半導(dǎo)體二極管培訓(xùn)教程

第一章半導(dǎo)體二極管

1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)1.2半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù)1.3二極管電路的分析方法

1.3特殊二極管1.3半導(dǎo)體二極管特性的測(cè)試與應(yīng)用1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

物質(zhì)按導(dǎo)電性能可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。物質(zhì)的導(dǎo)電特性取決于原子結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體一般為低價(jià)元素,如銅、鐵、鋁等金屬,其最外層電子受原子核的束縛力很小,因而極易掙脫原子核的束縛成為自由電子。因此在外電場(chǎng)作用下,這些電子產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)(稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng))形成電流,呈現(xiàn)出較好的導(dǎo)電特性。高價(jià)元素(如惰性氣體)和高分子物質(zhì)(如橡膠,塑料)最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng),極不易擺脫原子核的束縛成為自由電子,所以其導(dǎo)電性極差,可作為絕緣材料。而半導(dǎo)體材料最外層電子既不像導(dǎo)體那樣極易擺脫原子核的束縛,成為自由電子,也不像絕緣體那樣被原子核束縛得那么緊,因此,半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性介于二者之間。1.1.1本征半導(dǎo)體純凈晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。常用的半導(dǎo)體材料是硅和鍺,它們都是四價(jià)元素,在原子結(jié)構(gòu)中最外層軌道上有四個(gè)價(jià)電子。為便于討論,采用圖1-１所示的簡(jiǎn)化原子結(jié)構(gòu)模型。把硅或鍺材料拉制成單晶體時(shí),相鄰兩個(gè)原子的一對(duì)最外層電子(價(jià)電子)成為共有電子,它們一方面圍繞自身的原子核運(yùn)動(dòng),另一方面又出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上。即價(jià)電子不僅受到自身原子核的作用,同時(shí)還受到相鄰原子核的吸引。于是,兩個(gè)相鄰的原子共有一對(duì)價(jià)電子,組成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。故晶體中,每個(gè)原子都和周?chē)模磦€(gè)原子用共價(jià)鍵的形式互相緊密地聯(lián)系起來(lái),如圖１-２所示。圖1–1硅和鍺簡(jiǎn)化原子結(jié)構(gòu)模型圖1–2本征半導(dǎo)體共價(jià)鍵晶體結(jié)構(gòu)示意圖共價(jià)鍵中的價(jià)電子由于熱運(yùn)動(dòng)而獲得一定的能量,其中少數(shù)能夠擺脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子,同時(shí)必然在共價(jià)鍵中留下空位,稱(chēng)為空穴?？昭◣д?如圖1-３所示。圖1–3本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴由此可見(jiàn),半導(dǎo)體中存在著兩種載流子：帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴。本征半導(dǎo)體中,自由電子與空穴是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,因此,它們的濃度是相等的。我們用n和p分別表示電子和空穴的濃度,即ni=pi,下標(biāo)i表示為本征半導(dǎo)體。價(jià)電子在熱運(yùn)動(dòng)中獲得能量產(chǎn)生了電子-空穴對(duì)。同時(shí)自由電子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中失去能量,與空穴相遇,使電子、空穴對(duì)消失,這種現(xiàn)象稱(chēng)為復(fù)合。在一定溫度下,載流子的產(chǎn)生過(guò)程和復(fù)合過(guò)程是相對(duì)平衡的,載流子的濃度是一定的。本征半導(dǎo)體中載流子的濃度,除了與半導(dǎo)體材料本身的性質(zhì)有關(guān)以外,還與溫度有關(guān),而且隨著溫度的升高,基本上按指數(shù)規(guī)律增加。因此,半導(dǎo)體載流子濃度對(duì)溫度十分敏感。對(duì)于硅材料,大約溫度每升高８℃,本征載流子濃度ni增加1倍；對(duì)于鍺材料,大約溫度每升高１２℃,ｎｉ增加1倍。除此之外,半導(dǎo)體載流子濃度還與光照有關(guān),人們正是利用此特性,制成光敏器件。1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體

