![電工與電子考試試卷試題庫附答案_第1頁](http://file4.renrendoc.com/view/e047f9f626f38bb1c58857375e2dfccf/e047f9f626f38bb1c58857375e2dfccf1.gif)
![電工與電子考試試卷試題庫附答案_第2頁](http://file4.renrendoc.com/view/e047f9f626f38bb1c58857375e2dfccf/e047f9f626f38bb1c58857375e2dfccf2.gif)
![電工與電子考試試卷試題庫附答案_第3頁](http://file4.renrendoc.com/view/e047f9f626f38bb1c58857375e2dfccf/e047f9f626f38bb1c58857375e2dfccf3.gif)
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PAGEPAGE三××××職業(yè)技術(shù)學(xué)院二零零×~二零零×三學(xué)年第×學(xué)期《電工與電子》(×)試題題號一二三四五六七總分得分姓名學(xué)號班級一,填空題(每空一分,二四分)一,純凈半導(dǎo)體材料摻入三價(jià)雜質(zhì)無素,可得到P型半導(dǎo)體,其多子為空穴,少子為自由電子,定域地離子帶負(fù)電。二,P區(qū)與N區(qū)之間界處地空間電荷區(qū)又稱為PN結(jié),具有單向?qū)щ?。?光電二極管通常工作在反向截止區(qū);發(fā)光二極管工作應(yīng)正向偏置,且導(dǎo)通電壓在一.三V以上;穩(wěn)壓二極管正常工作時(shí)應(yīng)在反向擊穿區(qū)。四,雙極型三極管屬于電流控制器件;單極型三極管屬于電壓控制器件。五,組合邏輯電路地基本單元是門電路;時(shí)序邏輯電路地基本單元是觸發(fā)器。六,理想集成運(yùn)放地條件是:①開環(huán)電壓放大位數(shù)∞,差模輸入電阻∞,輸出電阻零,模抑制比∞。七,最小項(xiàng)方塊圖又稱為卡諾圖,三變量地最小項(xiàng)最多有八個。八,用四位移位寄存器構(gòu)成環(huán)形計(jì)數(shù)器時(shí),有效狀態(tài)有四個;若構(gòu)成扭環(huán)形計(jì)數(shù)器,則有效狀態(tài)則有八個。構(gòu)成一個六制計(jì)數(shù)器至少需要三位觸發(fā)器。九,((三六五)一零=(一零一一零一一零一)二=(五五五)八=(一六D)一六一零,(一一一零一)二=(二九)一零=(三五)八=(一D)一六二,判斷正誤題(每小題一分,八分)一,PN結(jié)正向偏置時(shí)內(nèi)電場與外電場方向一致。(錯)二,本征激發(fā)運(yùn)動形成自由電子載流子,復(fù)合運(yùn)動形成空穴載流子。(對)三,具有"置零,置一,保持與翻轉(zhuǎn)"功能地是JK觸發(fā)器。(對)四,用萬用表測試二極管或晶體管地好壞與極時(shí),應(yīng)選擇R×一K歐姆檔。(對)五,射放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)過高時(shí)易造成飽與失真,輸出電壓呈上削波。(錯)六,八四二一BCD碼實(shí)際上就是二制數(shù)碼,對應(yīng)二制數(shù)零零零零~一一一一。(錯)七,分析非線集成運(yùn)放時(shí),不能應(yīng)用"虛短"結(jié)論。(錯)八,編碼器電路地輸入量是機(jī)器識別地二制數(shù)碼。(錯)三,單項(xiàng)選擇題(每小題二分,二零分)一,具有"相異出一,相同出零"功能地門電路一定是(D)A,與門B,或門C,非門D,異或門二,具有保持,翻轉(zhuǎn)兩種功能地觸發(fā)器是(C)。A,D觸發(fā)器B,JK觸發(fā)器C,T觸發(fā)器D,Tˊ觸發(fā)器三,穩(wěn)壓二極管地正常工作狀態(tài)是(C)A,導(dǎo)通狀態(tài)B,截止?fàn)顟B(tài)C,反向擊穿狀態(tài)D,任意狀態(tài)四,測得NPN型三極管上各電極對地電位分別為VE=二.一V,VB=二.八V,VC=四.四V,說明此三極管處在(A)。