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2023年研究生類研究生入學考試專業(yè)課電氣與電子信息-數(shù)字電路歷年高頻考題帶答案難題附詳解(圖片大小可自由調整)第1卷一.歷年考點試題黑鉆版(共50題)1.在VerilogHDL的標識符中使用字母的規(guī)則是______。A.大小寫相同B.大小寫不同C.只允許用大寫D.只允許用小寫2.電路如下圖所示,對應畫出CP、Q1和Q2的波形。當電路中電容C1由0.1μF提高到1μF時,試問CP、Q1和Q2的波形的頻率各是原來數(shù)值的多少倍。

3.在CMOS類門中,對未使用的輸入端應當______或者______,而不允許______。4.十進制數(shù)125.125對應的二進制數(shù)為______。A.1111101.001B.1111100.01C.1111101.101D.1111111.0015.欲把不規(guī)則的輸入波形變換為幅度與寬度都相同的矩形脈沖,應選擇______電路。A.多諧振蕩器B.基本RS觸發(fā)器C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器D.施密特觸發(fā)器6.在NMCS門電路中,負載管的跨導______,而驅動管的跨導______。7.組合邏輯電路的競爭一冒險是由于______引起的。A.電路不是最簡B.電路有多個輸出C.電路中存在延遲D.電路使用不同的門電路8.在數(shù)字電路和計算機中,只用______種符號來表示信息。A.1B.2C.3D.49.一個用555定時器構成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的正脈沖寬度為______。A.0.7RCB.1.4RCC.1.1RCD.RC10.邏輯方程AD+BC=B'+A'C=(A+C)(A'+B)(C+D)的解為______。11.在VerilogHDL的端口聲明語句中,用______關鍵字聲明端口為輸入方向。A.inputB.INPUTC.IND.output12.用VerilogHDL設計一個同步17進制計數(shù)器時,需要設置一個______位的寄存器型變量。A.2B.3C.4D.513.為實現(xiàn)數(shù)據傳輸?shù)目偩€結構,要選用______門電路。A.或非B.OCC.三態(tài)D.與或非14.邏輯函數(shù)F(A,B,C)=AB+BC+AC的最小項標準式為______A.F(A,B,C)=Zm(0,1,2,4)B.F(A,B,C)=Zm(3,5,6,7)C.F(A,B,C)=∑m(0,2,3,4)D.F(A,B,C)=Zm(2,4,6,7)15.半導體存儲器按功能分______和______兩種。16.VerilogHDL的功能描述是用來描述設計模塊的______和模塊端口間的______。17.表示一個兩位十進制數(shù)至少需要______位二進制數(shù)。A.5B.6C.7D.818.在CMOS電路中采用下圖(a)~(d)所示的擴展功能用法,試分析各圖的邏輯功能,寫出Y1~Y4的邏輯表達式。已知電源電壓VDD=10V,二極管的正向導通壓降為0.7V。

19.邊沿JK觸發(fā)器利用______而引導觸發(fā)的觸發(fā)器。20.(110010100111.10000111)余3BCD表示的十進制數(shù)為______。21.一片8K×8的ROM存儲器有______個字,字長為______位。22.除了end或以end開頭的關鍵字(如endmodule)語句外,VerilogHDL的每條語句后必須要有______。A.逗號“,”B.句號“.”C.分號“;”D.冒號“:”23.如圖所示的電路是用施密特觸發(fā)器電路構成的多諧振蕩器,試畫出電容器C兩端電壓VC和輸出電壓VO的波形。

24.維持阻塞D觸發(fā)器是在CP______觸發(fā),其特性方程為______。25.用二進制代碼表示有關對象的過程叫______;n位二進制編碼器有______個輸入,有個輸出。26.單極型集成電路主要包括______、______和______。27.用抗干擾能力來評價ECL、TTL、CMOS集成電路,抗干擾強的集成電路依次為______。28.用與、或、非等運算表示函數(shù)中各個變量之間描述邏輯關系的代數(shù)式叫______。29.從若干輸入數(shù)據中選擇一路作為輸出的電路叫______。30.在下圖所示的4個電路中,不能產生振蕩的是______。

A.

B.

C.

D.31.任何時鐘觸發(fā)器狀態(tài)的改變僅與時鐘的動作沿到來有關。32.對RAM存儲器進行寫操作時,應向存儲器芯片送出______控制信號。

A.

B.

C.

