相控陣培訓(xùn)教程

相控陣培訓(xùn)課程相控陣工作原理相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第1頁。Source:NDTOn-line相控陣定義一種晶片的激發(fā)時(shí)間可以單獨(dú)調(diào)節(jié)，以控制聲束軸線和焦點(diǎn)等參數(shù)的換能器晶片陣列。相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第2頁。討論提綱

相控陣能做什么？線形掃查扇形掃查動(dòng)態(tài)深度聚焦相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第3頁。

常見的探頭陣列幾何外形線形陣1維線形陣2維矩形陣圓形陣1維環(huán)形陣2維扇形陣相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第4頁。pgeHA探頭參數(shù)：頻率(f)晶片數(shù)量

(n)晶片陣列方向孔徑(A)晶片加工方向?qū)挾?/p>

(H)單個(gè)晶片寬度

(e)兩個(gè)晶片中心之間的間距

(p)相控陣探頭設(shè)計(jì)參數(shù)相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第5頁。一個(gè)長方形晶片被切割成許多個(gè)小晶片，形成一維陣列探頭，每個(gè)小晶片都可以單獨(dú)激發(fā)。相控陣探頭設(shè)計(jì)參數(shù)相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第6頁。晶片數(shù)量：10孔徑：10x10mm波束聚焦晶片數(shù)量：16

孔徑：16x10mm晶片數(shù)量：32

孔徑：32x10mm相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第7頁。相控陣基礎(chǔ)相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第8頁。d波束形成與晶片波束寬度的關(guān)系A(chǔ)

點(diǎn)A可以因?yàn)樗械牟ㄊ荚诰ㄊ鴮挾葍?nèi)B點(diǎn)B的效果不好因?yàn)椴ㄊ隽司牟ㄊ鴮挾认嗫仃嚺嘤?xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第9頁。波束的產(chǎn)生和聚焦用不同的延時(shí)激發(fā)晶片產(chǎn)生不同外形的波束這是一個(gè)縱波各個(gè)晶片延時(shí)相等相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第10頁。電子掃查探頭不作任何機(jī)械移動(dòng)，而波束沿晶片陣列方向作電子掃查。通過對激活晶片組進(jìn)行多路延時(shí)，使波束產(chǎn)生移動(dòng)。掃查寬度局限于:陣列中晶片的數(shù)量采集系統(tǒng)支持的通道數(shù)量激活晶片組相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第11頁。波束偏轉(zhuǎn)對橫波而言,延時(shí)參數(shù)是“傾斜的”如圖所示。相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第12頁。波束偏轉(zhuǎn)和聚焦圖中有陣列里的各個(gè)晶片;加在每個(gè)晶片上的延時(shí);產(chǎn)生的波束在早期、中期和焦點(diǎn)處的形狀。為了聚焦和傾斜,我們采用復(fù)合曲線和拋物線。相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第13頁。相控陣波束形成原理相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第14頁。常規(guī)超聲探頭波束角度偏轉(zhuǎn)(發(fā)射)根據(jù)惠更斯原理產(chǎn)生超聲波束通過帶角度楔塊的延時(shí)使波束角度產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)CrystalWedgeMaterialExcitationpulseWavefrontDelayLocationABCABC常規(guī)超聲波束形成相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第15頁。常規(guī)超聲探頭波束角度偏轉(zhuǎn)(接收)根據(jù)惠更斯原理在楔塊中產(chǎn)生超聲波束在超聲波接收過程中帶角度楔塊提供延時(shí)使同相位信號(hào)在壓電晶片上產(chǎn)生結(jié)構(gòu)干涉。CrystalWedgeMaterialReceivedsignalDelayLocationABCABCS常規(guī)超聲波束形成相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第16頁。相控陣探頭波束偏轉(zhuǎn)(發(fā)射)根據(jù)惠更斯原理在楔塊中產(chǎn)生超聲波束發(fā)射過程中通過軟件施加精確延時(shí)產(chǎn)生帶角度波束WavefrontTimeDelayElementFocallaw相控陣波束形成相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第17頁。相控陣波束形成(接收)接收過程中通過軟件施加精確延時(shí)只有符合延時(shí)法則的信號(hào)保持同相位，并在合計(jì)后產(chǎn)生有效信號(hào)。S相控陣波束形成相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第18頁。相控陣信號(hào)處理概述

相控陣波束形成相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第19頁。焊縫線形掃查相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第20頁。相控陣焊縫串列掃查相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第21頁。扇形(帶方位角的)掃查扇形掃查–不改變位置而改變?nèi)肷浣迁C檢測缺陷時(shí)很有用。相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第22頁。扇形掃查扇形掃查可以不移動(dòng)探頭就檢測整個(gè)待檢工件檢測表面復(fù)雜或空間有限的情況下大有用武之地一個(gè)相控陣探頭結(jié)合了寬波束探頭和多焦點(diǎn)探頭的優(yōu)勢相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第23頁。扇形掃查圖例相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第24頁。扇形掃查動(dòng)畫扇形掃查對“難以接近”的復(fù)雜型面十分適合如，渦輪葉的根部檢測相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第25頁。渦輪焊接轉(zhuǎn)子檢測相控陣檢測:30-60度的橫波做扇形掃查步進(jìn)為1度沿圓周軸向做機(jī)械掃查相控陣探頭:5MHz,16晶片,16mmx16mm固定在楔塊上試塊:EDM槽2mmx0.5mm相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第26頁。葉片根部的扇形掃查相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第27頁。扇形掃查和線形掃查結(jié)合將兩種掃查結(jié)合起來可以得到獨(dú)特的視圖使用Tomoview軟件使設(shè)置更簡單相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第28頁。電子/扇形掃查動(dòng)畫相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第29頁。

動(dòng)態(tài)深度聚焦示意圖

動(dòng)態(tài)深度聚焦（DDF）

在用一個(gè)脈沖檢測薄件時(shí)十分有效。波束在返回時(shí)重新聚焦相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第30頁。

動(dòng)態(tài)深度聚焦

標(biāo)準(zhǔn)的相控陣動(dòng)態(tài)深度聚焦DDF在掃查時(shí)不斷為接收信號(hào)重新載入聚焦法則。

這一操作靠硬件完成,所以很快?，F(xiàn)在用一個(gè)脈沖可以從0聚焦到100㎜深度的地方。相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第31頁。動(dòng)態(tài)深度聚焦動(dòng)畫相控陣培訓(xùn)教程全文共34頁，當(dāng)前為第32頁。相控陣T.O.