存儲周期底部漸明AI時代揭開新序章

存儲市場周期復(fù)盤存儲芯片市場：標(biāo)準(zhǔn)品、大市場及強周期存儲芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)程較具備科技宗商屬性以AMRM許重復(fù)的元（itcel組每個本元一晶體和個容成晶體用控制電的放電中存電量多可于表“0“1多基本元陣列式制形存陣標(biāo)化度高可代性強具大商的屬存儲芯產(chǎn)易下需周期波影。圖：存儲芯片是最小單元的陣列式復(fù)制，標(biāo)準(zhǔn)化程度

行地址選通位線位線地址線晶體管存電選通格 資料來源：LamResearch，根據(jù)斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲和非易失性存儲兩大類。易失性存儲（V）主要隨存RA括態(tài)機儲RA和態(tài)機RA其區(qū)在是需周性刷易性V在電數(shù)不會失要括只讀儲R和存Flsh，中Flh是種快進擦操作存器，又為Dlh和RlhNDlh具有量本低度快優(yōu)但不能接行碼NRFlsh容一較小但在芯內(nèi)行碼根據(jù)Cs，RAM和AD是儲份額大兩產(chǎn)，比分達6和41。圖：存儲芯片分類 圖：M和D是存儲中份額最大的兩類（202）DRM易失性存儲RMRM斷電后數(shù)據(jù)丟失存儲芯片MKDRM易失性存儲RMRM斷電后數(shù)據(jù)丟失存儲芯片MKROMROMROM非易失性存儲NORFlah斷電后數(shù)據(jù)不丟失FlahNNDFlah他,ADA,資料來源：恒爍股份招股說明書， 資料來源：ICInsights，全球存儲芯片市場間為集成電路第二大細(xì)市場據(jù)TS統(tǒng)計2021年球集成電市模40美元同長2其中儲片場規(guī)為18元比長3于下需疲緣治沖等素TS計23年球集成路場模為40億元同下降5其中儲片場模16億，同比降1，為6，第大分。圖：全球集成電路和存儲芯片市場規(guī)模及其增速（億美元）資料來源：WSTS，相較于其他集成電產(chǎn)存儲芯片市的彈性大通常遵循34年為一個波動周期據(jù)TS數(shù)，球電路分場期有似動，其存芯片場彈性更大對成路的整周性動有定的大主因為儲片的標(biāo)準(zhǔn)程較品替代較格下需求影較敏輪周的場規(guī)模增頂出在1年22開出規(guī)下歷經(jīng)來前或于期底部置伴著大商相開減、減本開，游AI服需求動我們預(yù)存芯市于2023年半觸，將逐改。圖：不同集成電路細(xì)分產(chǎn)品市場規(guī)模增速存儲模擬存儲模擬微處理器邏輯集成電路-2%-4%資料來源：WSTS，我們以市場增速上升見頂?shù)交芈湟姷诪橐惠喼芷冢瑢Υ饲按鎯π酒袌鋈喼芷谇闆r進行復(fù)盤：第一輪周（22此周上主是Pe4s發(fā)后能手需求的而動對AM和D需增大儲商紛終導(dǎo)致市供于，格現(xiàn)下，入行期。第二輪周（016此周上一面安卓機爭力強并展提升內(nèi)和儲間追戰(zhàn)手C端需有所一面要存廠商如星SK海士光等紛產(chǎn)向DAD而DAM在求振同時面臨能足于價上漲周下主是大廠商3DND產(chǎn)C務(wù)器需動不，體上大求。第三輪周期（020）：本周于20年，要疫帶的家辦需求，動C服器求升另面G終端新為儲游長開了空由于情地緣治突匯波等多面因下需持續(xù)軟，自221存芯價持續(xù)跌部細(xì)產(chǎn)已經(jīng)破史點我判斷前已經(jīng)近輪期底位置計23年年周將底升。第輪周期：5年第輪周期：6年第輪周期：202第輪周期：5年第輪周期：6年第輪周期：202年上行周期：智能手機需求爆發(fā)下行周期：各大廠商擴產(chǎn)落地導(dǎo)致供于求

