湖南省長(zhǎng)沙市橋驛鎮(zhèn)橋驛中學(xué)高三物理知識(shí)點(diǎn)試題含解析

湖南省長(zhǎng)沙市橋驛鎮(zhèn)橋驛中學(xué)高三物理知識(shí)點(diǎn)試題含解析一、選擇題：本題共5小題，每小題3分，共計(jì)15分．每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意1.x軸上有兩個(gè)點(diǎn)電荷Q1和Q2，Q1和Q2之間連線上各點(diǎn)電勢(shì)高低如圖曲線所示，選無(wú)窮遠(yuǎn)處電勢(shì)為零，從圖中可以看出（A）Q1的電荷量小于Q2的電荷量（B）Q1和Q2一定是異種電荷（C）P處的電場(chǎng)強(qiáng)度為零（D）Q1和Q2之間連線上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度方向都指向Q2參考答案：BD2.（單選）一簡(jiǎn)諧橫波沿x軸的正方向傳播，周期為0．4s，在t=o時(shí)刻的波形如圖所示，p和Q分別為x=3m和x=4m的兩個(gè)質(zhì)點(diǎn)，則下列說(shuō)法正確的是A．該波的波速為5m／sB．Q的加速度為零C．P的振動(dòng)方向沿y軸正方向D．Q的振動(dòng)方程為y=0．4cos5t(m)參考答案：D3.（1）下列說(shuō)法正確的是

A．液體表面張力的方向與液面垂直并指向液體內(nèi)部B．單晶體有固定的熔點(diǎn)，多晶體沒(méi)有固定的熔點(diǎn)C．單晶體中原子（或分子、離子）的排列具有空間周期性D．通常金屬在各個(gè)方向的物理性質(zhì)都相同，所以金屬是非晶體E．液晶具有液體的流動(dòng)性，同時(shí)具有晶體的各向異性特征（2）一豎直放置、缸壁光滑且導(dǎo)熱的柱形氣缸內(nèi)盛有一定量的氮?dú)?，被活塞分隔成Ⅰ、Ⅱ兩部分；達(dá)到平衡時(shí)，這兩部分氣體的體積相等，上部氣體的壓強(qiáng)為PⅠ0，如圖（a）所示，若將氣缸緩慢倒置，再次達(dá)到平衡時(shí)，上下兩部分氣體的體積之比為3:1，如圖（b）所示。設(shè)外界溫度不變，已知活塞面積為S，重力加速度大小為g，求活塞的質(zhì)量。參考答案：(1)CE(4分。選對(duì)1個(gè)給2分，選對(duì)2個(gè)給4分;有選錯(cuò)的不給這4分)(2)(8分)設(shè)活塞的質(zhì)量為m，氣缸倒置前下部氣體的壓強(qiáng)為，倒置后上下氣體的壓強(qiáng)分別為、，由力的平衡條件有倒置過(guò)程中，兩部分氣體均經(jīng)歷等溫過(guò)程，設(shè)氣體的總體積為V0，由玻意耳定律得解得

4.(多選下列說(shuō)法中正確的是.A.光的干涉和衍射說(shuō)明光是橫波B.自然光在水面反射時(shí),反射光和折射光都是一定程度的偏振光C.在真空中電磁波的頻率越高,傳播速度越大D.在不同慣性系中,光在真空中沿不同方向的傳播速度相同參考答案：BD5.下列現(xiàn)象中，與原子核內(nèi)部變化有關(guān)的是（

）A、光電效應(yīng)現(xiàn)象

B、原子發(fā)光現(xiàn)象C、天然放射現(xiàn)象

D、陰極射線打到金屬上從金屬中發(fā)出X射線參考答案：C二、填空題：本題共8小題，每小題2分，共計(jì)16分6.如圖為“電流天平”，可用于測(cè)定磁感應(yīng)強(qiáng)

度。在天平的右端掛有一矩形線圈，設(shè)其匝數(shù)n=5匝，底‘

邊cd長(zhǎng)L=20cm，放在垂直于紙面向里的待測(cè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，

