器件 重要術語

/本征載流子:平衡時本征半導體內(nèi)的載流子。摻雜：為了有效改變電學特性，往半導體中加入特定類型的原子的工藝。遷移率：反應載流子在半導體材料中的運動難以程度。非平衡載流子：超出平衡態(tài)濃度的那一部分載流子。漂移電流：在電場作用下,載流子運動形成的電流。小注入：過剩載流子濃度遠小于熱平衡多子濃度的情況。耗盡層、勢壘區(qū)、空間電荷區(qū):ｐｎ結兩側由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負電的區(qū)域。接觸電勢差:pｎ結兩邊中性區(qū)之間的單位差.單邊突變結：冶金結一側的摻雜濃度遠大于另一側的摻雜濃度的pｎ結.勢壘電容：反向偏置下,隨外加電壓變化,載流子在勢壘區(qū)中存入和取出等效為電容。擴散電容：對于正偏pｎ結，擴散區(qū)中的電荷隨外加偏壓變化而變化產(chǎn)生的電荷存儲效應等效為電容。雪崩擊穿:電子或空穴穿越空間電荷區(qū)時,與空間電荷區(qū)內(nèi)原子的電子發(fā)生碰撞產(chǎn)生電子-空穴對，在pn結內(nèi)形成一股很大的反偏電流，此過程稱為雪崩擊穿。隧道擊穿：對重摻雜pｎ結,當結上反偏電壓增大到一定程度,將使得隧道電流急劇增加，呈擊穿現(xiàn)象。異質(zhì)結：兩種不同的半導體材料接觸形成的結。歐姆接觸：金屬半導體接觸電阻很低，且在結兩邊都能形成電流的接觸?；鶇^(qū)輸運系數(shù)：體現(xiàn)中性基區(qū)中載流子復合的一股系數(shù).基區(qū)寬邊效應：基區(qū)寬度隨集電結反偏電壓的變化而變化的現(xiàn)象。厄利電壓：晶體管I－V特性曲線反向延長線與電壓坐標軸的交點的絕對值電壓。大注入:非平衡少子濃度超過平衡多數(shù)載流子濃度的情況?；鶇^(qū)電導調(diào)制：大注入情況下，為保持電中性基區(qū)多子隨少子同時增加，使基區(qū)等效方塊電阻減小的現(xiàn)象.膝點電流:大注入是B0開始下降所對應的電流。注入效率：描述載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)注入的一個系數(shù)。電流集邊效應:由于基區(qū)橫向壓降的影響，是發(fā)射結電流集中于里基極附近的發(fā)射結邊緣處的現(xiàn)象?；鶇^(qū)穿通：有效基區(qū)寬度趨于零使電流急劇增大的現(xiàn)象。渡越時間：載流子通過某區(qū)域所用的時間。小信號:信號幅度很小，滿足條件V〈〈（kt/ｑ)=26mV截止頻率:電流增益下降為低頻值的1/（ｓqrt（2）)倍時的頻率。特征頻率:共射極電流增益下降為1時的頻率。閾值電壓：開始形成溝道時在柵極上所加的電壓。夾斷：當Vds增加到時漏端溝道截面積減小到零時成為溝道夾斷電壓.平帶電壓：由于柵極材料和襯底材料間的功能函數(shù)差以及柵氧化層中固定正電荷的影響而引起的電壓偏移.強反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時的情況?？鐚?漏電流的改變量與對應的柵壓改變量之比。閂鎖:如在ＣＭOＳ電路中那樣，可能發(fā)生在四層pｎpn結構中的高電流低電壓現(xiàn)象.基區(qū)Gummel數(shù)：與單位結面積對應的基區(qū)中摻雜總數(shù).基區(qū)自偏壓：基區(qū)電流水平流過基區(qū),在有源區(qū)上產(chǎn)生壓降，使靠近基極處的電勢與遠離基極處的電勢不等，而發(fā)射區(qū)摻雜濃度較高,電勢相等，從而使eb結壓降不等。亞閾電流：Vgｓ低于閾值電壓時的溝道電流。溝道長度調(diào)制效應：當MOＳFＥT進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓改變.窄溝效應：溝道寬度變窄后閾值電壓偏移。短溝效應：溝道長度變短引起的閾值電壓偏移閾值調(diào)整：通過離子注入改變半導體摻雜濃度從而改變Vt。