場發(fā)射掃描電鏡介紹

場發(fā)射掃描電鏡介紹本文檔共45頁；當前第1頁；編輯于星期一\14點42分JapanElectronOpticsLaboratory日本電子光學研究所JEOL歷史本文檔共45頁；當前第2頁；編輯于星期一\14點42分分辨率:50埃1947年日本電子第一臺透射電鏡DA-1歷史本文檔共45頁；當前第3頁；編輯于星期一\14點42分捷歐路(北京)科貿有限公司北京上海廣州武漢成都本文檔共45頁；當前第4頁；編輯于星期一\14點42分JapanElectronOpticsLaboratorySEMTEMEPMAFIB日本電子株式會社-捷歐路(北京)科貿有限公司本文檔共45頁；當前第5頁；編輯于星期一\14點42分電子光學產(chǎn)品的側重點透射電鏡：微區(qū)內部觀察/結構與成分分析掃描電鏡：微區(qū)表面觀察和成份定性分析電子探針：微區(qū)表面成份準確定量分析http://歡迎光臨網(wǎng)站本文檔共45頁；當前第6頁；編輯于星期一\14點42分ApertureAngleOptimizingLensHighperformanceObjectiveLens1994 Semi-In-LensFESEM JSM-6320F2000 Semi-In-LensFESEM JSM-6700F1987 In-LensFESEM JSM-890JEOL掃描電鏡的發(fā)展歷史

WorldFirstSEMJSM-1In-LensDetector1974FESEM JFSM-301977CompactFESEM JSM-F71988 Multi-purposeFESEM JSM-840F2001 AnalyticalFESEM JSM-6500FConicalFEGColdFEGIn-LensThermalFEGJEOLhasbeentheleaderinSEMtechnologydevelopmentforalmost50years.Semi-In-lens2005

Energy-filter JSM-7500FGBmode2011

Hybridlens JSM-7800FTTLmode本文檔共45頁；當前第7頁；編輯于星期一\14點42分JEOL掃描電鏡序列場發(fā)射JSM-7800FJSM-7610FJSM-7500FJSM-7100F

鎢燈絲JSM-IT300JSM-6510JSM-6010NewFEGW或LaB6本文檔共45頁；當前第8頁；編輯于星期一\14點42分掃描電鏡的簡單原理光源聚光鏡掃描線圈物鏡物鏡光闌樣品SEdetector二次電子探測器：觀察形貌

BSEdetector背散射電子探測器：觀察構成

EDS能譜探測器：能量色散成分分析WDS能譜探測器：波長色散成分分析EBSD探測器：織構分析本文檔共45頁；當前第9頁；編輯于星期一\14點42分

冷場發(fā)射JSM-7500F熱場發(fā)射JSM-7100F低真空鎢燈絲JSM-IT300LV分辨率1.0nm(15kV)1.2nm(15kV)3.0nm(15kV)1.5nm(1kV)3.0nm(1kV)20nm(1kV)最大束流~2nA200n

A

~1uA束流穩(wěn)定度5%/12h需要Flash1%/24h;0.2%/h;1%工作溫度300K1800K真空度10-8Pa10-7Pa10-4Pa能量發(fā)散度0.3-0.5eV0.6-0.9eV1.5eV-發(fā)射體壽命保證1年保證3年~較短發(fā)射體價格~US$1,500~US$20,000~US$20分析功能擴展性EDS/EBSP/WDS有限EDS方便EDS/EBSP/WDS方便EDS/EBSP/WDS側重點高分辨圖像觀察多功能分析多功能分析三種類型光源性能比較2800K本文檔共45頁；當前第10頁；編輯于星期一\14點42分光源和圖像對比FEGW本文檔共45頁；當前第11頁；編輯于星期一\14點42分

