機械設(shè)備行業(yè)深度研究：華海清科：CMP龍頭乘“封”之勢突破減薄踏國產(chǎn)浪潮布局離子注入

行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明1機械設(shè)備潮布局離子注入CMP設(shè)備介紹：伴隨著工藝的不斷進步與器件特征尺寸的持續(xù)縮小，有望持續(xù)帶動CMP設(shè)備需求。細分來看，更先進的邏輯芯片會增加銅互連的層數(shù)，繼而擴大CMP的需求;存儲芯片向3D結(jié)構(gòu)不斷發(fā)展與層數(shù)的不斷增加，推動拋光步驟次數(shù)近乎翻倍，帶動CMP設(shè)備數(shù)量的增長。根據(jù)我們的推算，2026中國大陸CMP設(shè)備市場空間約為117.79億元。華海清科，國產(chǎn)CMP設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)公司定位高端半導體設(shè)備制造商，實控人為四川省國資委，股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。下游客戶優(yōu)質(zhì)，前五大客戶包含中芯國際、長江存儲及華虹集團。業(yè)務(wù)涵蓋CMP設(shè)備、晶圓減薄設(shè)備、離子注入設(shè)備、關(guān)鍵耗材和維保服務(wù)。橫向布局背面減薄、離子注入、耗材及維保等領(lǐng)域，實現(xiàn)橫向延展晶圓減薄設(shè)備方面，公司減薄設(shè)備具備技術(shù)水平優(yōu)勢，現(xiàn)已收獲訂單。根據(jù)我們的推算，2026年中國大陸晶圓減薄設(shè)備市場空間約為44.50億元。離子注入設(shè)備方面，公司持股鑫鈺半導體(主營半導體離子注入機)，后續(xù)有望實現(xiàn)國產(chǎn)替代。根據(jù)我們的推算，2026年中國大陸離子注入設(shè)備市場空間約為61.51億元。設(shè)備維保及耗材方面，下游晶圓廠投產(chǎn)結(jié)合CMP步驟增加將擴充設(shè)備維護及耗材市場空間。此外，公司開展晶圓再生業(yè)務(wù)，環(huán)節(jié)中涉及CMP設(shè)備，具備技術(shù)積累。根據(jù)我們的預測，2026年中國大陸市場的CMP、晶圓減薄、離子注入三類設(shè)備市場空間分別為117.79、44.50、61.51億元，公司合計可觸及市場空間為223.8億元。風險提示：技術(shù)創(chuàng)新風險、核心技術(shù)人員流失或競爭不足的風險、核心技術(shù)失密風險、下游客戶擴產(chǎn)不及預期的風險、客戶相對集中的風險、研究員分析誤差風險證券研究報告2023年07月30日級級)師SACS0519050003fzqcom分析師SACS0522080001uyetfzqcom勢圖機械設(shè)備滬深3000%3%6%9%-12%-15%-18%2022-082022-122023-04資料來源：聚源數(shù)據(jù)報告1《機械設(shè)備-行業(yè)點評:摩托車行業(yè)2023年6月銷售數(shù)據(jù)更新》2《機械設(shè)備-行業(yè)研究周報:“階段性底部+邊際變化”逐步演繹，一帶一路峰會重視核心受益的工程機械+石油煉業(yè)——長坡厚雪，方興未艾》行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明21.CMP設(shè)備介紹 51.1.CMP環(huán)節(jié)，全局納米級平坦化之關(guān)鍵 51.2.制程&工藝不斷進步，CMP設(shè)備需求不斷上升 6海清科，國產(chǎn)CMP設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè) 92.1.定位高端半導體設(shè)備制造商，股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定&下游客戶優(yōu)質(zhì) 92.2.公司技術(shù)水平優(yōu)異，產(chǎn)品范圍覆蓋半導體制造多個環(huán)節(jié)。 112.3.公司營收連續(xù)實現(xiàn)高增 142.4.CMP設(shè)備技術(shù)水平優(yōu)異，或持續(xù)受益于國產(chǎn)替代 163.橫向布局背面減薄、離子注入、耗材及維保等領(lǐng)域，實現(xiàn)橫向延展 183.1.背面減薄業(yè)務(wù)，充分受益于Chiplet與大算力芯片浪潮 183.2.參股公司進入離子注入賽道 213.3.耗材及維保服務(wù)，有望受益于下游擴產(chǎn) 233.3.1.CMP設(shè)備相關(guān)耗材及維保服務(wù) 233.3.2.晶圓再生業(yè)務(wù) 243.3.3.公司其他業(yè)務(wù) 26 圖1：CMP工藝在半導體制造中的作用 5 圖4：CMP拋光去除速率對比 5圖5：半導體行業(yè)中CMP的應(yīng)用領(lǐng)域 5圖6：2020年全球CMP設(shè)備市場區(qū)域結(jié)構(gòu) 6圖7：2013-2020中國大陸CMP市場空間變化(單位：億美元) 6圖8：2019年全球CMP設(shè)備市場競爭格局 6圖9：邏輯芯片&存儲芯片技術(shù)趨勢 7圖10：CMP拋光步驟隨邏輯芯片技術(shù)進步增加(單位：次) 7圖11：CMP拋光步驟隨存儲芯片技術(shù)進步增加(單位：次) 7圖12：先進封裝工藝流程 8 圖14：公司股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定(僅列出股權(quán)占比大于等于5%的股東) 9圖15：公司下游領(lǐng)先集成電路制造客戶 10圖16：2019-2021三大優(yōu)質(zhì)客戶銷售情況(單位：百萬元) 10 Q 4圖19：公司毛利率&凈利率總體實現(xiàn)增長 14 請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明3 22：公司期間費用持續(xù)降低 1523：公司預收款項持續(xù)增長 15圖24：2018-2023Q1公司經(jīng)營現(xiàn)金流及期末現(xiàn)金及等價物 16 圖26：公司已獲批的知識產(chǎn)權(quán)一覽(截止至2022年報)(單位：個) 