A,放大狀態(tài)B,飽與狀態(tài)C,截止?fàn)顟B(tài)五,絕緣柵型場效應(yīng)管地輸入電流(C)A,較大B,較小C,為零D,無法判斷六,有空翻現(xiàn)象地觸發(fā)器為(C)A,主從結(jié)構(gòu)觸發(fā)器B,維持阻塞觸發(fā)器C,鐘控RS觸發(fā)器七,由四位D觸發(fā)器構(gòu)成地移位寄存器屬于(C)。A,組合邏輯電路B,異步時(shí)序邏輯電路C,同步時(shí)序邏輯電路八,七四LS一九四集成電路是(C)。A,計(jì)數(shù)器B,數(shù)碼寄存器C,移位寄存器九,發(fā)射極放大電路地反饋元件是(B)。A,電阻RBB,電阻REC,電阻RC一零,集電極放大電路屬于典型地(B)電路。A,電流串聯(lián)負(fù)反饋B,電壓串聯(lián)負(fù)反饋四,簡答題(每小題三分,一五分)一,齊納擊穿與雪崩擊穿地特點(diǎn)是什么?它們能否造成二極管地永久損壞?為什么?答:雪崩擊穿是一種碰撞地?fù)舸?齊納擊穿屬于場效應(yīng)地?fù)舸?這兩種擊穿均屬于電擊穿類型。只要是電擊穿,一般過程可逆,只要限制在一定地?fù)舸┓秶ǔ2粫斐蒔N結(jié)地永久損壞。如果上述兩種擊穿不加任何限制而持續(xù)增強(qiáng)時(shí),由于PN結(jié)上地?zé)崃糠e累就會造成熱擊穿,熱擊穿過程不可逆,可造成二極管地永久損壞。二,試述計(jì)數(shù)器地"自啟動能力"?答:計(jì)數(shù)器啟動后,可由任意狀態(tài)轉(zhuǎn)入自動循環(huán)體地能力稱為"自啟動能力"。三,半導(dǎo)體與導(dǎo)體地導(dǎo)電機(jī)理有何不同?單極型與雙極型晶體管地導(dǎo)電情況又有何不同?答:金屬導(dǎo)體導(dǎo)電時(shí),只有自由電子一種載流子參與導(dǎo)電,而半導(dǎo)體導(dǎo)電時(shí),同時(shí)有空穴與自由電子兩種載流子參與導(dǎo)電。單極型晶體管只有多子參與導(dǎo)電,雙極型晶體管多子與少子是同時(shí)參與導(dǎo)電地。四,組合邏輯電路與時(shí)序邏輯電路地主要區(qū)別是什么?同步時(shí)序邏輯電路與異步時(shí)序邏輯電路地區(qū)別是什么?答:組合電路地基本單元是門電路,其輸出次態(tài)僅取決于輸入現(xiàn)態(tài),不具有記憶,時(shí)序邏輯電路地基本單元是觸發(fā)器,其輸出次態(tài)不僅取決于輸入現(xiàn)態(tài),還與輸出現(xiàn)態(tài)有關(guān),即具有記憶;同步時(shí)序邏輯電路各觸發(fā)器受同一時(shí)鐘脈沖地控制,異步時(shí)序邏輯電路各觸發(fā)器地時(shí)鐘脈沖控制端不同。五,若射放大電路地輸出波形同時(shí)出現(xiàn)上,下削波時(shí),是否說明靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置地不合適?為什么?答:若電路輸出波形同時(shí)出現(xiàn)上,下削波時(shí),說明靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置地比較合適,只是輸入地流信號超出了小信號范圍。五,計(jì)算與分析設(shè)計(jì)題(二八分)一,下圖所示分壓式偏置射放大電路,已知UCC=一二V,RC=二.四KΩ,RB一=六零KΩ,RB二=二零KΩ,RE=一KΩ,β=五零。求靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ,ICQ與UCEQ。(八分)++一二VRCRB一C一C二++uiu零RB二RECE解:二,用代數(shù)法或卡諾圖法化簡下列邏輯函數(shù)(六分)(一)解:(二)解:三,一MΩ∞U零一零V++-一MΩ∞U零一零V++-RxV解:此電路為反相輸入比例運(yùn)算電路。四,對下圖所示電路行分析,指出其電路功能。(八分)RRDCPQQDQ零QQDQ一QQDQ二QQDQ三解:①驅(qū)動方程:四位觸發(fā)器均為D 觸發(fā)器,D零=CP,D一=Q零n,D二=Q一n,D零=Q二n次態(tài)方程:Q零n+一=D零n=CP
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