上行周期：1）安卓機競爭加強提升容2向，導(dǎo)致DM產(chǎn)能不足下行周期：3DNN大幅擴產(chǎn)，C需求疲軟

上行周期：1）疫情拉動C、服務(wù)器需25下行周期：新一輪產(chǎn)能投產(chǎn)，但下游費需求疲軟9080706050403020100

212 213 214 215

2%1%1%5%0%5%1%

180160140120100806040200

216 217 218 219

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180160140120100806040200

220 221222E

4%3%2%1%0%1%2%市規(guī)（美） 增（軸）資料來源：WSTS，周期性研究框架：需求催化、資本開支及庫存通過存芯市周的特分及輪期盤們結(jié)存芯場周性研究框儲片術(shù)代無是eeene行技術(shù)升與資期密連且于儲片種需高資開對下需常敏感產(chǎn)而商常要現(xiàn)模才達盈利標(biāo)因需上時存廠常會增資開大能以加售若游求不預(yù)市供大于求場價格束行開進降價庫區(qū)時儲廠通會擇動減產(chǎn)行逆周投如星但總而市供將以收伴著游回出新的應(yīng)需增，場求關(guān)又逐緩。當(dāng)前們處各存廠商繼減能且由AI服器的量求，催周期提觸們計3下年場求將恢正下通周期研框架的個要標(biāo)進步佐這判。M制程迭代MoreMore技術(shù)周期More'sLwM制程迭代MoreMore技術(shù)周期More'sLwNDMorethnMore 投資周期規(guī)模化推動周期擴大產(chǎn)能增加資本開支供過于求供不應(yīng)求逆周期投資降價去庫存縮減產(chǎn)能智能手機個人電腦服務(wù)器汽車電子可穿戴設(shè)備信息通訊資料來源：資本開支：周期的瞻標(biāo)存儲片商資開增速市規(guī)增有強的關(guān)且資支大下，存儲場逐恢增。圖：存儲廠商的資本開支增速與市場規(guī)模增速具有較強的相關(guān)性存儲市場增速APEX存儲市場增速APEX150%100%50%-50%20012001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022E資料來源：WSTS，Bloomberg，從全存芯龍司2023年資開計看三保逆期資的略與2022年資開支平，其幾家宣下調(diào)2023年本支計，下降較大，們計場需逐漸復(fù)。公司 3資本開支計劃表：除三星外各大存儲廠商紛紛下調(diào)023公司 3資本開支計劃三星 與2年本開持平美光 減少至0億美，同下約%SK海力士 減少超%西部數(shù)據(jù) 減少閃和硬的資開支華邦 減少至1億新幣，比降%南亞科 減少至5億新幣，比降%資料來源：各公司公告，庫存：周期的節(jié)奏斷庫存以為個期奏判的標(biāo)市在過于之存位持續(xù)升后通過價減等式庫存位會漸復(fù)相對常水三家的貨來看三和SK海士存貨速已見始轉(zhuǎn)下美的仍保增但在其Y2說上司表，戶庫已開始降公計DO在2經(jīng)達到峰，來逐開下降。圖：222年三大存儲廠商庫存水位均有所提升 圖1：K海力士和三星的存貨增速已見頂光 SK海力士 光 SK海力士 ,0,0,0,00

美光 SK海力士 三星資料來源：Bloomberg，（注：美光FQ2財季為12月至年2，為較不公司存，將光數(shù)前置個季）

資料來源：Bloomberg，（注：美光FQ2財季為12月至年2，為較不公司存，將光數(shù)前置個季）供需研判當(dāng)前趨勢需求端：AI大時代帶來存儲芯片新需求智能手機服務(wù)器和C是存儲芯片的主要求源根華產(chǎn)研統(tǒng)計從RAM來能手的求最比達9服器和C之占分為34和3。ND的一需來也是能機占為，次PCD和級D額分達8和18中企級SD主應(yīng)高性計邊計高端數(shù)據(jù)中等種業(yè)場中的SD產(chǎn)。圖1：M下游應(yīng)用份額（202） 圖1：D下游應(yīng)用份額（202）智能手服務(wù)器其他

智能手機CS企業(yè)資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院， 資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，智能手機和C端單機容量仍有提升空間。球智手和C的量提動不足是能和C升級代升量格趨勢變單容仍定提空。以智手為24全球能機RM單機量有1BD均機容量，到20別提至4B和1B。圖1：智能手機M平均單機容量() 圖1：智能手機D平均單機容量(.3..3.8.2.5.4.8.44 321 04 5 6 7 8 9