17圖27：公司研發(fā)人員學歷結(jié)構(gòu)(截止至2022年報)(單位：個) 17 封裝方法 18圖30：2018-2022全球減薄機市場空間(單位：億美元) 18圖31：減薄機市場被Disco、東京精密所壟斷 19圖32：下游應(yīng)用中以300mm晶圓為主 19圖33：Chiplet助力服務(wù)器算力提升&性能優(yōu)化 19圖34：全球先進封裝市場規(guī)模(單位：億美元) 20 圖38：市場競爭格局(按品牌分) 22圖39：市場競爭格局(按類別分) 22示 23圖41：再生業(yè)務(wù)主要針對擋片和控片 24圖42：晶圓再生競爭格局高度集中 24圖43：2021-2022中國大陸地區(qū)12英寸晶圓廠產(chǎn)能(萬片/月) 25圖44：2017-2026中國大陸地區(qū)12英寸增量預測(座) 25圖45：工藝的不斷提升將持續(xù)增加清洗步驟(單位：次數(shù)) 26：半導體檢測與量測技術(shù) 27表1：CMP國內(nèi)市場空間測算 8表2：2023-2025公司員工激勵情況一覽 10CMP設(shè)備型號一覽 11 CMP 16表7：公司CMP產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)及水平評價 16表8：公司在14納米以上制程中具備國產(chǎn)替代能力 16表9：公司CMP在研項目對標國際先進水平 17表10：中國大陸減薄機市場空間 20表11：公司在研減薄項目對標國際先進水平 20表12：公司超精密減薄核心技術(shù) 21表13：中國大陸2023-2026年離子注入設(shè)備市場空間 22表14：公司在零部件板塊的在研項目瞄準國際先進水平(截至2022年底) 25請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明4表15：公司在研清洗項目對標國際先進水平(截至2022年底) 26表16：公司在濕法清洗方面具備的核心技術(shù) 26表17：公司在納米精度膜厚在線檢測方面具備的核心技術(shù) 27行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明5CMP全局納米級平坦化之關(guān)鍵集成電路的制造需要采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件一層一層堆疊在一小塊半導體晶片如硅片或介質(zhì)基片上，再連接其導線，然后焊接封裝在一個管殼內(nèi)，最終成為具有所需電路功能的電子器件。而CMP則是令集成電路的各層達到納米級平整的技術(shù)，其依托化學-機械動態(tài)耦合作用原理，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，實現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化。資料來源：半導體行業(yè)觀察公眾號、頗爾、天風證券研究所CMP設(shè)備包括拋光、清洗、傳送三大模塊。其在作業(yè)過程中，用拋光頭將晶圓待拋光面壓抵在粗糙的拋光墊上，借助拋光液腐蝕、微粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實現(xiàn)全局平坦化，使晶圓拋光后表面達到超高平整度且表面粗糙度小于0.5nm，再進行清洗，在不破壞晶圓表面極限化微縮對的特征結(jié)構(gòu)的情況下，降低其晶圓顆粒物數(shù)量。資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所CMP技術(shù)結(jié)合了傳統(tǒng)的機械拋光和化學拋光各自長處，通過化學和機械的組合技術(shù)避免了由單純機械拋光造成的表面損傷，利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進行拋光以實現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光，將化學腐蝕和機械研磨作用達到一種平衡，最終實現(xiàn)晶圓表面的超高平整度，是目前唯一能顧表面全局和局部平坦化的拋光技術(shù)，并在目前先進集成電路制造中被廣泛應(yīng)用。行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明6資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所資料來源：《化學機械拋光技術(shù)發(fā)展及其應(yīng)用》李思等、天風證券研究所中國是全球CMP設(shè)備最大市場，國產(chǎn)替代空間廣闊。2020年中國大陸占全球CMP設(shè)備市場份額的27%，市場空間達4.3億美元。然而中國大陸乃至全球CMP設(shè)備市場卻被應(yīng)用材料與荏原機械所壟斷，其中應(yīng)用材料2019年全球CMP設(shè)備占比達70%，日本荏原機械占比達25%。高度的進口依賴的背后存在著廣闊的國產(chǎn)替代空間。圖6：2020年全球CMP設(shè)備市場區(qū)域結(jié)構(gòu)資料來源：Semi、華海清科公司公告、天風證券研究所圖7：2013-2020中國大陸CMP市場空間變化(單位：億美元)資料來源：Semi、華海清科公司公告、天風證券研究所資料來源：Semi、前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、天風證券研究所程&工藝不斷進步，CMP設(shè)備需求不斷上升請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明7制程&工藝進步增加CMP次數(shù)，或為CMP設(shè)備提供增量空間。集成電路按制造工藝及應(yīng)用領(lǐng)域主要分為邏輯芯片、3DNAND閃存芯片、DRAM內(nèi)存芯片，上述三種芯片雖然在結(jié)構(gòu)及制造工藝上有明顯的區(qū)別，但無論哪種芯片的制造，都要求每層制造表面必須保持納米級全局平坦化，因此CMP都是其中必不可少的工序之一。隨著器件特征尺寸的縮小，需要更多的生產(chǎn)工序，其中90nm以下的制程生產(chǎn)工藝均在400個工序以上。芯片技術(shù)趨勢資料來源：安集科技招股書、天風證券研究所對于邏輯芯片而言，更先進的邏輯芯片會增加銅互連的層數(shù)進而增加銅及銅阻擋層等系列化學機械拋光的需求。