【無線射頻芯片】-毫米波前端關(guān)鍵技術(shù) 相控整合芯片居5G要角

1/1毫米波前端關(guān)鍵技術(shù)相控整合芯片居5G要角5G毫米波技術(shù)擁有比4G更大的帶寬，供應(yīng)更高的傳輸速率與容量，但卻有著傳輸簡單衰減的挑戰(zhàn)，故須透過相位數(shù)組的方式予以解決，而實現(xiàn)相位數(shù)組技術(shù)，相控整合芯片扮演重要角色。

隨著高數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的爆炸性成長，為了應(yīng)付越來越多的數(shù)據(jù)吞吐量和無線網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用需求，第五代移動通信(5G)應(yīng)運而生。5G頻譜主要分為sub-6GHz和毫米波頻段，其中毫米波頻段最大的優(yōu)點是具有比sub-6GHz數(shù)倍的帶寬，但需克服毫米波信號在空氣中傳遞損耗大的問題，而相位數(shù)組是目前最被接受的解決方案，它是藉由將多路信號聚焦于空間中一特定方位，形成指向性的波束來增加信號傳遞的距離。在此相位數(shù)組前端系統(tǒng)中，最為關(guān)鍵之零組件即是相控電路。

雙極化毫米波相位數(shù)組

相位數(shù)組在毫米波通信上之使用，主由于克服毫米波于空間中傳播高損耗之問題。多路多天線同頻同時放射相同信號，藉由在不同路之相同信號加上權(quán)重(Weighting)，在空間中之特定方位同相(In-phase)相加，產(chǎn)生建設(shè)性干涉，使能量形成指向性波束，增加傳輸端的等效全向輻射功率(EquivalentIsotropicallyRadiatedPower,EIRP)與接收端的信噪比(SignaltoNoiseRatio,SNR)，進而延長信號傳遞的距離。

考慮架構(gòu)的簡單程度與成本，目前應(yīng)用于毫米波之相位數(shù)組，在射頻調(diào)整相位與振幅權(quán)重為大宗，即為射頻波束成形(RadioFrequencyBeamforming)[1]。透過射頻前端模擬電路的實現(xiàn)，可進行相位與振幅權(quán)重之調(diào)整，產(chǎn)生波束成形之效果。若要執(zhí)行彈性較高的波束成形，每一數(shù)組之天線單元須包含功率放大器、低噪聲放大器、收發(fā)切換開關(guān)、相移器與衰減器/可變增益放大器等模擬掌握電路，且天線單元之間間距需小于特定操作頻率之波長。而天線單元之打算，取決于系統(tǒng)欲掃描之視角，如圖1所示。為避開相位數(shù)組進行波束掃描時，在非主波束方位產(chǎn)生不必要之光柵旁波瓣(GratingLobe)，造成波束能量不集中與干擾等問題，一般天線單元之間的間距會限制小于或等于半波長。

圖1、相位數(shù)組掃描視角與天線單元間距之關(guān)系圖

由上述可想而知，在毫米波波長小與每一天線單元包含多電路之狀況下，整合會是一大難題。此時，相控電路采納集成電路設(shè)計整合較為最佳解決方案，藉由整合多路前端相控電路，支持數(shù)個天線單元，同時整合相關(guān)數(shù)字電路，由于部分數(shù)字電路與周邊電路皆可共享，簡化數(shù)字掌握接口，亦可削減所需芯片面積。

另外，毫米波與sub-6GHz最大的不同在于損耗增加，這也使得原在sub-6GHz高秩(HighRank)的狀況，在毫米波不易存在。在sub-6GHz可輕易達到44多重輸入多重輸出(Multi-inputMulti-output,MIMO)，甚至88MIMO，于毫米波中將不易做到。因此，在毫米波低秩的情形下，要增加信道容量，使用極化分集(PolarizationDversity)方式，透過雙極化天線同時收或送兩正交的信號(正交信號其相關(guān)度低)，可達到22MIMO單一客戶端趨近2倍數(shù)吞吐量。射頻前端系統(tǒng)整合為節(jié)約面積，天線單元采納雙極化之設(shè)計，同一數(shù)組天線可同時支持兩極化之輸入與輸出[2]。

