高科鍺硅項目謀劃建議書

PAGE深圳市高科實業(yè)有限公司6″、0.35μmSiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項目可行性研究報告（代項目建議書）信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院有限公司二○○三年四月

目錄第一章總論……………1 1.1項目名稱與通訊地址…………1 1.2內(nèi)容提要…………………1 1.3項目建設(shè)的必要性和有利條件……………2 1.4可行性研究報告編制依據(jù)…………………5 1.4研究結(jié)果……………………6第二章投資方簡介…………………9 2.1深圳市高科實業(yè)有限公司……9 2.2ELIATECH公司……………10第三章該產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外發(fā)展情況………11 3.1產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域和意義……11 3.2國際-國內(nèi)技術(shù)水平發(fā)展情況………………13 3.3產(chǎn)品國際-國內(nèi)市場發(fā)展情況………………16 3.4產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)外發(fā)展形勢………18第四章產(chǎn)品大綱及可占領(lǐng)市場分析……………20 4.1產(chǎn)品大綱………20 4.2產(chǎn)品簡介…………………20 4.3投產(chǎn)計劃………22 4.4可占領(lǐng)市場分析……………23第五章生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)協(xié)作…………24 5.1生產(chǎn)工藝流程…………………24 5.2主要技術(shù)及來源………………24 5.3技術(shù)轉(zhuǎn)移的實施和主要技術(shù)團隊……………26 5.4主要外協(xié)關(guān)系與關(guān)鍵原材料供應(yīng)……………31第六章生產(chǎn)線建設(shè)………………32 6.1建設(shè)目標………32 6.2經(jīng)營模式………32 6.3設(shè)備配置………33 6.4主要儀器設(shè)備清單……………34 6.5生產(chǎn)環(huán)境要求………………36第七章工程建設(shè)方案…………………37 7.1建設(shè)目標與建設(shè)內(nèi)容…………37 7.2總圖………39 7.3建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計…………………39 7.4建筑服務(wù)系統(tǒng)…………………39 7.5工藝服務(wù)系統(tǒng)…………………42 7.6電氣……………45第八章消防、環(huán)保、安全、節(jié)能………………48 8.1消防………48 8.2環(huán)境保護………51 8.3安全衛(wèi)生………55 8.4節(jié)能……………60第九章組織機構(gòu)及人員編制…………63 9.1董事會組成……………………63 9.2組織機構(gòu)………63 9.3人員編制………63 9.4人員培訓(xùn)………63第十章實施進度………65第十一章投資估算與資金籌措………66 11.1建設(shè)投資估算…………………66 11.2流動資金估算…………………68 11.3項目總投資……………………68 11.4資金籌措………68第十二章經(jīng)濟分析…………………69 12.1基本數(shù)據(jù)………69 12.2財務(wù)評價………71 12.3經(jīng)濟評價結(jié)果……………72 12.4綜合評價………73附表：1、總投資估算表2、流動資金估算表3、投資計劃與資金籌措表4、總成本費用估算表5、損益表6、現(xiàn)金流量表（全部投資）7、貸款還本付息計算表8、資金來源與運用表9、銷售收入及稅金計算表附圖：1、區(qū)域位置圖（1）2、區(qū)域位置圖（2）3、總平面圖4、一層工藝區(qū)劃圖5、二層工藝區(qū)劃圖附件：深圳市高科實業(yè)有限公司PAGE79SiGe集成電路芯片生產(chǎn)線項目第一章總論1.1項目名稱與通信地址項目名稱：6″、0.35μmSiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項目承辦單位：深圳市高科實業(yè)有限公司法人代表：冉茂平項目負責(zé)人：方中華通信地址：深圳市深南中路中航苑航都大廈17樓G.H.I座郵政編碼：518041傳真話：0755-837906801.2內(nèi)容提要由深圳市高科實業(yè)有限公司（以下簡稱高科公司）作為中方投資公司與ELIATECH（亞洲）集團有限公司（以下簡稱ELIATECH公司）在深圳合資組建一家合資企業(yè)，共同投資興建6″、0.35μmSiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項目，主要產(chǎn)品包括SiGe芯片和普通Si功率MOS器件芯片，形成月投片量5000片的生產(chǎn)能力。項目總體規(guī)劃分兩期建設(shè)，一期工程初期實現(xiàn)6″SiGeHBT和SiGeVCO芯片共計5000片/月的生產(chǎn)能力（本項目），根據(jù)產(chǎn)品市場的發(fā)展和需求情況最終可形成20000片/月的生產(chǎn)能力，二期工程興建8″生產(chǎn)線，實現(xiàn)月產(chǎn)8″SiGe芯片20000片。一期工程規(guī)劃用地116000m2（包括研發(fā)中心用地20000m2），二期工程規(guī)劃用地84000m2，總用地200000m2。本項目總投資（建設(shè)投資）2998.9萬美元，注冊資金1500萬美元，高科公司占合資公司總股本的60%，ELIATECH公司占合資公司總股本的40%。項目總投資中注冊資金以外的部分(1498.9萬美元)，將以合資公司名義向境內(nèi)或境外金融機構(gòu)貸款解決。本項目用地由深圳市政府免費提供，一期工程用地位于深圳市寶龍工業(yè)園區(qū)，用地面積96200m2，研發(fā)中心用地19800m2，位于深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，規(guī)劃建筑包括生產(chǎn)廠房（FAB1和FAB2）、動力廠房、綜合樓、多功能中心、專家樓、倒班宿舍、化學(xué)品庫、氣站等，本項目（5000片）新建其中的生產(chǎn)廠房（FAB1）、動力廠房和倒班宿舍，合計新建面積26600m2，其它建筑和子項根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模的擴大實行分步實施。生產(chǎn)廠房（FAB1）按月投片20000的規(guī)模建設(shè)，潔凈室和相配套的生產(chǎn)動力設(shè)施按5000片規(guī)模配置。預(yù)計本項目達產(chǎn)年銷售收入9633.82萬美元，利潤2848.96萬美元，項目內(nèi)部收益率57.26%，投資回收期3.23年。1.3項目建設(shè)的必要性和有利條件1.3.1項目意義本項目旨在建立一條6”0.35μmSiGe集成電路芯片生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線同Si集成電路具有兼容性，因此該生產(chǎn)線除了可以生產(chǎn)SiGe器件以外，也可以根據(jù)市場需求生產(chǎn)其它Si器件。本項目在投產(chǎn)初期，由于考慮到SiGe器件市場有一個發(fā)展過程，因而安排一定的生產(chǎn)量生產(chǎn)有用戶需求的功率MOS器件，這樣項目既考慮到一步就邁上了生產(chǎn)當(dāng)前國際上先進的高頻SiGe器件，為進一步發(fā)展這一類器件搶占更大的市場奠定基礎(chǔ)，同時又能保證生產(chǎn)線的產(chǎn)量能達到飽和值，并為企業(yè)帶來更大的效益。本項目的建立具有如下意義：（1）填補國內(nèi)SiGe高頻器件生產(chǎn)的空白，推動我國SiGe集成電路生產(chǎn)趕上國際先進水平。SiGe高頻器件是一種利用硅基片及能帶工程的新型異質(zhì)結(jié)雙極器件，由于具有優(yōu)良的高頻特性同時又具有價格低廉以及同硅集成電路兼容集成的優(yōu)點，因而深受各國重視。盡管1987年第一只SiGeHBT誕生，并經(jīng)歷了十幾年的研究及發(fā)展，但一直到1998年真正的SiGe產(chǎn)品才問世。本項目利用韓國合資方ELIATECH公司掌握的先進SiGe器件及電路工藝技術(shù)生產(chǎn)的SiGe器件及集成電路，使我國能在最短的時間內(nèi)填補這種器件及電路的空白，推動我國SiGe集成電路生產(chǎn)趕上國際先進水平。（2）滿足我國高頻應(yīng)用領(lǐng)域的需求，促進相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展隨著我國光纖通信、航天科技及軍事科技的迅速發(fā)展，對高頻電路不僅在數(shù)量上有更多的要求，而且希望電路滿足低成本、小體積及能同硅電路兼容集成，從而構(gòu)成系統(tǒng)集成芯片。SiGe技術(shù)正好滿足這些要求，因而建立6英寸0.35μmSiGe集成電路生產(chǎn)線，能扭轉(zhuǎn)我國目前高頻電路主要依賴GaAs器件及大部分靠進口的狀態(tài)，從而促進我國相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。（3）拓寬我國微電子產(chǎn)品的領(lǐng)域，形成我國SiGe集成電路生產(chǎn)及研發(fā)基地。多年來我國微電子工業(yè)的發(fā)展緩慢，盡管截止2000年我國已共有25條微電子生產(chǎn)線，但除了上海華虹NEC的8英寸0.25μm產(chǎn)品剛進入當(dāng)代國際硅主流技術(shù)水平以外，其它生產(chǎn)線以生產(chǎn)低中檔產(chǎn)品為主。