例如14納米技術(shù)節(jié)點的邏輯芯片制造工藝所要求的CMP拋光步驟數(shù)將由180納米技術(shù)節(jié)點的10次增加到20次以上，而7納米及以下技術(shù)節(jié)點的邏輯芯片制造工藝所要求的CMP拋光步驟數(shù)甚至超過30次。圖10：CMP拋光步驟隨邏輯芯片技術(shù)進步增加(單位：次)資料來源：智研咨詢、天風證券研究所同樣，對于存儲芯片，以NAND芯片為例，由于平面微縮極限的到來，NAND芯片轉(zhuǎn)向3D結(jié)構(gòu)發(fā)展，存儲芯片的堆疊層數(shù)也從64層發(fā)展到128層以上，長江存儲在2020年發(fā)布了128層3DNAND，Intel在2020下半年發(fā)布144層3DNAND。隨著由2DNAND向3DNAND演進的技術(shù)變革，也會使CMP拋光步驟數(shù)近乎翻倍，帶動了CMP設(shè)備數(shù)量的增長。圖11：CMP拋光步驟隨存儲芯片技術(shù)進步增加(單位：次)行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明8資料來源：智研咨詢、天風證券研究所先進封裝技術(shù)的出現(xiàn)，為CMP提供增量。先進封裝技術(shù)得到空前發(fā)展，預計2025年采用先進封裝的晶圓數(shù)量(折合為12英寸，下同)可達4300萬片，為CMP創(chuàng)造新的需求增長點。隨著半導體技術(shù)不斷演進，進入“超越摩爾”時代，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)及預測，2019年采用先進封裝的晶元數(shù)量達到2900萬片，2025年可達4300萬片，CAGR為7%。在先進封裝領(lǐng)域，CMP被引入并大量使用。先進封裝中硅通孔(TSV)技術(shù)、扇出 (Fan-Out)技術(shù)、2.5D轉(zhuǎn)接板(interposer)、3DIC等將用到大量CMP工藝，這將成為CMP設(shè)備除IC制造領(lǐng)域外一個大的需求增長點。程資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所我們對中國大陸的CMP設(shè)備市場進行了測算，可得到2023年，CMP設(shè)備中國大陸的市場空間有望達到53.48億元，到2026年或?qū)⑦_到117.79億人民幣，主要基于以下假設(shè)：1)根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)顯示，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)規(guī)模2022年預計同比增長20%，半導體行業(yè)景氣度恢復并向好，同時根據(jù)集微咨詢，國內(nèi)存在大批新建晶圓廠，在新建晶圓廠的帶動下，半導體設(shè)備市場出現(xiàn)增量需求，因此我們預設(shè)2023-2026年中國大陸半導體設(shè)備市場規(guī)模達296.84、320.58、346.23、373.93億美元，yoy分別為5%、8%、8%、8%；2)伴隨著邏輯、功率芯片及先進封裝技術(shù)的不斷推進，CMP設(shè)備占半導體設(shè)備的投資額不斷上升，我們假定2023-2026年CMP半導體設(shè)備的投資額占比分別為3.00%、3.50%、.00%、4.50%。根據(jù)上述假設(shè)，我們計算得出了2023-26年大陸CMP設(shè)備的市場規(guī)模分別為53.48、78.54、yoy、21.50%。行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明9模(億美元)oyP%% (億美元)oy86%P (億元).80.35資料來源：國家發(fā)展與改革委員會、中商產(chǎn)業(yè)研究院、《化學機械拋光(CMP)設(shè)備市場概況》李丹、天風證券研究所注1：中美匯率按7：1進行計算CMP企業(yè)華海清科股份有限公司是一家擁有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的高端半導體設(shè)備制造商，主要從事半導體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為化學機械拋光(CMP)設(shè)備。公司于2013年成立；在2014年成功研發(fā)國產(chǎn)首臺12英寸CMP商業(yè)機型Universal300；在2015年承擔“國家02科技重大專項”；在2017年實現(xiàn)多型號機臺導入市場，并形成批量銷售，CMP設(shè)備市占率、進口替代率均位居國產(chǎn)IC裝備前列；2019年，CMP設(shè)備所在的客戶端生產(chǎn)線生產(chǎn)晶圓突破100萬片；2021年，研磨拋光裝備產(chǎn)業(yè)基地啟動使用，同時首臺十二英寸超精密晶圓減薄機進入客戶端驗證，至年末統(tǒng)計，2021年完成機臺制造數(shù)量超百臺；2022年CMP設(shè)備進入封裝領(lǐng)域國際頭部客戶，并成功登陸上交所科創(chuàng)板。資料來源：華海清科公司官網(wǎng)、天風證券研究所股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，公司實控人為四川省國資委。公司實際控制人為四川省國有資產(chǎn)管理委員會，間接持有公司25.37%的股份。第二大持股人為清津厚德(天津)科技合伙企業(yè)(有限合伙)，系公司股東、員工持股平臺。圖14：公司股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定(僅列出股權(quán)占比大于等于5%的股東)行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明10資料來源：wind、天風證券研究所注：截止至2023/07/21公司建立員工激勵持股計劃。公司在2023-2025年建立了員工激勵計劃，2023年的股權(quán)激勵授予的激勵對象人數(shù)為261人，約占公司員工總數(shù)的24.55%，包括公司(含控股子公司)任職的董事、高級管理人員、核心管理、技術(shù)(業(yè)務(wù))骨干?？