最近的一些新技術介紹物鏡設計最佳光闌角控制器氣鎖交換GB模式能量過濾器本文檔共45頁；當前第12頁；編輯于星期一\14點42分

物鏡的不同設計本文檔共45頁；當前第13頁；編輯于星期一\14點42分加速電壓

:1.0KeV(GB)WD:4.0mm資料提供

:日本東北大學多元物質科學研究所阿尻雅文教授富樫貴成博士Out-Lens物鏡—適合磁性樣品本文檔共45頁；當前第14頁；編輯于星期一\14點42分

最近的一些新技術介紹物鏡設計最佳光闌角控制器氣鎖交換GB模式能量過濾器本文檔共45頁；當前第15頁；編輯于星期一\14點42分大電流下的小束斑CondenserlensObjectivelensapertureApertureangle

optimizinglens

(ACL)Semi-inlens

objectivelensSpecimenJEOLHighPowerOpticsformsfineelectronprobeevenathighprobecurrentduetoApertureangleoptimizinglens.Conventionalopticssuffersfromlargeprobe

diameterwhenprobecurrentisincreased

forefficientanalysisworks.Clickthisillustrationtoshowthemovie.本文檔共45頁；當前第16頁；編輯于星期一\14點42分200nA500pA5nA50pA碳膜上蒸金x50,00015kV1mm大電流下的小束斑（分辨率）本文檔共45頁；當前第17頁；編輯于星期一\14點42分

最近的一些新技術介紹物鏡設計最佳光闌角控制器氣鎖交換GB模式能量過濾器本文檔共45頁；當前第18頁；編輯于星期一\14點42分氣鎖換樣日本電子專利的一步式樣品交換，方便快捷。樣品室保持高真空，污染小。Clickthisillustrationtoshowthemovie.本文檔共45頁；當前第19頁；編輯于星期一\14點42分氣鎖交換樣品，樣品室真空波動小，利用電子槍的長壽命。10-4PaAtmosphere樣品插入樣品室內真空壓力氣鎖換樣本文檔共45頁；當前第20頁；編輯于星期一\14點42分

最近的一些新技術介紹物鏡設計最佳光闌角控制器氣鎖交換GB模式能量過濾器本文檔共45頁；當前第21頁；編輯于星期一\14點42分GentleBeam--GB模式TheGentleBeam(GB): 在電子束到達樣品表面前減速

TheGentleBeam(GB):

減少充電效應TheGentleBeam(GB):

低電壓下的高分辨率

樣品表面激發(fā)的二次電子和背散射電子偏壓樣品本文檔共45頁；當前第22頁；編輯于星期一\14點42分500V

withoutGB-mode300V

GB100V

GBSpecimen:PolymercrystalGB模式—抑制充電效應，提高分辨率本文檔共45頁；當前第23頁；編輯于星期一\14點42分介孔硅（未噴金處理）GB模式—抑制充電效應，提高分辨率本文檔共45頁；當前第24頁；編輯于星期一\14點42分

最近的一些新技術介紹物鏡設計最佳光闌角控制器氣鎖交換GB模式能量過濾器本文檔共45頁；當前第25頁；編輯于星期一\14點42分

EnergyofelectronNumberofelectronSEBSE能量過濾可以探測樣品表面釋放的所有或者部分電子能量過濾裝置由一些靜電場裝置來組成Acceleratingvoltager能量過濾本文檔共45頁；當前第26頁；編輯于星期一\14點42分ElectrodeSpecimenAccelerationelectrodeDecelerationelectrodeTheobjectivelensandr-filterObjectivelensElectrodeUpperdetectorr能量過濾組成本文檔共45頁；當前第27頁；編輯于星期一\14點42分過濾模式探測電子探測信息標準Sb二次電子（SE）表面形貌SbSE+BSE（可調）表面形貌+成分標準Bs背散射電子（BSE）成分BsBSE+SE（可調）成分+表面形貌EVSE（可調）表面形貌r能量過濾r能量過濾—成像模式及信息本文檔共45頁；當前第28頁；編輯于星期一\14點42分選擇圖像模式r-filterr能量過濾操作電子混合比例本文檔共45頁；當前第29頁；編輯于星期一\14點42分GoldLabeledCells

SpecimencourtesyofDr.Hyatt,CSIRO,AustraliaSecondaryelectronimageSEModeBackscatteredelectronimageSecondaryelectronimagewithSbModer能量過濾—成像模式及信息本文檔共45頁；當前第30頁；編輯于星期一\14點42分SEBsBE樣品:鈦酸鋇陶瓷

