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文檔簡介

部分習(xí)題解答部分物理常數(shù):部分習(xí)題解答部分物理常數(shù):1第2章1、在N區(qū)耗盡區(qū)中,高斯定理為:

取一個圓柱形體積,底面在PN結(jié)的冶金結(jié)面(即原點)處,面積為一個單位面積,頂面位于x處。則由高斯定理可得:當(dāng)x=xn時,E(x)=0,因此,于是得:

(2-5a)第2章1、在N區(qū)耗盡區(qū)中,高斯定理為23、3、34、4、46、

ND2

ND1

6、ND2ND15《微電子器件》第三版習(xí)題答案課件68、(1)8、(1)7《微電子器件》第三版習(xí)題答案課件8(2)(2)9《微電子器件》第三版習(xí)題答案課件1020、20、1124、PN

結(jié)的正向擴(kuò)散電流為式中的I0因含ni2而與溫度關(guān)系密切,因此正向擴(kuò)散電流可表為于是PN

結(jié)正向擴(kuò)散電流的溫度系數(shù)與相對溫度系數(shù)分別為24、PN結(jié)的正向擴(kuò)散電流為式中的I01231、當(dāng)N-

區(qū)足夠長時,開始發(fā)生雪崩擊穿的耗盡區(qū)寬度為:當(dāng)N-

區(qū)縮短到W=3m時,雪崩擊穿電壓成為:31、當(dāng)N-區(qū)縮短到1334、34、1439、39、15第3章1、NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時的能帶圖NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時的能帶圖第3章1、NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時162、NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時的少子分布圖2、NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時的少子分173、3、186、6、197、8、以NPN管為例,當(dāng)基區(qū)與發(fā)射區(qū)都是非均勻摻雜時,由式(3-33a)和式(3-33b),再根據(jù)注入效率的定義,可得:7、8、以NPN管為例,209、9、2110、(1)(2)(3)(4)10、(1)(2)(3)(4)2214、14、2315、15、2420、當(dāng)忽略基區(qū)中的少子復(fù)合及ICEO時,20、當(dāng)忽略基區(qū)中的少子復(fù)合及ICEO時25《微電子器件》第三版習(xí)題答案課件2627、實質(zhì)上是ICS

。22、27、實質(zhì)上是ICS。27使NB>>NC,這樣集電結(jié)耗盡區(qū)主要向集電區(qū)延伸,可使基區(qū)不易穿通。39、為提高穿通電壓Vpt,應(yīng)當(dāng)增大WB

和NB,但這恰好與提高β相矛盾。解決方法:使NB>>NC,這樣集電結(jié)耗盡區(qū)主要2848、當(dāng)IE很大時,這時α0<α

;當(dāng)IE

很小時,這時α0>α

;在IE

很小或很大時,α都會有所下降。在正常的IE

范圍內(nèi),α幾乎不隨IE

變化,這時

β0與β

也有類似的關(guān)系。48、當(dāng)IE很大時,2958、58、30《微電子器件》第三版習(xí)題答案課件3159、59、3265、(1)(3)(2)(4)65、(1)(3)(2)(4)3368、68、34第5章1、第5章1、353、3、36《微電子器件

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