光纖技術(shù)基礎(chǔ)單模光纖

關(guān)于光纖技術(shù)基礎(chǔ)單模光纖第1頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三限制層波導(dǎo)層限制層n3n1n2xyzh三層均勻一維平面光波導(dǎo)知識回顧2023/6/282第2頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三全反射條件相干加強條件特征方程幾何光學(xué)：波動光學(xué)：場分布邊界條件特征方程kkxkz知識回顧2023/6/283第3頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三知識回顧滿足全反射條件時，只有某些以特定角度入射的光線才能在波導(dǎo)內(nèi)傳導(dǎo)，每一種可以傳導(dǎo)的電磁波稱為波導(dǎo)的一種模式。2023/6/284第4頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三階躍折射率光纖Stepindexn1n2ab知識回顧2023/6/285第5頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三W=0,U=Vc,歸一化截止頻率截止條件單模條件：矢量法TE0n模，TM0n模，EHmn模，HEmn模標(biāo)量法LPmn模知識回顧2023/6/286第6頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三光波導(dǎo)中模式的普遍性質(zhì)完備性正交性2的穩(wěn)定性橫向非均勻性光波導(dǎo)微擾法縱向非均勻性光波導(dǎo)模式耦合知識回顧2023/6/287第7頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三一.階躍折射率單模光纖單模光纖與多模光纖單模工作條件與單模截止波長階躍折射率單模光纖中的場分布與功率限制因子階躍折射率單模光纖的特征方程及其近似表述2023/6/288第8頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三結(jié)構(gòu)折射率剖面形狀階躍型stepn1n2ab階躍折射率單模光纖

2023/6/289第9頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三階躍折射率單模光纖階躍折射率光纖中的傳導(dǎo)模的數(shù)量由光纖歸一化頻率決定。歸一化頻率基模：HE112023/6/2810第10頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三b~V曲線b~V曲線只有LP01模傳輸——基模b：歸一化傳輸常數(shù)階躍折射率單模光纖2023/6/2811第11頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三單模傳輸條件光纖模式理論階躍折射率光纖最低階高次模（LP11,TE01,TM01，（HE21弱導(dǎo)））的歸一化截止頻率單模條件只傳輸基模(HE11,LP01)基模的歸一化截止頻率：階躍折射率單模光纖2023/6/2812第12頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三單模工作波長范圍只有當(dāng)光纖的工作波長大于截止波長時，光纖才處于單模工作狀態(tài)。單模工作波長范圍c2023/6/2813第13頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三多模光纖和單模光纖單模光纖：多模光纖：設(shè)計光纖結(jié)構(gòu)，選擇工作波長，控制光纖中導(dǎo)模數(shù)量同時支持多個導(dǎo)模傳輸?shù)墓饫w只支持基模傳輸?shù)墓饫w階躍折射率單模光纖2023/6/2814第14頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三單模光纖與多模光纖區(qū)別結(jié)構(gòu)性能單模光纖多模光纖5—10m較大，50m芯徑較小剖面多樣性設(shè)計折射率分布和包層結(jié)構(gòu)SMF，DSF，DFF，DCF，NZDF，PMF等，便于光源耦合，芯徑不能太小模式色散模式色散較大，傳輸帶寬受限制用于短距離，低速率系統(tǒng)，芯徑大，便于耦合,在傳感系統(tǒng)中應(yīng)用沒有模式色散，傳輸帶寬大用于長距離大容量光纖通信系統(tǒng)

階躍折射率單模光纖2023/6/2815第15頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三弱導(dǎo)光纖的場分布

