主要環(huán)節(jié)為“金屬提純-靶材制造-濺射鍍膜-終端應(yīng)用”四個(gè)環(huán)節(jié),各環(huán)節(jié)附加值的差異也遵從微笑曲線分布。其中濺射鍍膜是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)要求最高的環(huán)節(jié),濺射薄膜的品質(zhì)對(duì)下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要的影響。上游:金屬提純靶材純度要求高,其中薄膜太陽(yáng)能電池與平板顯示器要求純度為4N,集成電路芯片要求純度為6N。金屬提純的主要方式有化學(xué)提純與物理提純,化學(xué)提純主要分為濕法提純與火法提純,通過(guò)電解、熱分解等方式析出主金屬。物理提純則是通過(guò)蒸發(fā)結(jié)晶、電遷移、真空熔融法等步驟提純得到主金屬。全球范圍內(nèi)高純金屬產(chǎn)業(yè)集中在美國(guó)、日本等國(guó)家,國(guó)產(chǎn)靶材的大部分高純?cè)弦蕾囘M(jìn)口,銅鈦鋁小部分可以自給。挪威海德魯是全球5N5級(jí)高純鋁最大的公司。全球范圍內(nèi),高純金屬產(chǎn)業(yè)集中度較高,美國(guó)、日本等國(guó)家的高純金屬生產(chǎn)商依托先進(jìn)的提純技術(shù)在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中居于十分有利的地位,這也是國(guó)外得以寡占靶材市場(chǎng)的重要原因。長(zhǎng)期以來(lái),中國(guó)廠商主要通過(guò)從國(guó)外進(jìn)口獲得高純金屬供給。國(guó)內(nèi)少數(shù)企業(yè)已初步具備靶材原料的生產(chǎn)技術(shù),并大體可分為兩類企業(yè):一類是原有金屬生產(chǎn)企業(yè)切入高純金屬產(chǎn)品的制備;一類是靶材企業(yè)向上游原料制備延伸,提高附加值。中游:靶材制造靶材制造涉及的工序繁多,技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大,具有規(guī)?;a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少。目前全球靶材制造業(yè),尤其是高純度靶材市場(chǎng),主要份額集中在海外巨頭手中。美日龍頭企業(yè)在掌握核心生產(chǎn)技術(shù)后,實(shí)施嚴(yán)格保密措施來(lái)限制技術(shù)外泄,并通過(guò)擴(kuò)張整合把握全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主動(dòng)權(quán),先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯。全球市場(chǎng)呈現(xiàn)明顯的寡頭壟斷特征,前四大廠商市占率合計(jì)近80%。以霍尼韋爾(美國(guó))、日礦金屬(日本)、東曹(日本)和普萊克斯等跨國(guó)集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域,經(jīng)過(guò)幾十年的技術(shù)積淀,憑借其雄厚的技術(shù)力量,居于全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。其中日礦金屬壟斷全球30%的芯片靶材市場(chǎng)份額,規(guī)模最大。從靶材種類角度看,日礦金屬是銅靶的主要供應(yīng)商;攀時(shí)與世泰科為鉬靶的主要供應(yīng)商,住友化學(xué),愛(ài)發(fā)科為鋁靶的主要供應(yīng)商;三井、日礦金屬和優(yōu)美科則是ITO靶材主要供應(yīng)商。國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)起步時(shí)間較晚,發(fā)展重點(diǎn)集中在低端產(chǎn)品領(lǐng)域。本土廠商供給約占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的30%,以中低端產(chǎn)品為主,高端靶材主要從美日韓進(jìn)口。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)靶材主要參與者包括江豐電子、有研新材、阿石創(chuàng)和隆華科技等廠商。從靶材類型來(lái)看,有研新材主要拓展半導(dǎo)體領(lǐng)域,阿石創(chuàng)和隆華科技主要拓展平板顯示領(lǐng)域,江豐電子產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域、并通過(guò)募投項(xiàng)目加碼平板顯示領(lǐng)域;由于半導(dǎo)體和平板制造領(lǐng)域集中度高,各家客戶重疊度較高。顯示靶材技術(shù)要求低于半導(dǎo)體靶材,平板顯示靶材質(zhì)量和尺寸大,般就近配套平板顯示器廠商節(jié)約運(yùn)費(fèi)。顯示靶材主流廠商主要有江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技等不低于四五家。顯示靶材相比更為成熟,市場(chǎng)規(guī)模大于半導(dǎo)體靶材、競(jìng)爭(zhēng)程度也強(qiáng)于半導(dǎo)體領(lǐng)域。