1.Ｎ型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中,摻入微量５價(jià)元素,如磷、銻、砷等,則原來(lái)晶格中的某些硅(鍺)原子被雜質(zhì)原子代替。由于雜質(zhì)原子的最外層有５個(gè)價(jià)電子,因此它與周?chē)磦€(gè)硅(鍺)原子組成共價(jià)鍵時(shí),還多余1個(gè)價(jià)電子。它不受共價(jià)鍵的束縛,而只受自身原子核的束縛,因此,它只要得到較少的能量就能成為自由電子,并留下帶正電的雜質(zhì)離子,它不能參與導(dǎo)電,如圖１-４所示。顯然,這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中電子濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的濃度,即nn>>pn(下標(biāo)ｎ表示是Ｎ型半導(dǎo)體),主要靠電子導(dǎo)電,所以稱(chēng)為Ｎ型半導(dǎo)體。由于５價(jià)雜質(zhì)原子可提供自由電子,故稱(chēng)為施主雜質(zhì)。Ｎ型半導(dǎo)體中,自由電子稱(chēng)為多數(shù)載流子；空穴稱(chēng)為少數(shù)載流子。圖1-4N型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

2.P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中,摻入微量３價(jià)元素,如硼、鎵、銦等,則原來(lái)晶格中的某些硅(鍺)原子被雜質(zhì)原子代替。圖1–5P型半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，主要由摻雜形成；

電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因而也稱(chēng)為受主雜質(zhì)。一、PN結(jié)的形成

在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過(guò)擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。此時(shí)將在N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過(guò)程:

因濃度差

多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)

空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)

內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移

內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散

1.1.3ＰＮ結(jié)

最后,多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。對(duì)于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱(chēng)耗盡層。

圖1－6PN結(jié)的形成過(guò)程

PN結(jié)形成的過(guò)程可參閱圖1–6。二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦匀绻饧与妷菏筆N結(jié)中：

P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱(chēng)為加正向電壓，簡(jiǎn)稱(chēng)正偏；PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，若外加電壓使電流從P區(qū)流到N區(qū)，PN結(jié)呈低阻性，所以電流大；反之是高阻性，電流小。P區(qū)的電位低于N區(qū)的電位，稱(chēng)為加反向電壓，簡(jiǎn)稱(chēng)反偏。

(1)PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)。于是,內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱，擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況如圖1－7所示。

圖1－7PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況

(2)PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況

外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí)PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場(chǎng)的作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無(wú)關(guān)，這個(gè)電流也稱(chēng)為反向飽和電流。PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況如圖1－8所示。圖1－8PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況

PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/p>

圖1－9PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況1.2半導(dǎo)體的特性及主要參數(shù)1.2.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)類(lèi)型在PN結(jié)上加上引線(xiàn)和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類(lèi)。它們的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1－10所示。PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。往往用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。圖1–10半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)1.2.2二極管的伏安特性圖1–11二極管的伏安特性曲線(xiàn)(1)正向特性：當(dāng)U＞0即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：當(dāng)0＜U＜Uth時(shí)，正向電流為零，Uth稱(chēng)為死區(qū)電壓或開(kāi)啟電壓；當(dāng)U＞Uth時(shí)，開(kāi)始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。 硅二極管的死區(qū)電壓Uth=0.5V左右，