階躍折射率單模光纖2023/6/2816第16頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三單模光纖的場分布單模光纖中沿y方向偏振的基模場m=0縱向分量/橫向分量LP01階躍折射率單模光纖2023/6/2817第17頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三功率限制因子m=0單模光纖中階躍折射率單模光纖2023/6/2818第18頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三特征方程LP模特征方程m=0基模特征方程近似表述階躍折射率單模光纖2023/6/2819第19頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三二、無界拋物型折射率分布弱導(dǎo)光纖拋物型光纖與無界拋物型光纖無界拋物型光纖的標(biāo)量近似解（LPmn模）無界拋物型光纖中的基模場分布與光強分布模場直徑的概念2023/6/2820第20頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三結(jié)構(gòu)折射率剖面形狀漸變型gradingn1n2ab無界拋物型折射率分布弱導(dǎo)光纖2023/6/2821第21頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三折射率分布無界拋物型折射率分布實際的拋物線型折射率分布包層：對光纖中的導(dǎo)模施加了截止條件近似解析解無界拋物型折射率分布弱導(dǎo)光纖2023/6/2822第22頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三無界拋物型光纖中的場模式弱導(dǎo)近似光纖中的場Ex或Ey滿足柱坐標(biāo)下的標(biāo)量波動方程分離變量法無界拋物型折射率分布弱導(dǎo)光纖2023/6/2823第23頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三無界拋物型折射率分布本征函數(shù)解與m,n有關(guān)的常數(shù)N-1階Laguerre多項式傳輸常數(shù)本征值本征解無界拋物型折射率分布弱導(dǎo)光纖2023/6/2824第24頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三基模場分布LP01模m=0，n=1基模的功率分布無界拋物型折射率分布弱導(dǎo)光纖2023/6/2825第25頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三說明1.拋物型折射率分布單模光纖中的場分布和光功率分布均為高斯型無界拋物型折射率分布弱導(dǎo)光纖2023/6/2826第26頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三說明模場直徑：單模光纖內(nèi)場強衰減到其最大值的1/e的寬度。模斑直徑：

單模光纖內(nèi)光功率衰減到其最大值的1/e的寬度。拋物型折射率分布單模光纖耦合、接續(xù)、彎曲損耗、色散無界拋物型折射率分布弱導(dǎo)光纖2023/6/2827第27頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三三、單模光纖的高斯擬合和模場直徑

單模光纖的模場直徑對基模場分布的高斯擬合近似模場直徑的近場二階矩定義(PetermannI)模場直徑的遠(yuǎn)場二階矩定義(PetermannII)模場直徑的高斯擬合定義2023/6/2828第28頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三模場直徑定義：單模光纖內(nèi)光功率衰減到其最大值的1/e的寬度。定義：單模光纖內(nèi)場強衰減到其最大值的1/e的寬度。CCITT建議：普通單模光纖在1310nm處的模場直徑標(biāo)稱值為9~10微米。色散位移光纖在1550nm處的模場直徑標(biāo)稱值為7~8.3微米，容差范圍均為±10%。d耦合、接續(xù)、彎曲損耗、色散2023/6/2829第29頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三模場直徑

耦合、接續(xù)耦合和接續(xù)時選擇模場直徑一致的光纖，否則會造成光功率的損失。研究表明，對于兩根模場直徑分別為w1和w2的單模光纖，其接頭損耗為：●W1=W2，即兩根光纖的模場直徑完全匹配時，表明兩根光纖之間由于模場直徑的容差所引入的接頭損耗為零?！?W1=8um,2W2=10um時，2023/6/2830第30頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三耦合、接續(xù)模場直徑

●模場直徑的容差范圍必須根據(jù)工程的要求來選擇?！袢绻笏薪宇^損耗小于0.05dB，則模場直徑的容差范圍不能超過±0.5um●在中繼距離較短或者光功率富裕量大的場合，對接頭損耗的要求可以降低一些，這樣可以放寬對光纖要求的模場直徑的容差范圍。2023/6/2831第31頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三彎曲損耗模場直徑