近年來我國微電子工業(yè)發(fā)展速度有所加快，特別上海“中心國際”及“宏力”8英寸0.25生產(chǎn)線的建立，擴充了我國集成電路的生產(chǎn)能力，提高了我國集成電路的產(chǎn)品水平。但是上述所有微電子生產(chǎn)線均未考慮SiGe器件的生產(chǎn)。因此本項目SiGe集成電路生產(chǎn)線的建立，可以拓寬我國微電子產(chǎn)品的領(lǐng)域，本項目第二期工程擬升級成8英寸加工線，并將建立SiGe集成電路研究及發(fā)展中心，最終形成我國SiGe集成電路生產(chǎn)及研發(fā)基地。（4）帶動我國高頻電路及系統(tǒng)集成芯片設(shè)計行業(yè)的發(fā)展多年來我國從事高頻電路設(shè)計的科技人員均以GaAs器件為主要對象，原因是缺乏新的高頻器件，本項目SiGe器件生產(chǎn)線的建立，為建立SiGe高頻電路及系統(tǒng)集成芯片設(shè)計平臺提供了一個驗證及保證的條件，從而帶動我國高頻電路及系統(tǒng)集成芯片設(shè)計行業(yè)的發(fā)展。（5）推動深圳市電子信息產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展電子及通信設(shè)備制造業(yè)是深圳工業(yè)的主導(dǎo)行業(yè)，但是深圳市的微電子工業(yè)由于起步較晚相對落后。據(jù)統(tǒng)計2000年深圳直接使用的集成電路50億美元中，90％依靠進口。在高頻應(yīng)用的電路中，由于采購困難更限制了相關(guān)電子產(chǎn)品的發(fā)展。本項目利用少量投資，購置以翻新設(shè)備為主的6英寸0.35μm設(shè)備，建立一條相對水平較高的SiGe集成電路生產(chǎn)線，不僅具有很好的經(jīng)濟意義，而且能緩解上述矛盾，并推動深圳市電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。1.3.2項目建設(shè)的有利條件(1)深圳具有建設(shè)高技術(shù)集成電路芯片項目的良好環(huán)境深圳與上海、北京一樣，是國內(nèi)最有條件發(fā)展集成電路芯片制造業(yè)的城市之一。深圳市為加速和鼓勵發(fā)展集成電路芯片制造業(yè)，配合國務(wù)院18號文精神，對該項目提出了包括地租、貼息貸款和水電價格等多項優(yōu)惠政策，為本項目的實施創(chuàng)造了有利條件。深圳及周邊珠江三角洲地區(qū)是國內(nèi)集成電路主要的集散地之一，華南地區(qū)集成電路消耗量占國內(nèi)的一半以上，同時也是中國最大的光通訊、無線通訊、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備生產(chǎn)開發(fā)中心，占據(jù)中國該類產(chǎn)品生產(chǎn)的70%以上。2000年中國電子信息百強前30名中有超過1/3在深圳及其附近地區(qū)，包括華為、中興、康佳、德塞、長城等，這些大公司使用大量集成電路，使得廣東的電路進口數(shù)量占全國的60-70%。項目具有良好的投資環(huán)境和市場環(huán)境。此外，深圳作為中國最年輕和最具活力的國際化大都市，毗鄰香港，利用靠近香港、交通便利的地理優(yōu)勢，容易吸引優(yōu)秀的國際人才，產(chǎn)品可方便地面向海外市場。(2)本項目合作方ELIATECH公司充分提供工藝技術(shù)、人員培訓(xùn)、工藝設(shè)備維護以及具有豐富經(jīng)驗的集成電路生產(chǎn)管理技術(shù)團隊支持。目前ELIATECH公司董事長吳之植先生是韓國電子部品研究院研究員，擔(dān)任深港韓國電子商會會長（該會成員多達100多家）。本項目韓國方面組織了具有國際大公司背景和6″、8″生產(chǎn)線建設(shè)與運營經(jīng)驗的技術(shù)團隊，團隊成員分別具有IBM公司、AMD公司、三星電子、現(xiàn)代半導(dǎo)體公司、韓國電子部品研究院（KETI）和韓國電子通訊研究院（ETKI）等國際大公司或知名院所的工作背景和經(jīng)歷，這為本項目實施提供了強有力的保障。(3)本項目生產(chǎn)線建設(shè)的一大特點是采用與技術(shù)引進相結(jié)合的整條線成套設(shè)備引進的方式，這使得相應(yīng)的服務(wù)、維修及備件供應(yīng)有保障，這對本項目生產(chǎn)線能夠長期穩(wěn)定、可靠的運行極為重要，對本項目實施極為有利。1.4可行性研究報告編制依據(jù)1.4.1國務(wù)院2000年《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（國發(fā)［2000］18號文）以及2001年《國務(wù)院辦公廳關(guān)于進一步完善軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策有關(guān)問題的復(fù)函》。政策規(guī)定鼓勵發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，并提出多項優(yōu)惠政策。1.4.2國家發(fā)展計劃委員會和科學(xué)技術(shù)部1999年7月頒發(fā)的《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點領(lǐng)域指南》第34條規(guī)定，集成電路是信息化產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。集成電路產(chǎn)業(yè)包括電路設(shè)計、芯片制造、電路封裝、測試等，需重點發(fā)展。1.4.3《外商投資產(chǎn)業(yè)指導(dǎo)目錄》2002年版3.20.4條鼓勵“集成電路設(shè)計與線寬0.35微米及以下大規(guī)模集成電路生產(chǎn)”。1.4.4深圳市高科實業(yè)有限公司與ELIATECH（亞洲）集團有限公司關(guān)于在深圳市成立合資公司的協(xié)議書。1.4.5深圳市政府關(guān)于建設(shè)超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)項目優(yōu)惠政策的相關(guān)文件。1.4.6深圳市高科實業(yè)有限公司和ELIATECH公司提供的基礎(chǔ)資料。1.4.7信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院基礎(chǔ)資料。1.4.8深圳市高科實業(yè)有限公司委托信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院有限公司編制該項目可行性研究報告的協(xié)議1.5研究結(jié)果1.5.1主要技術(shù)經(jīng)濟指標本項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標見表1－2。表1－2主要技術(shù)經(jīng)濟指標序號名稱單位數(shù)據(jù)備注1生產(chǎn)規(guī)模片/月5000達產(chǎn)年·6″SiGeHBT芯片片/月1500達產(chǎn)年·6″SiGeVCO芯片片/月3500達產(chǎn)年2年銷售收入萬美元9633.82達產(chǎn)年平均3固定資產(chǎn)總投資萬美元2998.904職工人員人1045用地面積m2200000其中一期1160006新建建筑面積m2266007新增生產(chǎn)設(shè)備、儀器數(shù)量臺(套)518變壓器裝設(shè)容量KVA50009自來水消耗量t/d246010主要動力消耗工藝循環(huán)冷卻水消耗用量m3/h150氮氣(GN2)消耗量m3/h450工藝氮氣(PN2)消耗量m3/h200工藝氧氣(PO2)消耗量m3/h9工藝氫氣(PH2)消耗量m3/h4工藝氬氣(Ar)消耗量m3/h4壓縮空氣(CDA)消耗量m3/h520高純水系統(tǒng)m3/d600冷凍水(CHW)KW460011達產(chǎn)年利潤萬美元2848.9612銷售稅金及附加萬美元317.9213總投資回收期年3.23含建設(shè)期14財務(wù)內(nèi)部收益率%57.26稅后15總投資利潤率%67.7016銷售利潤率%29.5717盈虧平衡點%38.88生產(chǎn)能力計算18貸款償還期年2.36含建設(shè)期1.5.2研究結(jié)論—該項目是6″、0.35μmSiGe集成電路芯片生產(chǎn)線項目，SiGeHBT是一種新型的超高頻半導(dǎo)體器件，近年來已成為集成電路技術(shù)發(fā)展的一個熱點，得到了日益廣泛的應(yīng)用，產(chǎn)品方向符合國家產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向，是國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)目錄指導(dǎo)發(fā)展產(chǎn)品和國家2002年度鼓勵外商投資產(chǎn)品?！卷椖康膶嵤μ钛a我國SiGe高頻器件生產(chǎn)的空白，推動我國SiGe集成電路生產(chǎn)趕上國際先進水平具有重要意義?！壳癝iGe產(chǎn)品種類不多，生產(chǎn)量也少，但從其應(yīng)用用途分析，一般推測其未來發(fā)展空間甚大，根據(jù)ITIS及ICInsight資料，SiGe半導(dǎo)體1999年市場規(guī)模約為0.25億美元，預(yù)測至2004年將有9億美元的市值，年平均增長104%，產(chǎn)品具有廣闊的市場前景?！猄iGe集成電路的市場雖然發(fā)展十分迅速，但對本項目而言仍有一個逐步開拓的過程，因此，本項目確定的生產(chǎn)規(guī)模（月投5000片）是合適的?！瑫r為進一步減小市場風(fēng)險，本項目考慮在投產(chǎn)初期，利用生產(chǎn)線的部分生產(chǎn)能力，進行工藝兼容、市場成熟的硅MOS功率器件與集成電路的生產(chǎn)，項目初期產(chǎn)品是采取定向委托加工方式，產(chǎn)品市場有保障?！卷椖吭O(shè)備配置采用翻新設(shè)備，以很低的投資建立起一條有一定規(guī)模的6英寸鍺硅生產(chǎn)線，產(chǎn)品技術(shù)含量高。同時減少了投資風(fēng)險，降低運營成本和費用?！鶕?jù)高科公司與ELIATECH公司簽訂的合資協(xié)議，生產(chǎn)技術(shù)由ELIATECH公司負責(zé)提供，并作為韓方的技術(shù)入股，項目實施具有技術(shù)保障。—ELIATECH公司組織了具有國際大公司背景和6″、8″生產(chǎn)線建設(shè)與運營經(jīng)驗的技術(shù)團隊。團隊成員分別有IBM、AMD、三星電子、現(xiàn)代公司、韓國電子部品研究院和韓國電子通訊研究院等國際大公司或知名院所的工作背景，是本項目建設(shè)運營的有力支撐。—該項目投資回收期3.23年、財務(wù)內(nèi)部收益率57.26%、總投資利潤率67.70%、銷售利潤率29.57%，盈虧平衡點38.88%。項目具有良好的投資效益和抗風(fēng)險能力。綜上所述，項目建設(shè)是可行的。

