采用紫外可見光譜法求取禁帶寬演示文稿

采用紫外可見光譜法求取禁帶寬度演示文稿當前第1頁\共有35頁\編于星期五\15點一半導體禁帶求導公式當前第2頁\共有35頁\編于星期五\15點通常(ahv)?是有單位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2

和(ahv)2

只與hv成線性關(guān)系，能用于估算Eg。由朗伯-比爾定律知，A=abc，a是吸光系數(shù)，b是比色皿或者薄膜樣品厚度，c是濃度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁帶公式可寫成如下形式：當前第3頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第4頁\共有35頁\編于星期五\15點K值的大小對Eg沒有影響，以hv為橫坐標，以或為縱坐標，作圖，再做切線，即可得到Eg。hv用1024/波長代替。前者為直接半導體禁帶寬度值，后者為間接半導體禁帶寬度值。A(Absorbance)即為紫外可見漫反射中的吸光度。當前第5頁\共有35頁\編于星期五\15點Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R為反射率,a吸收系數(shù)，s反射系數(shù)求禁帶寬度：利用第一個公式求每個吸光度對應(yīng)的R，用E＝1240/波長，做橫坐標，利用第二個公式求F（R），再用做縱坐標，做圖，再做切線，即得帶隙圖譜

當前第6頁\共有35頁\編于星期五\15點二求半導體禁帶實例

將紫外可見分光漫反射數(shù)據(jù)導入到excell，然后進行數(shù)據(jù)處理，下面用第一個公式進行數(shù)據(jù)處理：當前第7頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第8頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第9頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第10頁\共有35頁\編于星期五\15點下面用Kubelka-Munk公式處理：當前第11頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第12頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第13頁\共有35頁\編于星期五\15點三關(guān)于K值大小對結(jié)果的影響當前第14頁\共有35頁\編于星期五\15點同一組數(shù)據(jù)在不同的處理方法下得到的Eg.以下也是這一組數(shù)據(jù)的處理當前第15頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第16頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第17頁\共有35頁\編于星期五\15點

由上圖可見，密度，厚度等因素影響K的大小，但并不影響所求的Eg.當前第18頁\共有35頁\編于星期五\15點由UV-vis

光譜求樣品的Eg當前第19頁\共有35頁\編于星期五\15點一半導體禁帶求導公式當前第20頁\共有35頁\編于星期五\15點通常(ahv)?是有單位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2

和(ahv)2

只與hv成線性關(guān)系，能用于估算Eg。由朗伯-比爾定律知，A=abc，a是吸光系數(shù)，b是比色皿或者薄膜樣品厚度，c是濃度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁帶公式可寫成如下形式：當前第21頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第22頁\共有35頁\編于星期五\15點K值的大小對Eg沒有影響，以hv為橫坐標，以或為縱坐標，作圖，再做切線，即可得到Eg。hv用1024/波長代替。前者為直接半導體禁帶寬度值，后者為間接半導體禁帶寬度值。A(Absorbance)即為紫外可見漫反射中的吸光度。當前第23頁\共有35頁\編于星期五\15點Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R為反射率,a吸收系數(shù)，s反射系數(shù)求禁帶寬度：利用第一個公式求每個吸光度對應(yīng)的R，用E＝1240/波長，做橫坐標，利用第二個公式求F（R），再用做縱坐標，做圖，再做切線，即得帶隙圖譜

當前第24頁\共有35頁\編于星期五\15點二求半導體禁帶實例

將紫外可見分光漫反射數(shù)據(jù)導入到excell，然后進行數(shù)據(jù)處理，下面用第一個公式進行數(shù)據(jù)處理：當前第25頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第26頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第27頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第28頁\共有35頁\編于星期五\15點下面用Kubelka-Munk公式處理：當前第29頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第30頁\共有35頁\編于星期五\15點當前第31頁\共有35頁\編于星期五\15點三關(guān)于K值大小對結(jié)果的影響當前第32頁\共有35