江豐電子是國(guó)內(nèi)最大的半導(dǎo)體芯片用高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)商,超高純金屬濺射靶材產(chǎn)品已應(yīng)用于世界著名半導(dǎo)體廠商的先端制造工藝,在7納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)批量供貨,應(yīng)用于5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的部分產(chǎn)品評(píng)價(jià)通過(guò)并量產(chǎn),部分產(chǎn)品進(jìn)入驗(yàn)證階段。有研新材的靶材產(chǎn)品覆蓋中芯國(guó)際、大連Intel、GF、TSMC、UMC、北方華創(chuàng)等多家高端客戶,銅靶在中芯國(guó)際已經(jīng)是一供,國(guó)家863計(jì)劃、02專項(xiàng)、進(jìn)口關(guān)稅、材料強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略等政策大力扶持,國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行且空間巨大,優(yōu)質(zhì)訂單也將持續(xù)向第一梯隊(duì)企業(yè)聚集。主要靶材上市公司和重點(diǎn)品種:中游:濺射鍍膜鍍膜的主要工藝有物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。PVD技術(shù)是目前主流鍍膜方法,其中的濺射工藝在半導(dǎo)體、顯示面板應(yīng)用廣泛。CVD技術(shù)主要通過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)引入反應(yīng)室,在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。在濺射鍍膜過(guò)程中,濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng),濺射機(jī)臺(tái)專用性強(qiáng)、精密度高。濺射鍍膜市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷。下游:靶材應(yīng)用領(lǐng)域根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)顯示,按照應(yīng)用領(lǐng)域分類,靶材下游應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、電子器件和其他領(lǐng)域。半導(dǎo)體芯片、平板顯示、太陽(yáng)能電池和信息存儲(chǔ)為高純?yōu)R射靶材的四大應(yīng)用領(lǐng)域,合計(jì)占比達(dá)94%。其中,半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn),技術(shù)要求最高,認(rèn)證過(guò)程最為嚴(yán)格。靶材下游應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體半導(dǎo)體是對(duì)靶材要求純度最高的領(lǐng)域,也是目前國(guó)產(chǎn)化率最低的一個(gè)領(lǐng)域。主要在“晶圓制造”和“芯片封裝”兩個(gè)環(huán)節(jié)使用,其中介質(zhì)層、導(dǎo)體層、保護(hù)層都要使5N級(jí)以上純度的靶材濺射鍍膜,先進(jìn)制程要求更高純度的金屬。全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模與全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模變化趨勢(shì)相近,據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)及中芯國(guó)際招股說(shuō)明書推測(cè),靶材在晶圓制造和封測(cè)規(guī)模成本占比約為2.7%。2020年全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)15.67億美元,我國(guó)半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模約29.86億元,日美廠商壟斷90%的芯片靶材市場(chǎng)份額。ICInsight預(yù)計(jì)2018-2022年全球及中國(guó)晶圓產(chǎn)能按年增速分別達(dá)5.3%和14%,到2023年全球和中國(guó)半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)有望分別達(dá)到百億量級(jí)和伍拾億量級(jí)。半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)對(duì)其所需要的每一種濺射靶材,一般都會(huì)選擇三家左右的穩(wěn)定供應(yīng)商。并且,從排名第一的供應(yīng)商處的采購(gòu)量最大,從排名第二的供應(yīng)商處的采購(gòu)量較小,而排名第三的供應(yīng)商則基本相當(dāng)于備胎。