第二章投資方簡介深圳市高科實業(yè)有限公司2.1.1公司概況深圳市高科實業(yè)有限公司是于2000年12月29日成立的有限責(zé)任公司，公司注冊資本為10800萬元。本公司的股東為中國高科集團股份有限公司(以下簡稱:中國高科)和上海高科聯(lián)合生物技術(shù)研發(fā)有限公司(以下簡稱:高科生物)。中國高科占本公司注冊資本的68.125%，高科生物占31.875%。公司的經(jīng)營范圍是：興辦實業(yè)；電子通訊產(chǎn)品及智能系統(tǒng)等相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)、銷售；國內(nèi)商業(yè)、物資供銷業(yè)；經(jīng)營進出口業(yè)務(wù)。2002年，公司實現(xiàn)主營收入11.6億元，實現(xiàn)凈利潤3600萬元。目前，公司的總資產(chǎn)已超過5億元人民幣，凈資產(chǎn)為1.6億元人民幣。2.1.2股東背景中國高科是由國內(nèi)眾多知名高校共同發(fā)起設(shè)立并于1996年7月在上海證券交易所上市的股份有限公司（證券代碼為600730）。2001年底，中國高科注冊資本17460萬元，總資產(chǎn)達135554萬元，凈資產(chǎn)37015萬元。高科生物是由中國高科控股的有限責(zé)任公司（中國高科占56.7%），公司的注冊資本為人民幣15000萬元，主要從事新型生物化學(xué)藥物系列、新型藥物制劑、基因工程藥物、新型衛(wèi)生材料等新型藥品的研發(fā)、新藥項目的技術(shù)轉(zhuǎn)讓。2.1.3下屬企業(yè)介紹高科公司自成立以來，在中國高科的支持下，積極進行資本運作。截止2002年底，公司控股和參股的企業(yè)已達7家。他們分別是深圳市高科智能系統(tǒng)有限公司（占注冊資本的51%）、深圳仁銳實業(yè)有限公司（占注冊資本的75%）、深圳市高科新世紀貿(mào)易有限公司（占注冊資本的65%）、深圳市高科通訊電子有限公司（占注冊資本的40%）、深圳市華動飛天網(wǎng)絡(luò)技術(shù)開發(fā)有限公司（占注冊資本的32%）、深圳市金開利環(huán)境科技有限公司（占注冊資本的60%）、深圳市星倫網(wǎng)絡(luò)科技有限公司（占注冊資本的84%）。2.2 ELIATECH（亞洲）集團有限公司EliATechAsiaHoldingsCo.,Ltd.于2000年12月22日在香港注冊成立，注冊地址：FLAT/RMN9/FINTERNATIONALINDUSTRIALCTR2-8KWEITEISTREETFOTANSHATIN,HK。公司一直致力于電子通信領(lǐng)域的發(fā)展，并與韓國電子部品研究院（KETI）、韓國電子通信研究院（ETRI）、NEXSO等研究機構(gòu)、公司進行了多方面的合作。2002年5月：公司與韓國電子部品研究院（KETI）簽署了“中國技術(shù)合作戰(zhàn)略伙伴”協(xié)議，內(nèi)容涉及OLED驅(qū)動芯片、OLEDpanel、無機EL制造技術(shù)、LOCOS驅(qū)動芯片等。目前，于2003年1月16日在與韓國SoC風(fēng)險企業(yè)(e-MDT,Wisdom)和韓國電子部品研究院（KETI）業(yè)共同投資成立“深圳華韓集成電路科技有限公司”。2002年6月，在深圳投資注冊了以利亞電子科技（深圳）有限公司。主要從事OLED有機電致發(fā)光材料、屏板（panel）、驅(qū)動IC、批量生產(chǎn)生產(chǎn)工藝流程及設(shè)備的高科技公司，并與韓國電子部品研究院（KETI）建立了OLED的技術(shù)合作關(guān)系。2003年1月2日與韓國電子通訊研究院（ETRI）簽署了“SiGe技術(shù)轉(zhuǎn)移合同”，技術(shù)內(nèi)容涉及SiGeHBT工藝、SiGe集成電路制造等有關(guān)的技術(shù)專利100多項。公司將繼續(xù)在半導(dǎo)體、芯片設(shè)計等領(lǐng)域發(fā)展，并將韓國的先進技術(shù)繼續(xù)引進到中國，與本地的技術(shù)融合，愿成為中、韓技術(shù)交流的一個橋梁。

第三章該產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外發(fā)展情況3.1產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域和意義項目主要產(chǎn)品SiGe器件的特點是利用廉價的硅基片同硅集成電路兼容的加工工藝生產(chǎn)新型的高頻器件及電路，器件和電路產(chǎn)品的應(yīng)用目前主要集中在2GHz到10GHz的范圍內(nèi)，并可能擴展到40GHz以上，圖3-1示出SiGe器件的可能應(yīng)用范圍。圖3-1SiGe器件應(yīng)用范圍如果將其應(yīng)用具體化，至少可以舉出以下一些射頻應(yīng)用領(lǐng)域的例子：·蜂窩電話和PCS電話·接收器用低噪聲放大器（GSM、DCS、PCS、CDMA）·發(fā)送器用功率放大器（GSM、PCS、CDMA、AHPS）·壓控振蕩器（每個發(fā)送/接收裝置的基本部件）·廉價的2.4GHz碰撞報警雷達系統(tǒng)·1GHz以上的單片無線話音和數(shù)據(jù)電話系統(tǒng)·數(shù)據(jù)采集，直接－基帶無線接收器和信號合成專用高速模數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)模轉(zhuǎn)換器·廉價高可靠的全球定位（GPS）接收器·互動式電視早期高頻無線應(yīng)用的電路例如混頻器、調(diào)制解調(diào)器和壓控振蕩器等都是用硅雙極技術(shù)設(shè)計的，同時功率放大器和低噪聲放大器等前端電路主要用GaAs技術(shù)設(shè)計。隨著應(yīng)用要求的頻率提高，硅雙極器件已力不從心，因而GaAs便逐漸成為高頻應(yīng)用的主流。這主要是因為GaAs材料具有高的電子遷移率及快的漂移速度，因而適用于制作高頻器件，但是GaAs存在諸多缺點，例如GaAs單晶材料制備工藝復(fù)雜因而價格昂貴；GaAs材料的機械強度低，晶片易碎尺寸做不大；GaAs的熱導(dǎo)率低因而散熱不良；GaAs器件工藝同硅器件工藝不具有兼容性等。這些缺點限制了GaAs器件的發(fā)展，特別限制了器件的大規(guī)模生產(chǎn)。具有優(yōu)良特性的SiGe技術(shù)（見表3-1）正在掃除上述障礙，并有可能開發(fā)出一種集成的高頻無線電路，例如可以將壓控振蕩器、功率放大器及低頻噪聲放大器集成在一起，構(gòu)成完整的無線前端產(chǎn)品。除此以外，SiGe技術(shù)可以將BiCMOS電路集成在一起，形成速度、功耗、性能、集成度和成本最佳組合的系統(tǒng)集成芯片，從而完成更加復(fù)雜的功能，這樣的芯片可直接用于先進的無線通信產(chǎn)品中，例如用于第二代、第三代手機及寬帶局域網(wǎng)（WLAN）中。毫不夸張，SiGe器件的應(yīng)用及開發(fā)，將使微電子學(xué)在通信領(lǐng)域中參數(shù)一次新的飛躍，具有十分重要的意義。

表3-1Si器件、SiGeHBT和GaAsHBT特性的比較器件fT(GHz)室溫增益低溫增益同Si工藝兼容性規(guī)模生產(chǎn)性芯片成本目前工藝水平(μm)Si60中下降易低0.09SiGe210高上升好易中0.18GaAs160低上升劣一般高0.25注：SiGeHBT的fT據(jù)報道已達360GHz本項目投產(chǎn)的初期以生產(chǎn)SiGeHBT及壓控振蕩器（VCO）為主，它是SiGe的基礎(chǔ)產(chǎn)品同時又是有廣闊市場的產(chǎn)品，它將為今后擴展其它SiGe集成電路的生產(chǎn)鋪平道路。本項目加工的功率MOS器件是硅器件中廣泛應(yīng)用的產(chǎn)品，國際上由于產(chǎn)業(yè)調(diào)整加工有逐漸移向我國的趨勢，例如日本GlobalFoundry公司在我國曾同一些4”生產(chǎn)線合作過該器件生產(chǎn)。但由于生產(chǎn)效率偏低未能成功，這次該公司作為本項目韓方股東，在項目投產(chǎn)的前兩年將安排約4000片/月的生產(chǎn)量生產(chǎn)功率MOS器件，這對項目建立的生產(chǎn)線迅速達產(chǎn)及提高經(jīng)濟效益起到保證作用，同時作為補充我國及深圳地區(qū)微電子產(chǎn)業(yè)也將作出貢獻。3.2國際－國內(nèi)技術(shù)水平發(fā)展情況SiGeHBT從材料外延開始到商業(yè)生產(chǎn)經(jīng)歷了近20年左右發(fā)展的道路。表2列出了1982年開始研究低溫UHV/CVD外延SiGe材料工藝，到1998年第一代SiGe產(chǎn)品問世的主要發(fā)展歷程。