己四繕朔譃槿齻€維度，其中對營業(yè)收入要求2021-2025年期間CAGR達41.42%。對應(yīng)考核年度考核目標 期 企 期 企 期 企 資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所公司下游客戶優(yōu)質(zhì)，涵蓋國內(nèi)眾多領(lǐng)先大生產(chǎn)線。公司所生產(chǎn)的CMP設(shè)備已廣泛應(yīng)用于中芯國際、長江存儲、華虹集團、大連英特爾、廈門聯(lián)芯、長鑫存儲、廣州粵芯、上海積塔等行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先集成電路制造企業(yè)的大生產(chǎn)線。領(lǐng)先集成電路制造客戶圖16：2019-2021三大優(yōu)質(zhì)客戶銷售情況(單位：百萬元)行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明11資料來源：華海清科公司公告、各公司官網(wǎng)、天風證券研究所資料來源：華海清科招股說明書(申報稿)、天風證券研究所2.2.公司技術(shù)水平優(yōu)異，產(chǎn)品范圍覆蓋半導體制造多個環(huán)節(jié)。公司定位高端半導體設(shè)備提供商，產(chǎn)品范圍覆蓋半導體制造多個環(huán)節(jié)。華海清科旗下產(chǎn)品與服務(wù)覆蓋CMP、減薄設(shè)備、供液系統(tǒng)、晶圓再生、關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)，在納米級拋光、納米精度膜厚在線檢測、納米顆粒超潔凈清洗、大數(shù)據(jù)分析及智能化控制等關(guān)鍵技術(shù)層面取得了有效突破和系統(tǒng)布局，開發(fā)出了Universal系列CMP設(shè)備、Versatile系列減薄設(shè)備、HSDS/HCDS系列供液系統(tǒng)、膜厚測量設(shè)備。主要產(chǎn)品及服務(wù)已廣泛應(yīng)用于集成電路、先進封裝、大硅片、第三代半導體、MEMS、MicroLED等制造工藝。Universal-150Smart、Universal-150W，功能涵蓋拋光、組合清洗等，可適用于12英寸或8英寸晶圓，能夠滿足集成電路、先進封裝、大硅片等制造工藝，并在上述領(lǐng)域客戶生產(chǎn)線中表現(xiàn)突出，技術(shù)指標和可靠性指標達到國際同類設(shè)備水平，實現(xiàn)了前道晶圓制造國產(chǎn)CMP裝備市場領(lǐng)先地位。/型號產(chǎn)品特征/應(yīng)用領(lǐng)域具有四個12英寸拋光單元和單套組合清洗單元，可配備7區(qū)拋lElE具具有四個12英寸拋光單元和雙套組合清洗單元，可集成多種終點Universal-300Dual檢測技術(shù)，滿足集成電路、先進封裝、大硅片等制造工藝。具有四個12英寸拋光單元和雙套組合清洗單元，配備7區(qū)拋光XX在在Universal-300X機型基礎(chǔ)上搭載了更先進的組合清洗技術(shù)，可Universal-300T滿足集成電路、先進封裝、大硅片等制造工藝。lB具有一個獨立的12英寸拋光單元，可兼容4-12英寸和多種材lB行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明12具有四個8具有四個8英寸拋光單元和單套組合清洗單元，可集成多種終點Universal-200Smar檢測技術(shù)，滿足集成電路、先進封裝、硅片、第三代半導體、MEMS、tMicroLED等制造工藝。英寸DD具有一個獨立的具有一個獨立的8英寸拋光單元，可兼容4-8英寸和多種材料，Universal-200滿足硅片、第三代半導體、MEMS等制造工藝。Smart三代半導體、W資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所公司減薄設(shè)備包括Versatile-GP300、Versatile-GM300兩款，涵蓋3DIC對超精密磨削、CMP及清洗三大功能，能夠滿足集成電路、先進封裝等制造工藝的晶圓減薄或薄型晶圓加工需求。/型號產(chǎn)品特征/應(yīng)用領(lǐng)域展請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明13資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所公司提供的其他半導體設(shè)備及服務(wù)包含供液系統(tǒng)、膜厚測量設(shè)備、晶圓再生及關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)。其中，供液系統(tǒng)能夠滿足半導體制造過程中濕法工藝設(shè)備的清洗液及研磨液等化學品的供應(yīng)需求；膜厚測量設(shè)備能夠?qū)u、Al、W、Co等金屬制程進行無損傷、高精度測量及自動化處理。型號產(chǎn)品特征/應(yīng)用領(lǐng)域系統(tǒng)S護便捷，具有高可靠性、安全性和，具有高可靠性、點。厚檢測設(shè)備靠、準確，同時測量數(shù)據(jù)可以進行自動化處理，主要制造芯片的過程中使用過的控擋片回收，將其工藝薄膜、金屬顆粒殘留等雜質(zhì)去除，使其達到關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)保服務(wù)關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)主要是向客戶的CMP設(shè)備提供設(shè)備關(guān)鍵易磨損零部件的維保、更新服務(wù)，以保證設(shè)備的穩(wěn)定運行。關(guān)鍵耗為客戶進行7分區(qū)拋光頭維保等。資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明143.公司營收連續(xù)實現(xiàn)高增公司營收&歸母凈利潤表現(xiàn)優(yōu)秀，兩項數(shù)字持續(xù)實現(xiàn)高增。公司2022年營收達16.49億元，同比+104.86%，近3年CAGR達98.45%，歸母凈利潤達5.02億元，同比+152.98%。公司2023年Q1實現(xiàn)營收6.16億，同比+76.87%，實現(xiàn)歸母凈利潤1.94億元，同比+112.49%。