D.33.欲把輸入的正弦波信號轉換成同頻的矩形波信號,可采用______電路。34.4位倒T形電阻網絡型D/A轉換器的電阻網絡的電阻權值有______種A.1B.2C.4D.835.若與或邏輯函數(shù)表達式F中的某一個乘積項為1,則該表達式F=______。36.MOS場效應管工作于飽和區(qū)時,由于______,從而抵消了漏極電壓增加的影響,使漏極電流基本不變。37.若一個10位二進制A/D轉換器的基準電壓VREF=-10.24V,則當輸入2.56V時,結果(二進碼)為______。A.0100000000B.1100000000C.1000000000D.010000001038.電路如圖所示,請畫出8個時鐘脈沖周期的時序圖,標明輸出QA和QB與時鐘的關系。

39.正邏輯的或非門是負邏輯的______;正邏輯的與非門是負邏輯的______。40.同或邏輯Z對應的邏輯圖是______。

A.

B.

C.

D.41.在A/D轉換器中,轉換速度最慢的是______轉換器。A.并聯(lián)比較型B.逐次逼近型C.雙積分型D.微分型42.VerilogHDL的常量是一個恒定不變的數(shù),一般在______定義。A.程序中部B.程序后部C.任意位置D.程序前部43.用PLA進行邏輯設計時,應將邏輯函數(shù)表達式變換成______式。A.與非與非B.異或C.最簡與或D.最簡或與44.在VerilogHDL的非阻塞賦值語句中,賦值號是:______,賦值變量必須是______型變量。45.在下列各圖中,或非邏輯Z對應的邏輯圖是______。

A.

B.

C.

D.46.(001111110001.01011111)2421BCD表示的十進制數(shù)為______。47.在數(shù)字電路和計算機中,只用______和______兩種符號來表示信息。48.在3位二進制A/D轉換器中,已知最大輸入模擬電壓為10V,⊿是量化單位,并采用“只舍不取”方法劃分量化電平,則1⊿代表的量化電壓為______V。49.電路如圖(a)所示,加在輸入端的波形如圖(b)所示,畫出輸出F的波形。

50.常用的D/A轉換電路是______。A.權電阻D/A轉換器B.T形D/A轉換器C.倒T形D/A轉換器D.開關樹形D/A轉換器第1卷參考答案一.歷年考點試題黑鉆版1.參考答案:B2.參考答案:解:本題圖所示電路由兩部分組成,第1部分是對稱式多諧振蕩器,產生一定頻率的矩形波由CP端輸出:第2部分是由觸發(fā)器FF1和FF2構成的計數(shù)器/分頻器,而且是兩位異步二進制計數(shù)器,Q1是CP的2分頻輸出端;Q2是CP的4分頻輸出端。CP、Q1和Q2的波形如下圖所示。

由于振蕩器的振蕩周期與電容C1的值成正比(與振蕩頻率成反比),所以當電路中電容C1由0.1μF提高10倍到1μF時,CP、Q1和Q2的波形的頻率各是原來數(shù)值的1/10倍。

3.參考答案:相應的邏輯電平,與有用端并接,懸空4.參考答案:A5.參考答案:C6.參考答案:小,大7.參考答案:C8.參考答案:B9.參考答案:C10.參考答案:A'B'C或ABC=00111.參考答案:A12.參考答案:D13.參考答案:C14.參考答案:B15.參考答案:ROM,RAM16.參考答案:內部結構,邏輯關系17.參考答案:C18.參考答案:解:本題圖(a)是5輸入端與非門,其輸出表達式為:

圖(b)是5輸入端或非門,其輸出表達式為:

圖(c)是6輸入端與非門,其輸出表達式為:

圖(d)是與或非門,其輸出表達式為

19.參考答案:傳輸延遲的差異20.參考答案:974.5421.參考答案:8192,822.參考答案:C23.參考答案:輸出波形如圖所示。

24.參考答案:的上升沿,Qn+1=D·CP↑25.參考答案:二進制編碼;2n,n26.參考答案:PMOS、NMOS、CMOS27.參考答案:CMOS→TTL→ECL28.參考答案:邏輯表達式29.參考答案:數(shù)據選擇器30.參考答案:A31.參考答案:B[解析]還與輸入信號有關。32.參考答案:A33.參考答案:施密特觸發(fā)器34.參考答案:B35.參考答案:136.參考答案:夾斷區(qū)增加37.參考答案:A38.參考答案:解:根據所示電路,由于Flag-flipA的JA、KA接高電平,因此它是T'觸發(fā)器,當一個時鐘(CLK)的上升沿到來時,其輸出QA就翻轉一次;Flag-flipB的JB接QA,KB接,因此它是D觸發(fā)器,當CLK來一個上升沿時,其輸出QB=QA:以此畫出的時序圖如圖所示。由波形圖可知,QA是時鐘CLK的2分頻,QB是延遲一個時鐘周期的2分頻輸出。

39.參考答案:與非門;或非門40.參考答案:C41.參考答案:C42.參考答案:D4

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