表3-2SiGeHBT的主要發(fā)展歷程時間發(fā)展內(nèi)容1982開始研究低溫UHV/CVD工藝1986UHV/CVD外延Si成功1987第一個SiGeHBT制作成功（采用HBE方法外延）1990fT～75GHz1993fT＞100GHz1995fmax～160GHz1998第一代SiGe產(chǎn)品問世（LNA低噪聲放大器）由于SiGeHBT的工藝同Si工藝具有兼容性，因此在材料研究取得突破以后，其器件及電路的水平迅速提高，表3-3列出了截止2000年SiGeHBT的器件研究水平。表3-3SiGeHBT的研究水平器件結(jié)構(gòu)SiGe生長方法增益β發(fā)射極面積（μm2）fT/fmax(GHz)實驗室雙臺面MBE9～2002×0.8×830/160DailerBenz雙多晶自對準UHV/CVD1130.8×2.548/69IBM雙多晶自對準UHV/CVD450000.3×9.55154/－Hitachi雙多晶自對準UHV/CVD3000.2×176/180Hitachi近年來器件水平又有很大提高，最近報導(dǎo)的SiGeHBTfT達360GHz，SiGe器件商業(yè)生產(chǎn)水平的fT和fmax分別在30GHz和60GHz左右，采用的工藝水平為1～0.5μm工藝。商業(yè)上主要用SiGe技術(shù)生產(chǎn)低噪聲放大器（LNA），壓控振蕩器CVCO等電路，除此以外，利用SiGeHBT同CMOS工藝兼容集成的水平在不斷提高，利用SiGeBiCMOS工藝已試制出集成180萬晶體管道ASIC芯片。作為例子表3-4列出無線通信用SiGeLNA的水平，表3-5列出一些具有代表性的SiGeHBT集成電路。表3-4無線通信用SiGeLNA的水平性能TEMICMAXIMInfinonRFMOconexant工作頻率（GHz）1.81.91.81.91.9工作電壓（V）34253電流（A）103.558－噪聲系數(shù)（dB）1.81.30.651.51.7增益2014.42114－表3-5有代表性的SiGeHBT集成電路電路性能時間/公司DAC12位，1.2GHz，750mW1994/IBM分頻器8分頻，50GHz1998/Hitachi單片VCO17GHz，-110dBc/Hz1997/IBM5.5GHzLNA/VCOLNA：14.1dB（增益）2.4dB（噪聲系數(shù)）VCO：15％調(diào)諧范圍，在100KHz偏移時噪聲比-90dBc/Hz1998/IBM多路復(fù)用器2：1，40Gb/s1998/Hitachi多路分解器1：2，60Gb/s1997/Siemens前置放大器帶寬2.5GHz，輸出阻抗43Ω，功耗17mW2003/ETRISiGe器件的技術(shù)雖然發(fā)展迅速，但主要掌握在國際上少數(shù)公司手中，特別是生產(chǎn)技術(shù)掌握在少數(shù)像IBM等這樣的大公司手中，近幾年韓國ETRI等公司加強了SiGe技術(shù)研究，發(fā)展了較為成熟的SiGeHBT及其電路的生產(chǎn)技術(shù)。國內(nèi)近幾年對SiGe技術(shù)的研究也較為重視，但研究主要集中在少數(shù)高校及研究所，主要研究內(nèi)容為SiGe外延材料及HBT的制作，研究項目主要來自于市級和國家自然基金以及像“863”這樣的攻關(guān)項目，一般研究經(jīng)費不多，制約了其技術(shù)的發(fā)展。國內(nèi)SiGe材料的研究尚未達到規(guī)模生產(chǎn)水平。SiGe器件則達到了一定的研究水平，有代表性的器件是清華大學(xué)的SiGeHBT，其主要器件參數(shù)如下：BVBEO＝5.6V，BVCBO＝11.2V，BVCEO＝6.5V，B結(jié)漏電電流＜2A/μm2，fT＝12.5GHz，β＞100用80×2μm×20μm的SiGeHBT制作的AB類放大器，其VCE＝3V，f＝836MHz，Pout＝27dBm時達到最大PAE為34％，其1dB壓縮點輸出功率約為23.2dBm，PAE＝17％。可以看出國內(nèi)SiGe器件雖然達到了一定的水平，相對來講仍比較落后，特別尚未掌握規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，有待進一步研究及發(fā)展。關(guān)于功率MOS器件，從工藝上來說已相對成熟，作為分立器件0.35～0.5μm的加工水平已能滿足，采用英寸片加工功率MOS器件也是適當(dāng)?shù)倪x擇，另一方面MOS功率器件的一個發(fā)展方向是將控制電路集成在一起的“功率智能集成”芯片，有了功率MOS技術(shù)基礎(chǔ)，生產(chǎn)線可以根據(jù)市場需要進行考慮。3.3產(chǎn)品國際-國內(nèi)市場發(fā)展情況本項目的主要產(chǎn)品是加工SiGeHBT及相關(guān)集成電路，如射頻壓控振蕩器等。這些電路是SiGe技術(shù)最適合生產(chǎn)的產(chǎn)品，并且它們目前在國際上市場發(fā)展情況良好。SiGe產(chǎn)品1999年才開始有售，當(dāng)年的銷售額僅為370萬美元，但是發(fā)展迅速，2000年很快上升至1.36億美元，據(jù)分析SiGe集成電路至少可以占領(lǐng)移動手機寬帶集成電路的36％市場。隨著SiGe集成電路生產(chǎn)能力的提高，銷售量將不斷擴大，在中頻/比特率達10Gb/s的市場中會不斷取代Si和GaAs產(chǎn)品。表3-6列出韓國ETRI給出的SiGe射頻集成電路市場狀況，表3-7列出韓國ETRI給出的世界手機市場銷量預(yù)測情況。表3-6SiGe射頻集成電路市場預(yù)測應(yīng)用領(lǐng)域電路頻率年度世界市場額度Cellular蜂窩電話0.8～1.5GHz目前39.75億美元PCS個人通信系統(tǒng)1.8GHz目前39.75億美元GMPCS全球移動個人通信系統(tǒng)1.4～1.6GHz2005年1.34億美元GPS全球定位系統(tǒng)1.5GHz目前5.84億美元WLAN寬帶局域網(wǎng)2.4/5.8GHz目前9.50/5.00億美元DSRC遠程空間無線中心5.8GHz2005年8.00億美元DBS衛(wèi)星直播系統(tǒng)12～14GHz目前2.4億美元SONET同步光纖網(wǎng)10～40Gbps目前98.8億美元表3-7世界手機市場銷量預(yù)測 單位：千部 （）：百萬美元地區(qū)2002200320042005非洲9093.3（1467.2）9185.2（1300.8）9591.9（1201.3）9925.5（1177.7）亞洲－太平洋/日本163173.3（33510.8）184312.9（37671.2）196333.0（39048.1）223304.4（43314.8）歐洲西歐111722.8（24811.5）114884.2（22751.6）118892.2（21419.9）120537.1（20994.9）中歐及東歐21517.1（4471.3）22024.7（3974.8）22762.3（3646.6）23603.2（3581.1）美洲中美及南美94647.8（18536.6）104048.3（18093.4）110909.3（18093.4）117044.1（18375.9）北美32154.2（6257.1）35952.1（5932.1）38622.3（5712.0）40400.9（5615.0）中東8584.3（1719.9）9646.8（1788.1）10145.0（1691.1）10549.2（1636.2）總計440892.7（90774.3）480054.1（91930.4）507254.9(90811.7)545368.5(94695.5)我國國內(nèi)高頻器件芯片需求量隨著無線通信市場的發(fā)展，從90年代末期至今呈爆炸式的增長，特別移動通信業(yè)務(wù)，我國已成為世界上發(fā)展最快的國家。2002年移動電話用戶已超過2億，新增用戶5000多萬，手機用戶總量已超過美國躍居世界第一，今年還將保持6000萬支的需求量，預(yù)計2005年，中國手機擁有量將達到3.5億部。國內(nèi)手機廠商眾多，目前都力圖開發(fā)自己的品牌，在手機無線集成電路方面也在積極尋找合作伙伴。除此以外，隨著我國計算機的逐漸普及及局域網(wǎng)和衛(wèi)星定位等無線通信的發(fā)展，估計高頻芯片使用量在未來的五年內(nèi)會成倍增長。這些均為SiGe器件在我國提供了廣闊的市場。功率MOS器件仍然是世界微電子的熱門產(chǎn)品之一，因為它們廣泛用于節(jié)能，汽車電子，電源管理及很多相關(guān)的電子產(chǎn)品中，因此世界功率MOS器件的市場是旺盛的。據(jù)報導(dǎo)2002年世界MOSEFT產(chǎn)值為63億美元，預(yù)計2003年為72億美元，2004年上升為81億美元，而2005年則達到93億美元。我國功率MOS器件的需求量在2000年已達2.3億只，每年以15％的速度增長，市場前景也相當(dāng)看好。3.4產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)外發(fā)展形勢SiGe器件的商品化歷史尚短，產(chǎn)業(yè)化的規(guī)模還要依賴于應(yīng)用的開發(fā)。由于SiGe器件的優(yōu)良特性，低價格以及同Si集成電路的兼容性，會有越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域接受它們。目前SiGe器件使用最多的領(lǐng)域是SONET及無線電話，它們是首先帶動SiGe器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的動力。1999年寬帶SONET/SOH/WDM用的集成電路約為8億美元，2000年則增加至10億美元。SiGe產(chǎn)品由于1999年剛?cè)胧?，其銷售量為100萬美元，至2000年上升至4000萬美元，規(guī)模擴大。在無線通信領(lǐng)域中以手機為例，盡管目前尚不知道SiGe產(chǎn)品已用于手機的具體數(shù)量，但是據(jù)分析SiGe集成電路至少可占領(lǐng)該產(chǎn)品的36％以上的市場。隨著SiGe集成電路的生產(chǎn)規(guī)模擴大，這一比例還會增加。目前涉足SiGe集成電路生產(chǎn)的廠商有20多家，表3-8給出有代表性的廠商產(chǎn)品門類及評價。