瀾起科技-市場前景及投資研究報告-DDR5升級大勢所趨內(nèi)存接口龍頭

摘

要

瀾起科技：全球內(nèi)存接口芯片龍頭，“互連+計算”雙輪驅(qū)動。公司是國際領(lǐng)先的全互連芯片設(shè)計和高性能通用處理器公司，產(chǎn)品主要用于云計算領(lǐng)域，并向PC/筆電拓展。公司是內(nèi)存接口芯片全球龍頭，市占率達(dá)40-50%。近年來公司開拓津逮服務(wù)器、PCIe

Retimer、AI芯片等產(chǎn)品線，近兩年又衍生出CKD、CXL

MXC、MCR等新產(chǎn)品線，逐步發(fā)展成平臺型芯片設(shè)計公司。2021年公司實現(xiàn)營收25.6億元，yoy

+40%，歸母凈利潤8.3億元，yoy

-25%，隨著DDR5相關(guān)內(nèi)存接口芯片和配套芯片放量，2022年上半年公司實現(xiàn)營收19.3億元，yoy

+166%，歸母凈利潤6.8億元，yoy+121%，技術(shù)迭代帶來盈利拐點。

互連：DDR5升級大勢所趨，公司充分受益于行業(yè)增長紅利。DDR4世代，內(nèi)存接口芯片+配套芯片市場規(guī)模約10億美元，DDR5世代，考慮到芯片更高價值量、更廣泛的應(yīng)用、服務(wù)器出貨增長、互連芯片技術(shù)創(chuàng)新，我們預(yù)計內(nèi)存接口芯片+配套芯片市場規(guī)模有望達(dá)25+億美元。公司在DDR3世代屬于追趕者，從DDR4世代開始，技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先市場，并參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定，目前僅面對IDT、Rumbus兩家競爭對手，且保持領(lǐng)先地位。2021年服務(wù)器內(nèi)存到達(dá)DDR4世代后周期，業(yè)內(nèi)內(nèi)存接口芯片ASP和毛利率下降。2022年是DDR5滲透元年，公司高單價高毛利率DDR5接口芯片及配套芯片逐步放量，業(yè)績迎來拐點。隨著23H1

Intel和AMD針對服務(wù)器的新一代CPU發(fā)布，配套芯片在服務(wù)器+PC/筆電端的持續(xù)滲透，以及更高價值量和利潤率的后續(xù)子代陸續(xù)導(dǎo)入市場，內(nèi)存接口芯片廠商將迎來業(yè)績高增期，公司作為業(yè)內(nèi)龍頭，技術(shù)與產(chǎn)品領(lǐng)先市場，有望持續(xù)受益，迎來新一輪成長。此外，公司開拓出PCIe

Retimer、AI芯片、CKD、CXL

MXC、MCR等新產(chǎn)品線，2021-2023年產(chǎn)品陸續(xù)貢獻(xiàn)業(yè)績，遠(yuǎn)期可見的市場空間進(jìn)一步擴大，成長確定性強。2摘

要

計算：津逮服務(wù)器進(jìn)入放量期，市場份額有望逐步提升。公司產(chǎn)品包括津逮CPU和混合安全內(nèi)存模組，前期主要為CPU，目前發(fā)展至第三代，對應(yīng)國內(nèi)的服務(wù)器市場有400+億元。當(dāng)前公司拓展服務(wù)器市場，以提升份額為主要策略，產(chǎn)品在采購Intel

CPU、三星/美光/海力士DRAM保證性能優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，增加芯片級實時安全監(jiān)控功能（加密計算、內(nèi)存加密保護、AI推理與運算等），特別適用于金融、交通、政務(wù)、能源等對硬件安全要求較高的行業(yè)，有望快速打開國內(nèi)市場，逐步提升市場份額。

盈利預(yù)測與估值：預(yù)計公司2022-2024年的歸母凈利潤為13.5億元、20.1億元、28.3億元，yoy

+62%、+49%、+41%，對應(yīng)PE為40x、27x、19x。內(nèi)存接口芯片進(jìn)入新一輪產(chǎn)品迭代周期，服務(wù)器端、PC/筆電端的內(nèi)存從DDR4向DDR5升級，趨勢確定，公司有望深度受益于行業(yè)升級帶來的成長紅利，長期看好，給予“買入”評級，目標(biāo)價70.54元。

催化劑：英特爾/AMD服務(wù)器CPU起量，DDR5在服務(wù)器端和PC/筆電端滲透率提升，津逮/CKD/MCR/MXC等新產(chǎn)品落地與放量。

風(fēng)險提示：服務(wù)器、PC/筆電需求不及預(yù)期；DDR5滲透不及預(yù)期；中美地緣政治與貿(mào)易摩擦風(fēng)險；新產(chǎn)品、新技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期；客戶集中度過高風(fēng)險；供應(yīng)商集中風(fēng)險。3瀾起科技發(fā)展邏輯大類產(chǎn)品名稱收入占比毛利率競爭力對標(biāo)市場空間驅(qū)動力RCD/DB（服務(wù)器）全球龍一，份額40-50%服務(wù)器內(nèi)存升級（高速、高帶寬）60-80%瑞薩、Rambus10+億美元SPD：瑞薩TS：瑞薩PMIC：瑞薩/TI/三星/MPS服務(wù)器內(nèi)存升級（高速、高帶寬）SPD+TS+PMIC67%40-50%領(lǐng)先10+億美元互連Asteralabs、TI、Microchip譜瑞科技、PCIeRetimerMCRRCD/DBCKD---領(lǐng)先5億美元-數(shù)據(jù)傳輸密度、大數(shù)據(jù)量高帶寬內(nèi)存模組23年創(chuàng)收23年創(chuàng)收--PC、筆電內(nèi)存升級（高速、高帶寬）--4億美元業(yè)界領(lǐng)先，率先拿到三星、SK海力士

Marvell、Microchip認(rèn)證MXC/CXL23年創(chuàng)收--內(nèi)存擴展、內(nèi)存池化國內(nèi)：海光、飛騰、鯤鵬、申威津逮服務(wù)器平臺33%10%份額<5%90億美元商用服務(wù)器國產(chǎn)化、份額提升計算互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)吞吐下的推薦系統(tǒng)、醫(yī)療領(lǐng)域大圖片處理、人工智能物聯(lián)網(wǎng)的大數(shù)據(jù)等110億美元細(xì)分較多AI芯片23年創(chuàng)收---數(shù)據(jù)：公司公告，美光，中信建投4目

錄一、瀾起科技：全球內(nèi)存接口龍頭二、互連：DDR5大勢所趨，內(nèi)存接口迎來新成長三、計算：市場空間廣闊，津逮CPU放量增長四、盈利預(yù)測與估值5瀾起科技：全球內(nèi)存接口龍頭公司簡介：成立于2004年，并于2019年登陸，是國際領(lǐng)先的全互連芯片設(shè)計和高性能通用處理器公司。公司致力于為云計算和人工智能領(lǐng)域提供高性能、低功耗的芯片解決方案，內(nèi)存接口芯片市占率全球第一。歷史沿革：2013年以前，以消費電子芯片為支柱，后逐步轉(zhuǎn)向內(nèi)存接口芯片，DDR2和DDR3世代由于認(rèn)證周期過長，雖然成功推出產(chǎn)品，但市占率較低。2013年推出DDR4內(nèi)存接口芯片，發(fā)明“1+9”分布式緩沖內(nèi)存子系統(tǒng)框架，率先獲得Intel認(rèn)證，并被JEDEC采納為國際標(biāo)準(zhǔn)。2017之后，剝離消費電子業(yè)務(wù)，聚焦服務(wù)器芯片領(lǐng)域，開拓內(nèi)存模組配套芯片、津逮服務(wù)器CPU和混合安全內(nèi)存模組、PCIeRetimer、AI芯片等產(chǎn)品線，目前又衍生出CKD、CXLMXC、MCR等新產(chǎn)品線，逐步發(fā)展成平臺型芯片設(shè)計公司。圖表：瀾起科技產(chǎn)品品類擴張圖201920202021PCIe