資料來源：wind、天風證券研究所Q歸母凈利潤資料來源：wind、天風證券研究所規(guī)模效應(yīng)結(jié)合產(chǎn)品不斷導入，公司毛利率&凈利率整體提升。公司2022年毛利率為47.72%，較2021年增長2.99pct，公司凈利率為30.42%，較2021年增長5.79pct，展現(xiàn)公司高成長性。公司2023年Q1實現(xiàn)毛利率46.66%，凈利率31.46%。雖然公司23年Q1毛利率較22年有所下降，但凈利率方面卻實現(xiàn)增長，展現(xiàn)公司成本控制能力。資料來源：wind、天風證券研究所分產(chǎn)品來看，公司主要營收來源為CMP設(shè)備，除2017年外，CMP設(shè)備占公司營收85%以上。同時，伴隨著公司產(chǎn)品不斷迭代升級與成功導入市場，CMP設(shè)備的毛利率實現(xiàn)快速增長，2022年CMP設(shè)備毛利率達47.65%。行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明15資料來源：wind、天風證券研究所資料來源：wind、天風證券研究所公司期間費用持續(xù)優(yōu)化。公司2022年期間費用率為24.63%，2023年Q1期間費用率持續(xù)下降至18.70%。研發(fā)費用方面，公司2020-2022年研發(fā)費用率維持在13%以上，2022年研發(fā)費用達2.17億，同比+89.87%。資料來源：wind、天風證券研究所公司預收款項/合同負債持續(xù)增長。公司2022年末實現(xiàn)預收款項/合同負債13.04億元，同比+67.38%；存貨23.61億元，同比+60.03%。2023Q1實現(xiàn)預收款項/合同負債13.34億，存貨23.05億。資料來源：wind、天風證券研究所公司經(jīng)營現(xiàn)金流與期末現(xiàn)金及期末現(xiàn)金等價物之和持續(xù)上升。其中，2022年經(jīng)營現(xiàn)金流從請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明16及現(xiàn)金等價物余額從5.98億元上升至19.8億元。公司2022年ROE-攤薄為10.47%，ROA-平均為9.24%。2023Q1公司經(jīng)營現(xiàn)金流及期末現(xiàn)金及等價物資料來源：同花順iFinD、天風證券研究所資料來源：同花順iFinD、天風證券研究所2.4.CMP設(shè)備技術(shù)水平優(yōu)異，或持續(xù)受益于國產(chǎn)替代公司CMP產(chǎn)品在國內(nèi)大生產(chǎn)線內(nèi)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)深度融合。公司研發(fā)的12英寸系列CMP設(shè)備在國內(nèi)已投產(chǎn)的12英寸大生產(chǎn)線上實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，截至招股書發(fā)布時，累計量產(chǎn)晶圓超1,300萬片，且其在邏輯芯片制造、3DNAND制造、DRAM制造等領(lǐng)域的工藝技術(shù)水平已分別突破至14nm、128層、1X/1Ynm，均為當前國內(nèi)大生產(chǎn)線的最高水平。表6：公司CMP設(shè)備應(yīng)用情況領(lǐng)域節(jié)點業(yè)應(yīng)用情況片制造用AND用用資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所公司CMP產(chǎn)品在直驅(qū)式拋光驅(qū)動技術(shù)、多區(qū)壓力調(diào)控拋光技術(shù)、歸一化拋光終點識別技術(shù)、基于智能控制的拋光技術(shù)、智能清洗技術(shù)、自適應(yīng)承載頭技術(shù)均處于國內(nèi)領(lǐng)先技術(shù)水CMP及水平評價品關(guān)鍵技術(shù)驅(qū)動技術(shù)技術(shù)的拋光技術(shù)術(shù)資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所公司同國際領(lǐng)先水平比較，在量產(chǎn)機型下(14納米以上)處于同一起跑線。公司可以實現(xiàn)28nm制程的成熟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，具備對行業(yè)龍頭公司產(chǎn)品實現(xiàn)國產(chǎn)替代的能力。請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明17方面材料CMP設(shè)備及相關(guān)耗材銷售、維生服務(wù)及解決方案，包統(tǒng)、半導體廠商全及相關(guān)業(yè)務(wù)精密機械，其中CMP設(shè)備業(yè)務(wù)屬務(wù)板塊程工藝水平技術(shù)最大晶圓尺寸實拋光頭技術(shù)力點已實現(xiàn)28nm制程的成熟產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用于最先進的5nm制程工藝應(yīng)用于部分材質(zhì)的5nm制程工藝7分區(qū)拋光頭7分區(qū)拋光頭7分區(qū)拋光頭驅(qū)驅(qū)動技術(shù)；電點檢測技術(shù)；提拉干技術(shù)；水平刷洗技術(shù)資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所公司研發(fā)團隊深厚，保障產(chǎn)品后續(xù)迭代。公司現(xiàn)任董事長兼首席科學家路新春先生擁有20多年CMP技術(shù)的研究經(jīng)驗，是國內(nèi)CMP技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化的重要推動者，任職清華大學機械工程系教授、首席研究員(2020年9月辦理離崗創(chuàng)業(yè))、長江學者特聘教授，其他核心技術(shù)團隊成員均有多年摩擦學國家重點實驗室研究工作經(jīng)歷或相關(guān)行業(yè)從業(yè)研究知識產(chǎn)權(quán)達356個，其中含發(fā)明專利156個。