表3-8有代表性的廠商SiGe產(chǎn)品門類及評價公司SiGe產(chǎn)品門類評價IBM無線；通信；網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)廣泛的創(chuàng)新者；擁有大量的IP；SiGe代工；SiGe技術(shù)專利許可證SiGeMicro-systemPA（藍牙）；LNA；分頻器提供提供SiGe專門工藝；采用外部代工MaximIntegratedProducts無線；蜂窩；PCS；GPS2.4GHzLNA；混頻器同SiGeMicro-system結(jié)成同盟ETRI（南韓）SiGeHBT；VCO；LNA0.5μm工藝，器件特性優(yōu)于IBM產(chǎn)品；擁有大量專利；采用外部代工國內(nèi)目前僅有研究成果，尚不具備產(chǎn)業(yè)化條件。從現(xiàn)有的國內(nèi)硅生產(chǎn)線來看，尚未聽說有進行SiGe器件生產(chǎn)的可行計劃。因此本項目生產(chǎn)線的建立將是國內(nèi)SiGe器件產(chǎn)業(yè)化的開始。關(guān)于功率MOS晶體管，國際上多年來其市場為少數(shù)大公司，如Motorola等所壟斷，近年來也有很多小公司參與競爭。但是隨著微電子工業(yè)的發(fā)展，大公司為了建立12英寸大線，對小線進行削減。目前我國大約有十個單位從事功率MOS相關(guān)的器件加工，但是大部分單位均停留在3英寸及4英寸片加工水平上，這大大影響了生產(chǎn)效率及經(jīng)濟效益。將功率MOS器件轉(zhuǎn)向6英寸線進行生產(chǎn)是一個方向。這些均為本項目生產(chǎn)線的代工提供了機遇。第四章產(chǎn)品大綱及可占領(lǐng)市場分析4.1產(chǎn)品大綱本項目建立的生產(chǎn)線生產(chǎn)能力為每月加工5000只6英寸晶圓片，在投產(chǎn)初期因SiGe器件的市場有一個發(fā)展的過程，因此分配350～1600片用于生產(chǎn)SiGe器件，其余片子用于加工有市場保證的其它硅集成電路，目前主要代加工日本GlobalFoundry公司（也是韓方合資公司的股東）的功率MOS器件（見委托意向書），具體產(chǎn)品大綱按產(chǎn)品門類，特點，應(yīng)用及生產(chǎn)模式列于表4-1。表4-1產(chǎn)品大綱產(chǎn)品門類特點應(yīng)用生產(chǎn)模式SiGeHBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）采用0.5μm線寬，SiGe外延基區(qū)，fT≥50GHz，芯片尺寸0.32×0.32mm2射頻集成電路代加工，6英寸晶圓片SiGeVCO（壓控振蕩器）SiGeHBT及無源元件單片集成，帶寬1.794～1.910GHz。芯片尺寸1.249×1.646mm2用于無線手機及寬帶局域網(wǎng)等代加工，6英寸晶圓片功率MOS器件采用外延硅襯底片，以及VDMOS和LDMOS結(jié)構(gòu)用于節(jié)能，汽車電子，電源變換器等代加工，6英寸晶圓片4.2產(chǎn)品簡介4.2.1SiGeHBT圖4-1示出SiGeHBT的結(jié)構(gòu)，采用低價格及高成品率達減壓CVD工藝制備SiGe外延層，同時利用自對準Ti自對準硅化物（TiSi2）形成本征基區(qū)，發(fā)射極和集電極，工藝同CMOS兼容，共用掩模17塊。芯片面積為0.32×0.32mm2。圖4-1SiGeHBT的結(jié)構(gòu)4.2.2SiGe壓控振蕩器（VCO）圖4-2示出SiGe壓控振蕩器結(jié)構(gòu)，器件特點是將電感、電容及電阻等無源元件同SiGeHBT集成在一個芯片上，芯片面積僅為1.249×1.646mm2。其中采用基區(qū)多晶制作高值電阻，采用發(fā)射極多晶制作中值電阻；利用二層金屬制作電感，電感量在7～9GHz和2～6GHz范圍為1～0H。MIH電容值在＜5.8GHz范圍為0.845F/μm2，Q＞15@1PF。圖4-2SiGe壓控振蕩器結(jié)構(gòu)4.2.3功率MOS器件功率MOS器件采用二種器件結(jié)構(gòu)，即VDMOS（縱向雙擴散MOS）及LDMOS（橫向擴散MOS），其結(jié)構(gòu)示于圖4-3，這二種器件均在外延硅襯底片上采用多晶硅柵離子注入、擴散、推進工藝完成，工藝流程同通常MOS器件類似。圖4-3功率MOS器件的二種結(jié)構(gòu)4.3投產(chǎn)計劃表4-2給出投產(chǎn)后5年內(nèi)的投產(chǎn)計劃，其中月產(chǎn)量及年產(chǎn)量均以6英寸晶圓片為單位，月產(chǎn)量滿產(chǎn)為5000片6英寸晶圓片。表4-2投產(chǎn)計劃表（單位：6英寸晶圓片）產(chǎn)品第1年第2年第3年第4年第5年月產(chǎn)量年產(chǎn)量月產(chǎn)量年產(chǎn)量月產(chǎn)量年產(chǎn)量月產(chǎn)量年產(chǎn)量月產(chǎn)量年產(chǎn)量SiGeHBT35042007509000150018000150018000150018000SiGeVCO35042007509000350042000350042000350042000功率MOS430051600350042000000000總計5000600005000600005000600005000600005000600004.4可占領(lǐng)市場分析按2004年的年產(chǎn)量舉例估算，假設(shè)每個6”晶圓片芯片成品率為75％，封裝成品率為85％，則最終可得年產(chǎn)SiGeHBT產(chǎn)品4.6億只，SiGeVCO產(chǎn)品2301萬只。如果產(chǎn)品用于手機，并且每個手機用2只SiGeHBT及一只SiGeVCO。由于2004年預(yù)計世界總手機需求量約為5億部，因此本項目產(chǎn)品SiGeVCO可占領(lǐng)大約4.6％的市場份額。但由于本項目SiGeVCO產(chǎn)品還可以用于其它無線領(lǐng)域，因此其實際世界市場可能比4.6％大很多，該產(chǎn)品的銷售應(yīng)無問題。至于SiGeHBT，由于其應(yīng)用市場更為廣泛，盡管生產(chǎn)數(shù)量較大但需求量也更大，其銷售也不會存在大的困難。此外功率MOS器件全部由合資韓方公司股東日本GlobalFoundry公司委托，2004年世界功率MOS器件市場預(yù)測約為40億美元，GlobalFoundry生產(chǎn)量約為世界份額的1％。本項目的加工量只是該公司加工量的一部分，因此銷售不存在問題。

第五章生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)協(xié)作5.1生產(chǎn)工藝流程Si片集成電極外延生長集電極注入局部氧化插塞注入基區(qū)外延生長基區(qū)限定刻蝕低溫氧化物沉積發(fā)射極開孔IDP發(fā)射極沉積側(cè)墻Ti自對準硅化物第一層金屬化第二層金屬化壓點磨片背壓金屬片后步工藝圖5-1產(chǎn)品生產(chǎn)工藝流程圖5.2主要技術(shù)及來源5.2.1主要生產(chǎn)技術(shù)·SiGeHBT（異質(zhì)結(jié)晶體管）和RFIC（射頻集成電路）生產(chǎn)工藝技術(shù)，主要包括：（1）SiGeHBT工藝；（2）電感、電阻、電容（LRC）和變電容二極管（Varactor）的制造工藝；（3）RFIC成套工藝，包括PCM（工藝監(jiān)控圖形）方法等；（4）直流與射頻測試分析與參數(shù)模擬；（5）SiGe集成電路制造有關(guān)的單項工藝，包括：SiGe外延、鈦硅化物自對準工藝（Ti-Salicidation）、隔離工藝等?！ば」β蔛iGeHBT和一種SiGe射頻集成電路VCO（壓控振蕩器）兩類產(chǎn)品技術(shù)，包括產(chǎn)品工藝設(shè)計、器件和電路板圖、產(chǎn)品測試、封裝、可靠性及質(zhì)量控制等。·功率MOS器件工藝技術(shù)，主要是VMOS和DMOS工藝。5.2.2技術(shù)來源前兩項技術(shù)由本項目合資公司韓方（ELIATECH亞洲集體有限公司）負責(zé)提供，并作為韓方的技術(shù)入股。第三項技術(shù)則由計劃委托本項目生產(chǎn)線進行加工生產(chǎn)的日本GlobalFoundry公司提供。由于VDMOS工藝的開發(fā)已有很長歷史，已成為很普通的標準工藝，因此，由委托加工方向加工線提供具體的工藝要求是目前世界上通行的做法。ELIATECH集團公司是一個投資控股公司，它本身并未進行SiGe集成電路技術(shù)研究。它為本項目提供的SiGe集成電路技術(shù)，主要來源于以下韓國的研究所和公司：①ETRI(ElectronicsandTelecommunicationResearchInstituteofKorea)韓國電子通信研究院。這是一家屬于政府的研究所。主要從事芯片的設(shè)計及開發(fā)，有一條5英寸的集成電路加工線和一條4英寸的GaAs器件加工線。該所研制成功的0.5μm，SiGeHBT參數(shù)達到了國際先進水平，并已小量生產(chǎn)了SiGeVCO電路應(yīng)用于三星的最新手機中。本項目所采用的SIGe工藝技術(shù)，主要出自這家研究所。②KETI(KoreaElectronicsTechnologyInstitute)韓國電子部品研究院。這也是一家政府眼睛單位。主要從事電子部件及電子系統(tǒng)研發(fā)。研究領(lǐng)域包括單片集成系統(tǒng)、光通信、微電子機械、顯示技術(shù)、下一代TV、無線通訊、手機核心技術(shù)等。從91年至今已有800多項研究成果進行了技術(shù)轉(zhuǎn)讓。③FCI(FutureCommunicationIC)公司這是一家比較典型的FablessIC公司，主要從事手機及無線通信用的電路產(chǎn)品開發(fā)。該公司所從事的產(chǎn)品設(shè)計與開發(fā)技術(shù)環(huán)節(jié)是比較全面的，包括了器件模擬、電路設(shè)計、版圖設(shè)計、電路測試、可靠性評估等，技術(shù)實力是比較強的。該公司開發(fā)的SiGeMMIC（單片微波集成電路）已用于新一代手機中。④Nexso半導(dǎo)體設(shè)備公司和WisdomIC設(shè)計公司，二者同屬于一個集團。