4.0Retimer：完成

PCIe

4.0

Retimer：芯片PCIe

5.0Retimer：研發(fā)工程樣片流片反饋+設(shè)計優(yōu)化AI芯片：架構(gòu)定義+技術(shù)可行性2014-2018AI芯片：原型適配AI芯片：研發(fā)Gen1.0津逮CPU、HSDIMM：產(chǎn)品優(yōu)化Gen1.0

津逮CPU、HSDIMM：產(chǎn)品優(yōu)化Gen1.0

津逮CPU、HSDIMM：產(chǎn)品優(yōu)化津逮CPU：研發(fā)成功Gen2.0津逮處理器、HSDIMM：產(chǎn)品定義+可行性研究Gen2.0

津逮處理器、HSDIMM：產(chǎn)品設(shè)計Gen3.0

津逮CPU：發(fā)布Gen1.0

津逮服務(wù)器平臺研發(fā)完成Gen2.0

津逮處理器、HSDIMM：產(chǎn)品設(shè)計Gen1.0DDR5

DB：工程

Gen1.0DDR5

DB設(shè)計優(yōu)

Gen1.0DDR5

DB：實現(xiàn)量樣片完成流片Gen1.0DDR5

RCD：工

Gen1.0DDR5

RCD設(shè)計優(yōu)

Gen1.0DDR5

RCD：實現(xiàn)量程樣片完成流片2009-2013DDR4

RCD：RDIMMDDR4

RCD：LRDIMM化產(chǎn)DDR3

LRDIMM

寄存緩沖器（RCD）2004-2008化產(chǎn)DDR2

FBDIMM

高級內(nèi)

DDR3

RDIMM

內(nèi)存緩沖DDR5

SPD、TS、PMIC：DDR5

SPD、TS、PMIC：

DDR5

SPD、TS、PMIC：實DDR4

DB：LRDIMM存緩沖器（AMB）器（MB）工程樣片完成流片設(shè)計優(yōu)化現(xiàn)量產(chǎn)DDR2-800DDR3-2133DDR4-3200DDR5-4400DDR5-4400DDR5-4800速率達(dá)到速率達(dá)到速率達(dá)到速率達(dá)到速率達(dá)到速率達(dá)到數(shù)據(jù)：公司招股書及官網(wǎng)，中信建投6技術(shù)能力獲國際龍頭認(rèn)可，Intel、三星電子戰(zhàn)略持股

股權(quán)分散，無控股股東和實際控制人。截止2022年8月，公司第一大股東為中電控股，持股比例為12.92%，公司創(chuàng)始人楊崇和及管理層、核心技術(shù)團隊通過WLT和珠海融英持股12.56%。

Intel、三星電子戰(zhàn)略持股。自2006年及2012年以來，Intel和三星電子分別與公司建立業(yè)務(wù)合作，2018年通過增資方式投資公司。Intel作為公司大客戶及重要合作伙伴，看好公司技術(shù)水平及發(fā)展前景，通過Intel

Capital持有8.97%股份，此外三星也通過SVIC

No.28

Investment持有一定比例股份。圖表：瀾起科技股權(quán)結(jié)構(gòu)IntelCapital中電控股WLT珠海融英上海臨理其他12.92%8.97%7.15%5.41%4.72%60.83%瀾起科技數(shù)據(jù)：公司公告，中信建投

備注：數(shù)據(jù)截至2022年8月7核心人員具備國際化視野，技術(shù)、管理、銷售經(jīng)驗豐富

公司核心人員畢業(yè)于國內(nèi)外著名高校，有在美國國家半導(dǎo)體、Sigmax、Marvell、Diodes

Inc等國際知名半導(dǎo)體公司工作經(jīng)歷，在技術(shù)、研發(fā)、市場銷售、工程管理等領(lǐng)域有豐富的經(jīng)驗。圖表：瀾起科技核心人員技術(shù)人員職務(wù)經(jīng)歷美國俄勒崗州立大學(xué)電子與計算機工程學(xué)碩士及博士，美國電氣和電子工程師協(xié)會院士

(IEEEFellow)。董事長兼首席執(zhí)

曾在美國國家半導(dǎo)體等公司從事芯片設(shè)計研發(fā)工作；曾任上海貝嶺新產(chǎn)品研發(fā)部負(fù)責(zé)人；1997年，創(chuàng)楊崇和行官建新濤科技，后在2001年與

IDT公司成功合并，；2004年創(chuàng)立瀾起科技，自創(chuàng)立至今任公司董事長兼首席執(zhí)行官。美國約翰霍普金斯大學(xué)電子與計算機工程學(xué)士，斯坦福大學(xué)電子工程學(xué)碩士。曾任

SigmaxTechnologyStephen

Tai

董事，總經(jīng)理

公司資深設(shè)計工程師，參與創(chuàng)建

Marvell科技集團工程并擔(dān)任研發(fā)總監(jiān)，

2004年創(chuàng)建瀾起科技后任公司董事兼總經(jīng)理。北京航空航天大學(xué)電子與通信系統(tǒng)碩士。曾任通訊上海研究一所、新濤科技工程師，IDT-新濤科山崗核心技術(shù)人員

技設(shè)計經(jīng)理。2005年8月加入瀾起，歷任設(shè)計總監(jiān)、應(yīng)用總監(jiān)、市場副總裁。現(xiàn)任瀾起科技市場應(yīng)用技術(shù)部負(fù)責(zé)人。比利時魯汶大學(xué)微電子學(xué)博士。曾任Alcatel

BellBelgium高級IC設(shè)計工程師；2000年加入新濤科技，核心技術(shù)人員

2001年至2010年任IDT副總裁；2010年至2013年任上海貝嶺首席技術(shù)官。2013年7月加入瀾起有限，現(xiàn)任瀾起科技研發(fā)部負(fù)責(zé)人。常仲元復(fù)旦大學(xué)電子工程系微電子碩士。曾任上海先進(jìn)半導(dǎo)體公司質(zhì)量工程師及質(zhì)量部經(jīng)理，新濤科技營運副總經(jīng)理，IDT-新濤科技營運副總經(jīng)理，上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司營運副總裁、第一產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理，DiodesInc分立器件事業(yè)群保護類產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理兼分立器件事業(yè)群中國市場總監(jiān)。2017年8月加入瀾起有限，現(xiàn)任瀾起科技運營部負(fù)責(zé)人。史剛核心技術(shù)人員數(shù)據(jù)：公司招股書，中信建投8主營業(yè)務(wù)：圍繞服務(wù)器芯片布局，內(nèi)存接口芯片為核心

公司圍繞服務(wù)器芯片布局，主要產(chǎn)品線為互連類芯片和津逮服務(wù)器平臺。公司2017年開始剝離消費電子業(yè)務(wù)，此后聚焦服務(wù)器芯片領(lǐng)域，開拓內(nèi)存模組配套芯片、津逮服務(wù)器平臺、PCIe