圖26：公司已獲批的知識產(chǎn)權(quán)一覽(截止至2022年報)(單位：個)資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所圖27：公司研發(fā)人員學歷結(jié)構(gòu)(截止至2022年報)(單位：個)資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所名稱階段到目標平應(yīng)用場景先進制程3DNAND研發(fā)先進制程3DNANDCMP設(shè)備與成套工藝，滿≥128層3DNAND芯片制造配的CMP成套工藝，滿足量產(chǎn)要求。DRAM芯片制造關(guān)鍵節(jié)點金屬CMP機術(shù)，研制滿足先進制程及工藝節(jié)點的金屬CMP機臺及工藝。輯先進拋光裝備項目先進拋光裝備項目產(chǎn)線驗證研制先進半導體領(lǐng)域?qū)Ｓ玫膾伖庠O(shè)備，滿足量產(chǎn)要國際先進第三代化合物請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明18先進CMP工藝項目工藝驗證突破先進制程CMP材料及工藝技術(shù)，具備先進制先進CMP工藝項目工藝驗證進制程邏輯水平芯片制造OxideCMP裝備研發(fā)用研制3DNANDOxideCMP裝備，滿足量產(chǎn)要求?！?28層3DNAND芯片制造算法的開發(fā)先進制程SAPC系統(tǒng)，提高算法的成電路CMP洗技術(shù)的CMP裝備研發(fā)CMPCMP后清洗能力，滿足各道先進制程應(yīng)用。資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所.背面減薄業(yè)務(wù)，充分受益于Chiplet與大算力芯片浪潮背面減薄工藝的作用是對已完成功能的晶圓的背面基體材料進行磨削，去掉一定厚度的材料以減少晶圓厚度。經(jīng)過背面研磨的晶圓厚度一般會從800-700?減少到80-70?。減薄到十分之一的晶圓能夠堆疊四到六層。后續(xù)經(jīng)過多次研磨，可以使得背面持續(xù)減薄，并堆疊更多晶圓。資料來源：宜錦科技官網(wǎng)、天風證券研究所資料來源：SK海力士官網(wǎng)、天風證券研究所全球減薄機市場規(guī)模不斷擴大，2018-2022年期間CAGR達18.67%。根據(jù)YHResearch統(tǒng)計，2022年減薄機市場空間為8.17億，同比+19.27%。其中，主要市場被Disco、東京精密(TokyoSeimitsu)等廠商所壟斷，前兩大廠商占比達到65%；下游應(yīng)用方面，減薄機主要下游為300mm的晶圓，占比高達80%。圖30：2018-2022全球減薄機市場空間(單位：億美元)請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明19資料來源：恒州誠思YHResearch公眾號、天風證券研究所資料來源：未來半導體公眾號、天風證券研究所注：競爭格局為2022年數(shù)據(jù)資料來源：恒州誠思YHResearch公眾號、天風證券研究所注：下游應(yīng)用占比為2022年數(shù)據(jù)為滿足IC先進封裝要求，在封裝整體厚度不變甚至減小的趨勢下，堆疊中各層芯片的厚度就不可避免地需要減薄，因此背面減薄工藝變得愈發(fā)重要。先進封裝的出現(xiàn)，讓業(yè)界看到了通過封裝技術(shù)推動芯片高密度集成、性能提升、體積微型化和成本下降的潛力。Chiplet滿足高性能計算(HPC)的定制硬件需求，大算力芯片浪潮或推動晶圓減薄設(shè)備市場空間提升。高性能計算是通過聚合計算能力提供強大的計算性能，目的是以極高速度Chiplet性能優(yōu)化資料來源：新華三官網(wǎng)、第一財經(jīng)、英特爾官網(wǎng)、芯智訊、半導體芯聞公眾號、天風證券研究所行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明20下游先進封裝與高性能計算的浪潮或持續(xù)推動減薄機市場空間進一步增長。根據(jù)Yole預測，全球先進封裝市場規(guī)模將由2022年的443億美元，增長到2028年的786億美元，年復合成長率為10.6%。資料來源：Yole、半導體行業(yè)觀察公眾號、天風證券研究所我們對中國大陸的減薄機器市場進行了測算，可得到2023年，減薄設(shè)備在中國大陸的市場空間為32.21億元，到2026年將達到44.50億美元，主要基于以下假設(shè)：1)根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)顯示，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)規(guī)模2022年同比增長20%，半導體行業(yè)景氣度恢復并向好，同時根據(jù)集微咨詢，國內(nèi)存在大批新建晶圓廠，在新建晶圓廠的帶動下，半導體設(shè)備市場出現(xiàn)增量需求，因此我們預設(shè)2023-2026年中國大陸半導體設(shè)備市2)2023-2025年，受先進封裝催化，減薄設(shè)備市場占半導體設(shè)備市場規(guī)模逐漸增長，分根據(jù)上述假設(shè)，我們計算得出了2023-26年中國大陸減薄機設(shè)備的市場規(guī)模分別為32.21、場規(guī)模(億美元)oy (億美元)yoy% (億元).50資料來源：國家發(fā)展與改革委員會、中商產(chǎn)業(yè)研究院、恒州誠思YHResearch公眾號、天風證券研究所注1：中美匯率按7：1計算公司減薄設(shè)備已通過驗證，實現(xiàn)量產(chǎn)機臺出貨。技術(shù)水平方面，Versatile-GP300是業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)12英寸晶圓超精密磨削和CMP全局平坦化的有機整合集成設(shè)備，穩(wěn)定實現(xiàn)12英寸晶圓片內(nèi)磨削TTV＜1um，達到了國內(nèi)領(lǐng)先和國際先進水平。表11：公司在研減薄項目對標國際先進水平行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明21名稱階段到目標平應(yīng)用場景發(fā)項目研發(fā)先進制程IC后道工序中的晶圓背面超精密減求。