2kV6,000Xr能量過濾—成像模式及信息本文檔共45頁；當前第31頁；編輯于星期一\14點42分在高加速電壓下呈“透明”狀的樣品也能觀察其表面石墨烯極低加速電壓圖像80V本文檔共45頁；當前第32頁；編輯于星期一\14點42分空間尺寸15kV1.5mm5kV0.2mm分析區(qū)域的空間尺寸，不僅是束斑尺寸，還包括電子散射的區(qū)域。低加速電壓下，散射區(qū)域明顯縮小。Specimen:Al本文檔共45頁；當前第33頁；編輯于星期一\14點42分RBEIWDSRTEDEDSLNTEDSEBSDLNT俯視圖側視圖frontEBSD優(yōu)化的樣品室接口位置設計本文檔共45頁；當前第34頁；編輯于星期一\14點42分高速元素Mapping(EDS)5kV,110nA,1minSpecimen:Meltingpot本文檔共45頁；當前第35頁；編輯于星期一\14點42分測試時間60秒（實時）JEOLOnly彩色面分布樣品:貼片電容截面測試倍率：x10,000加速電壓：5kV探針電流：50nA用定性圖譜的測試時間可進行元素面分布用低加速電壓可在短時間內進行高空間分辨率的元素面分布測試高速元素Mapping(EDS)本文檔共45頁；當前第36頁；編輯于星期一\14點42分EBSD高精度晶體取向分析NDTD也適合于磁性材料的高精度晶體取向分析分析點:118585尺寸:XMax:80.00μmYMax:79.89μm

步長:0.25μm相:Nd2Fe14B鐵釹硼本文檔共45頁；當前第37頁；編輯于星期一\14點42分日本電子場發(fā)射掃描電鏡JSM-7500FJSM-7100FJSM-7610FJSM-7800F本文檔共45頁；當前第38頁；編輯于星期一\14點42分JSM-7800FJSM-7500FJSM-7610FJSM-7100FLineUpofJEOLFESEM熱場冷場熱場熱場FEG類型SuperhybridlensSemi-inlensSemi-inlensOut-lens物鏡極低電壓、極高分辨、極大束流

低電壓、高分辨低電壓、高分辨、極大束流高分辨、極大束流概念

0.8nm@15kv;1.2nm@1kv

>=0.01kVResolution

200nA(15KV)Max2nA200nA(15KV)200nA(15KV)束流VerygoodSlowchangeVerygoodVerygood穩(wěn)定性0.5eV0.2eV0.5eV0.5eV能量發(fā)散度氣鎖換樣高低位電子探測器標準配置

GB/r能量過濾探測器高低位電子探測器高低位電子探測器高低位電子探測器標準配置

標準配置

標準配置

標準配置

標準配置

標準配置

標準配置

1.0nm@15kv;1.4nm@1kv

>=0.1kV1.0nm@15kv;1.5nm@1kv

>=0.1kV1.2nm@15kv;3.0nm@1kv

>=0.5kV本文檔共45頁；當前第39頁；編輯于星期一\14點42分1上海交通大學材料學院2成都電子科技大學3廣州計量院4深圳比亞迪5華中科技大學6Nokia中國7南京師范大學8南京林業(yè)大學9開發(fā)晶照明（廈門）Kaistar10威海三角輪胎JSM-7100FJSM-7600FJSM-7800F1西安交通大學能動學院+SRBE+STEM2中科院地球化學研究所+SRBE3鋼鐵研究總院+SRBE+upper+STEM4中國科學院大連化物所+STEM5東莞SAE6吉林師范大學7重慶大學(3)8天津城建大學9西南大學10西安電子科技大學11北京大學深圳研究生院1北京工業(yè)大學+EDS+EBSD2西安交通大學+EDS3南京大學4江蘇大學+EDS+WDS+EBSD5東北大學+EDS+EBSD6攀枝花鋼鐵集團公司+EDS+EBSD7香港大學8首都鋼鐵集團公司+EDS+WDS+EBSD9江蘇省鋼鐵研究總院+EDS+WDS+EBSD10HK城市大學11興澄江陰