●模場直徑小的光纖，能量在芯子中集中的程度好，光纖彎曲造成的損耗較小?！衲鲋睆酱蟮墓饫w，能量在芯子中集中的程度較差，包層中存在較多的光能量，光纖彎曲造成的損耗較大。（選擇截止波長）2023/6/2832第32頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三思考題信號光工作波長1550nm，現(xiàn)有階躍折射率分布的圓光纖1＃、2＃兩種，其中1＃光纖：截止波長標(biāo)稱值700nm，2＃：截止波長標(biāo)稱值1400nm。1，為減小彎曲損耗，欲挑選束光能力強的單模光纖，我們應(yīng)當(dāng)選用那個光纖？寫出理論依據(jù)和推理過程。2，若需要該光纖在980nm單模工作，我們應(yīng)選哪個光纖？2023/6/2833第33頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三模場直徑

色散不同模場直徑的光纖感受到的芯子和包層的有效折射率不同，因此所對應(yīng)的波導(dǎo)色散的大小不同。2023/6/2834第34頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三單模光纖的高斯擬合和模場直徑擬合的目的1.簡化計算2.可以直接導(dǎo)出以光功率衰減到其最大值1/e的寬度定義的模斑直徑3.可以直接導(dǎo)出以場強衰減到其最大值1/e的寬度定義的模場直徑2023/6/2835第35頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三階躍折射率單模光纖橫向電磁場徑向分布函數(shù)：J0(x)拋物型單模光纖橫向電磁場分布函數(shù)：Gaussian:exp(-x2)任意折射率剖面光纖基模場分布函數(shù)：近似高斯函數(shù)用高斯函數(shù)擬合實際光纖的基模場分布，用擬合得到的高斯函數(shù)近似表示實際單模光纖中的場分布。擬合的依據(jù)單模光纖的高斯擬合和模場直徑2023/6/2836第36頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三高斯擬合假定基模場分布為實函數(shù)，實際的場分布用高斯函數(shù)表示。重疊積分最大近似精度最高待定參數(shù)w的最優(yōu)值實際場分布單模光纖的高斯擬合和模場直徑2023/6/2837第37頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三擬合結(jié)果折射率分布階躍型拋物型三角型誤差<0.02!!!

?單模光纖的高斯擬合和模場直徑《導(dǎo)波光學(xué)》范崇澄，理工大學(xué)出版社，1988w？2023/6/2838第38頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三光纖的等效歸一化頻率階躍折射率光纖：T=V高斯型場分布的1/e全寬度：2w2模場直徑模場直徑單模光纖的高斯擬合和模場直徑2023/6/2839第39頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三階躍型拋物型三角型場分布向芯區(qū)集中耦合、接續(xù)、彎曲損耗模場直徑與光纖芯徑Tw/aV階躍折射率光纖：T=V2023/6/2840第40頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三模場直徑的標(biāo)準(zhǔn)定義近似方法存在誤差實際場分布可能與高斯型分布差異較大，高斯擬合誤差較大制定模場直徑標(biāo)準(zhǔn)定義的原因：制定模場直徑標(biāo)準(zhǔn)定義的目的：對各種實際單模光纖的模場直徑作出統(tǒng)一和標(biāo)準(zhǔn)化的定義。單模光纖的高斯擬合和模場直徑2023/6/2841第41頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三近場：光纖中或緊靠光纖截面的場分布遠(yuǎn)場：遠(yuǎn)離光纖截面的場分布光纖中近場與遠(yuǎn)場的概念2023/6/2842第42頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三模場直徑的標(biāo)準(zhǔn)定義第一種定義PetermannI單模光纖中實際場分布（近場）的二階矩來定義，可以用遠(yuǎn)場分布來表示。遠(yuǎn)場分布函數(shù)的表示dn模場直徑的近場定義單模光纖的高斯擬合和模場直徑M.Artiglia,“ModefieldDiametermeasurementsinsingle-modeopticalfibers,”J.LightwaveTech.Vol.7,no.8,pp.1139-1152,1989.2023/6/2843第43頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三二階矩2023/6/2844第44頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三模場直徑的標(biāo)準(zhǔn)定義第二種定義PetermannII實際測量的往往是光纖的遠(yuǎn)場分布函數(shù)，因此給出基于光纖遠(yuǎn)場分布函數(shù)的模場直徑定義。單模光纖中實際場分布（遠(yuǎn)場）的二階矩來定義，可以用近場分布來表示。近場分布函數(shù)的表示模場直徑的遠(yuǎn)場定義df單模光纖的高斯擬合和模場直徑2023/6/2845第45頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三模場直徑的標(biāo)準(zhǔn)定義第三種定義高斯擬合定義光纖中的場分布與高斯函數(shù)十分接近時，欲與Petermann一致，對模場直徑的定義。dg單模光纖的高斯擬合和模場直徑2023/6/2846第46頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三模場直徑定義的說明