在相控電路中為制造兩獨立之路徑來支持極化分集之運作，射頻前端模擬電路則須復(fù)制兩套，如圖2所示?？上攵谟邢薜拿娣e下，電路增加一倍，其在整合上勢必面臨困難，再加上需兼顧兩路徑之獨立性或隔離度，且散熱問題也隨著功率放大器的倍增而增加。綜合上述，簡潔歸納幾個重點：

圖2、雙極化前端相控電路方塊圖

1.毫米波無線傳輸衰減大，射頻前端須采納相位數(shù)組，以增加傳輸/通信距離。

2.毫米波波長短、天線單元間距小，空間有限狀況下相控電路將以整合積體芯片為主。

3.毫米波低秩環(huán)境下，將采納極化分集方式實現(xiàn)22MIMO。

4.為節(jié)約印刷電路板繞線面積與削減線路損耗，相控芯片整合兩組獨立前端電路，以支應(yīng)雙極化前端設(shè)計。

5.在有限面積下，相控芯片之整合與散熱問題，隨著電路組件倍增而加劇。

相控整合芯片設(shè)計

在[1]已簡述相控芯片各組件之關(guān)鍵指針，以下將介紹各組件在文獻上之實現(xiàn)方法。

?功率放大器(PowerAmplifier,PA)

在PA的電路設(shè)計上，差動對(Differential)為一常見之電路架構(gòu)，其好處是信號之能量較能集中在差動在線，因此對于噪聲的抗干擾力量較好。而在毫米波段，晶體管本身的寄生效應(yīng)會對特性具有較為嚴峻的影響，尤其是閘極到汲極之電容(Cgd)會使得增益及穩(wěn)定性下降很多。因此，常見的做法為增加一補償電容(NeutralizationCapacitor)來將Cgd抵銷，如圖3[3]所示，藉此提高增益與穩(wěn)定性。

圖3、DifferentialType放大器及補償電容效應(yīng)

而為了有效提升效率，一兩級功率放大器偏壓點分別操作在DeepClass-AB與HighClass-AB被提出[4]。其中，DeepClass-AB可以供應(yīng)AM-AM之預(yù)失真使P1dB及PAE的性能提升，然而其卻會導(dǎo)致AM-PM之特性較差，在輸入端加上一并聯(lián)之PMOS電容可補償AM-PM之失真。另外，也可采納偏壓掌握網(wǎng)絡(luò)(AdaptiveBiasNetwork)來提升PA之效率[5]，透過該偏壓網(wǎng)絡(luò)使輸出電壓在小信號與大信號操作時有所不同，進而使整體放大器的效率提升。

?低噪聲放大器(LowNoiseAmplifier,LNA)

LNA扮演接收端第一級放大之角色，其噪聲指數(shù)(NoiseFigure)與增益將支配整體接收機的靈敏度，因此設(shè)計良好的前級可以有效抑制噪聲并提升信噪比。

如前段所述，在芯片內(nèi)部以差動形式布局有利于抑止噪聲，然而為了簡化印刷電路板上之線路布局，在芯片輸入/輸出之引腳與天線端(一般于印刷電路板上)皆采納單端單端(Single-Ended)。因此，目前應(yīng)用于差動毫米波系統(tǒng)的LNA做法主要分為兩種，一種是設(shè)計成單端(Single-Ended)輸入，差動(Differential)輸出的架構(gòu)，其次種則是輸入輸出都為差動，最終在輸入端加入巴倫(Balun)的架構(gòu)。

使用單端輸入、差動輸出的架構(gòu)，其電路第一級通常為共源極(Common-source,CS)放大器，其次級為主動巴倫所構(gòu)成[6]，此架構(gòu)的好處在于CS放大器可以有效的抑制噪聲。輸入輸出都為差動的架構(gòu)，其電路第一級為共閘極(Common-gate,CG)放大器，后方兩級為迭接(Cascode)電路串接而成[7]，此架構(gòu)在抑制NF的力量雖然沒有CS放大器來的優(yōu)異，輸入阻抗匹配、消耗功率、線性度卻比CS優(yōu)秀，因此也較簡單匹配，但使用此架構(gòu)需額外再加上巴倫，因此NF會再加上巴倫的損耗。