Retimer芯片等產(chǎn)品線。2018-2020年互連類芯片營收占比超98%，2021年津逮服務(wù)器平臺經(jīng)前期研發(fā)、市場開拓，實現(xiàn)批量銷售，營收占比快速提升，22H1占比達(dá)36%。圖表：瀾起科技主要產(chǎn)品圖表：2016年至22H1瀾起科技收入結(jié)構(gòu)變化互聯(lián)類芯片津逮服務(wù)器平臺消費電子芯片其他100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%0%1%1%2%6%17%1%34%33%36%內(nèi)存接口芯片內(nèi)存接口配套芯片99%99%98%76%66%67%64%PCIeRetimer芯片津逮服務(wù)器平臺20162017201820192020202122H1數(shù)據(jù)：公司官網(wǎng)，中信建投數(shù)據(jù)：公司招股說明書，公司公告，中信建投9內(nèi)存技術(shù)迭代，瀾起從DDR4時代開始確立龍頭地位DDR2：2008年DDR2產(chǎn)品，起步較晚，競爭對DDR3：2011年推出，差距縮小，競爭對DDR4：2013年開始出貨，領(lǐng)先市場，競爭對手2個于10個于5個瀾起科技DDR5：率先完成DDR5內(nèi)存接口芯片研發(fā)競爭對手2個40標(biāo)準(zhǔn)制定時間相差10年標(biāo)準(zhǔn)制定時間相差7年先服務(wù)器，后電腦迭代加速？幾乎同時3530先電腦，后服務(wù)器DDR32003年標(biāo)準(zhǔn)DDR42013年標(biāo)準(zhǔn)確DDR5

2020年標(biāo)準(zhǔn)確定，2021年開始滲透25

確定，約2006-定，2014年開始滲透2008年間開始滲透201510502004

2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

22H1互聯(lián)類芯片津逮服務(wù)器平臺消費電子芯片其他數(shù)據(jù)：公司招股說明書，Wind，中信建投10財務(wù)分析：2017年剝離傳統(tǒng)消費業(yè)務(wù)，2016-2018年DDR4快速滲透

2016-2018年：收入和利潤快速增長，收入從8.45億元增長至17.58億元，利潤從0.93億元增長至7.37億元，主要得益于：1、DDR4產(chǎn)品快速滲透；2、全球服務(wù)器整體出貨量提升；3、公司產(chǎn)品市場占有率持續(xù)提升。綜合毛利率的大幅上揚主要是由于DDR4高單價高毛利，占比持續(xù)提升，同時2017年將毛利率相對較低的消費電子芯片業(yè)務(wù)剝離。圖表：瀾起科技?xì)v年營收及同比增速營業(yè)總收入（億元）圖表：瀾起科技?xì)v年歸母凈利潤及同比增速YoYYoY25.62歸母凈利潤（億元）11.0430180%160%140%12108300%250%200%150%100%50%2520151059.338.2919.30

120%100%80%18.2417.58

17.387.376.81612.2860%8.453.47440%20%20.930%0%0-20%0-50%2016

2017

2018

2019

2020

2021

22H12016

2017

2018

2019

2020

2021

22H1數(shù)據(jù)：Wind，中信建投數(shù)據(jù)：Wind，中信建投11財務(wù)分析：2019-2021年為DDR4后周期，盈利暫時承壓

2019-2021年：公司收入增速較慢，收入從17.38億元增長至25.26億元，利潤從9.33億元下降至8.29億元，主要有以下原因：1、DDR4產(chǎn)品進(jìn)入生命周期后期，滲透率提升幅度較為有限；2、下游服務(wù)器出貨量相對疲軟。但2019-2020年公司在收入沒有較大增長情況下，利潤穩(wěn)中有升，有年化22%的增長，主要得益于：1、公司DDR4內(nèi)存接口芯片子代產(chǎn)品迭代；2、高價值量的新子代產(chǎn)品銷售占比提升，盈利能力提升。圖表：瀾起科技?xì)v年毛利率及凈利率毛利率圖表：瀾起科技?xì)v年毛利率（分業(yè)務(wù)）互聯(lián)類芯片凈利率津逮服務(wù)器平臺80%消費電子芯片80%70%60%50%40%30%20%10%0%70%60%50%40%30%20%10%0%201620172018201920202021-10%-20%2016

2017

2018

2019

2020

2021

22H1數(shù)據(jù)：Wind，中信建投數(shù)據(jù)：Wind，中信建投12財務(wù)分析：2022年開始，DDR5滲透，互連新品打開成長空間

2022年至今：收入較大幅度提升，得益于津逮服務(wù)器平臺快速放量，但利潤的下行主要原因：1、DDR4內(nèi)存接口芯片進(jìn)入產(chǎn)品生命周期后期，ASP和毛利率下滑；2、DDR5在服務(wù)器端的應(yīng)用延遲，直到21Q4才小批量出貨；3、津逮服務(wù)器毛利率僅有10%左右，拉低綜合毛利率。

展望2022年及以后，隨著DDR5在服務(wù)器和PC筆電端的滲透，以及津逮服務(wù)器平臺放量，互連芯片新品創(chuàng)收，公司收入規(guī)模及盈利將持續(xù)高增。圖表：互連類芯片銷量及ASP圖表：津逮服務(wù)器產(chǎn)品銷量及ASP津逮服務(wù)器產(chǎn)品銷量（萬臺）津逮服務(wù)器產(chǎn)品ASP（元/臺）161412108互聯(lián)類芯片銷量（萬顆）互聯(lián)類芯片ASP（元/顆）12,000256,0005,0004,0003,0002,0001,000010,0008,0006,0004,0002,00002015105642002016

2017

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2021201920202021數(shù)據(jù)：Wind，中信建投數(shù)據(jù)：Wind，中信建投13研發(fā)投入維持高強度，股權(quán)激勵綁定核心高管和技術(shù)人員

研發(fā)投入維持高強度。2017-2021年，公司研發(fā)投入占比維持在15%上下，在芯片設(shè)計公司中處于較高水平，2022年隨著營收規(guī)模的快速擴大，研發(fā)投入占比下降至11%，仍保持在高水平。公司研發(fā)人數(shù)持續(xù)增長，研發(fā)人數(shù)占比穩(wěn)步提升，目前占比在70%上下。

股權(quán)激勵綁定核心高管和技術(shù)人員。2020年1月和2022年6月，公司進(jìn)行2次股權(quán)激勵，綁定核心高管、技術(shù)人員和員工利益，覆蓋率分別為67%和38%。圖表：公司歷年研發(fā)投入及占比（億元）圖表：公司歷年研發(fā)人數(shù)及占比（人）研發(fā)投入研發(fā)投入占比研發(fā)人數(shù)研發(fā)人數(shù)占比4.03.53.02.52.01.51.00.50.025%20%15%10%5%4504003503002502001501005074%72%70%68%66%64%62%60%0%02016

2017

2018

2019

2020

2021

22H1201820192020202122H1數(shù)據(jù)：公司公告，中信建投數(shù)據(jù)：公司公告，中信建投14目

錄一、瀾起科技：全球內(nèi)存接口龍頭二、互連：DDR5大勢所趨，內(nèi)存接口迎來新成長三、計算：市場空間廣闊，津逮CPU放量增長四、盈利預(yù)測與估值15目

錄一、瀾起科技：全球內(nèi)存接口龍頭二、互連：DDR5大勢所趨，內(nèi)存接口迎來新成長2.1內(nèi)存接口芯片三、計算：市場空間廣闊，津逮CPU放量增長四、盈利預(yù)測與估值16常見內(nèi)存模組分類常見內(nèi)存模組通常有SODIMM（Small