Nexso半導(dǎo)體設(shè)備公司除了翻新與銷售整條線的半導(dǎo)體翻新設(shè)備之外，還進行4～12英寸的CVD與干法刻蝕設(shè)備的研發(fā)與銷售，技術(shù)力量較強，廠房條件較好。該公司的業(yè)務(wù)重點是整條線的設(shè)備安裝調(diào)試和工程咨詢(包括工藝技術(shù)轉(zhuǎn)移)。目前同中國有4個項目（一條6英寸硅加工線，三條8英寸硅加工線）正在進行洽談或簽訂合同中。由于韓國政府對于SiGe集成電路技術(shù)向中國大陸的轉(zhuǎn)移有限制，因此本項目所需SiGe集成電路技術(shù)由在香港注冊的韓方ELIATECH公司統(tǒng)一購買，并負責(zé)實施技術(shù)的轉(zhuǎn)移。5.3技術(shù)轉(zhuǎn)移的實施和主要技術(shù)團隊本項目韓方ELIATECH保證其投入合資公司的技術(shù)真實可靠，擁有合法的所有權(quán)或使用權(quán)，并負責(zé)保障生產(chǎn)線達到設(shè)計產(chǎn)能，在投產(chǎn)一年內(nèi)產(chǎn)品達到75％以上的成品率。由于SiGe集成電路為近年來才發(fā)展起來的新技術(shù)，據(jù)了解，75％已屬目前世界上SiGe集成電路生產(chǎn)線較高的成品率。為保證技術(shù)轉(zhuǎn)移的順利實施，本項目的合資韓方除了負責(zé)提供項目生產(chǎn)所必需的相關(guān)技術(shù)資料與技術(shù)文件之外，還將負責(zé)組織實施技術(shù)轉(zhuǎn)移所必需的技術(shù)團隊，并以Nexso公司作為負責(zé)生產(chǎn)線建設(shè)與工藝技術(shù)轉(zhuǎn)移的總部。ELIATECH公司準備的韓方技術(shù)團隊主要成員如下：（1）JayMoon（中文名：文鐘），現(xiàn)為Nexso公司總裁，CEO1983～1997.5：三星半導(dǎo)體公司高級經(jīng)理1990～1993：日本Osaka大學(xué)，獲得博士學(xué)位1996～1997：SEMATECH美國技術(shù)主任1997～1995：APEX公司副總裁2001.6至今：韓國SungKyunKwan大學(xué)教授從事的主要項目有：器件方面：FeRAM，DRAM，4GbDRAM的開發(fā)工藝方面：CVD/刻蝕設(shè)備方面：Ta2O5的MOCVD，Cu的MOCVD，BST的MOCVD，PT－刻蝕機等。（2）B.J.Kim1984～2000：三星半導(dǎo)體公司，工藝與設(shè)備高級經(jīng)理2000～2001：COSAM公司CVD系統(tǒng)開發(fā)部主任（3）M.H.You（中文名：柳文熙），現(xiàn)為Nexso公司項目部長1990～1998：三星半導(dǎo)體公司，刻蝕部經(jīng)理1999～2002：LamResearch韓國公司銷售及淀積/刻蝕工藝組經(jīng)理（4）J.Y.Kim1984～2000：三星半導(dǎo)體公司，擴散部經(jīng)理2000～2002：JusungEngineering公司設(shè)備開發(fā)部高級經(jīng)理（5）S.B.Kim1989～1997：三星半導(dǎo)體公司濺射/CVD/離子注入部副經(jīng)理1998～2000：APEX公司MOCVD與PECVD開發(fā)部經(jīng)理2000～2002：PKL公司MOCVD及干法刻蝕機開發(fā)部高級經(jīng)理（6）D.M.Park1996～2002：ANAM半導(dǎo)體公司光刻工藝與設(shè)備部經(jīng)理技術(shù)骨干的聘用和具體職務(wù)安排待合資公司董事會成立以后決定。高科公司技術(shù)團隊主要成員：（1）方中華，男，1963年12月生，研究生學(xué)歷，主要簡歷如下：1986年7月——1994年5月，深圳中航商貿(mào)總公司工作，任經(jīng)理1994年5月——1999年2月，深圳市博蘭實業(yè)有限公司工作，任董事長1999年3月——2000年3月，東方時代投資有限公司工作；2000年4月至今，中國高科集團股份有限公司工作，任副總裁、總裁、董事長（2）廖航學(xué)歷：1986－1990年就讀北京清華大學(xué)物理系并獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位1990－1995年在美國亞尼桑那大學(xué)就讀固體物理與化學(xué)工程碩士、博士學(xué)位經(jīng)歷：1994.9－1994.12，為美國國家半導(dǎo)體公司光罩實習(xí)工程師1995.5－1996.11，為美國摩托羅拉公司光罩工程師1996.11－1997.11，為美國HP公司工程師1997.11至今為美國HP公司主任工程師，負責(zé)管理一條BiCMOS工藝技術(shù)的6英寸生產(chǎn)線文章與專利：已在美國獲得了相關(guān)領(lǐng)域的18項專利，并在國際著名專業(yè)雜志上發(fā)表了十幾篇文章（3）劉忠立1964年畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子學(xué)系半導(dǎo)體材料及器件專業(yè)。64年起，在中科院半導(dǎo)體研究所從事MOSFET及JFET的研究工作，是我國最早試制成功MOSFET及低噪聲JFET研究小組的主要成員。68年開始，從事體硅CMOS集成電路設(shè)計及基區(qū)物理研究，75年負責(zé)研制成功我國第一塊CMOS手表電路。此后，負責(zé)CMOS/SOS及CMOS/SOI集成電路研究，在CMOS/SOS工作方面，負責(zé)建立了全離子注入摻硼多晶硅工藝，發(fā)明了提高CMOS/SOS輸入ESD保護電壓的專利方法。從82年開始完成了多項國家重大研究任務(wù)，二次獲中科院科技進步二等獎，一次獲三等獎，一次獲國防科委光華基金個人二等獎。80－81年在聯(lián)邦德國多特蒙德大學(xué)，作為訪問學(xué)者，提出并研制成功注入氮離子形成氮化硅隔離不用外延硅單CMOS/SDI器件，是國際上開創(chuàng)性的工作，90－91年，在聯(lián)邦德國柏HMI研究所，作為客座教授從事MOS器件抗輻射物理研究，取得良好研究成果。近年來研究擴展到HBT，RTD及功率MOS集成電路等領(lǐng)域。目前任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，博士生導(dǎo)師，創(chuàng)新重大項目“特種半導(dǎo)體器件及電容”負責(zé)人，兼任傳感技術(shù)國家重點實驗室學(xué)術(shù)委員會委員，中國電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成電路分會專業(yè)委員會委員，中國電子學(xué)會核輻射電子學(xué)與電磁脈沖專業(yè)委員會委員，中國國際工程咨詢公司項目評估專家及科技部“經(jīng)濟專家委員會”專家等職、已發(fā)表專著一本（《CMOS集成電路原理、制造及應(yīng)用》，90年，電子工業(yè)出版社），合著專著二本，論文60余篇，擁有國家發(fā)明專利一項。（4）李瑞偉，男，1936年9月生，1958年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體物理專業(yè)，主要簡歷如下：1987年至今，中國國際工程咨詢公司專家委員會成員，中國國際工程咨詢公司高技術(shù)項目部半導(dǎo)體行業(yè)專家，參與和從事中國國家大型微電子工程建設(shè)項目的評估咨詢工作。1993年，赴香港科技大學(xué)微電子制造中心在其二期工程建設(shè)中做顧問。1982－1992年，清華大學(xué)微電子學(xué)研究所工藝研究室主任，從事亞微米MOS器件的計算機模擬與工藝研究工作。1985－1990年，負責(zé)中國國第一條1微米級VLSI工藝線的建設(shè)和1～1.5微米成套工藝技術(shù)的開發(fā)，并于1990年研制出中國第一塊兆位級的集成電路—1兆位漢字ROM。1981-1982年，赴美國康奈爾大學(xué)，在美國國家亞微米中心（NRRFSS）從事亞微米MOS器件的計算機模擬與工藝研究工作。1971-1981年，參加了開拓中國國內(nèi)MOS集成電路事業(yè)的工作，負責(zé)中國國內(nèi)首條3微米工藝線的建設(shè)和多種中、大規(guī)模集成電路的研制，并在國內(nèi)首先開出“MOS大規(guī)模集成電路”的研究生課程。1958-1971年，先后從事半導(dǎo)體物理、固體物理、固體量子電子學(xué)、微波鐵氧體材料與器件、電子自旋共振波譜儀等領(lǐng)域的教學(xué)和科研。1989年獲國家教委、人事部授予的全國優(yōu)秀教師稱號；1992年獲國務(wù)院頒發(fā)有突出貢獻專家稱號。5.4主要外協(xié)關(guān)系與關(guān)鍵原材料供應(yīng)本項目一期工程主要承接芯片加工任務(wù)，特別是在投產(chǎn)初期，主要的生產(chǎn)量是功率MOS器件的加工（Foundry生產(chǎn)），因此，必須與委托加工的客戶建立非常緊密的協(xié)作關(guān)系。按照世界上半導(dǎo)體Foundry生產(chǎn)的慣例，芯片生產(chǎn)所需掩模版通常是由委托加工的客戶提供芯片的版圖數(shù)據(jù)文件，而由加工線（Foundry）負責(zé)委托專業(yè)的制版廠制作所需的掩模版。這樣，加工線就必須具備制版交接環(huán)節(jié)相關(guān)的技術(shù)力量和工具條件。考慮到本項目投產(chǎn)一、兩年內(nèi)，委托加工的主要客戶與合資公司的韓方關(guān)系緊密，有的就是韓方股東之一（例如日本GlobalFoundry公司），由于本項目生產(chǎn)規(guī)模和投資都比較有限，因此，本項目的芯片加工生產(chǎn)，將由合資公司的韓方負責(zé)與客戶協(xié)調(diào)，直接提供可滿足芯片加工生產(chǎn)要求的掩模版。此外，對所加工芯片和產(chǎn)品的測試與工藝質(zhì)量分析。也有類似問題。雖然加工線交給客戶的產(chǎn)品是加工好的硅圓片，芯片和封裝后成品的測試是由客戶自行解決定，加工線并不負責(zé)芯片與成品的批量測試。