1.一般地，場分布不是嚴(yán)格的高斯型，dn

df

dg2.場分布恰好是高斯型則：單模光纖的高斯擬合和模場直徑2023/6/2847第47頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三四、單模光纖的主要類型2023/6/2848第48頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三單模光纖的主要類型單模光纖的性能對長距離、大容量光通信系統(tǒng)的影響在單模光纖通信系統(tǒng)中，影響光纖傳輸距離和傳輸容量的因素?fù)p耗色散非線性損耗、色散和非線性對光信號傳輸?shù)挠绊懰p輸入信號輸出信號時間頻率新頻率時間脈沖展寬2023/6/2849第49頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三EDFA頻帶損耗譜單模光纖的主要類型2023/6/2850第50頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三損耗與放大EDFA頻帶單模光纖的主要類型2023/6/2851第51頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三0.10.20.30.40.50.6衰減(dB/km)1600170014001300120015001100波長(nm)EDFA頻帶

20100-10-20色散(ps/nm.km)G.652&G.654G.655G.653色散與損耗單模光纖的主要類型2023/6/2852第52頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三光纖的種類：G.651光纖：多模光纖G.652光纖：普通單模光纖(SMF)G.653光纖：色散位移光纖(DSF)G.654光纖：低損耗光纖（截止波長位移光纖）G.655光纖：非零色散位移光纖(NZ-DSF)G.656光纖：寬帶傳輸用非零色散位移光纖G.657光纖：耐彎曲單模光纖2023/6/2853第53頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三ITU-T關(guān)于單模光纖的技術(shù)規(guī)范單模光纖的主要類型2023/6/2854第54頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.652光纖又稱為普通單模光纖。在1310nm和1550nm處均具有低損耗。1550nm處的損耗最低，色散典型值為17ps/nm/km。傳輸窗口主要可以選擇1310nm或1550nm窗口。色散值最大，對抑制非線性的作用也最大結(jié)構(gòu)簡單、性能穩(wěn)定、生產(chǎn)效率高、成本低廉?？捎脦掃h(yuǎn)遠(yuǎn)大于其他光纖。如果能將色散問題用其他辦法解決，則G.652光纖是較佳的選擇，全波光纖是更為理想的光纖2023/6/2855第55頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.652光纖為了符合通信系統(tǒng)對傳輸性能的要求，ITU-T將G.652光纖細(xì)分為G.652A、G.652B、G.652C和G.652D四個子類。G.652A和G.652B光纖也稱常規(guī)單模光纖，是目前應(yīng)用最廣泛的光纖。其最佳工作波長是1310nm區(qū)域，也可使用1550nm區(qū)域，但由于該區(qū)域色散很大，傳輸距離被限制在70-80km左右，如果需要在1550nm區(qū)域進(jìn)行10Gbit/s以上速率的長距離傳輸時，需要進(jìn)行色散補償。G.652A和G.652B光纖的區(qū)別是：G.652A光纖支持2.5Gbit/s的單通道SDH傳輸系統(tǒng)及10Gbit/s以太網(wǎng)系統(tǒng)；G.652B光纖則可應(yīng)用于10的單通道SDH傳輸系統(tǒng)及40Gbit/s以太網(wǎng)系統(tǒng)，另外，G.652B光纖的偏振模色散系數(shù)規(guī)定要比G.652A光纖的嚴(yán)格許多，更加適合長距離的傳輸。