Outline

DIMM，小型雙列直插式內(nèi)存模組）、UDIMM（Unbuffered

DIMM，無緩沖雙列直插內(nèi)存模組）、RDIMM（Registered

DIMM，寄存式雙列直插內(nèi)存模組）和LRDIMM（Load

Reduced

DIMM，減載雙列直插內(nèi)存模組）。服務(wù)器領(lǐng)域目前主要使用URIMM、RDIMM和LRDIMM這3種。5G時代帶來的海量數(shù)據(jù)運算以及服務(wù)器高容化導(dǎo)致時延增加，可通過LRDIMM、改善PCB性能、3D堆疊等方式解決。PCB制程存在極限且成本較高；3D堆疊需要穿孔，可能導(dǎo)致內(nèi)存顆粒出現(xiàn)裂痕從而良率較低；LRDIMM有望成為業(yè)界主流方案，預(yù)計在DDR5中后期，其滲透率將會提高。圖表：常見內(nèi)存模組種類內(nèi)存模組種類

所需內(nèi)存接口芯片

主要定位市場主要特征為了滿足筆記本電腦內(nèi)空間受限的要求，SODIMM的尺寸比標(biāo)準(zhǔn)的DIMM要小很多，而且引腳數(shù)也不同SODIMMUDIMM無無筆記本其地址和控制信號不經(jīng)緩沖器，直接到達(dá)DIMM上的DRAM芯片，因此同頻率下延遲臺式機、低端服

更小。數(shù)據(jù)從CPU傳到每個內(nèi)存顆粒時，UDIMM要求保證CPU到每個內(nèi)存顆粒之間的務(wù)器數(shù)據(jù)傳輸距離相等，這樣并行傳輸才會有效，這需要極高的制造工藝，因此UDIMM容量和頻率都較低在CPU和內(nèi)存顆粒通路上加了一顆寄存時鐘驅(qū)動芯片，減少了并行傳輸?shù)木嚯x，又提高了傳輸?shù)挠行浴Ｓ捎诩拇嫫餍屎芨?，因此相比UDIMM，RDIMM的容量和頻率更容易提高RDIMMRCD服務(wù)器和RDIMM相比多采用了數(shù)據(jù)緩沖器芯片對數(shù)據(jù)信號進(jìn)行緩沖，對內(nèi)存控制器而言降低了總線負(fù)載，并進(jìn)一步提升了內(nèi)存支持容量LRDIMMRCD+DB高性能服務(wù)器數(shù)據(jù)：CSDN，中信建投17內(nèi)存接口芯片：服務(wù)器內(nèi)存模組核心器件

動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic

Random

Access

Memory，DRAM）在服務(wù)器內(nèi)存中一直占據(jù)主導(dǎo)地位，隨著半導(dǎo)體工藝發(fā)展以及對高傳輸速度、高容量、低功耗的要求，DRAM逐步演變到SDRAM（Synchronous

DRAM，同步動態(tài)隨機處理器）再發(fā)展到DDR

SDRAM系列（Double

Data

Rate

SDRAM，雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器）。直到今天，SDRAM演變出DDR1-DDR5系列。

內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組核心邏輯器件，位于CPU和DRAM內(nèi)存顆粒通路之間。由于CPU主頻頻率（GHz級）遠(yuǎn)大于內(nèi)存顆粒核心頻率（MHz級），內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)速度遠(yuǎn)小于CPU計算速度，因此需要內(nèi)存接口芯片緩沖來提升數(shù)據(jù)訪問速度及穩(wěn)定性。圖表：DDR

SDRAM各子代關(guān)鍵參數(shù)晶粒密度（單顆）DDR

SDRAM子類時鐘頻率(MHz)

數(shù)據(jù)傳輸速率（MT/s)

最低工作電壓（V)DDR100-200200-533200-400400-1066800-21331600-3200>=48002.51.8256Mb-1Gb512Mb-4Gb1Gb-8GbDDR2DDR3DDR4DDR5400-1066800-16001600-32001.351.24Gb-32Gb16Gb-32Gb1.1數(shù)據(jù)：半導(dǎo)體行業(yè)觀察，電子發(fā)燒友，中信建投18RCD、DB套片，實現(xiàn)地址、命令、控制信號和數(shù)據(jù)信號的全緩沖

內(nèi)存接口芯片，包括寄存緩沖器（Register

Clock

Driver，RCD）

和數(shù)據(jù)緩沖器（Data

Buffer，DB）。RDIMM僅采用了一顆RCD芯片，而LRDIMM采用了RCD和DB套片組合，在DDR4世代是“1+9”架構(gòu)即1顆RCD和9顆DB芯片，在DDR5世代則演變成“1+10”架構(gòu)。

RCD：用來緩沖來自內(nèi)存控制器的地址、命令、控制信號。

DB：用來緩沖來自內(nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號。

RCD+DB：RCD

與

DB

組成套片，可實現(xiàn)對地址、命令、控制信號和數(shù)據(jù)信號的全緩沖。圖表：公司DDR4全緩沖“1+9”架構(gòu)數(shù)據(jù)：公司公告，中信建投19DDR5時代，服務(wù)器/PC筆電上所需的內(nèi)存接口芯片和配套芯片

DDR5時代，服務(wù)器/PC筆電上所需的內(nèi)存接口芯片和配套芯片如下，相比DDR4時代升級明顯。高端服務(wù)器配置，預(yù)計占比不足10%1顆RCD，10顆DB，配套芯片（1顆SPD、1顆PMIC、2顆TS）普通服務(wù)器配置，預(yù)計占比90%1顆RCD，配套芯片（1顆SPD、1顆PMIC、2顆TS）低端服務(wù)器/PC筆電配置，配套芯片（1顆SPD、1顆PMIC），PC/筆電可能搭配1顆CKD，用以代替RCD數(shù)據(jù)：公司公告，中信建投20內(nèi)存接口芯片處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，認(rèn)證門檻高圖表：內(nèi)存接口芯片處于服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈上游服務(wù)器/云服務(wù)產(chǎn)業(yè)鏈：內(nèi)存接口芯片產(chǎn)業(yè)鏈：21

內(nèi)存接口芯片處于服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈上游，在DDR4及之前僅用于服務(wù)器，DDR5及之后也可供應(yīng)PC、筆電，廠商出貨與下游服務(wù)器采購周期密切相關(guān)。內(nèi)存接口芯片廠商直接向下游三星電子、海力士、美光等內(nèi)存模組廠商供貨，浪潮、IBM、Dell等服務(wù)器組裝廠商分別采購內(nèi)存模組和CPU等進(jìn)行整機組裝，從而再銷售給Amazon

、

Google

、

Microsoft

等云服務(wù)廠商，因此內(nèi)存接口芯片廠商的產(chǎn)品需經(jīng)過CPU廠商、DRAM廠商、OEM廠商的認(rèn)證，認(rèn)證門檻高。數(shù)據(jù)：各公司官網(wǎng)，中信建投市場三足鼎立，行業(yè)高度集中內(nèi)存接口芯片認(rèn)證、技術(shù)壁壘高，行業(yè)格局高度集中。由于內(nèi)存接口芯片研發(fā)周期長，每個世代研發(fā)時間跨度達(dá)4-6年，更新迭代快，子代更新周期約1-1.5年，資金投入大（瀾起2022年以前研發(fā)費用率常年保持在15%以上），自DDR2世代開始，行業(yè)競爭者數(shù)據(jù)日漸減小。自DDR4開始，行業(yè)主要參與者僅剩瀾起、瑞薩（IDT）、Rambus三家。瀾起科技作為行業(yè)龍頭，近年來保持在40-50%之間。行業(yè)方面，2018年9月瑞薩電子宣布收購IDT，2019年9月IDT負(fù)責(zé)內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)的副總裁Sean