但加工線通常也具備一定的產(chǎn)品測試能力，以便與客戶協(xié)調(diào)對加工質(zhì)量的評估與分析，解決可能產(chǎn)生的矛盾，促進產(chǎn)品質(zhì)量與成品率達提高，但同樣考慮到本項目委托加工的主要客戶與本項目合資韓方關(guān)系比較密切，對芯片加工工藝與成品質(zhì)量間關(guān)系的分析也可由合資韓方負責(zé)與客戶協(xié)作進行。項目生產(chǎn)所需關(guān)鍵原材料將根據(jù)韓方提出的技術(shù)要求，由合資公司進行采購。國內(nèi)采購不到的，由韓方負責(zé)采購解決。第六章生產(chǎn)線建設(shè)6.1建設(shè)目標本項目的目標是建設(shè)一條6英寸、0..35微米、月投硅圓片5000片的SiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)加工線。與一般超大規(guī)模集成電路（VLSI）生產(chǎn)線8英寸、月投2～3萬片的生產(chǎn)規(guī)模相比，本項目的生產(chǎn)規(guī)模較小，這主要是因為SiGe集成電路是近年才發(fā)展起來的新技術(shù)。雖然發(fā)展前景為業(yè)界所公認，但其應(yīng)用和市場仍需經(jīng)歷一個開拓的過程。為減小市場風(fēng)險，本項目一期建設(shè)，生產(chǎn)規(guī)模不宜過大。但對半導(dǎo)體生產(chǎn)而言，月投5000片確實不是一個很經(jīng)濟、很合理的生產(chǎn)規(guī)模。這是因為半導(dǎo)體的生產(chǎn)所需設(shè)備種類繁多，不同設(shè)備的產(chǎn)能相差很大，價格又十分昂貴。經(jīng)濟的設(shè)備配置上使各類設(shè)備的總產(chǎn)能，大體相互均衡。再考慮到設(shè)備不可避免得故障率和維修時間，為了避免因設(shè)備故障導(dǎo)致生產(chǎn)流水間斷而造成巨大損失，設(shè)備的配置應(yīng)盡量避免單臺運行。生產(chǎn)規(guī)模太小就不可能做到這一點。通常認為月投2萬片是半導(dǎo)體生產(chǎn)最低的經(jīng)濟規(guī)模。因此，一旦市場成熟了，本項目將考慮擴大生產(chǎn)規(guī)模。6.2經(jīng)營模式如前所述，本項目投產(chǎn)初期，主要的生產(chǎn)量是承接客戶功率MOS器件的加工、生產(chǎn)，也就是代加工（也稱Foundry線）的生產(chǎn)模式。而本項目SiGeHBT和VCO芯片的生產(chǎn)，產(chǎn)品技術(shù)是由合資韓方作為技術(shù)入股帶進來的。因此，所生產(chǎn)的產(chǎn)品是自有的，不屬于承接委托加工。按照一般不含后道工序的芯片生產(chǎn)線的經(jīng)營模式，是由芯片生產(chǎn)線委托專業(yè)的封裝廠進行封裝、測試，封裝好的產(chǎn)品屬于芯片生產(chǎn)廠，并由芯片廠銷售產(chǎn)品。但也有另外一種經(jīng)營模式，就是芯片生產(chǎn)廠直接以硅圓片的形式銷售芯片，而由專業(yè)的半導(dǎo)體器件和集成電路公司（FablessCompany）進行芯片的封裝和產(chǎn)品的銷售。這種經(jīng)營模式由于所生產(chǎn)的硅圓片除含有工藝技術(shù)和加工費用外，還含有產(chǎn)品技術(shù)，因而價格較高。但除此以外，與代加工的經(jīng)營模式并無區(qū)別。與前者相比，后一種經(jīng)營模式的優(yōu)點是運營環(huán)節(jié)比較集中、單純，易于管理，投資和經(jīng)營成本較低，有利于達到較高的管理和運作水平。最直接的缺點是要把部分銷售利潤讓給專業(yè)的半導(dǎo)體器件和集成電路公司。而更大的缺點是相對遠離產(chǎn)品的直接用戶，減少了市場反饋信息，不利于新產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)品的升級換代。考慮到本項目投資和技術(shù)基礎(chǔ)都比較有限，而合資公司的韓方又與多家專業(yè)的半導(dǎo)體器件和集成電路公司有非常緊密的聯(lián)系。因此，本項目的生產(chǎn)準備完全采用代加工的經(jīng)營模式。6.3設(shè)備配置6.3.1技術(shù)能力定位為0.35微米本項目投產(chǎn)初期的主要產(chǎn)品都是0.5微米的。但考慮到本項目作為一條代工線，0.5微米的加工能力，水平是偏低了，很難滿足大多數(shù)加工客戶的要求，也就是說適應(yīng)市場的能力比較有限。經(jīng)與韓方討論，決定將技術(shù)能力定位為0.35微米。又考慮到對SiGeHBT和RFIC以及硅功率MOS器件而言，0.5μm的技術(shù)水平并不低。因此在設(shè)備配置中，對影響細線條加工能力的設(shè)備（主要是Stepper和刻蝕機），只取一部分設(shè)備為0.35μm水平。6.3.2除個別關(guān)鍵設(shè)備（例如SiGe外延）外基本采用翻新設(shè)備主要原因有一下幾點：一是目前大的設(shè)備廠家通常已不生產(chǎn)6英寸、0.35μm的設(shè)備。因此，本項目所需設(shè)備，很多種根本就是買不到新的。二是目前有很多6英寸生產(chǎn)線紛紛下馬，因此可以用很便宜的價格買到很不錯的翻新設(shè)備。三是多數(shù)的耐用設(shè)備經(jīng)好的翻新設(shè)備公司翻新，也能達到很好的質(zhì)量水平。四是本項目投資有限，也有一定的市場風(fēng)險，采用翻新設(shè)備，以很低的投資就可以建立起一條有一定規(guī)模的6英寸生產(chǎn)線，對本項目的運營和發(fā)展有至關(guān)重要的意義。6.3.3生產(chǎn)線建設(shè)采用與技術(shù)引進相結(jié)合整條線成套設(shè)備引進的方式這是本項目的一個重要特點和優(yōu)勢。設(shè)備發(fā)生故障時的及時維修和保障備件的供應(yīng)是翻新設(shè)備工藝線能否順利、穩(wěn)定運行的關(guān)鍵。其實，這對于先進的半導(dǎo)體生產(chǎn)大線也是非常重要的，這些大線在購買設(shè)備時都會對設(shè)備廠家提出明確要求，簽訂相應(yīng)的服務(wù)、維修合同。但對翻新設(shè)備而言，一般這就很難保證了。本項目負責(zé)設(shè)備安裝、調(diào)試與技術(shù)轉(zhuǎn)移動Nexso公司是個很好的翻新設(shè)備公司，同時也從事新工藝設(shè)備的開發(fā)，有較強的技術(shù)力量，于很多家著名半導(dǎo)體設(shè)備公司有固定的聯(lián)系。由他們承包設(shè)備的翻新、安裝、工藝調(diào)試、技術(shù)轉(zhuǎn)移動全程服務(wù)，對本項目生產(chǎn)線的建成和投產(chǎn)是很有利的。6.3.4一期工程中暫不考慮建立產(chǎn)品設(shè)計CAD和產(chǎn)品測試分析環(huán)節(jié)主要理由已在前面6.2節(jié)中關(guān)于本項目完全采用芯片代加工經(jīng)營模式和第五章5.4節(jié)關(guān)于本代工線與客戶協(xié)作關(guān)系的分析中做了闡述，這里不再重復(fù)。要說明的是，后面的設(shè)備清單中，測試分析一欄中的儀器設(shè)備指的是工藝的測試與分析。6.4主要儀器設(shè)備清單項目進口主要生產(chǎn)設(shè)備51臺(套)，詳見表6-1。

6.5生產(chǎn)環(huán)境要求根據(jù)生產(chǎn)要求，生產(chǎn)區(qū)最高凈化級別為0.5μm、1級（外延工藝），主要生產(chǎn)區(qū)（操作區(qū)）凈化級別為0.5μm、10級，溫度23±0.5℃，相對濕度37±5%；設(shè)備區(qū)凈化級別為0.5μm、1000級，凈化區(qū)面積共計1600m2。

第七章工程建設(shè)方案7.1建設(shè)目標與建設(shè)內(nèi)容7.1.1建設(shè)目標本項目的目標是建設(shè)一條6英寸，0.35微米SiGe（鍺硅）集成電路芯片加工生產(chǎn)線。生產(chǎn)規(guī)模為月投硅圓片5000片。鍺硅異質(zhì)結(jié)晶體管（HBT）是一種新型的超高頻（或稱微波）半導(dǎo)體器件，主要工作頻段為1～10GHz（千兆赫）。與此頻段傳統(tǒng)采用的GeAs（砷化鎵）器件相比，具有生產(chǎn)成本低以及與硅集成電路工藝兼容的突出優(yōu)點，因而成為近年來集成電路技術(shù)發(fā)展的一個熱點，得到了日益廣泛的應(yīng)用，其批量生產(chǎn)也正逐漸成熟?？紤]到SiGe集成電路的市場雖然發(fā)展十分迅速，但對本項目而言仍有一個逐步開拓的過程，因此，與目前主流硅集成電路的生產(chǎn)規(guī)模（8英寸、月投2萬片）相比，本項目的生產(chǎn)規(guī)模（6英寸、月投5000片）不是太大。為了進一步減小市場風(fēng)險，本項目考慮在投產(chǎn)初期，利用生產(chǎn)線的部分生產(chǎn)能力，進行工藝兼容、市場成熟的硅MOS功率器件與集成電路的生產(chǎn)。本項目的長遠目標（或者說二期工程）是建設(shè)一條8英寸、0.25（或0.18）微米，月投2萬片的SiGe集成電路芯片生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線將進行技術(shù)更復(fù)雜、技術(shù)水平更高、應(yīng)用領(lǐng)域更廣闊的鍺硅射頻與數(shù)字混合集成電路的生產(chǎn)。為此，需要建設(shè)一個相應(yīng)的SiGe集成電路研發(fā)中心。根據(jù)項目的建設(shè)目標，本項目總體規(guī)劃分兩期建設(shè)，一期工程初期實現(xiàn)6″、SiGeHBT和SiGeVCO芯片共計5000片/月的生產(chǎn)能力（本項目），根據(jù)產(chǎn)品市場的發(fā)展和需求情況最終可形成20000片/月的生產(chǎn)能力，二期工程興建8″生產(chǎn)線，實現(xiàn)月產(chǎn)8″SiGe芯片20000片。一期工程規(guī)劃用地116000m2（包括研發(fā)中心用地20000m2），二期工程規(guī)劃用地84000m2，總用地200000m2。