?可變增益放大器(VariableGainAmplifier,VGA)

可調(diào)式增益放大器常見分為模擬電壓掌握及數(shù)字掌握。常見模擬電壓掌握的可調(diào)式增益放大器架構(gòu)為電流導(dǎo)引[8]以及偏壓掌握[9]，藉此掌握偏壓的調(diào)控，造成晶體管的電流變化進而影響電路的增益變化以及增益的調(diào)整。

而數(shù)字掌握的可調(diào)式增益放大器則是利用多組晶體管的偏壓(0及Vdd)切換，來影響電流變化實現(xiàn)增益掌握[8]。另外，采納共柵極(Common-Gate)晶體管長寬比率(AspectRatio)[10,11]，亦可藉由切換不同晶體管之間的偏壓狀態(tài)來達到不同晶體管長寬比率的變化，將轉(zhuǎn)變晶體管直流(DC)操作點，形成不同的阻抗增益，進而做到輸出不同增益變化的目的。

?相移器(PhaseShifter)

目前相移器大致上分為三類，分別為向量和相移器、反射式相移器和切換式相移器。向量和相移器是透過不同大小的I/Q信號相加實現(xiàn)相移功能[12]。反射式相移器包含一90o耦合器和對稱的可調(diào)反射負載，透過調(diào)整反射負載進而影響信號的相位變化[13]。第三類為切換式相移器，由多個不同相移單元串接而成，相位辨別率由相移單位數(shù)量所打算，藉由切換信號經(jīng)過的路徑來轉(zhuǎn)變相位。在路徑上有不同的相移電路，常見的相移電路是由電容電感組成的T型HighPass和LowPass以及型HighPass和LowPass四種結(jié)構(gòu)，衍生出的切換式相移器有多種，在此舉些例子。圖4為三種不同的切換式相移器，分別采納型LowPass結(jié)構(gòu)、T型LowPass結(jié)構(gòu)以及同時采納型HighPass和LowPass的結(jié)構(gòu)來達成[14,15]。由于切換式相移器有無功耗、無方向性的限制和掌握簡潔的優(yōu)點，所以目前選用切換式架構(gòu)作為相位數(shù)組系統(tǒng)中的相移器。

圖4、三種切換式相移器電路架構(gòu)圖

把握5G潛力股毫米波相控芯片受倚重

工研院資通所團隊于2023年初投入毫米波相控整合芯片開發(fā)，初期以GaAs制程之電路設(shè)計為主，已累積相關(guān)設(shè)計技術(shù)與成果。然而過程中發(fā)覺GaAs在整合與散熱面臨很大的問題，在成本與牢靠度尚無法滿意5G小基站之需求，于是在2023年底轉(zhuǎn)往CMOS進展。圖5與圖6分別為2023年與2023年的四路整合相控芯片開發(fā)成果，皆采納TSMC65nmCMOS制程，前者為支持單極化設(shè)計，后者為雙極化，表1為其基本規(guī)格。以RS的矢量信號發(fā)生器與信號分析儀，產(chǎn)生的5G調(diào)變信號測試單路單極化之輸出，線性輸出功率可達+2dBm，如圖7。在S參數(shù)量測結(jié)果顯示，雙極化相控芯片具有完整之相位與振幅掌握功能，如圖8。工研院團隊除了致力于芯片開發(fā)上，更在毫米波模塊上有多年的實績[2]，圖9為上述相控芯片應(yīng)用于相位數(shù)組天線模塊之實例，包含(a)電路板正面84天線數(shù)組與(b)背面之相控芯片與數(shù)字、電源接口。

圖5、工研院開發(fā)之支持單極化四路整合相控芯片(芯片面積：4.92.5mm2)

圖6、工研院開發(fā)之支持雙極化四路整合相控芯片(芯片面積：5.24.6mm2)

圖7、以5G調(diào)變信號測試單路單極化整合相控芯片

圖8、雙極化整合相控芯片之單路振幅與相位調(diào)控量測結(jié)果

圖9、工研院開發(fā)之相控芯片暨雙極化相位數(shù)組天線模塊

總結(jié)來說，為達成使用毫米波頻段