電子元器件測(cè)量與儀器課件

色電位測(cè)勻像盟《象宮電昂品器測(cè)寫位器6.1概述62伏安法及數(shù)字化測(cè)量63電橋法測(cè)量集中參數(shù)元件6.4諧振法測(cè)量集中參數(shù)元件6.5晶體管特性圖示儀及應(yīng)用本章小結(jié)圖③電位測(cè)量勻像盟第6章電子元器件測(cè)量與儀器學(xué)習(xí)參考:本章主要介紹電阻、電感、電容、晶體管等電子元器件的測(cè)量及測(cè)試儀器的組成原理,要求通過(guò)學(xué)習(xí)理解電子元器件的測(cè)試方法及原理,了解測(cè)量?jī)x器的組成及使用方法本章要點(diǎn):集中參數(shù)元件的等效,集中參數(shù)元件的測(cè)量方法、工作原理及電橋、Ω表、晶體管特性圖示儀的組成及使用。色電位測(cè)勻像盟《61概述在電子技術(shù)中,電子元器件的測(cè)量主要包括集中參數(shù)元件的測(cè)量和晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等器件的測(cè)量。集中參數(shù)元件測(cè)量是指對(duì)電阻、電容、電感、阻抗品質(zhì)因數(shù)Q及損耗因數(shù)D的測(cè)量。雖然理想元件中只包含大小恒定不變的純電阻或純電抗,但實(shí)際的集中參數(shù)元件并非如此,因此,集中參數(shù)元件的測(cè)量還包括Q、D的測(cè)量。如圖6.1所示,實(shí)際電阻器可以等效為純電阻R與寄生電感L的串聯(lián)。寄生電感是由于繞制電阻的金屬絲或碳膜電阻制造過(guò)程中的刻槽等原因而產(chǎn)生的。在低頻狀態(tài)下,o1很小,故可以忽略繞制電阻而產(chǎn)生的寄生電感L的影響,但在高頻狀態(tài)下,應(yīng)考慮L的影響。色電位測(cè)勻像盟如圖62(a、圖6.2(b)所示,實(shí)際電容器可以等效為串聯(lián)損圖6.1實(shí)際電阻器的等效電路耗電阻Rcs與純電容C的串聯(lián)或并聯(lián)損耗電阻Rcp與純電容C的并聯(lián)。損耗電阻包括電容漏電阻和介質(zhì)損耗電阻。事實(shí)上實(shí)際電容器還存在引線電感,因?yàn)榈皖l狀態(tài)下引線電感的感抗很小,可以忽略。通常用損耗圖6.2實(shí)際電容器的等效電路因數(shù)D、(或損耗角正切tanδ)來(lái)表示電容器的損耗大小。圖62(a)、圖6.2(b)分別具有如下關(guān)系色電位測(cè)勻像盟《Dx=tand=Rcs/Xc=oCrcsDx=tand=XCRcP=l/crop式中,Xc為電容器的容抗;δ為電容器的損耗角。如圖6.3(a)、圖6.3(b)所示,實(shí)際電感器可以等效為串聯(lián)損耗電阻Rs與純電感L的串聯(lián)或并聯(lián)損耗電阻Rp與純電感L的并聯(lián)。事實(shí)上實(shí)際電感器還包含分布電容,但在頻率不高的情況下,由于分布電容的影響較小,故可以忽略。通常用品質(zhì)因數(shù)Q來(lái)表示電容器的損耗大小。圖6.3(