源漏穿通：由于漏源電壓引起的源極和襯底之間的勢壘高度降低,從而導致漏電流迅速增大.有受主雜質(zhì)因為得到電子而帶負電的情況。簡并半導體:電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度，費米能級位于導帶中,或價帶中的半導體。施主原子：為了形成ｎ型半導體而加入半導體內(nèi)的雜質(zhì)原子.有效狀態(tài)密度：即在導帶能量范圍內(nèi)對量子態(tài)密度函數(shù)gc（Ｅ）與費米函數(shù)f（E）的乘積進行積分得到的參數(shù)Nｃ；在價帶能量范圍內(nèi)對量子態(tài)密度函數(shù)gv（E）與［１-f(E)］的乘積進行積分得到的參數(shù)Nv。非本征半導體：進行了定量施主或受主摻雜,從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產(chǎn)生多數(shù)載流子電子或多數(shù)載流子空穴的半導體。束縛態(tài)：低溫下半導體內(nèi)的施主與受主呈現(xiàn)中性的狀態(tài)。此時，半導體內(nèi)的電子濃度與空穴濃度非常小。本證載流子濃度ni：本征半導體內(nèi)導帶電子的濃度和價帶空穴的濃度.本征費米能級Efｉ：本征半導體內(nèi)的費米能級位置。本征半導體:沒有雜質(zhì)原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導體材料。非簡并半導體：摻入相對少量的施主和(或)受主雜質(zhì)，使得施主和（或)受主能級分立、無相互作用的半導體。第五章：電導率：關于載流子漂移的材料參數(shù)；可量化為漂移電流密度和電場強度之比。第六章:雙極擴散系數(shù)：過剩載流子的有效擴散系數(shù).雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率。雙極輸運：具有相同擴散系數(shù)、遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴散、遷移和復合過程。雙極輸運方程：用時間和空間變量描述過剩載流子狀態(tài)函數(shù)的方程。載流子的產(chǎn)生：電子從價帶躍入導帶，形成電子-空穴對的過程。載流子的復合：電子落入價帶中的空能帶導致電子—空穴對消滅的過程。過剩載流子：過剩電子和空穴的總稱。過剩電子:導帶中超出熱平衡狀態(tài)密度的電子濃度。過剩空穴:價帶中超出熱平衡狀態(tài)密度的空穴濃度.過剩少子壽命：過剩少子在復合前存在的平均時間.產(chǎn)生率：電子—空穴對產(chǎn)生的速率。小注入：過剩載流子濃度遠小于熱平衡多子濃度的情況。少子擴散長度：少子在復合前的平均擴散距離：數(shù)學表達式為sqｒt（Dt)，其中D和t分別為少子的擴散系數(shù)和壽命。準費米能級：電子和空穴的準費米能級分別將電子和空穴的非平衡狀態(tài)濃度與本征載流子濃度已經(jīng)本征費米能級聯(lián)系起來。復合率:電子—空穴對復合的速率。表面態(tài)：半導體表面禁帶中存在的電子能態(tài).第七章：突變結近似：認為從中性半導體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個突然的不連續(xù).內(nèi)建電勢差：熱平衡狀態(tài)下pn結內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電電勢差.耗盡層電容：勢壘電容的另一種表達。耗盡區(qū)：空間電荷區(qū)的另一種表達。超突變結:一種為了實現(xiàn)特殊電容－電壓特性而進行冶金結處高摻雜的ｐｎ結,其特點是pｎ結一側的摻雜濃度由冶金結處開始下降。勢壘電容（結電容）：反向偏置下ｐn結的電容.線性緩變結：冶金結兩側的摻雜濃度可以由線性分布近似的pｎ結。冶金結：pn結內(nèi)p型摻雜與n型摻雜的分界面。