鍺二極管的死區(qū)電壓Uth=0.1V左右。實(shí)際電路中二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降，硅管的Ｕｏｎ約為０.６～０.８V,鍺管的Ｕｏｎ約為０.１～０.３V。通常取硅管Ｕon＝0.7V，鍺管Ｕon＝0.2V。(2)反向特性：二極管加反向電壓,反向電流數(shù)值很(3)二極管的溫度特性：二極管的特性對(duì)溫度很敏感,溫度升高,正向特性曲線(xiàn)向左移,反向特性曲線(xiàn)向下移。其規(guī)律是：在室溫附近,在同一電流下,溫度每升高１℃,正向壓降減小２～２.５ｍV；溫度每升高１０℃,反向電流約增大1倍。小,且基本不變,稱(chēng)反向飽和電流。硅管反向飽和電流為納安(ｎΑ)數(shù)量級(jí),鍺管的為微安數(shù)量級(jí)。當(dāng)反向電壓加到一定值時(shí),反向電流急劇增加,產(chǎn)生擊穿。普通二極管反向擊穿電壓一般在幾十伏以上(高反壓管可達(dá)幾千伏)。1.2.3二極管的擊穿特性

當(dāng)反向電壓超過(guò)反向擊穿電壓UB時(shí)，反向電流將急劇增大，而PN結(jié)的反向電壓值卻變化不大，此現(xiàn)象稱(chēng)為PN結(jié)的反向擊穿。有兩種解釋?zhuān)貉┍罁舸寒?dāng)反向電壓足夠高時(shí)（U>6V）PN結(jié)中內(nèi)電場(chǎng)較強(qiáng)，使參加漂移的載流子加速，與中性原子相碰，使之價(jià)電子受激發(fā)產(chǎn)生新的電子空穴對(duì)，又被加速，而形成連鎖反應(yīng)，使載流子劇增，反向電流驟增。齊納擊穿：對(duì)摻雜濃度高的半導(dǎo)體，PN結(jié)的耗盡層很薄，只要加入不大的反向電壓（U<4V），耗盡層可獲得很大的場(chǎng)強(qiáng)，足以將價(jià)電子從共價(jià)鍵中拉出來(lái)，而獲得更多的電子空穴對(duì)，使反向電流驟增。

1.2.4二極管的主要參數(shù)

1、最大整流電流ＩＦ。它是二極管允許通過(guò)的最大正向平均電流。工作時(shí)應(yīng)使平均工作電流小于ＩＦ,如超過(guò)ＩＦ,二極管將過(guò)熱而燒毀。此值取決于ＰＮ結(jié)的面積、材料和散熱情況。2、最大反向工作電壓ＵＲ。這是二極管允許的最大工作電壓。當(dāng)反向電壓超過(guò)此值時(shí),二極管可能被擊穿。為了留有余地,通常取擊穿電壓的一半作為ＵＲ。3、反向電流ＩＲ。指二極管未擊穿時(shí)的反向電流值。此值越小,二極管的單向?qū)щ娦栽胶谩Ｓ捎诜聪螂娏魇怯缮贁?shù)載流子形成,所以ＩＲ值受溫度的影響很大。4、最高工作頻率ｆＭ。ｆＭ的值主要取決于ＰＮ結(jié)結(jié)電容的大小,結(jié)電容越大,則二極管允許的最高工作頻率越低。1.3二極管電路的分析方法