本項目用地由深圳市政府免費提供，一期工程用地位于深圳市寶龍工業(yè)園區(qū)，用地面積96200m2，研發(fā)中心用地19800m2，位于深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，規(guī)劃建筑包括生產(chǎn)廠房（FAB1和FAB2）、動力廠房、綜合樓、多功能中心、專家樓、倒班宿舍、化學(xué)品庫、氣站等，本項目（5000片）新建其中的生產(chǎn)廠房（FAB1）、動力廠房和倒班宿舍，合計新建面積26600m2，其它建筑和子項根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模的擴大實行分步實施。生產(chǎn)廠房（FAB1）按月投片20000片的規(guī)模建設(shè)，潔凈室和相配套的生產(chǎn)動力設(shè)施按5000片規(guī)模配置。7.1.2建設(shè)內(nèi)容·通過ELIATECH公司引進本項目所需SiGe集成電路生產(chǎn)技術(shù)，以及硅功率MOS器件等生產(chǎn)技術(shù)。引進技術(shù)的方式包括：相關(guān)的技術(shù)資料和技術(shù)文件；技術(shù)使用許可；提供相關(guān)技術(shù)人員以保證技術(shù)的實現(xiàn)與項目的達產(chǎn)?！そㄔO(shè)項目所需生產(chǎn)廠房和配套建筑，合計新建面積26600m2，其中：（1）生產(chǎn)及支持廠房22100m2，（2）動力廠房2000m2（3）倒班宿舍2500m2·購置生產(chǎn)能力為月投6英寸硅片5000片的MOS芯片生產(chǎn)線翻新設(shè)備，經(jīng)翻新和部分設(shè)備改造（主要是SiGe外延設(shè)備），形成SiGe集成電路與功率MOS器件兼容的芯片生產(chǎn)線。在一期工程中，該生產(chǎn)線除了進行少量自有產(chǎn)品的生產(chǎn)之外，主要承接外公司的芯片加工任務(wù)，生產(chǎn)線也未包含芯片與產(chǎn)品的批量測試設(shè)備?！そㄔO(shè)相應(yīng)的動力配套設(shè)施7.2總圖本項目一期工程用地位于深圳市寶龍工業(yè)園區(qū)，用地面積96200m2，規(guī)劃建筑包括生產(chǎn)廠房（FAB1和FAB2）、動力廠房、綜合樓、多功能中心、專家樓、倒班宿舍、化學(xué)品庫、氣站等，見總平面布置圖。7.3建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計—生產(chǎn)廠房(Fab1)根據(jù)集成電路生產(chǎn)的特點，F(xiàn)ab廠房分為大跨度的核心凈化生產(chǎn)區(qū)和生產(chǎn)/動力支持區(qū)。Fab廠房主體結(jié)構(gòu)為鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，核心凈化區(qū)一樓柱網(wǎng)4.8mx4.8m，二樓為大型鋼屋架，屋架跨度33.6m+33.6m。二樓穿孔樓板為現(xiàn)澆鋼筋砼，屋面結(jié)構(gòu)板為現(xiàn)澆鋼筋砼。建筑層高為6.6+6.6m，建筑占地面積11050m2，建筑面積22100m2?！獎恿S房動力廠房為單層框架結(jié)構(gòu)，柱網(wǎng)尺寸9mx9m，本項目新建2000m2，建筑層高5.4m。7.4建筑服務(wù)系統(tǒng)7.4.1空氣處理系統(tǒng)(空調(diào)、凈化)—凈化生產(chǎn)廠房生產(chǎn)層設(shè)計凈化級別為10級(@0.5um)，外延生產(chǎn)設(shè)備采用微環(huán)境形式達到1級@0.5um?？諝饬鲃有褪紽FU(風(fēng)機過濾器)潔凈室架空地板下夾層回風(fēng)豎井送風(fēng)靜壓箱FFU。新風(fēng)處理新風(fēng)初效過濾器中效過濾器預(yù)加熱盤管化學(xué)過濾器消聲器風(fēng)機消聲器冷卻盤管(二級)加熱盤管加濕器—空調(diào)生產(chǎn)管理區(qū)設(shè)置中央空調(diào)系統(tǒng)或新風(fēng)+風(fēng)機盤管系統(tǒng)。溫度222(℃)、濕度6010%。變電站設(shè)置空調(diào)系統(tǒng)，控制最高溫度30℃。7.4.2通風(fēng)、排煙系統(tǒng)—通風(fēng)系統(tǒng)對衛(wèi)生間設(shè)置通風(fēng)系統(tǒng)，換氣次數(shù)20次/hr。在存放或使用易燃、易爆、有毒物質(zhì)的房間設(shè)計事故排風(fēng)，換氣次數(shù)15次/hr。對未設(shè)置空調(diào)系統(tǒng)的洗滌塔間、廢水處理站、純水站、鍋爐房、應(yīng)急發(fā)電機房、機械設(shè)備房，設(shè)置通風(fēng)系統(tǒng)，換氣次數(shù)8次/hr，控制溫度不超過40℃。—排煙系統(tǒng)Fab凈化間的上下技術(shù)夾層設(shè)置排煙管道。7.4.3冷凍水系統(tǒng)—冷凍水供給外氣負荷、室內(nèi)負荷、工藝冷卻水系統(tǒng)、純水系統(tǒng)，估算冷量為4600KW（月產(chǎn)5000片時）。—冷凍站系統(tǒng)組成離心式冷水機組、冷凍水一次泵、冷凍水二次泵、閉式膨脹罐、加藥裝置、管道及閥門附件、保冷材料等?！O(shè)備選擇與站房選擇低溫(5/11℃)水冷離心式冷凍機組3臺，2用1備，單臺制冷量為2300KW(650RT)，站房設(shè)置在CUB動力廠房。7.4.4空調(diào)熱水系統(tǒng)—熱水供給空調(diào)凈化系統(tǒng)、純水系統(tǒng)加熱，采用熱水加熱，熱負荷估算為1600Kg/h?！到y(tǒng)組成燃氣熱水鍋爐、循環(huán)水泵、熱回收系統(tǒng)熱交換器、閉式膨脹罐、管道及閥門附件、保溫材料等?！O(shè)備選擇與站房選擇燃氣熱水鍋爐2臺，其中1臺為備用，單臺2000Kg/h，供/回水溫度為80/70℃。站房設(shè)置在動力廠房。7.4.5機械冷卻水系統(tǒng)—冷卻水供給冷卻冷水機組：溫度32/37℃、流量1080m3/h冷卻空壓機組：溫度32/37℃、流量40m3/h—系統(tǒng)組成冷卻水循環(huán)泵、玻璃鋼冷卻塔、水處理裝置、自動加藥裝置、Y型管道過濾器、管路系統(tǒng)等?！O(shè)備選擇與站房選用4臺橫流式冷卻塔，3用1備，每臺冷卻水量400m3/h。冷卻塔設(shè)于動力站房屋頂，水泵設(shè)置在CUB動力廠房內(nèi)。7.4.6冷水(自來水)系統(tǒng)—消耗量每天消耗量(夏天、最大) 2460m3/d小時平均消耗量 101m3/h—管網(wǎng)與水池設(shè)計公司申請兩路進水，DN250接管。項目在新建動力廠房地下一層設(shè)置500m3水池，供生產(chǎn)和消防使用。7.4.7水消防系統(tǒng)見消防章節(jié)說明7.4.8凈化間清掃真空系統(tǒng)清掃真空站設(shè)于生產(chǎn)廠房一層。選用離心式多級真空泵各2套，配帶排氣消音器，其真空量為1360m3/h，真空壓力為560mbar，每套按5個清掃口進行設(shè)計。7.4.9液化石油氣供應(yīng)新增燃氣熱水鍋爐，園區(qū)有管道液化石油氣供應(yīng)，預(yù)計項目消耗60m3/h。7.5工藝服務(wù)系統(tǒng)7.5.1工藝設(shè)備冷卻水系統(tǒng)工藝設(shè)備冷卻水供給生產(chǎn)設(shè)備冷卻用，流量150m3/h，溫度18℃/23℃。系統(tǒng)補充水水質(zhì)為RO出水(R100k-cm)，工藝設(shè)備冷卻水系統(tǒng)采用板式水換熱器，水泵為變頻水泵。7.5.2純水系統(tǒng)—純水供給生產(chǎn)硅片清洗、腐蝕生產(chǎn)工具、器具、石英制品清洗潔凈服清洗消耗量：600t/d—系統(tǒng)設(shè)計純水系統(tǒng)分成前處理和后處理兩部分，設(shè)在動力廠房一層。前處理部分首先由純水原水泵從生產(chǎn)、消防合用貯水池取水，加壓送至純水站，經(jīng)機械過濾、活性碳過濾等預(yù)處理后，由熱交換器換熱至25C，再經(jīng)過RO保安過濾器過濾，進入二級RO裝置，制成1MΩ純水，進入初級純水箱。RO水同時作為工藝冷卻水和機械冷凍水的補充水，RO濃縮水作為洗滌塔用水和部分冷卻塔補充水。后處理部分由純水加壓泵從初級純水箱取水，經(jīng)殺菌、脫氣、離子交換進入終端純水箱，最終由純水輸送泵經(jīng)殺菌、熱交換器、混床、超濾送至用戶，循環(huán)回水再回至終端純水箱。7.5.3干燥凈化壓縮空氣系統(tǒng)—供給消耗量520m3/h(5000片時)，使用點壓力0.8Mpa，壓力露點－70C，微粒(≥0.1μm)5-1pcs/cft?！到y(tǒng)組成空壓機、儲氣罐、預(yù)過濾器、無熱再生干燥器、終過濾器、管道及閥門附件?！O(shè)備選擇與站房經(jīng)過濾器過濾后的空氣經(jīng)空壓機壓縮后進入儲氣罐，再經(jīng)預(yù)過濾器、無熱再生干燥器干燥后進入終端過濾器，干燥凈化后的壓縮空氣經(jīng)主配管送至Fab廠房CDA分配系統(tǒng)。選擇無油潤滑螺桿式水冷空壓機3臺，2用1備，空壓機單臺排氣量為400Nm3/h，排氣壓力為1.05Mpa。選用無熱再生干燥器3臺，單臺裝置處理干燥空氣氣量為400Nm3/h，P.D.P<-70C,干燥器前后設(shè)過濾器。站房設(shè)置在動力廠房。7.5.4工藝真空系統(tǒng)—供給生產(chǎn)設(shè)備、吸附硅片用。消耗量140m3/h，使用點真空壓力125mbar(abs.)。—系統(tǒng)組成真空泵、熱交換器、真空緩沖罐、管道及閥門附件等?！O(shè)備選擇與站房水冷水環(huán)式真空泵2臺，其中備用1臺。其規(guī)格為200m3/h，真空壓力為70mbar(abs.)，配帶冷凍水熱交換器。選擇V=3m3的真空緩沖罐1個。站房設(shè)置在動力廠房。7.5.5大宗氣體供應(yīng)系統(tǒng)大宗氣體包括工藝氮氣(PN2)、普通氮氣(GN2)、工藝氧氣(PO2)、工藝氫氣(PH2)、工藝氬氣(PAr)、工藝氦氣(PHe)等。這些大宗