Fan離職后加入Rambus，此后Rambus市場份額提升明顯。IDT受被收購及高管離職影響下，市場份額下降明顯。公司方面，公司DDR4產(chǎn)品在2013年10月率先獲得Intel認(rèn)證，并發(fā)明了“1+9”分布式緩沖內(nèi)存子系統(tǒng)框架，被JEDEC采納為國際標(biāo)準(zhǔn)，此后市場份額逐年提升，最近三年市場份額均保持在40-50%之間，順利完成彎道超車。瀾起由于深度參與JEDEC行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定，綁定Intel、三星等大客戶，技術(shù)上保持領(lǐng)先。圖表：內(nèi)存接口芯片各世代主要廠商圖表：三家公司市占率變化估算瀾起Rambus瑞薩（IDT）世代研發(fā)時間跨度主要廠商廠商數(shù)量100%80%60%40%20%0%TI、Intel、西門子、Inphi、瀾起、IDT等DDR2

2004年-2008年＞1036%20%43%13%44%47%7%61%76%Inphi、IDT、瀾起Rambus、TI等DDR3

2008年-2016年DDR4

2013年-2017年＞538%瀾起、IDT、Rambus4%46%44%31%20%瀾起、瑞薩（IDT）、DDR52017年至今3Rambus20162017201820192020數(shù)據(jù)：公司招股說明書，中信建投數(shù)據(jù)：各公司年報，中信建投22內(nèi)存接口芯片三強對比IDT）Rambus廠商國家瀾起科技中國瑞薩（美國1980美國20041990年成立時間年年互連類芯片、津逮服務(wù)器

包括互連和無線電源在內(nèi)的

內(nèi)存接口芯片、內(nèi)存技術(shù)授主營業(yè)務(wù)CPU及混合安全模組模擬混合信號產(chǎn)品權(quán)20213.9億美元8.4億美元（CY2019）3.3億美元年相關(guān)收入DDR5

RCD+DB，DDR5

RCD+DB，SPD+PMIC+TSDDR4RCD+DBDDR3

RCD+iMBDDR2

AMBSPD+PMIC+TSDDR4RCD+DBDDR3

RCD+iMBDDR2

AMBDDR5

RCD+DBDDR4RCD+DBDDR3

RCD+iMB內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品DDR寄存器20212.62.7億美元（CY2019）1.2億美元年相關(guān)收入億美元44%43%13%市占率23行業(yè)景氣度指標(biāo)1：全球云計算capex

云計算廠商資本開支維持較高增長。隨著5G、AI、大數(shù)據(jù)等信息技術(shù)的蓬勃發(fā)展，龐大的數(shù)量流量需要更多服務(wù)器的支持。互聯(lián)網(wǎng)云計算廠商資本開支是服務(wù)器行業(yè)景氣度的先行指標(biāo)。北美五大云計算廠商（Amazon、Meta、Microsoft、Google、Oracle）+國內(nèi)云計算廠商（阿里巴巴、百度、騰訊）總資本開支自19Q2開始恢復(fù)正增長，當(dāng)前capex

yoy雖有所回調(diào)，但依舊保持了~16%的較高增速。圖表：全球主要云計算廠商的資本性支出及同比增速資本性支出總計（億美元）YoY45040035030025020015010050120%100%80%60%40%20%0%周期底周期底0-20%數(shù)據(jù)：Bloomberg，中信建投主要云廠商包括：亞馬遜、谷歌、Meta、甲骨文、微軟、騰訊、阿里巴巴、百度等24行業(yè)景氣度指標(biāo)2：服務(wù)器出貨量

服務(wù)器出貨量持續(xù)提升。2020-2021年服務(wù)器升級不及預(yù)期、出貨量低迷是因為：1、企業(yè)資本開支減少，訂單從采購轉(zhuǎn)為租借；2、Intel新一代CPU延遲發(fā)布；3、PMIC等配套芯片因Fab產(chǎn)能緊張而短缺。2022年隨著疫情以及缺芯緩解以及Intel、AMD新一代服務(wù)器CPU出貨，服務(wù)器出貨量已經(jīng)呈現(xiàn)上升趨勢。根據(jù)Trendforce預(yù)測，2022-2023年全球服務(wù)器出貨量仍有有望增長5.1%和3.7%，維持正增長。圖表：全球服務(wù)器年度出貨量全球服務(wù)器出貨量（萬臺）圖表：全球服務(wù)器季度出貨量全球服務(wù)器出貨量（萬臺）YoY1447YoY1600140012001000800600400200020%15%10%5%4504003503002502001501005030%25%20%15%10%5%13151185

118010249719559258980%0%-5%-10%-5%-10%02013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021數(shù)據(jù)：IDC，中信建投數(shù)據(jù)：IDC，中信建投25行業(yè)景氣度指標(biāo)3：相關(guān)公司財務(wù)數(shù)據(jù)

英特爾服務(wù)器部門季度營收：服務(wù)器CPU市場中，英特爾的X86架構(gòu)市占率常年達(dá)80%以上（22Q2下滑至76%），英特爾生產(chǎn)服務(wù)器CPU的DCAI部門季度營收充分體現(xiàn)服務(wù)器市場景氣度。自20Q3開始，服務(wù)器市場開啟去庫存周期，DCAI部門季度營收及同比增速大幅下滑；自21Q3開始服務(wù)器市場需求旺盛，DCAI部門營收增速復(fù)蘇回升，當(dāng)前DCAI部門營收有所下滑，主要因為：去庫存、降價、同業(yè)競爭。圖表：英特爾DCAI部門季度營收數(shù)據(jù)（億美元）及YoYIntelDCAI部門季度營收（百萬美元）YoY8070605040302010060%50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%數(shù)據(jù)：

Intel，中信建投備注：Intel自22Q1開始將原有的DCG部門改稱為DCAI部門AMD自22Q2開始才將服務(wù)器收入單獨列示26行業(yè)景氣度指標(biāo)3：相關(guān)公司財務(wù)數(shù)據(jù)

信驊科技月度營收：作為服務(wù)器必備的遠(yuǎn)端管理芯片（BMC）全球最大供應(yīng)商，信驊科技的月度收入與服務(wù)器出貨量呈高度正相關(guān)。自2021年8月開始，單月營收增速顯著提高。2022年以來月度營收yoy維持在高水平，進(jìn)一步驗證了服務(wù)器市場的較高景氣。圖表：信驊科技月度營收數(shù)據(jù)及YoY信驊單月營收（百萬元新臺幣）YoY6005004003002001000110%90%70%50%30%10%-10%-30%數(shù)據(jù)：Wind，中信建投27技術(shù)迭代1：服務(wù)器CPU平臺更新?lián)Q代新一代服務(wù)器CPU平臺將刺激換機需求。平臺Intel新一代服務(wù)器處理器Sapphire

Rapids有望于23Q1規(guī)模量產(chǎn)，采用10nm+制程（Intel

7）的服務(wù)器CPU，而AMD新一款采用5nm制程的GENOA處理器也將于22Q4出貨。服務(wù)器CPU升級帶來內(nèi)存接口芯片更新迭代。第四代至強可擴展處理器Sapphire