造超精研發(fā)攻克超精密減薄關(guān)鍵核心技術(shù)，研制出12吋超精資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所12：公司超精密減薄核心技術(shù)技術(shù)名稱源形置的檢測步驟，基于人工智能技術(shù)，構(gòu)建磨拋參數(shù)與晶圓面形智能模型，精確性。薄緩存部在集成設(shè)備空間的磨削單元和化學機械拋光單元之間傳輸晶圓，并具有固機構(gòu)和水平移動機構(gòu)，定心機構(gòu)設(shè)置在固定機構(gòu)上以將放置于固定機構(gòu)的基固定機構(gòu)同心的位置，固定機構(gòu)與水平移動機構(gòu)連接以使固定機構(gòu)帶載基板水薄術(shù)械拋光之前測量的晶圓的厚度分布與歷史大數(shù)據(jù)的比較分析，通過機器學習調(diào)晶圓的各分區(qū)的初試加載，同時根據(jù)對晶圓進行化學機械拋光期間在線測量的資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所3.2.參股公司進入離子注入賽道“純半導體”由硅素制成，導電性能很差，但通過添加雜質(zhì),可以使其電流流動,具有導電性的上述過程則被稱之為摻雜。摻雜的主要工藝有兩種：熱擴散與離子注入。但隨著芯片制程工藝不斷上升，集成度越來越高，尺寸越來越小，雜質(zhì)在硅片中擴散的濃度、深度和分布范圍都需要更精確地控制，所以小尺寸的芯片現(xiàn)在都采用離子注入工藝。資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、微電子制造公眾號、天風證券研究所總的來說，離子注入機包含五大結(jié)構(gòu)：離子源、離子引入和質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔。其中僅離子源中就涵蓋起弧室、氣化噴嘴、電爐、氣體導入室、DI冷卻水入口、摻雜劑氣體入口等。行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明22資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、微電子制造公眾號、天風證券研究所資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、微電子制造公眾號、天風證券研究所中度極高。根據(jù)Semi數(shù)據(jù)，按品牌來看，2021年70%的市場空間被應(yīng)用材料所占有，Axceils占有剩余20%的市場空間，其他廠商僅僅占10%的市場空間。根據(jù)不同的用途，離子注入機又按照不同的能量和束流指標，分為低能大束流離子注入機、高能離子注入機和中低束離子注入機。在芯片制程越來越小的情況下，離子注入的深度要求也在相應(yīng)減少，用于淺層摻雜的低能大束流離子機越發(fā)成為主流。據(jù)Gartner數(shù)據(jù)披露，2021年低能大束流離子注入機占離子注入機市場總份額的61%，中低束流離子注入機和高能離子注入機分別占20%和18%。圖38：市場競爭格局(按品牌分)資料來源：Semi、前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、微電子制造公眾號、天風證券研究所注：圖上數(shù)據(jù)為2021年數(shù)據(jù)圖39：市場競爭格局(按類別分)資料來源：Gartner、前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、微電子制造公眾號、天風證券研究所注：圖上數(shù)據(jù)為2021年數(shù)據(jù)我們對中國大陸的離子注入設(shè)備市場進行了測算，可得到2023年，離子注入設(shè)備在中國大陸的市場空間為44.67億元，到2026年將達到61.51億元，主要基于以下假設(shè)：1)根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)顯示，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)規(guī)模預計2022年預計同比增長20%，半導體行業(yè)景氣度恢復并向好，同時根據(jù)集微咨詢，國內(nèi)存在大批新建晶圓廠，在新建晶圓廠的帶動下，半導體設(shè)備市場出現(xiàn)增量需求，因此我們預設(shè)2023-2026年中國大陸半導體設(shè)備市場規(guī)模達296.84、320.58、346.23、373.93億美元，yoy分別為5%、2)2023-2026，離子注入設(shè)備市場占半導體設(shè)備市場規(guī)模逐漸增長，分別為2.15%、2.18%、2.35%；根據(jù)上述假設(shè)，我們計算得出了2023-26年大陸離子注入設(shè)備的市場規(guī)模分別為44.67、行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明23 (億美元)0483oy流離子注入設(shè)備占比%%%離子注入設(shè)備中國間oy%%%%%oy%設(shè)備占比%%%備中國大陸市oy%%離子注入設(shè)備市場空間(億美元)yoy%%%%離子注入設(shè)備市場空間(億元).96.35.67.92資料來源：半導體材料與工藝公眾號、國家發(fā)展與改革委員會、華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、微電子制造公眾號、天風證券研究所注：中美匯率按7：1計算3.3.1.CMP設(shè)備相關(guān)耗材及維保服務(wù)公司經(jīng)營耗材及維保服務(wù)包含多分區(qū)拋光頭(Head)、CMP保持環(huán)(RetainerRing)等。?拋光頭：用于晶圓拋光的設(shè)備，拋光頭的維保、更換主要取決于客戶端的具體工作種類，通常在進行2000片或以上拋光后需要進行維保、更換操作。?CMP保持環(huán)：用于CMP拋光工藝過程中固定晶圓，把邊緣的拋光墊和晶圓以下的拋光墊壓平到同一高度，可有效解決“過磨”問題。行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明24資料來源：艾邦半導體網(wǎng)公眾號、天風證券研究所3.3.2.