單邊突變結：冶金結一側的摻雜濃度遠大于另一側的摻雜濃度的ｐｎ結。反偏：ｐn結的n區(qū)相對于p區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時勢壘的大小?？臻g電荷區(qū)：冶金結兩側由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負電的區(qū)域.空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到ｐ區(qū)與n區(qū)內(nèi)的距離,它是摻雜濃度與外加電壓的函數(shù).變?nèi)荻O管:電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管.：兩元素化合物半導體,如GａAs.共價鍵：共享價電子的原子間鍵合。金剛石晶格：硅的原子晶體結構,亦即每個原子有四個緊鄰原子,形成一個四面體組態(tài).摻雜：為了有效改變電化學特性,往半導體中加入特定類型的原子的工藝.元素半導體:單一元素構成的半導體,比如硅、鍺.外延層:在襯底表面形成的一薄層單晶材料。離子注入：一種半導體摻雜工藝。晶格：晶體中原子的周期性排列。密勒指數(shù)：用于描述晶面的一組整數(shù)。原胞:可復制以得到整個晶格的最小單元。襯底:用于更多半導體工藝比如外延或擴散的基礎材料，半導體硅片或其他原材料。三元半導體:三元素化合物半導體，如AlGａAs。晶胞:可以重構出整個晶體的一小部分晶體.鉛鋅礦晶格:與金剛石晶格相同的一種晶格,但它有兩種類型的原子二非一種。第二章:德布羅意波長：普朗克常數(shù)與粒子動量的比值所得的波長.海森堡不確定原理：我們無法精確確定成組的共軛變量值，從而描述粒子的狀態(tài)，如動量和坐標。泡利不相容原理：任意兩個電子都不會處在同一個量子態(tài)。光子：電磁能量的粒子形態(tài)。量子：熱輻射的粒子形態(tài).量子化能量：束縛態(tài)粒子所處的分立能級。量子數(shù):描述粒子狀態(tài)的一組數(shù)，例如原子中的電子。量子態(tài)：可以通過量子數(shù)描述的粒子狀態(tài)。隧道效應:粒子穿透薄層勢壘的量子力學現(xiàn)象。波粒二象性:電磁波有時表現(xiàn)為粒子狀態(tài)，二粒子有時表現(xiàn)為波動狀態(tài)的特性.第三章:允帶：在量子力學理論中，晶體中可以容納電子的一系列能級。狀態(tài)密度函數(shù)：有效量子態(tài)密度。它是能量的函數(shù)，表示為單位體積單位能量中的量子態(tài)數(shù)量。電子的有效質(zhì)量:該參數(shù)將晶體導帶中電子的加速度與外加作用力聯(lián)系起來，該參數(shù)包含了晶格中的內(nèi)力。費米狄拉克函數(shù)：該函數(shù)描述了電子在有效能級中的分布,代表了一個允許能量狀態(tài)被電子占據(jù)的概率。費米能級：該能量在T=0K時高于所有被電子填充的狀態(tài)的能量,二低于所有空狀態(tài)的能量.禁帶：在量子力學理論中晶體中不可以容納電子的一系列能級?？昭ǎ号c價帶頂部的空狀態(tài)相關的帶正電的粒子?？昭ǖ挠行з|(zhì)量：該參數(shù)同樣將晶體價帶中空穴的加速度與外加的力聯(lián)系起來，而且包含了晶體中的內(nèi)力。k空間能帶圖：以k為坐標的能量曲線，其中k為與運動常量有關的動量,該運動常量結合了晶體內(nèi)部的相互作用.克龍尼克潘納模型：由一系列周期性階躍函數(shù)組成，是代表一維單晶晶格周期性勢函數(shù)的數(shù)學模型。麥克斯韋波爾茲曼近似：為了用簡單的指數(shù)函數(shù)近似費米-狄拉克函數(shù)，從而規(guī)定滿足費米能級上下若干kT的約束條件.泡利不相容原理:任意兩個電子都不會處在同一量子態(tài)。第四章：受主原子：為了形成p型材料而加入半導體內(nèi)的雜質(zhì)原子。載流子電荷:在半導體內(nèi)運動并形成電流的電子和（或)空穴.