線(xiàn)性化：用線(xiàn)性電路的方法來(lái)處理，將非線(xiàn)性器件用恰當(dāng)?shù)脑M(jìn)行等效，建立相應(yīng)的模型。（1）理想二極管模型：相當(dāng)于一個(gè)理想開(kāi)關(guān)，正偏時(shí)二極管導(dǎo)通管壓降為0V，反偏時(shí)電阻無(wú)窮大，電流為零。（2）理想二極管串聯(lián)恒壓降模型：二極管導(dǎo)通后，其管壓降認(rèn)為是恒定的，且不隨電流而變，典型值為0.7V。該模型提供了合理的近似，用途廣泛。注意：二極管電流近似等于或大于1mA正確。（3）折線(xiàn)模型：修正恒壓降模型，認(rèn)為二極管的管壓降不是恒定的，而隨二極管的電流增加而增加，模型中用一個(gè)電池和電阻rD來(lái)作進(jìn)一步的近似，此電池的電壓選定為二極管的門(mén)坎電壓Uth，約為0.5V，rD的值為200歐。由于二極管的分散性，Uth、rD的值不是固定的。（4）小信號(hào)模型：如果二極管在它的V-I特性的某一小范圍內(nèi)工作，例如靜態(tài)工作點(diǎn)Q（此時(shí)有uD=UD、iD=ID）附近工作，則可把V-I特性看成一條直線(xiàn)，其斜率的倒數(shù)就是所求的小信號(hào)模型的微變電阻rd。1.4.1穩(wěn)壓二極管圖1-12穩(wěn)壓管伏安特性和符號(hào)1.4特殊二極管圖1-17穩(wěn)壓管電路1.穩(wěn)定電壓Uz穩(wěn)定電壓是穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)時(shí)的穩(wěn)定工作電壓。由于穩(wěn)定電壓隨著工作電流的不同而略有變化,因而測(cè)試Uz時(shí)應(yīng)使穩(wěn)壓管的電流為規(guī)定值。穩(wěn)定電壓Ｕｚ是根據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一。不同型號(hào)的穩(wěn)壓管,其穩(wěn)定電壓值不同。同一型號(hào)的管子,由于制造工藝的分散性,各個(gè)管子的Ｕｚ值也有差別。例如穩(wěn)壓管２DW7C,其Ｕｚ＝６.1～６.５V,表明均為合格產(chǎn)品,其穩(wěn)定值有的管子是６.１V,有的可能是６.５V等等,但這并不意味著同一個(gè)管子的穩(wěn)定電壓的變化范圍有如此大。

2.穩(wěn)定電流Iz穩(wěn)定電流是使穩(wěn)壓管正常工作時(shí)的最小電流,低于此值時(shí)穩(wěn)壓效果較差。工作時(shí)應(yīng)使流過(guò)穩(wěn)壓管的電流大于此值。一般情況是,工作電流較大時(shí),穩(wěn)壓性能較好。但電流要受管子功耗的限制,即Izmax=Pz/Uz。3.電壓溫度系數(shù)α

α指穩(wěn)壓管溫度變化１℃時(shí),所引起的穩(wěn)定電壓變化的百分比。一般情況下,穩(wěn)定電壓大于７V的穩(wěn)壓管,α為正值,即當(dāng)溫度升高時(shí),穩(wěn)定電壓值增大。如２CW１７,Ｕｚ＝９～10.5V,α＝０.０９%/℃,說(shuō)明當(dāng)溫度升高１℃時(shí),穩(wěn)定電壓增大0.09%。而穩(wěn)定電壓小于４V的穩(wěn)壓管,α為負(fù)值,即當(dāng)溫度升高時(shí),穩(wěn)定電壓值減小,如２CW11,Ｕｚ＝３.２～４.５V,α＝－(０.０５%～０.０３%)／℃,若α＝－０.０５%／℃,表明當(dāng)溫度升高１℃時(shí),穩(wěn)定電壓減小0.05%。穩(wěn)定電壓在４～７V間的穩(wěn)壓管,其α值較小,穩(wěn)定電壓值受溫度影響較小,性能比較穩(wěn)定。