2023/6/2856第56頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.652C和G.652D光纖G.652C和G.652D光纖是分別在G.652A、B的基礎(chǔ)上，通過改進(jìn)工藝，消除了1383nm處的水吸收峰，使得1350-1450nm區(qū)域的衰減大大降低，將工作波長擴展為1280-1625nm，全部可用波段比常規(guī)單模光纖增加了一半以上。所以G.652C、D光纖稱為波長段擴展單模光纖，也稱全波光纖或低水峰光纖。該光纖完全能夠滿足城域網(wǎng)大容量、高密集波分復(fù)用技術(shù)發(fā)展的需求。

除了擴展了工作波長區(qū)域以外，G.652C的其他屬性與G.652A光纖基本相同，而G.652D光纖的其他屬性也與G.652B光纖基本相同，G.652D光纖的偏振模色散系數(shù)也比G.652C光纖嚴(yán)格很多，更加適合長距離的傳輸。

目前在我國通信系統(tǒng)中最常使用的是G.652B和G.652D光纖，有些專業(yè)光纖生產(chǎn)廠家也已經(jīng)將G.652A、B、C光纖淘汰，只生產(chǎn)G.652D光纖。

2023/6/2857第57頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.653光纖又稱為色散位移光纖。在1550nm處同時具有最小的色散和最低的損耗。傳輸窗口主要在1550nm附近。G.653光纖(DSF)在1550nm為零色散，由于非線性效應(yīng)，阻礙了WDM的應(yīng)用.2023/6/2858第58頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.654光纖截止波長位移到～1530nm在1550nm窗口的損耗進(jìn)一步降低。

---0.15dB/km零色散點位于1310nm窗口。芯子：純SiO2

包層：SiO2摻F

光纖的包層折射率略低于芯區(qū)。主要適用于需要很長中繼距離的環(huán)境。摻雜對折射率的影響摻Ge,P折射率升高摻Be,F折射率降低2023/6/2859第59頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.655光纖又稱非零色散位移光纖。在1550nm窗口期望應(yīng)用的全部波長范圍內(nèi)，光纖色散的絕對值不為零并處于某一范圍內(nèi)。主要適用于1550nm窗口的波分復(fù)用系統(tǒng)。其非零色散值可以有效抑制非線性效應(yīng)對DWDM系統(tǒng)的影響。2023/6/2860第60頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三色散一方面使得傳輸脈沖展寬，產(chǎn)生碼間干擾，限制光纖向高速系統(tǒng)的發(fā)展；另一方面可有效抑制包括四波混頻在內(nèi)的非線性效應(yīng)。于是人們想出了一個兼顧色散和非線性兩種要素的折中解決方案，即將零色散點從1.55μm移至1.51μm附近，使之在C波段30nm范圍內(nèi)色散值保持在2~6Ps/km.nm。這樣既可有效地抑制四波混頻效應(yīng)，又降低了1.55μm低損耗窗口的色散，且提高了光纖的傳輸速率。這種光纖就是非零色散位移光纖，系指在1.55μm處不是零色散的光纖，即G.655光纖。G.655光纖2023/6/2861第61頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.655A、G.655B和G.655C

ITU-T根據(jù)對光纖1625nm波段的要求和PMD值的要求，將G.655光纖劃分為G.655A、G.655B和G.655C三個子類。G.655A光纖只規(guī)定了C波段的特性，而G.655B和G.655C規(guī)定了1625nm處的衰減，同時增加了L波段的色散要求，增加了最大值同最小值間的差值，因此G.655A主要用于C波段而其它兩種可用于L波段。G.655B和G.655C光纖的基本要求均相同，但G.655C光纖對光纜的PMD鏈路設(shè)計值要求更嚴(yán)格，所以G.655C光纖具有更長的傳輸距離。