雜質(zhì)補償半導體：同一半導體區(qū)域內(nèi)既含有施主雜質(zhì)有含有受主雜質(zhì)的半導體。完全電離:所有施主雜質(zhì)原子因為失去電子而帶正電,所有受主雜質(zhì)因為得到電子而帶負電的情況.簡并半導體：電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度,費米能級位于導帶中,或價帶中的半導體。施主原子:為了形成ｎ型半導體而加入半導體內(nèi)的雜質(zhì)原子。有效狀態(tài)密度:即在導帶能量范圍內(nèi)對量子態(tài)密度函數(shù)ｇc（E)與費米函數(shù)f(Ｅ）的乘積進行積分得到的參數(shù)Ｎc;在價帶能量范圍內(nèi)對量子態(tài)密度函數(shù)gｖ（Ｅ）與［1－f(Ｅ)］的乘積進行積分得到的參數(shù)Nv.非本征半導體:進行了定量施主或受主摻雜，從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產(chǎn)生多數(shù)載流子電子或多數(shù)載流子空穴的半導體。束縛態(tài)：低溫下半導體內(nèi)的施主與受主呈現(xiàn)中性的狀態(tài)。此時，半導體內(nèi)的電子濃度與空穴濃度非常小。本證載流子濃度ni:本征半導體內(nèi)導帶電子的濃度和價帶空穴的濃度。本征費米能級Ｅfi：本征半導體內(nèi)的費米能級位置.本征半導體：沒有雜質(zhì)原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導體材料。非簡并半導體:摻入相對少量的施主和（或）受主雜質(zhì)，使得施主和(或）受主能級分立、無相互作用的半導體.第五章:電導率：關于載流子漂移的材料參數(shù);可量化為漂移電流密度和電場強度之比。擴散：粒子從高濃度向低濃度區(qū)運動的過程。擴散系數(shù)：關于粒子流動與粒子濃度梯度之間的參數(shù)。擴散電流：載流子擴散形成的電流。漂移：在電場作用下，載流子的運動過程。漂移電流:載流子漂移形成的電流.漂移速度：電場中載流子的平均漂移速度。愛因斯坦關系：擴散系數(shù)和遷移率的關系?；魻栯妷?在霍爾效應測量中,半導體上產(chǎn)生的橫向壓降。電離雜質(zhì)散射：載流子和電離雜質(zhì)原子之間的相互作用。晶格散射：載流子和熱振動晶格原子之間的相互作用。遷移率：關于載流子漂移和電場強度的參數(shù).電阻率：電導率的倒數(shù)，計算電阻的材料參數(shù)。飽和速度：電場強度增加時，載流子漂移速度的飽和值。第六章:雙極擴散系數(shù):過剩載流子的有效擴散系數(shù)。雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率。雙極輸運:具有相同擴散系數(shù)、遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴散、遷移和復合過程。雙極輸運方程:用時間和空間變量描述過剩載流子狀態(tài)函數(shù)的方程.載流子的產(chǎn)生:電子從價帶躍入導帶，形成電子-空穴對的過程。載流子的復合：電子落入價帶中的空能帶導致電子—空穴對消滅的過程。過剩載流子：過剩電子和空穴的總稱。過剩電子:導帶中超出熱平衡狀態(tài)密度的電子濃度。過剩空穴：價帶中超出熱平衡狀態(tài)密度的空穴濃度.過剩少子壽命：過剩少子在復合前存在的平均時間。產(chǎn)生率：電子—空穴對產(chǎn)生的速率.小注入：過剩載流子濃度遠小于熱平衡多子濃度的情況。少子擴散長度:少子在復合前的平均擴散距離：數(shù)學表達式為sｑｒｔ（Dt）,其中D和t分別為少子的擴散系數(shù)和壽命。準費米能級：電子和空穴的準費米能級分別將電子和空穴的非平衡狀態(tài)濃度與本征載流子濃度已經(jīng)本征費米能級聯(lián)系起來。復合率：電子-空穴對復合的速率。