Rapids數(shù)據(jù)插槽接口標(biāo)準(zhǔn)PCIe升級為Gen

5.0，同時內(nèi)存規(guī)范升級到DDR5，支持單通道傳輸速率提升至16GT/s，支持8通道DDR5，由于每通道支持兩個內(nèi)存模組，這意味著每顆CPU最高可支持內(nèi)存模組16根，內(nèi)存規(guī)格升級帶來內(nèi)存接口芯片規(guī)格升級。圖表：Intel和AMD服務(wù)器處理器技術(shù)路線2015年2016年2017年2019年2020年2022-2023年制程代號22nm14nm14nm+14nm++10nm10nm+HASWELLBROADWELLSKYLAKECASCADELAKEICELAKESAPPHIRE

RAPIDSIntel內(nèi)存PCIe制程代號內(nèi)存PCIe//6*DDR4Gen36*DDR4Gen38*DDR4Gen48*DDR5Gen5Gen3Gen3////////14nm7nm7nm+5nmNAPLES8*DDR4Gen3ROME8*DDR4Gen4MILAN8*DDR4Gen4GENOA8*DDR5Gen5AMD數(shù)據(jù)：Intel，AMD，中信建投28技術(shù)迭代2：內(nèi)存條升級至DDR5

滲透率：參考DDR以往滲透率變化，Micron預(yù)計，DD5在2022年末滲透率可達(dá)到20-30%，2023年末可達(dá)到50-70%，2024年末基本可以完成滲透。雖然Intel的Sapphire

Rapids

CPU再度延期，但我們認(rèn)為DDR4向DDR5的大趨勢不改，預(yù)計DDR5仍然可在2025年前基本完成對DDR4的替代（起量的第5年達(dá)到滲透率達(dá)到80%以上）。

量升：1、服務(wù)器市場高景氣度，確定性強，出貨量有望持續(xù)增加；2、5G、AI推動大數(shù)據(jù)運算需求，服務(wù)器內(nèi)存容量提升趨勢明顯，單臺服務(wù)器內(nèi)存模組數(shù)量有望增加；3、在內(nèi)存接口芯片數(shù)量上，DDR5世代的LRDIMM搭配1+10架構(gòu)，相較于DDR4世代一顆DB芯片用量/LRDIMM搭配1+9構(gòu)架有所提升。而隨著存儲容量及傳輸速率的提升，在DDR5中后期階段，LRDIMM的滲透率會進(jìn)一步提升。圖表：DDR歷代產(chǎn)品滲透率及預(yù)測DDRDDR2DDR3DDR4DDR5100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%數(shù)據(jù)：IHS

Markit，中信建投29技術(shù)迭代2：內(nèi)存條升級至DDR5

價升：1、隨著技術(shù)更新，內(nèi)存接口芯片每一子代新產(chǎn)品的ASP提升。DDR5世代，內(nèi)存接口芯片ASP較DDR4最后一個子代提升約50%，毛利也大幅提升。隨著DDR5第二子代逐步落地，內(nèi)存接口芯片的ASP和毛利率有進(jìn)一步提升空間。以瀾起科技為例，21Q4

DDR5第一子代上量，其互連類芯片收入達(dá)6.01億，同比增長約69%，毛利率已提升至69%。

2、隨著DDR5的滲透率逐漸提升，ASP會進(jìn)一步提升。圖表：瀾起科技?xì)v代RCD和DB產(chǎn)品技術(shù)世代描述應(yīng)用DDR5

第二代（Gen2）DDR寄存時鐘驅(qū)動器芯片第一代（Gen1）DDR數(shù)據(jù)緩沖器芯片第一代（Gen1）DDR寄存時鐘驅(qū)動器芯片DDR4

第二代（Gen2Plus）DDR數(shù)據(jù)緩沖器芯片第二代（Gen2Plus）DDR寄存時鐘驅(qū)動器芯片第二代（Gen2）DDR數(shù)據(jù)緩沖器芯片第二代（Gen2）DDR寄存時鐘驅(qū)動器芯片第一代（Gen1.5）DDR數(shù)據(jù)緩沖器芯片第一代（Gen1.5）DDR寄存時鐘驅(qū)動器芯片第一代（Gen1）DDR數(shù)據(jù)緩沖器芯片第一代（Gen1）DDR寄存時鐘驅(qū)動器芯片DDR3

DDR3內(nèi)存緩沖器芯片DDR5

RDIMM和LRDIMM，支持速率達(dá)DDR5-5600DDR5

LRDIMM，支持速率達(dá)DDR5-4800DDR5

RDIMM和LRDIMM，支持速率達(dá)DDR5-4800DDR4LRDIMM和NVDIMM，支持速率達(dá)DDR4-3200DDR4

RDIMM、LRDIMM、NVDIMM，支持速率達(dá)DDR4-3200DDR4

LRDIMM，支持速率達(dá)DDR4-2666DDR4

RDIMM和LRDIMM，支持速率達(dá)DDR4-2666DDR4

LRDIMM，支持速率達(dá)DDR4-2400DDR4

RDIMM和LRDIMM，支持速率達(dá)DDR4-2400DDR4

LRDIMM，支持速率達(dá)DDR4-2133DDR4

RDIMM和LRDIMM，支持速率達(dá)DDR4-2133DDR3

LRDIMM，支持速率達(dá)DDR3-1866DDR3

RDIMM，支持速率達(dá)DDR3-1866DDR3寄存緩沖器芯片（1.5V/1.35V/1.25V）DDR3寄存緩沖器芯片（1.5V/1.35V）DDR3

RDIMM，支持速率達(dá)DDR3-1333DDR2

DDR2高級內(nèi)存緩沖器芯片DDR2

FBDIMM數(shù)據(jù)：公司公告，中信建投30市場空間測算：DDR5是DDR4世代市場空間的3倍內(nèi)存接口芯片市場規(guī)模測算服務(wù)器出貨量（億臺）20210.12972022E0.13622023E0.14302024E0.15012025E0.1577服務(wù)器平均內(nèi)存模組數(shù)量服務(wù)器DIMM數(shù)量（億條）DDR4滲透率10.01.398%10.41.485%11.01.660%11.41.740%11.91.920%DDR4LRDIMM滲透率DDR5滲透率10%2%10%15%10%40%10%60%10%80%DDR5LRDIMM滲透率DDR4RCD

ASP（美元）DDR5RCD

ASP（美元）DDR4

DBASP（美元）DDR5

DBASP（美元）DDR4

1+9（美元）DDR51+10（美元）DDR4市場規(guī)模（億美元）DDR5市場規(guī)模（億美元）0%0%0%10%10%----------------------------------------服務(wù)器內(nèi)存接口芯片：RCD+DB服務(wù)器內(nèi)存接口市場規(guī)模（億美元）6.97.28.211.914.6PC出貨量（億臺）PC平均內(nèi)存模組數(shù)量3.41.22.71.23.01.23.01.23.01.2PCUDIMM+SODIMM數(shù)量（億條）4.13.33.63.63.6PC+NBDDR5

CKD滲透率DDR5

CKD

ASP（美元）0%-0%-15%-40%-65%-PC+NB內(nèi)存接口市場規(guī)模（億美元）0.00.01.02.53.8數(shù)據(jù)：美光，Rambus，公司公告，中信建投31目