伴隨5G的崛起和全球晶圓制造產(chǎn)能轉(zhuǎn)移,大基金及政策支持,國(guó)內(nèi)芯片制造市場(chǎng)發(fā)展加速。競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)正從“高度壟斷”到政策扶持“單點(diǎn)突破”階段。未來(lái),隨著芯片制造向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移,國(guó)內(nèi)濺射靶材市場(chǎng)需求有望進(jìn)一步增長(zhǎng)。平板顯示器件在全球面板行業(yè)的幾輪大周期中,產(chǎn)業(yè)鏈在變遷中重新分布:“美國(guó)起源一日本發(fā)展T韓國(guó)超越T臺(tái)灣崛起T大陸發(fā)力”。以低成本、高質(zhì)量的優(yōu)勢(shì),國(guó)內(nèi)快速推進(jìn)LCD面板國(guó)產(chǎn)化,逐步搶占三星、LG等市場(chǎng)份額,上游原料端的國(guó)產(chǎn)化率持續(xù)提升。面板面積穩(wěn)定增長(zhǎng),中國(guó)份額逐步提高,推動(dòng)國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)更快增長(zhǎng)。2020年全球平板顯示靶材市場(chǎng)規(guī)模約52億美元,復(fù)合增速約8%。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模約165.9億元,復(fù)合增速約20%,全球占比約47%。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)到2023年,國(guó)內(nèi)平板顯示用靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)196.4億元。薄膜太陽(yáng)能電池靶材在光伏領(lǐng)域主要用于薄膜電池和HJT電池,潛在需求值得期待。薄膜市場(chǎng)主要由美國(guó)FirstSolar占據(jù),出貨量經(jīng)歷多年停滯甚至萎縮后,近年來(lái)隨著新一代產(chǎn)品的成本大幅下降,2019年FirstSolar公司組件產(chǎn)量大幅增長(zhǎng)112%至5.7GW。薄膜太陽(yáng)能電池具有衰減低、重量輕、材料消耗少、制備能耗低、適合與建筑結(jié)合(BIPV)等特點(diǎn),依然是光伏市場(chǎng)的重要補(bǔ)充。HJT市場(chǎng)HJT在當(dāng)前商業(yè)化及準(zhǔn)商業(yè)化組件中轉(zhuǎn)化效率最高,目前處于中試或小規(guī)模量產(chǎn)階段,隨著規(guī)?;a(chǎn)及國(guó)產(chǎn)設(shè)備替代降本可期,按《中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖》(2019年版)》HJT市場(chǎng)占比預(yù)計(jì)穩(wěn)步提高,從而拉動(dòng)靶材需求。磁材記錄靶材磁信息存儲(chǔ)、磁光信息存儲(chǔ)和全光信息存儲(chǔ)等。在光盤、機(jī)械硬盤等記錄媒體,需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。從市場(chǎng)格局主面來(lái)看,該領(lǐng)域市場(chǎng)主要在海外。記錄靶材目前被東曹、賀利氏等海外企業(yè)占據(jù),國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量和產(chǎn)能有限。目前,機(jī)械硬盤(HDD)在一般消費(fèi)領(lǐng)域逐漸被速度更快半導(dǎo)體存儲(chǔ)固態(tài)硬盤(SSD)替代,但機(jī)械硬盤容量大、價(jià)格低、寫入次數(shù)不限、數(shù)據(jù)恢復(fù)簡(jiǎn)單,在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)無(wú)可替代。國(guó)家相繼大力發(fā)展面板和半導(dǎo)體行業(yè),出現(xiàn)了以京東方為代表的的面板和以中芯國(guó)際為代表的芯片廠商,多條高世代線和大尺寸產(chǎn)線在建,面板和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移。但產(chǎn)業(yè)鏈上游配套材料仍主要由以日本為代表的國(guó)際巨頭企業(yè)為主,當(dāng)下美國(guó)持續(xù)升級(jí)對(duì)中國(guó)科技發(fā)展的限制,相關(guān)電子化學(xué)品的國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫。為解決“卡脖子”問(wèn)題,我國(guó)自2006年在《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)與技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》中就已經(jīng)確定了要

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論