表面態(tài):半導體表面禁帶中存在的電子能態(tài).第七章:突變結近似：認為從中性半導體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個突然的不連續(xù)。內(nèi)建電勢差:熱平衡狀態(tài)下pｎ結內(nèi)p區(qū)與ｎ區(qū)的靜電電勢差.耗盡層電容:勢壘電容的另一種表達。耗盡區(qū):空間電荷區(qū)的另一種表達。超突變結:一種為了實現(xiàn)特殊電容-電壓特性而進行冶金結處高摻雜的pn結，其特點是pn結一側的摻雜濃度由冶金結處開始下降。勢壘電容（結電容):反向偏置下pn結的電容。線性緩變結:冶金結兩側的摻雜濃度可以由線性分布近似的ｐn結。冶金結:pn結內(nèi)p型摻雜與n型摻雜的分界面.單邊突變結：冶金結一側的摻雜濃度遠大于另一側的摻雜濃度的pn結。反偏：ｐn結的n區(qū)相對于ｐ區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時勢壘的大小?？臻g電荷區(qū)：冶金結兩側由于ｎ區(qū)內(nèi)施主電離和ｐ區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負電的區(qū)域.空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到p區(qū)與n區(qū)內(nèi)的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的函數(shù)。變?nèi)荻O管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。本征載流子:平衡時本征半導體內(nèi)的載流子。摻雜：為了有效改變電學特性,往半導體中加入特定類型的原子的工藝.遷移率:反應載流子在半導體材料中的運動難以程度。非平衡載流子:超出平衡態(tài)濃度的那一部分載流子。漂移電流：在電場作用下，載流子運動形成的電流.小注入：過剩載流子濃度遠小于熱平衡多子濃度的情況。耗盡層、勢壘區(qū)、空間電荷區(qū)：pｎ結兩側由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負電的區(qū)域。接觸電勢差：pn結兩邊中性區(qū)之間的單位差.單邊突變結：冶金結一側的摻雜濃度遠大于另一側的摻雜濃度的pn結。勢壘電容：反向偏置下，隨外加電壓變化，載流子在勢壘區(qū)中存入和取出等效為電容.擴散電容:對于正偏pn結，擴散區(qū)中的電荷隨外加偏壓變化而變化產(chǎn)生的電荷存儲效應等效為電容。雪崩擊穿：電子或空穴穿越空間電荷區(qū)時，與空間電荷區(qū)內(nèi)原子的電子發(fā)生碰撞產(chǎn)生電子—空穴對，在ｐn結內(nèi)形成一股很大的反偏電流,此過程稱為雪崩擊穿。隧道擊穿：對重摻雜ｐn結，當結上反偏電壓增大到一定程度，將使得隧道電流急劇增加,呈擊穿現(xiàn)象.異質(zhì)結:兩種不同的半導體材料接觸形成的結。歐姆接觸:金屬半導體接觸電阻很低,且在結兩邊都能形成電流的接觸?；鶇^(qū)輸運系數(shù)：體現(xiàn)中性基區(qū)中載流子復合的一股系數(shù)?；鶇^(qū)寬邊效應：基區(qū)寬度隨集電結反偏電壓的變化而變化的現(xiàn)象。厄利電壓：晶體管I—V特性曲線反向延長線與電壓坐標軸的交點的絕對值電壓.大注入:非平衡少子濃度超過平衡多數(shù)載流子濃度的情況?；鶇^(qū)電導調(diào)制：大注入情況下，為保持電中性基區(qū)多子隨少子同時增加，使基區(qū)等效方塊電阻減小的現(xiàn)象。膝點電流：大注入是B0開始下降所對應的電流。注入效率:描述載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)注入的一個系數(shù).電流集邊效應：由于基區(qū)橫向壓降的影響，是發(fā)射結電流集中于里基極附近的發(fā)射結邊緣處的現(xiàn)象。