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文檔簡介

數(shù)字電子技術基礎全套課件-7

教學內(nèi)容§7.1

概述§7.2

只讀存儲器§7.3

隨機存儲器§7.4存儲容量的擴展§7.5用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)

教學要求1.了解二極管、晶體管ROM的基本結構和存儲單元結構；會用ROM實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)。2.熟悉RAM的結構和操作過程；了解RAM的擴展方式。7.1概述

半導體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導體器件。按存儲功能分只讀存儲器（ROM）隨機存儲器（RAM）按制造工藝分雙極性MOS型7.2只讀存儲器（ROM)優(yōu)點：電路結構簡單，斷電后數(shù)據(jù)不丟失，具有非易失性。缺點：只適用于存儲固定數(shù)據(jù)的場合。電路結構ReadOnlyMemory只讀存儲器分類：掩膜ROM：出廠后內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)不能改動，只能讀出。PROM：可編程，只能寫一次。EPROM:用紫外線擦除，擦除和編程時間較慢，次數(shù)也不宜多。E2PROM:電信號擦除，擦除和寫入時需要加高電壓脈沖，擦、寫時間仍較長?？扉W存儲器(FlashMemory)：吸收了EPROM結構簡單，編程可靠的優(yōu)點，又保留了E2PROM用隧道效應擦除的快捷特性，集成度可作得很高。7.3隨機存儲器（RAM)優(yōu)點：讀、寫方便,使用靈活。缺點：一旦停電所存儲的數(shù)據(jù)將隨之丟失（易失性）?；窘Y構：地址譯碼器、存儲矩陣和讀\寫控制電路構成。RandomAccessMemory...P368圖7.3.27.4存儲容量的擴展字線位線存儲容量＝字數(shù)×位數(shù)存儲容量＝22×4＝4×4地址輸入端數(shù)據(jù)輸出端位擴展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。字擴展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM。7.5用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)例7.5.2試用ROM產(chǎn)生如下一組多輸出邏輯函數(shù)解：化

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