錄一、瀾起科技：全球內(nèi)存接口龍頭二、互連：DDR5大勢所趨，內(nèi)存接口迎來新成長2.2配套芯片三、計算：市場空間廣闊，津逮CPU放量增長四、盈利預(yù)測與估值32配套芯片：DDR5世代標(biāo)配，打開新的市場空間

配套芯片指三顆：SPD、TS、PMIC。根據(jù)JEDEC組織的定義，在DDR5世代，服務(wù)器內(nèi)存模組一般搭配1顆串行檢測芯片（Serial

Presence

Detect，SPD）、1顆電源管理芯片（

Power

Management

IC，PMIC

）及2顆溫度傳感器（Temperature

Sensor，TS

）；普通臺式機、筆記本電腦內(nèi)存模組一般搭配1顆SPD+1顆PMIC。圖表：DDR5內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片SPDTSTSPMIC數(shù)據(jù)：公司公告，中信建投33SPD、TS競爭格局較好，PMIC玩家眾多

競爭格局：SPD和TS目前主要的供應(yīng)商是瀾起和瑞薩（IDT）兩家，PMIC的競爭對手則相對復(fù)雜，有瀾起、瑞薩、TI、三星、MPS等公司。

瀾起的配套芯片布局領(lǐng)先，與IDT旗鼓相當(dāng)。2018年，瀾起科技啟動DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片和配套芯片的工程版芯片研發(fā)項目，與其他公司合作開發(fā)SPD

和TS芯片；2019年完成工程樣片的流片，送樣內(nèi)存模組廠評估；2020年完成送樣測試，并根據(jù)反饋結(jié)果設(shè)計優(yōu)化；2021年正式宣布實現(xiàn)DDR5

SPD和TS芯片量產(chǎn)，同年10月量產(chǎn)DDR5

PMIC。在同一時期，瑞薩（IDT）也完成了內(nèi)存接口芯片的完整布局（RCD+DB、SPD、TS、PMIC、控制MCU）。Rambus在配套芯片方面布局較晚，但已準(zhǔn)備入局。圖表：配套芯片功能介紹芯片功能單個內(nèi)存條的配置瀾起與聚辰股份共同研發(fā)，內(nèi)部集成了EEPROM、

I2C/I3C總線集線器（Hub）和溫度傳感器（TS），適用于

DDR5

系列內(nèi)存模組（如LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM等），應(yīng)用范圍包括服務(wù)器、臺式機及筆記本內(nèi)存模組。其中：1、SPD

EEPROM用于存儲內(nèi)存模組的相關(guān)信息以及模組上內(nèi)存顆粒和相關(guān)器件的所有配置參數(shù)；2、SPD可作為I2C/I3C總線集線器，一端連接系統(tǒng)主控設(shè)備（CPU或BMC），一端連接內(nèi)存模組上的本地組件，包括RCD、PMIC和TS，是系統(tǒng)主控設(shè)備與內(nèi)存模組上組件之間的通信中心；3、TS可連續(xù)監(jiān)測SPD所在位置的溫度，主控設(shè)備可通過I2C/I3C總線從SPD中的相關(guān)寄存器讀取傳感器檢測到的溫度，以便于進(jìn)行內(nèi)存模組的溫度管理，提高系統(tǒng)工作的穩(wěn)定性SPD串行檢測集線器服務(wù)器1個，PC筆電1個TS適用于DDR5服務(wù)器RDIMM和LRDIMM內(nèi)存模組，可實現(xiàn)對內(nèi)存模組的溫度管理服務(wù)器2個溫度傳感器PMIC適用于DDR5服務(wù)器RDIMM和LRDIMM內(nèi)存模組。PMIC的作用主要是為內(nèi)存模組上的其他芯片服務(wù)器1個，PC筆電1個電源管理芯片

（如DRAM、RCD、DB、SPD和TS等）提供電源支持，分低電流和高電流數(shù)據(jù)：公司公告，中信建投34市場空間測算：配套芯片市場空間超10億美元20212022E2023E2024E2025E配套芯片市場規(guī)模測算滲透率2%15%40%60%80%服務(wù)器：SPD+PMIC+2*TSASP（美元）--------15%--40%--65%-服務(wù)器市場規(guī)模（億美元）滲透率配套芯片：SPD+PMIC+TS0%-0%-PC+NB：ASP（美元）SPD+PMICPC+NB-----市場規(guī)模（億美元）配套芯片市場規(guī)模（億美元）0.10.84.17.610.6數(shù)據(jù)：美光，Rambus，公司公告，中信建投35目

錄一、瀾起科技：全球內(nèi)存接口龍頭二、互連：DDR5大勢所趨，內(nèi)存接口迎來新成長2.3其他芯片三、計算：市場空間廣闊，津逮CPU放量增長四、盈利預(yù)測與估值36PCIeRetimer用于解決服務(wù)器數(shù)據(jù)傳輸?shù)男盘栙|(zhì)量問題

PCIe

Retimer：是適用于PCIe高速數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議的超高速時序整合芯片，近年來，高速數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議已發(fā)展為PCIe5.0，數(shù)據(jù)傳輸速度翻倍的同時帶來了突出的信號衰減和參考時鐘時序重整問題，為了補償高速信號的損耗，提升信號的質(zhì)量，通常會在鏈路中加入超高速時序整合芯片（Retimer）。Retimer主要解決數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)高速、遠(yuǎn)距離傳輸時，信號時序不齊、損耗大、完整性差等問題。

公司的PCIe

4.0

Retimer芯片已在2020年實現(xiàn)量產(chǎn)，并在21H2開始放量、貢獻(xiàn)業(yè)績，在功耗和傳輸延時等關(guān)鍵性指標(biāo)處于國際領(lǐng)先地位，可應(yīng)用于NVMe

SSD、AI服務(wù)器、Riser卡等典型應(yīng)用場景。圖表：PCIe

4.0

Retimer芯片的典型應(yīng)用場景數(shù)據(jù)：公司官網(wǎng)，中信建投37PCIeRetimer空間廣闊，瀾起后起直追市場空間：按單臺服務(wù)器24通道/鏈路計算，ASP

2美元，服務(wù)器年出貨量1400萬臺，PCIe

Retimer市場空間可達(dá)6-7億美元。PCIe

4.0競爭格局：目前全球僅有三家公司可供應(yīng)PCIe

4.0

Retimer芯片，除瀾起科技外，另外兩家是譜瑞科技、Astera

labs。由于Intel在2021年4月才推出支持PCIe

4.0的Ice

Lake

服務(wù)器平臺，PCIe

4.0

Retimer芯片才剛開始導(dǎo)入市場，隨著2022年P(guān)CIe

4.0生態(tài)逐步完善，PCIe4.0Retimer芯片的滲透率將明顯提升。PCIe

5.0競爭格局：1、PCIe

5.0大勢所趨：2021年10月，英特爾發(fā)布的基于Alder

Lake的處理器12代酷睿CPU，使用PCIe

5.0標(biāo)準(zhǔn)，其面向服務(wù)器的下一代處理器

Sapphire

Rapids使用PCIe

5.0。AMD計劃在2022年下半年發(fā)布Zen4架構(gòu)和AM5平臺，也將支持

PCIe

5.0。2、有望成為主流技術(shù)路線：當(dāng)前解決服務(wù)器信號損耗問題的方案有：搭載retimer、增加PCB層數(shù)，前者因成本更低，在DDR5時代有望成為主流。3、競爭格局：