04 5 6 7 8 9 資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院， 資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，AI服務(wù)器對DAM和ND均有更高的求，AI有望成為存儲需求期長的強勁驅(qū)動力由AI布的PT開了AI大潮代各廠相開推出模產(chǎn)品，模的練部需要量的AI算芯供支，樣量數(shù)集傳和存也對力出更的求在AI服器應(yīng)存儲片要括高存儲HBRAM和S對AI服務(wù)的作景要供更的高能更的遲和更的應(yīng)度。圖1：I服務(wù)器對存儲芯片提出了更高要求，也帶來了更大需求DDM&LExpander更大容量Accelatr+HBMGPGPA、AIC更容、性能資料來源：Samsung，高帶存器ihBihyB是三AD和K士發(fā)的種基于D堆工的能A過加展存量讓的模更的參數(shù)在核計更的地方從減內(nèi)存儲決案來延適用高儲器帶需的用合從技角看BM使RAM從傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)為體3，分利用間縮面，合半體業(yè)型、成化發(fā)趨。HBM首先將RMie疊起，后用SV術(shù)，在RAM片搭數(shù)千微孔并過直通電連接下片憑借SV方式BM大幅高量和據(jù)輸速率堆好的RMe與U一封裝過硅介里觸實連接最在底層上裝板以NDA0為顆U要B顯在U附近會置5顆B3。圖1：M是一種基于3D堆疊工藝的M內(nèi)存芯片 圖1：相比于，M有更好的性能、更小的體積資料來源：AMD， 資料來源：AMD，根據(jù)美光測算，AI服務(wù)中RAM數(shù)量是傳統(tǒng)服器的8倍，D是傳統(tǒng)的3倍。這一輪AI浪實動了儲片需量根據(jù)Foe測023年SrRAM的元貨重超過leDAM成第一需增，比達3外，模龐的據(jù)也需更容的ND儲存據(jù)P3的就1750億，P4預(yù)要更數(shù)。圖1：everM和obleM位元產(chǎn)出比重 圖1：3的參數(shù)量達到750億個資料來源：TrendForce， 資料來源：NVIDIA，以英在3年C大會新布為模設(shè)的AI服器VDADX0為例，臺務(wù)里置8顆H0，每顆PU需要B顯，用B2e或H（B的案則顆U需要5顆M與相應(yīng)外DX0服務(wù)器還要TB系內(nèi)2條TB的SD及8條TB的S我們預(yù)計隨著各大廠商相繼推出模平臺對AI服務(wù)器的需與之快速增長也將有強勁拉動存芯片朝著更大容量更性能方向演進，成存市場長期增長驅(qū)動。表：NVIDIADXH100的存儲容量GPU xIA0TesresGPUmory GBSmmmory TBSorge OS:x.BVMeM.2Inrnlorge x.TBVMe.2資料來源：NVIDIA，供給端：龍頭廠商開啟實質(zhì)性減產(chǎn)，下半年有望出現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)通用市場競爭格局中大陸存儲廠商發(fā)力基場從球儲片競爭局看，RM場度中，3美收爾達逐漸星K士和光足鼎立格據(jù)Sisa數(shù)據(jù)23星SK力士美的場額別為、2和R3達9。ND的度保較水，五玩家別三星、俠西數(shù)SK海力和光據(jù)SsaC5為%于通型儲芯片較的術(shù)壘高額資開，陸儲廠主發(fā)在基市場。圖2：M市場形成三星、K海力士和美光三足鼎立格局 圖2：D市場份額集中度不斷提升資料來源：Statista， 資料來源：Statista，海外存儲龍頭廠商啟質(zhì)減產(chǎn)，下半年望現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)。從1開啟本存儲周下區(qū)場出現(xiàn)著滑主存商業(yè)均現(xiàn)著滑至大虧。由于儲場爭局中頭商整能市場給況善果著此免市場格持跌存大廠選通降產(chǎn)利用的式解求況過各大存廠最產(chǎn)規(guī)方案以現(xiàn)各原已經(jīng)啟質(zhì)減們計23年下半供情或趨平衡伴需提有出現(xiàn)轉(zhuǎn)。公司 產(chǎn)能規(guī)劃表：各大存儲廠商紛紛宣布公司 產(chǎn)能規(guī)劃美光 除βM和2層AD，進一減少他晶產(chǎn)能目已減約SK海力士

FY2績會將投規(guī)模減去年一以上經(jīng)營調(diào)，對/P5、BM3主打品和來產(chǎn)持進行投資鎧俠 將旗下于日的座AD工廠從0月開晶圓量減約西部數(shù)據(jù)