4.動(dòng)態(tài)電阻rz

ｒｚ是穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓區(qū)時(shí),兩端電壓變化量與電流變化量之比,即ｒｚ＝ΔＵ／ΔＩ。ｒｚ值越小,則穩(wěn)壓性能越好。同一穩(wěn)壓管,一般工作電流越大時(shí),ｒｚ值越小。通常手冊(cè)上給出的ｒｚ值是在規(guī)定的穩(wěn)定電流之下測(cè)得的。5.額定功耗Pz由于穩(wěn)壓管兩端的電壓值為Ｕｚ,而管子中又流過(guò)一定的電流,因此要消耗一定的功率。這部分功耗轉(zhuǎn)化為熱能,會(huì)使穩(wěn)壓管發(fā)熱。Ｐｚ取決于穩(wěn)壓管允許的溫升。1.4.2光電二極管1.發(fā)光二極管圖1-13發(fā)光二極管符號(hào)2.光敏二極管圖1-14光電二極管符號(hào)1.5半導(dǎo)體二極管特性珠測(cè)試與應(yīng)用1.5.1半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法一、半導(dǎo)體器件的型號(hào)由五個(gè)部分組成二、的型號(hào)組成部分的符號(hào)及其意義（見(jiàn)教材P18表）附：二極管的應(yīng)用二極管的運(yùn)用基礎(chǔ),就是二極管的單向?qū)щ娞匦?因此,在應(yīng)用電路中,關(guān)鍵是判斷二極管的導(dǎo)通或截止。二極管導(dǎo)通時(shí)一般用電壓源ＵＤ＝０.７V(硅管,如是鍺管用０.３V)代替,或近似用短路線(xiàn)代替。截止時(shí),一般將二極管斷開(kāi),即認(rèn)為二極管反向電阻為無(wú)窮大。二極管的整流電路放在第八章直流電源中討論。1.5.2半導(dǎo)體二極管參數(shù)選錄（見(jiàn)教材P19）1.限幅電路當(dāng)輸入信號(hào)電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí),輸出電壓隨輸入電壓相應(yīng)變化；而當(dāng)輸入電壓超出該范圍時(shí),輸出電壓保持不變,這就是限幅電路。通常將輸出電壓uo開(kāi)始不變的電壓值稱(chēng)為限幅電平,當(dāng)輸入電壓高于限幅電平時(shí),輸出電壓保持不變的限幅稱(chēng)為上限幅；當(dāng)輸入電壓低于限幅電平時(shí),輸出電壓保持不變的限幅稱(chēng)為下限幅。限幅電路如圖１-１5所示。改變Ｅ值就可改變限幅電平。圖1–15并聯(lián)二極管上限幅電路Ｅ＝０V,限幅電平為０V。uｉ＞０時(shí)二極管導(dǎo)通,uo＝０V；ui＜０V,二極管截止,uo＝uｉ。波形如圖１-16(a)所示。如果０＜Ｅ＜Um,則限幅電平為＋Ｅ。uｉ＜Ｅ,二極管截止,uo＝uｉ；uｉ＞Ｅ,二極管導(dǎo)通,uo＝Ｅ。波形圖如圖１-１6(ｂ)所示。如果－Ｕm＜Ｅ＜０,則限幅電平為-E,波形圖如圖１-16(ｃ)所示。圖1-16二極管并聯(lián)上限幅電路波形關(guān)系圖1-17并聯(lián)下限幅電路圖1-18串聯(lián)限幅電路圖1-19雙向限幅電路2二極管門(mén)電路圖1-20二極管“與”門(mén)電路《化妝品術(shù)語(yǔ)》起草情況匯報(bào)中國(guó)疾病預(yù)防控制中心環(huán)境與健康相關(guān)產(chǎn)品安全所一、標(biāo)準(zhǔn)的立項(xiàng)和下達(dá)時(shí)間2006年衛(wèi)生部政法司要求各標(biāo)委會(huì)都要建立自己的術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)。1ONE二、標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)研制經(jīng)費(fèi)：3.8萬(wàn)三、標(biāo)準(zhǔn)的立項(xiàng)意義術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)有利于行業(yè)間技術(shù)交流、提高標(biāo)準(zhǔn)一致性、消除貿(mào)易誤差，作為標(biāo)準(zhǔn)體系中的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)，術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)在各個(gè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)體系中均起著重要的作用。隨著我國(guó)化妝品衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)逐步加快，所涉及的術(shù)語(yǔ)和定義的數(shù)量也在迅速增長(zhǎng)，在此情形下，化妝品術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)的制定就顯得尤為重要。四、標(biāo)準(zhǔn)的制訂原則1.合法性遵守《化妝品衛(wèi)生監(jiān)督條例》、《化妝品衛(wèi)生監(jiān)督條例實(shí)施細(xì)則》中關(guān)于化妝品的定義。2.協(xié)調(diào)性直接引用或修改采用的方式，與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中的術(shù)語(yǔ)和定義相協(xié)調(diào)。3.科學(xué)性對(duì)于沒(méi)有國(guó)標(biāo)或定義不統(tǒng)一的術(shù)語(yǔ)，在定義時(shí)體現(xiàn)科學(xué)性的原則。4.實(shí)用性在標(biāo)準(zhǔn)體系中出現(xiàn)頻率較高，與行業(yè)聯(lián)系較緊密的術(shù)語(yǔ)優(yōu)先選用。五、標(biāo)準(zhǔn)的起草經(jīng)過(guò)