Astera

labs于2022年率先完成量產(chǎn)和客戶銷售，瀾起科技和譜瑞科技暫時落后。目前，瀾起科技PCIe

5.0Retimer已經(jīng)完成流片并開始送樣。圖表：PCIe各代接口標(biāo)準(zhǔn)圖表：瀾起PCIe

4.0Retimer芯片PCIe版本1.0發(fā)布時間2003年2007年2010年2017年2019年行代碼8b/10b傳輸速度2.5GT/s2.08b/10b5GT/s3.0128b/130b128b/130b128b/130b數(shù)據(jù)8GT/s4.016GT/s5.032or25GT/s：

CSDN，中信建投數(shù)據(jù)：

公司官網(wǎng)，中信建投38長線布局AI芯片，擴展CKD、MCR、MXC三大產(chǎn)品AI芯片：面對大數(shù)據(jù)場景下AI推理應(yīng)用的新型計算平臺，采用近內(nèi)存計算架構(gòu)，主要目標(biāo)是實現(xiàn)高算力與數(shù)據(jù)吞吐能力的平衡，為大數(shù)據(jù)吞吐下的推理應(yīng)用提供更有效率、更具性價比的解決方案。瀾起于2019年完成AI芯片的架構(gòu)定義和技術(shù)可行性研究，2020年完成原型適配，2021年重要IP及算法或初步驗證通過，預(yù)計2022年完成第一代工程樣片的流片。連接芯片：對標(biāo)Rambus、IDT的連接芯片平臺化布局，擴展CKD、MCR、MXC三大產(chǎn)品，目前MXC芯片已經(jīng)發(fā)布，CKD工程樣片也已送樣主流內(nèi)存廠商。根據(jù)公司股權(quán)激勵計劃的要求，預(yù)計公司將在2022年底完成三種新品第一代工程樣片的流片，并于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。圖表：公司新產(chǎn)品布局大類產(chǎn)品名稱市場空間主要功能應(yīng)用行業(yè)進(jìn)展公司進(jìn)展通過消除數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌趲捄蛢?nèi)存限制，提升內(nèi)存容量和110億美金

接口效率，提供相較于傳統(tǒng)方案將提供更有效率、更具性價比的解決方案互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)吞吐下的推薦系統(tǒng)、醫(yī)療領(lǐng)域大圖片

新興需求，

計劃2022年底完成第一計算類AI芯片處理、人工智能物聯(lián)網(wǎng)的

廠商眾多大數(shù)據(jù)等代工程樣片的流片加強時鐘信號的信號完整性和可靠性，針對速率達(dá)到6400MT/s及以上的DDR5計劃2022年底完成DDR5第一代CKD芯片工程樣片的流片DDR5UDIMM和SODIMM

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)定CKD芯片（PC、筆電）義中計劃2022年底完成JEDEC標(biāo)準(zhǔn)定

DDR5第一代MCR新興需求，

將CPU內(nèi)存通道帶寬從空間未知

4800MT/s提升至8800MT/s連接類

MCRRCD/DB芯片CXLMXC芯片數(shù)據(jù)中心高帶寬內(nèi)存模組義中RCD/DB芯片工程樣片的流片CXL內(nèi)存擴展控制器?；贑XL

服務(wù)器內(nèi)存擴展及內(nèi)存池協(xié)議，為服務(wù)器提供高帶寬、

化，實現(xiàn)CPU與CXL設(shè)備之

-低延遲的內(nèi)存訪問性能

間的內(nèi)存共享計劃2022年底完成第一代MXC芯片工程樣片的流片數(shù)據(jù)：公司公告、Stratview

Research，中信建投39目

錄一、瀾起科技：全球內(nèi)存接口龍頭二、互連：DDR5大勢所趨，內(nèi)存接口迎來新成長三、計算：市場空間廣闊，津逮CPU放量增長四、盈利預(yù)測與估值40津逮服務(wù)器平臺包含津逮CPU、混合安全內(nèi)存模組

津逮服務(wù)器平臺由津逮CPU和混合安全內(nèi)存模組（HSDIMM）組成，該平臺具備芯片級實時安全監(jiān)控功圖表：津逮服務(wù)器圖解能，基于Intel至強處理器內(nèi)核兼容X86系統(tǒng)，可重構(gòu)計算處理器（RCP）算法由清華大學(xué)提供，公司則負(fù)責(zé)整體模塊及其他部分芯片設(shè)計。

津逮CPU：外購CPU+瀾起IP+清華大學(xué)IP。第三代津逮?CPU顯著提升各種標(biāo)準(zhǔn)的加解密、驗簽、數(shù)據(jù)完整性等密碼應(yīng)用的運算性能，豐富了內(nèi)存保護機制，可對不同內(nèi)存區(qū)域或內(nèi)存全域進(jìn)行加密保護，內(nèi)置增強型深度學(xué)習(xí)加速技術(shù)，更出色的人工智能推理和訓(xùn)練能力。

混合安全內(nèi)存模組：外購內(nèi)存+自研內(nèi)存接口芯片+自研內(nèi)存監(jiān)控技術(shù)。①采用具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Mont-ICMT?內(nèi)存監(jiān)控技術(shù)，可為服務(wù)器平臺提供更為安全、可靠的內(nèi)存解決方案；②兩大系列混合安全內(nèi)存模組：標(biāo)準(zhǔn)版混合安全內(nèi)存模組（HSDIMM?）和精簡版混合安全內(nèi)存模組（HSDIMM?-Lite）。數(shù)據(jù)：公司官網(wǎng)，中信建投41津逮服務(wù)器平臺持續(xù)迭代

瀾起自2016年起研發(fā)津逮服務(wù)器平臺，2018年底發(fā)布第一代產(chǎn)品，2021年4月第三代津逮服務(wù)器平臺量產(chǎn)上市，目前性能上已得到較大幅度提升。第三代CPU采用10nm制程工藝，支持64通道PCIe

4.0，最高支持8通道內(nèi)存，最高核心數(shù)為28核，最高基頻為3.1GHz

，最大共享緩存為42MB。目前，公司正在開發(fā)第四代津逮服務(wù)器平臺。圖表：津逮CPU產(chǎn)品線數(shù)據(jù)：公司官網(wǎng)，中信建投42國內(nèi)服務(wù)器市場空間廣闊，公司有望快速打開市場國內(nèi)服務(wù)器CPU市場空間廣闊。2021年國內(nèi)服務(wù)器出貨量391萬臺，預(yù)計2022年增長7%至420萬臺，2022-2025年有望持續(xù)正增長。假設(shè)單臺服務(wù)搭載2顆CPU，對應(yīng)CPU

ASP為800-900美元（按5000元人民幣計算），則2021年國內(nèi)服務(wù)器CPU市場規(guī)模約391億元，2022年將達(dá)到420億元，空間廣闊。公司產(chǎn)品性能與安全兼顧，有望快速打開國內(nèi)市場。2020年公司津逮服務(wù)器平臺產(chǎn)品出貨量約2萬片，2021年增至15萬片。當(dāng)前公司拓展服務(wù)器市場，維持較低的毛利率（約10%），以提升份額為主要策略，產(chǎn)品在采購Intel

CPU、三星/美光/海力士DRAM保證性能優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，增加芯片級實時安全監(jiān)控功能（加密計算、內(nèi)存加密保護、AI推理與運算等），特別適用于金融、交通、政務(wù)、能源等對硬件安全要求較高的行業(yè)，有望快速打開國內(nèi)市場，預(yù)計出貨在2022-2025年仍可實現(xiàn)高增長。圖表：國內(nèi)服務(wù)器出貨規(guī)模及瀾起科技津逮CPU出貨預(yù)測201