晶圓再生業(yè)務(wù)晶圓再生，即將集成電路制造廠商在制造芯片的過程中使用過的控擋片回收，將其工藝薄膜、金屬顆粒殘留等雜質(zhì)去除，使其能夠再次使用。半導體硅片是硅材料是用途最廣泛的半導體材料。截至2022年2月，全世界90%以上的半導體器件、95%以上的集成電路是用硅材料制作的。按照作用劃分，半導體硅片主要可以分為兩大類：第一類是正片，主要包括拋光片、外延片等；另一類則是測試片，主要包括控片、擋片，主要作用是監(jiān)控產(chǎn)線上的機器設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性，判斷制程能力是否穩(wěn)定、生產(chǎn)環(huán)境是否潔凈。資料來源：電子新材料公眾號、天風證券研究所本土晶圓再生廠商接近空白，國產(chǎn)替代空間廣泛。當前全球再生晶圓市場和產(chǎn)能高度集中于日本和中國臺灣，根據(jù)電子新材料公眾號，2020年全球再生晶圓市場中，日本的RSTechnologies、中國臺灣的中砂、辛耘、升陽等企業(yè)控制著全球80%的市場份額。行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明25資料來源：電子新材料公眾號、天風證券研究所注1：本圖為2020年數(shù)據(jù)下游晶圓廠紛紛投產(chǎn)，半導體耗材與維保市場有望迎來增量需求。根據(jù)集微咨詢統(tǒng)計，截至2022年5月，中國大陸地區(qū)共有23座12英寸晶圓廠正在投產(chǎn)，總產(chǎn)能約為104.2萬片/月，與總規(guī)劃月產(chǎn)能156.5萬片/相比，這些晶圓產(chǎn)能裝載率僅達到66.58%，仍然有較大的擴產(chǎn)空間。集微咨詢預計中國大陸地區(qū)未來5年(2022-2026年)還將新增25座中國大陸地區(qū)12英寸晶圓廠的總月產(chǎn)能將超過276.3萬片，相比目前提高165.1%。未來五年，2022年投產(chǎn)的12英寸晶圓廠數(shù)量最多，年底將有6座順利投產(chǎn)。持續(xù)增加的晶圓廠數(shù)量，為耗材與維保服務(wù)帶來新的增量空間。同時CMP步驟的不斷增多，有望給CMP耗材及維保服務(wù)市場帶來增量。圖43：2021-2022中國大陸地區(qū)12英寸晶圓廠產(chǎn)能(萬片/月)資料來源：集微網(wǎng)、C114通信網(wǎng)、天風證券研究所圖44：2017-2026中國大陸地區(qū)12英寸增量預測(座)資料來源：集微網(wǎng)、C114通信網(wǎng)、天風證券研究所此外，國內(nèi)廠商相對于國外設(shè)備商具備距離下游客戶更近的地理分布，因此能夠更好地滿足客戶需求并降低運輸成本。公司在零部件板塊的在研項目技術(shù)水平瞄準國際先進水平，能夠滿足產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。對于晶圓再生業(yè)務(wù)，其工藝流程主要是對控、擋片進行去膜、粗拋、精拋、清洗、檢測等工序處理，使其表面平整化、無殘留顆粒。而精拋與部分清洗的業(yè)務(wù)是通過CMP設(shè)備完成，公司已積攢豐富經(jīng)驗，能提供制程先進、良品率高的晶圓再生服務(wù)。表14：公司在零部件板塊的在研項目瞄準國際先進水平(截至2022年底)名稱展或階段性成果到目標平應(yīng)用場景目用電路設(shè)備相關(guān)核心零部件，滿備件項目先進零部件，通過集成驗證與足集成電路精密制造需求備請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明26資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所3.3.3.公司其他業(yè)務(wù)清洗是晶圓加工制造中的重要一環(huán)，晶圓在進入每道工藝之前表面必須是潔凈的，故需經(jīng)過重復多次清洗步驟，除去其表面的顆粒、有機物、金屬雜質(zhì)及自然氧化層等類型的污染物，其可歸納為濕法和干法兩種。濕法清洗是目前主流技術(shù)路線，占芯片制造清洗步驟數(shù)量的90%以上。工序的不斷增加，帶動了清洗設(shè)備的需求。隨著晶圓制造工藝不斷向精密化方向發(fā)展，芯片結(jié)構(gòu)的復雜度不斷提高，芯片對雜質(zhì)含量的敏感度也相應(yīng)提高，微小雜質(zhì)將直接影響到芯片產(chǎn)品的良率。而在芯片制造的數(shù)百道工序中，不可避免地會產(chǎn)生或者接觸到大量的微小污染物，為最大限度地減少雜質(zhì)對芯片良率的影響，當前的芯片制造流程在光刻、刻蝕、沉積等重復性工序后均設(shè)置了清洗工序，清洗步驟數(shù)量約占所有芯片制造工序步驟的30%以上，是所有芯片制造工藝步驟中占比最大的工序，而且隨著技術(shù)節(jié)點的繼續(xù)進步，清洗工序的數(shù)量和重要性將繼續(xù)隨之提升，在實現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，對清洗設(shè)備的圖45：工藝的不斷提升將持續(xù)增加清洗步驟(單位：次數(shù))資料來源：MIR睿工業(yè)公眾號、天風證券研究所表15：公司在研清洗項目對標國際先進水平(截至2022年底)名稱階段到目標平應(yīng)用場景FinalClean單片清洗機片清洗機關(guān)鍵系統(tǒng)及核心部件，提高整備資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所表16：公司在濕法清洗方面具備的核心技術(shù)技術(shù)名稱源馬蘭戈尼干燥技術(shù)自主研發(fā)準確噴射至晶圓表面形成完整的螺旋液流膜并將干燥氣體噴射覆蓋所述三術(shù)行業(yè)報告|行業(yè)深度研究請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責申明27資料來源：華海清科公司公告、天風證券研究所金屬薄膜膜厚檢測是工藝控制環(huán)節(jié)的一部分，其是保證芯片生產(chǎn)良品率非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。集成電路生產(chǎn)過程步驟繁多，工藝復雜，每一道工序的良品率都要保持幾乎“零缺陷”才能保證最終芯片的良品率，因此檢測(Inspection