Q4業(yè)績：布ADlash晶圓產(chǎn)將少，將延下座AD廠的建廠時間華邦 減產(chǎn)約%旺宏 Q4減產(chǎn)%資料來源：各公司官網(wǎng)，價格端：跌幅逐漸收窄，232或見價格拐點RAM價格跌破歷史，ND價格相對堅挺根據(jù)RAeche據(jù)，輪期存儲場格從21下半開下區(qū)，到2023年季已連跌將兩，RM現(xiàn)貨價格及合格均已到達歷史谷底，分產(chǎn)品價格跌破歷史最價，我們預(yù)RM格幅跌持續(xù)段間但行力較。較言AD價格幅度較小但體保下，我計D格望比RM早到。圖2：M現(xiàn)貨價變化趨勢（美元） 圖2：M合約價變化趨勢（美元）資料來源：DRAMeXchange， 資料來源：DRAMeXchange，圖2：D現(xiàn)貨價變化趨勢（美元） 圖2：D合約價變化趨勢（美元）.0.0.0.0.0.0.02013201306201312201406201412201506201512201606201612201706201712201806201812201906201912202006202012202106202112202206202212

MCNND4b MCNND2b

.0.0.0.0.0.0.0

MCNND4b MCNND2b資料來源：DRAMeXchange， 資料來源：DRAMeXchange，22價格跌幅有望窄2H2或見價格拐據(jù)Foe據(jù)1RAM價格近20ND價格為10在當(dāng)時大廠續(xù)進減，供需系漸計2價跌將所窄RAM價收至0AD價格至我預(yù)計H2或見存價的拐點，I新需求有望推動存儲周期復(fù)蘇。QE QF表：各類DQE QFPCMSvrM

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:n~%:nBledS:n~%:n~%:n~%BledS:n~%MoileMn~%n~%icsAMn~%n~%smerMn~%n~%TotlMdown~%down~%資料來源：TrendForce，QE QF表：各類QE QFMMCS n~%

csmernmoilen~%EtiseSD n~% n~%litSSD n~% n~%DADTLC&Q)

n~% motlylatTotlDlh down~% down~%資料來源：TrendForce，投資建議存儲片場有強周期性從場格看管有定下趨勢但下探壓較一大存廠相實性產(chǎn)調(diào)本支加去庫方面CPT催化AI潮時帶存芯新需求量我判存芯片格近周期部置預(yù)于2023年半見，即將來暖。NNDDM圖2：主流存儲市場和利基型市場主要參與者NNDDM 主流市場 DDM4SRMSRM 利基市場

NNNDSL、以下MLLROMNOR ROMNOR資料來源：各公司官網(wǎng)，（注：根據(jù)各公司公告產(chǎn)品不完全統(tǒng)計）在本周或觸回的驅(qū)下我看細(xì)領(lǐng)域強爭力公司建注兆易NRLDAM、京車載A車載A）、芯份（LARDA、普股NREM）恒股份N）。兆易創(chuàng)新：ORFlash市場龍頭，RAM快速提升兆易新內(nèi)NRlh龍公主業(yè)括存芯U傳器其存儲芯片1收占為4為司主的來司儲品括NRF、NDlsh和A根據(jù)司告1年司NRlsh市排球第名是國灣華電和旺電司5列PINRlh容量蓋場需求容范從b到車級NR蓋b容量公司RAM產(chǎn)與合肥鑫度作公關(guān)日關(guān)聯(lián)預(yù)計度公計1長的自研購達8億，已近2年，公正速局RM產(chǎn)品。圖2：兆易創(chuàng)新三條產(chǎn)品線收入情況（億元） 圖2：兆易創(chuàng)新存儲產(chǎn)品線片片 MCU .1.3.6.6.9.5.4.5.0.0.35.46208 9 0 資料來源：， 資料來源：公司公告，表：預(yù)計23H1向長鑫的自研采購金額接近2全年水平預(yù)計金額億元)實際金額億元)代銷.8.32 自研.6.1合計.4.4代銷.7-1 自研.8-合計.5-資料來：公公告信達券發(fā)中心北京君正：并購ISSI成為車載AM龍頭北京于20年購SS快切存芯域司營務(wù)括儲芯能視頻擬互片及處器存儲片2收比達公司主收來。司存芯為ARM和lh大，主面汽車業(yè)療行市及高消類場2年司規(guī)AM和規(guī)AM在全球規(guī)分場名前茅規(guī)lh片市場比現(xiàn)大增長。圖2：北京君正四條產(chǎn)品線收入情況（億元） 圖3：汽車平均M用量（B）片智視芯片模與聯(lián)片微理芯片..5.4.5.9.5.9.7..7.4.9..9.9.7496.08 9

資料來源：， 資料來源：TrendForce，東芯股份：聚焦中小型存儲，利基存儲平臺型公司東芯份品布全可同提供ADRDAP產(chǎn)21條產(chǎn)線入比