基區(qū)穿通：有效基區(qū)寬度趨于零使電流急劇增大的現(xiàn)象。渡越時間:載流子通過某區(qū)域所用的時間.小信號:信號幅度很小，滿足條件V〈<(kｔ/q)=2６mV截止頻率:電流增益下降為低頻值的１/(sqrt(2）)倍時的頻率.特征頻率：共射極電流增益下降為1時的頻率。閾值電壓：開始形成溝道時在柵極上所加的電壓.夾斷：當Ｖds增加到時漏端溝道截面積減小到零時成為溝道夾斷電壓。平帶電壓:由于柵極材料和襯底材料間的功能函數(shù)差以及柵氧化層中固定正電荷的影響而引起的電壓偏移.強反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時的情況?？鐚В郝╇娏鞯母淖兞颗c對應的柵壓改變量之比.閂鎖：如在ＣMOS電路中那樣,可能發(fā)生在四層pnpn結構中的高電流低電壓現(xiàn)象?；鶇^(qū)Gummｅl數(shù):與單位結面積對應的基區(qū)中摻雜總數(shù).基區(qū)自偏壓：基區(qū)電流水平流過基區(qū)，在有源區(qū)上產(chǎn)生壓降，使靠近基極處的電勢與遠離基極處的電勢不等，而發(fā)射區(qū)摻雜濃度較高,電勢相等，從而使eｂ結壓降不等.亞閾電流:Vgs低于閾值電壓時的溝道電流。溝道長度調(diào)制效應：當MＯSＦEＴ進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓改變。窄溝效應：溝道寬度變窄后閾值電壓偏移.短溝效應:溝道長度變短引起的閾值電壓偏移閾值調(diào)整：通過離子注入改變半導體摻雜濃度從而改變Ｖt.源漏穿通：由于漏源電壓引起的源極和襯底之間的勢壘高度降低，從而導致漏電流迅速增大.有受主雜質(zhì)因為得到電子而帶負電的情況.簡并半導體：電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度,費米能級位于導帶中，或價帶中的半導體。施主原子：為了形成n型半導體而加入半導體內(nèi)的雜質(zhì)原子。有效狀態(tài)密度：即在導帶能量范圍內(nèi)對量子態(tài)密度函數(shù)gc（E)與費米函數(shù)f(E）的乘積進行積分得到的參數(shù)Nc；在價帶能量范圍內(nèi)對量子態(tài)密度函數(shù)ｇｖ（E）與［1—f（Ｅ)]的乘積進行積分得到的參數(shù)Nv。非本征半導體:進行了定量施主或受主摻雜,從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產(chǎn)生多數(shù)載流子電子或多數(shù)載流子空穴的半導體。束縛態(tài)：低溫下半導體內(nèi)的施主與受主呈現(xiàn)中性的狀態(tài)。此時,半導體內(nèi)的電子濃度與空穴濃度非常小。本證載流子濃度ni:本征半導體內(nèi)導帶電子的濃度和價帶空穴的濃度.本征費米能級Efｉ:本征半導體內(nèi)的費米能級位置。本征半導體:沒有雜質(zhì)原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導體材料。非簡并半導體:摻入相對少量的施主和（或）受主雜質(zhì)，使得施主和（或）受主能級分立、無相互作用的半導體。第五章：電導率：關于載流子漂移的材料參數(shù);可量化為漂移電流密度和電場強度之比。第六章:雙極擴散系數(shù)：過剩載流子的有效擴散系數(shù).雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率.雙極輸運：具有相同擴散系數(shù)、遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴散、遷移和復合過程。雙極輸運方程:用時間和空間變量描述過剩載流子狀態(tài)函數(shù)的方程。載流子的產(chǎn)生：電子從價帶躍入導帶,形成電子－空穴對的過程.