且線圈平面與磁場(chǎng)垂直。當(dāng)線圈中通入如圖方向的電流

I=100mA時(shí)：調(diào)節(jié)砝碼使天平平衡。若保持電流大小不變；

使電流方向反向，則要在天平右盤(pán)加質(zhì)量m=8.2g的砝碼，

才能使天平再次平衡。則cd邊所受的安培力大小為_(kāi)_____N，

磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B

的大小為_(kāi)_________T。參考答案：7.密閉在鋼瓶中的理想氣體，溫度升高時(shí)壓強(qiáng)增大。從分子動(dòng)理論的角度分析，這是由于分子熱運(yùn)動(dòng)的________增大了。該氣體在溫度T1、T2時(shí)的分子速率分布圖象如圖所示，則T1________(選填“大于”或“小于”)T2。參考答案：(2)平均動(dòng)能小于8.某探究學(xué)習(xí)小組的同學(xué)要驗(yàn)證“牛頓第二定律”，他們?cè)趯?shí)驗(yàn)室組裝了一套如圖所示的裝置，水平軌道上安裝兩個(gè)光電門(mén)，小車(chē)上固定有力傳感器和擋光板，細(xì)線一端與力傳感器連接另一端跨過(guò)定滑輪掛上砝碼盤(pán)。實(shí)驗(yàn)首先保持軌道水平，通過(guò)調(diào)整砝碼盤(pán)里砝碼的質(zhì)量讓小車(chē)做勻速運(yùn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)平衡摩擦力，再進(jìn)行后面的操作，并在實(shí)驗(yàn)中獲得以下測(cè)量數(shù)據(jù)：小車(chē)、傳感器和擋光板的總質(zhì)量M，平衡摩擦力砝碼和砝碼盤(pán)的總質(zhì)量，擋光板的寬度d，光電門(mén)1和2的中心距離為s。①該實(shí)驗(yàn)是否需要滿足砝碼和砝碼盤(pán)的總質(zhì)量遠(yuǎn)小于小車(chē)的質(zhì)量？

（填“需要”或“不需要”）

①實(shí)驗(yàn)需用游標(biāo)卡尺測(cè)量擋光板的寬度d，如圖所示d=

mm。

②某次實(shí)驗(yàn)過(guò)程：力傳感器的讀數(shù)為F，小車(chē)通過(guò)光電門(mén)1和2的當(dāng)光時(shí)間分別為t1、t2（小車(chē)通過(guò)光電門(mén)2后，砝碼盤(pán)才落地），已知重力加速度為g，則該實(shí)驗(yàn)要驗(yàn)證的表達(dá)式是

。參考答案：9.如圖，兩光滑斜面在B處連接，小球自A處?kù)o止釋放，經(jīng)過(guò)B、C兩點(diǎn)時(shí)速度大小分別為3m/s和4m/s，AB=BC．設(shè)球經(jīng)過(guò)B點(diǎn)前后速度大小不變，則球在AB、BC段的加速度大小之比為9：7，球由A運(yùn)動(dòng)到C的過(guò)程中平均速率為2.1m/s．參考答案：考點(diǎn)：平均速度．專題：直線運(yùn)動(dòng)規(guī)律專題．分析：根據(jù)和加速度的定義a==，=解答．解答：解：設(shè)AB=BC=x，AB段時(shí)間為t1，BC段時(shí)間為t2，根據(jù)知AB段：，BC段為=則t1：t2=7：3，根據(jù)a==知AB段加速度a1=，BC段加速度a2=，則球在AB、BC段的加速度大小之比為9：7；根據(jù)=知AC的平均速度===2.1m/s．故答案為：9：7，2.1m/s．點(diǎn)評(píng)：本題考查基本概念的應(yīng)用，記住和加速度的定義a==，=．10.如圖，長(zhǎng)方形線框abcd通有電流I，放在直線電流I'附近，線框與直線電流共面，則下列表述正確的是

A.線圈四個(gè)邊都受安培力作用，它們的合力方向向左B.只有ad和bc邊受安培力作用，它們的合力為零C.ab和dc邊所受安培力大小相等，方向相同D.線圈四個(gè)邊都受安培力作用，它們的合力為零參考答案：A11.如圖所示，在空氣阻力可忽略的情況下，水平管中噴出的水柱顯示了水流做

▲

（填“平拋運(yùn)動(dòng)”或“圓周運(yùn)動(dòng)”）的軌跡．參考答案：12.有一半徑為r1，電阻為R，密度為ρ的均勻圓環(huán)落入磁感應(yīng)強(qiáng)度B的徑向磁場(chǎng)中，圓環(huán)截面的半徑為r2（r2?r1）。如圖所示，當(dāng)圓環(huán)在加速下落到某一時(shí)刻時(shí)的速度為v，則此時(shí)圓環(huán)的加速度a＝________，如果徑向磁場(chǎng)足夠長(zhǎng)，則圓環(huán)的最大速度vm＝[jf26]

_________。參考答案：．a(chǎn)＝g－，vm＝13.如圖所示，由導(dǎo)熱材料制成的氣缸和活塞將一定質(zhì)量的理想氣體封閉在氣缸內(nèi)，活塞與氣缸壁之間無(wú)摩擦，活塞上方存有少量液體，將一細(xì)管插入液體，利用虹吸現(xiàn)象，使活塞上方液體緩慢流出，在此過(guò)程中，大氣壓強(qiáng)與外界的溫度均保持不變，下列各個(gè)描述理想氣體狀態(tài)變化的圖象中與上述過(guò)程相符合的是

圖，該過(guò)程為

過(guò)程。（選填“吸熱”、“放熱”或“絕熱”）參考答案：D

吸熱氣體做等溫變化，隨著壓強(qiáng)減小，氣體體積增大。A、B圖中溫度都是變化的；等溫情況下，PV＝C，圖象是一條過(guò)原點(diǎn)的直線，故圖D正確。故選D。該過(guò)程中，體積增大，氣體對(duì)外界做功，W＜0，等溫變化，所以Q＞0，氣體要吸收熱量。三、簡(jiǎn)答題：本題共2小題，每小題11分，共計(jì)22分14.（6分）如圖所示，一氣缸豎直放置，用一質(zhì)量為m的活塞在缸內(nèi)封閉了一定量的理想氣體，在氣缸的底部安裝有一根電熱絲，用導(dǎo)線和外界電源相連，已知汽缸壁和活塞都是絕熱的，汽缸壁與活塞間接觸光滑且不漏氣。現(xiàn)接通電源，電熱絲對(duì)缸內(nèi)氣體緩慢加熱。