第一階段：資料搜集

搜集國(guó)內(nèi)外相關(guān)法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)、文獻(xiàn)并對(duì)國(guó)外文獻(xiàn)如美國(guó)21CFR進(jìn)行翻譯。第二階段：2007年末形成初稿

初稿內(nèi)容包括一般術(shù)語(yǔ)、衛(wèi)生化學(xué)術(shù)語(yǔ)、毒理學(xué)術(shù)語(yǔ)、微生物術(shù)語(yǔ)、產(chǎn)品術(shù)語(yǔ)、人體安全和功效評(píng)價(jià)術(shù)語(yǔ)，常用英文成份術(shù)語(yǔ)等７部分。第三階段：專(zhuān)家統(tǒng)稿1.2007年12月第一次專(zhuān)家統(tǒng)稿會(huì)（修訂情況：1.在結(jié)構(gòu)上增加原料功能術(shù)語(yǔ)、相關(guān)國(guó)際組織和科研機(jī)構(gòu)等內(nèi)容；2.在內(nèi)容上增加一般術(shù)語(yǔ)、產(chǎn)品術(shù)語(yǔ)的種類(lèi)，將化妝品行業(yè)的新產(chǎn)品類(lèi)別納入本標(biāo)準(zhǔn)；3.對(duì)于毒理學(xué)、衛(wèi)生化學(xué)、微生物學(xué)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行修改；4.刪除與化妝品聯(lián)系不緊密、無(wú)存在必要的常用英文成分術(shù)語(yǔ)。2.2009年1月第二次專(zhuān)家統(tǒng)稿會(huì)會(huì)議意見(jiàn)：1.修改能引用國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的盡量引用國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)；對(duì)存在歧義的個(gè)別用詞進(jìn)行修改。2.刪除由于本標(biāo)準(zhǔn)中的“產(chǎn)品術(shù)語(yǔ)”一章和香化協(xié)會(huì)所制定的某個(gè)標(biāo)準(zhǔn)存在重復(fù)，因此刪除“產(chǎn)品術(shù)語(yǔ)”一章的內(nèi)容；對(duì)“原料功能術(shù)語(yǔ)”的內(nèi)容進(jìn)行梳理，刪除了20余條內(nèi)容。3.增加專(zhuān)家建議增加“化妝品限用物質(zhì)”等若干項(xiàng)術(shù)語(yǔ)。第四階段：征求意見(jiàn)2009年2月面向全國(guó)公開(kāi)征求意見(jiàn)。第五階段：征求意見(jiàn)的處理與形成送審稿。在征求意見(jiàn)的處理階段再次征求了相關(guān)專(zhuān)家的意見(jiàn)。六、標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容依據(jù)1.《化妝品衛(wèi)生監(jiān)督條例》、《化妝品衛(wèi)生監(jiān)督條例實(shí)施細(xì)則》;2.《化妝品衛(wèi)生規(guī)范》;3.美國(guó)21CFR；4.相關(guān)領(lǐng)域國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)如：GB5296.3-2008消費(fèi)品使用說(shuō)明化妝品通用標(biāo)簽，GB/T14666-2003分析化學(xué)術(shù)語(yǔ)等；5.國(guó)內(nèi)外化妝品的相關(guān)文獻(xiàn)，如《化妝品監(jiān)督管理及安全性評(píng)價(jià)》等。七、標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和主要內(nèi)容（一）結(jié)構(gòu)：1.范圍