載流子的復合:電子落入價帶中的空能帶導致電子－空穴對消滅的過程。過剩載流子:過剩電子和空穴的總稱。過剩電子：導帶中超出熱平衡狀態(tài)密度的電子濃度。過?？昭?價帶中超出熱平衡狀態(tài)密度的空穴濃度。過剩少子壽命:過剩少子在復合前存在的平均時間.產(chǎn)生率:電子－空穴對產(chǎn)生的速率。小注入：過剩載流子濃度遠小于熱平衡多子濃度的情況。少子擴散長度:少子在復合前的平均擴散距離:數(shù)學表達式為sｑrt（Ｄt），其中Ｄ和t分別為少子的擴散系數(shù)和壽命.準費米能級：電子和空穴的準費米能級分別將電子和空穴的非平衡狀態(tài)濃度與本征載流子濃度已經(jīng)本征費米能級聯(lián)系起來。復合率:電子-空穴對復合的速率.表面態(tài):半導體表面禁帶中存在的電子能態(tài).第七章:突變結近似：認為從中性半導體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個突然的不連續(xù)。內(nèi)建電勢差：熱平衡狀態(tài)下pn結內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電電勢差.耗盡層電容:勢壘電容的另一種表達。耗盡區(qū)：空間電荷區(qū)的另一種表達。超突變結:一種為了實現(xiàn)特殊電容—電壓特性而進行冶金結處高摻雜的pｎ結,其特點是pn結一側的摻雜濃度由冶金結處開始下降。勢壘電容(結電容）：反向偏置下pｎ結的電容。線性緩變結：冶金結兩側的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結。冶金結：pn結內(nèi)p型摻雜與n型摻雜的分界面。單邊突變結：冶金結一側的摻雜濃度遠大于另一側的摻雜濃度的pn結。反偏：ｐn結的n區(qū)相對于p區(qū)加正電壓,從而使ｐ區(qū)與ｎ區(qū)之間勢壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時勢壘的大小?？臻g電荷區(qū)：冶金結兩側由于ｎ區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負電的區(qū)域。空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到p區(qū)與n區(qū)內(nèi)的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的函數(shù)。變?nèi)荻O管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。：兩元素化合物半導體,如GaAs.共價鍵：共享價電子的原子間鍵合。金剛石晶格：硅的原子晶體結構，亦即每個原子有四個緊鄰原子，形成一個四面體組態(tài).摻雜：為了有效改變電化學特性，往半導體中加入特定類型的原子的工藝。元素半導體:單一元素構成的半導體，比如硅、鍺。外延層：在襯底表面形成的一薄層單晶材料。離子注入:一種半導體摻雜工藝.晶格:晶體中原子的周期性排列。密勒指數(shù):用于描述晶面的一組整數(shù)。原胞：可復制以得到整個晶格的最小單元.襯底：用于更多半導體工藝比如外延或擴散的基礎材料,半導體硅片或其他原材料。三元半導體:三元素化合物半導體，如AlＧａAs。晶胞：可以重構出整個晶體的一小部分晶體。鉛鋅礦晶格：與金剛石晶格相同的一種晶格，但它有兩種類型的原子二非一種。第二章:德布羅意波長：普朗克常數(shù)與粒子動量的比值所得的波長.海森堡不確定原理：我們無法精確確定成組的共軛變量值,從而描述粒子的狀態(tài)，如動量和坐標.泡利不相容原理：任意兩個電子都不會處在同一個量子態(tài).光子：電磁能量的粒子形態(tài).量子：熱輻射的粒子形態(tài).量子化能量:束縛態(tài)粒子所處的分立能級。量子數(shù)：描述粒子狀態(tài)的一組數(shù),例如原子中的電子。