2023/6/2862第62頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.655光纖康寧公司曾推出了零色散點位于1580nm附近的光纖，但由于這種光纖在1580nm以下波長的色散量均為負(fù)值，因而大大降低了可用波長資源。朗訊公司推出了零色散點在1531nm左右的Truewave光纖，其在C波段的色散值為2.6~6ps?？祵幑靖倪M(jìn)了制作技術(shù)，很快推出了零色散點在1510nm左右的LEAF光纖，其在C波段的色散值小于10ps，略高于Truewave光纖。

Truewave光纖和LEAF光纖被統(tǒng)稱為G.655A光纖。2023/6/2863第63頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.655光纖

經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)在1420nm處光纖的傳輸損耗也不過只有0.25dB/km，完全可以利用。因此繼C波段和L波段光通信系統(tǒng)開通之后，波長位于1430nm～1530nm之間的S波段將近100nm帶寬的通信窗口開始受到關(guān)注。而G.655A光纖卻使這一波段的波長資源被浪費。為進(jìn)一步利用S波段，2000年法國阿爾卡特公司和日本住友公司分別研究出了零色散點在1430nm左右的Teralight光纖和PureGuide光纖，即G.655B光纖。其零色散點越來越靠近G.652光纖的1310nm零色散波長。這樣，光纖通信的可利用波長資源與G.655A光纖相比大大增加。2023/6/2864第64頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三色散譜G.655B光纖G.655A光纖單模光纖的主要類型2023/6/2865第65頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三+Disp

輸入脈沖

輸出脈沖0.10.20.30.40.50.6衰減(dB/km)1600170014001300120015001100波長(nm)EDFA頻帶

20100-10-20色散(ps/nm.km)G.652&G.654G.655G.653損耗與色散譜2023/6/2866第66頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三C波段（1530~1565nm）和L波段（1565~1625nm）NZ-DSF光纖的衰減和色散特性在工作波長范圍內(nèi)，具有非零但較小色散，具有很低損耗,利用色散補償技術(shù)，補償信號經(jīng)歷光纖傳輸后的總色散利用光纖放大技術(shù)，補償光傳輸后的幅度衰減單模光纖的主要類型2023/6/2867第67頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三價格比G.652光纖高出3倍G.655光纖并未消除色散，在長距離的高速通信系統(tǒng)中仍需進(jìn)行色散補償，而且很難實現(xiàn)通道間距為50GHz

的WDM

系統(tǒng)?？恳苿恿闵⒌奈恢檬遣荒軓氐捉鉀Q光纖色散問題的。波長資源被浪費G.655光纖：2023/6/2868第68頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.656光纖寬帶傳輸用非零色散位移單模光纖為在1460-1625nm波長區(qū)進(jìn)行多信道傳輸而優(yōu)化的光纖。其非零色散波長區(qū)域在1460-1625nm，光纜截止波長不大于1450nm，可在更寬的傳輸波段上(S、L和L共3個波段)應(yīng)用DWDM和CWDM傳輸技術(shù)。寬帶傳輸用非零色散位移單模光纖(G.656光纖)

G.656光纖是近幾年新研制的用于DWDM和CWDM系統(tǒng)的更大帶寬的非零色散位移單模光纖。與G.655光纖相比，具有更寬的工作波長(1460-1625nm)和更優(yōu)化的色散值，是一種更適合于未來光通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)展需要的光纖，但目前還未進(jìn)入商用階段。

2023/6/2869第69頁，講稿共82頁，2023年5月2日，星期三G.657光纖G.657建議書推薦兩種光纖類型：A和B。A類型與熟知的G.652.D建議全面兼容，但是卻具備了很低的宏彎曲損耗。這種光纖用于彎曲半徑為10mm和15mm的場合，1550nm波長下它們的最大彎曲損耗分別為0.75和0.0