①關(guān)于汽缸內(nèi)氣體，下列說(shuō)法正確的是

。A．單位時(shí)間內(nèi)氣缸單位面積上氣體分子撞擊次數(shù)減少B．所有分子的速率都增加C．分子平均動(dòng)能增大D．對(duì)外做功，內(nèi)能減少②設(shè)活塞橫截面積為S，外界大氣壓強(qiáng)為p0，電熱絲熱功率為P，測(cè)得通電t時(shí)間內(nèi)活塞緩慢向上移動(dòng)高度h，求：（Ⅰ）汽缸內(nèi)氣體壓強(qiáng)的大??；（Ⅱ）t時(shí)間缸內(nèi)氣體對(duì)外所做的功和內(nèi)能的變化量。參考答案：AC（2分）；（4分）15.“水立方”國(guó)家游泳中心是北京為2008年夏季奧運(yùn)會(huì)修建的主游泳館．水立方游泳館共有8條泳道的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)比賽用游泳池，游泳池長(zhǎng)50m、寬25m、水深3m．設(shè)水的摩爾質(zhì)量為M＝1.8×10-2kg／mol，試估算該游泳池中水分子數(shù)．參考答案：1.3×1032個(gè)解：游泳池中水的質(zhì)量為m，阿伏加德羅常數(shù)為，游泳池中水的總體積為。則游泳池中水的物質(zhì)的量為；所含的水分子數(shù)為個(gè)四、計(jì)算題：本題共3小題，共計(jì)47分16.靜止的氮核被速度為的中子擊中生成碳核和另一種原子核甲，已知與甲核的速度方向與碰撞前中子的速度方向一致，碰后核與甲核的動(dòng)量之比為2：1．

①寫(xiě)出核反應(yīng)方程式。

②求與甲核的速度各是多大?參考答案：①+→+（2分）②設(shè)中子質(zhì)量為m0，核質(zhì)量mC，甲核質(zhì)量為m甲，由動(dòng)量守恒得………（1分）即m0v0=12m0vC+3m0v甲又因?yàn)榕c甲核動(dòng)量比為2:l，所以m0vC=2m甲v甲（1分）即12m0vC=2×3m0v甲聯(lián)立求得：……………（1分）

……………（1分）17.空間存在兩個(gè)場(chǎng)區(qū)，一個(gè)是以虛線為邊界、O點(diǎn)為圓心的半徑為R勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，在磁場(chǎng)區(qū)域的右邊有一個(gè)勻強(qiáng)電電場(chǎng)區(qū)域，其寬度為R，電場(chǎng)與磁場(chǎng)區(qū)域的邊界相切.現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子（重力不計(jì)）從磁場(chǎng)邊界上的A點(diǎn)以一定的初速度正對(duì)圓心O進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域，AO的連線與電場(chǎng)垂直，若電場(chǎng)區(qū)域足夠長(zhǎng).（1）只有當(dāng)粒子的初速度大于某個(gè)值v1，粒子才能進(jìn)入電場(chǎng)區(qū)域，求v1多大？（2）若粒子的初速度時(shí)，粒子恰能從電場(chǎng)中的P點(diǎn)以垂直于電場(chǎng)的速度飛出電場(chǎng)區(qū)域，求勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)E多大？（3）若在電場(chǎng)區(qū)域右邊界上以垂直于電場(chǎng)向左的初速度將該粒子拋出，粒子恰好不能進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域，求拋出點(diǎn)與P點(diǎn)的距離s.參考答案：（1）由題意知，粒子的速率為v1時(shí)對(duì)應(yīng)的在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R,由，（2）當(dāng)粒子的速度為v2時(shí)，設(shè)粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為r，，得，設(shè)粒子離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)速度偏向角為，則，粒子在電場(chǎng)中水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng)，設(shè)運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t1，有豎直方向做勻變速直線運(yùn)動(dòng)，有，解得：（3）設(shè)粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t2，粒子離開(kāi)電場(chǎng)時(shí)的速度偏轉(zhuǎn)了角，則：，解得：則由幾何知識(shí)可判斷，粒子粒子速度為v2時(shí)進(jìn)入電場(chǎng)的位置和粒子速度為v3時(shí)離開(kāi)磁場(chǎng)的位置為同一位置，設(shè)兩種情況下粒子在電場(chǎng)中豎直方向偏移的距離分別為y1、y2，則=，當(dāng)粒子軌跡與圓的上部相切時(shí)，拋出點(diǎn)與P點(diǎn)間的距離當(dāng)粒子軌跡與圓的下部相切時(shí)，拋出點(diǎn)與P點(diǎn)間的距離：18.