量子態(tài):可以通過量子數(shù)描述的粒子狀態(tài).隧道效應:粒子穿透薄層勢壘的量子力學現(xiàn)象。波粒二象性：電磁波有時表現(xiàn)為粒子狀態(tài)，二粒子有時表現(xiàn)為波動狀態(tài)的特性。第三章:允帶:在量子力學理論中,晶體中可以容納電子的一系列能級。狀態(tài)密度函數(shù):有效量子態(tài)密度。它是能量的函數(shù),表示為單位體積單位能量中的量子態(tài)數(shù)量。電子的有效質(zhì)量：該參數(shù)將晶體導帶中電子的加速度與外加作用力聯(lián)系起來,該參數(shù)包含了晶格中的內(nèi)力.費米狄拉克函數(shù)：該函數(shù)描述了電子在有效能級中的分布，代表了一個允許能量狀態(tài)被電子占據(jù)的概率.費米能級：該能量在T=０K時高于所有被電子填充的狀態(tài)的能量，二低于所有空狀態(tài)的能量。禁帶：在量子力學理論中晶體中不可以容納電子的一系列能級?？昭ǎ号c價帶頂部的空狀態(tài)相關的帶正電的粒子。空穴的有效質(zhì)量：該參數(shù)同樣將晶體價帶中空穴的加速度與外加的力聯(lián)系起來，而且包含了晶體中的內(nèi)力。k空間能帶圖：以k為坐標的能量曲線，其中k為與運動常量有關的動量,該運動常量結合了晶體內(nèi)部的相互作用?？她埬峥伺思{模型：由一系列周期性階躍函數(shù)組成,是代表一維單晶晶格周期性勢函數(shù)的數(shù)學模型。麥克斯韋波爾茲曼近似：為了用簡單的指數(shù)函數(shù)近似費米－狄拉克函數(shù)，從而規(guī)定滿足費米能級上下若干ｋT的約束條件。泡利不相容原理：任意兩個電子都不會處在同一量子態(tài)。第四章:受主原子：為了形成p型材料而加入半導體內(nèi)的雜質(zhì)原子。載流子電荷:在半導體內(nèi)運動并形成電流的電子和（或）空穴。雜質(zhì)補償半導體：同一半導體區(qū)域內(nèi)既含有施主雜質(zhì)有含有受主雜質(zhì)的半導體。完全電離：所有施主雜質(zhì)原子因為失去電子而帶正電，所有受主雜質(zhì)因為得到電子而帶負電的情況。簡并半導體:電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度，費米能級位于導帶中，或價帶中的半導體。施主原子:為了形成n型半導體而加入半導體內(nèi)的雜質(zhì)原子。有效狀態(tài)密度：即在導帶能量范圍內(nèi)對量子態(tài)密度函數(shù)ｇc(E）與費米函數(shù)f（E)的乘積進行積分得到的參數(shù)Nc；在價帶能量范圍內(nèi)對量子態(tài)密度函數(shù)ｇv（Ｅ）與［1—ｆ(E)］的乘積進行積分得到的參數(shù)Nｖ。非本征半導體:進行了定量施主或受主摻雜，從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產(chǎn)生多數(shù)載流子電子或多數(shù)載流子空穴的半導體。束縛態(tài):低溫下半導體內(nèi)的施主與受主呈現(xiàn)中性的狀態(tài)。此時,半導體內(nèi)的電子濃度與空穴濃度非常小.本證載流子濃度ni:本征半導體內(nèi)導帶電子的濃度和價帶空穴的濃度。本征費米能級Efi：本征半導體內(nèi)的費米能級位置。本征半導體：沒有雜質(zhì)原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導體材料.非簡并半導體:摻入相對少量的施主和(或)受主雜質(zhì)，使得施主和（或)受主能級分立、無相互作用的半導體。第五章:電導率:關于載流子漂移的材料參數(shù);可量化為漂移電流密度和電場強度之比。擴散：粒子從高濃度向低濃度區(qū)運動的過程。擴散系數(shù)：關于粒子流動與粒子濃度梯度之間的參數(shù)。擴散電流：載流子擴散形成的電流。漂移：在