半導(dǎo)體材料行業(yè)分析

半導(dǎo)體材料行業(yè)分析1.CMP是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中不可或缺的核心環(huán)節(jié)之一1.1.CMP定位：CMP是晶圓加工過(guò)程中的C位要素角色之一在半導(dǎo)體芯片（以下簡(jiǎn)稱(chēng)芯片或半導(dǎo)體芯片）制造過(guò)程中，半導(dǎo)體硅片（以下簡(jiǎn)稱(chēng)晶圓）經(jīng)過(guò)刻蝕、離子注入等工藝過(guò)程中，其晶圓表面會(huì)變得凹凸不平，并產(chǎn)生多余的表面物等，為降低晶圓表面的粗糙度和起伏不平度，去除晶圓表面多余物，有效地進(jìn)行下一道加工程序，則需使用拋光墊及拋光液，在專(zhuān)用設(shè)備（CMP設(shè)備）上對(duì)晶圓進(jìn)行多次拋光處理，這一過(guò)程被稱(chēng)為CMP（ChemicalMechanicalPolishing），中文全稱(chēng)為化學(xué)機(jī)械拋光。CMP是一種實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝技術(shù)，是當(dāng)今最主流的晶圓拋光技術(shù)。在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，晶圓加工是最重要的核心環(huán)節(jié)，CMP則貫穿晶圓加工的整個(gè)工藝流程，隨著芯片制程越來(lái)越小，內(nèi)部結(jié)構(gòu)也越來(lái)越復(fù)雜，CMP工藝也變得越發(fā)重要，經(jīng)過(guò)CMP處理的晶圓表面平坦度可小于1nm，可滿足各種制程芯片的下一步加工流程需要?？梢哉f(shuō)，CMP是晶圓加工過(guò)程中的C位要素角色之一。1.2.CMP發(fā)展啟示：CMP工藝技術(shù)發(fā)展與芯片制程技術(shù)創(chuàng)新相互促進(jìn)CMP是半導(dǎo)體芯片制造工藝提升過(guò)程中不可或缺的環(huán)節(jié)。自1965年由Walsh等人提出CMP拋光應(yīng)用概念以來(lái)，CMP工藝技術(shù)發(fā)展和半導(dǎo)體芯片制程發(fā)展高度相關(guān)。從0.35μm~0.25μm的半導(dǎo)體制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，CMP技術(shù)是唯一可實(shí)現(xiàn)全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，奠定了CMP工藝技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)；而到了0.18～0.13μm技術(shù)節(jié)點(diǎn)階段，隨著半導(dǎo)體芯片制程工藝快速提升，CMP的作用和其不可替代性更加凸顯。現(xiàn)階段，CMP技術(shù)已成為半導(dǎo)體芯片制造工藝中不可或缺的核心技術(shù)環(huán)節(jié)。芯片制程的創(chuàng)新提高是CMP創(chuàng)新發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)力。隨著芯片制程減小趨勢(shì)的加快，芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)也越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)晶圓的表面平坦度要求也越來(lái)越高，為保證每個(gè)制造步驟達(dá)到對(duì)應(yīng)的平坦程度，則必須增加CMP的拋光次數(shù)和拋光液種類(lèi)，提升CMP的工藝技術(shù)創(chuàng)新水平，以達(dá)到晶圓表面的納米級(jí)平坦化要求，工藝技術(shù)難度大幅度提升，這就反向促進(jìn)了CMP行業(yè)的工藝技術(shù)的繁榮發(fā)展。CMP拋光材料用量和晶圓芯片的制程變化高度相關(guān)。以邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片為例，在晶圓芯片制造加工過(guò)程中，晶圓制造工藝制程縮小或存儲(chǔ)容量的變化等，都將帶來(lái)CMP工藝步驟的增加，同步帶動(dòng)CMP拋光材料的消耗量增加。根據(jù)安集科技年報(bào)及CabotMicroelectronics數(shù)據(jù)顯示，14納米的邏輯芯片要求的CMP工藝步驟由180納米的10次增長(zhǎng)到20次以上，而7納米及以下則需要超30次及以上的拋光工藝步驟。同樣地，存儲(chǔ)芯片由2DNAND向3DNAND升級(jí)過(guò)程中，CMP工藝步驟由2DNAND的7次增長(zhǎng)到15次，呈倍數(shù)級(jí)增長(zhǎng)?？梢哉f(shuō)，隨著半導(dǎo)體芯片的制程提升，CMP工藝步驟亦同步提升，帶動(dòng)CMP材料需求量同步增長(zhǎng)。CMP拋光液決定晶圓拋光質(zhì)量和拋光效率，晶圓廠和CMP拋光液供應(yīng)商相互促進(jìn)。在半導(dǎo)體芯片制造拋光過(guò)程中，晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的CMP拋光液，使拋光工藝中的化學(xué)反應(yīng)作用和機(jī)械反應(yīng)作用相互促進(jìn)，來(lái)提高拋光效率和產(chǎn)品良率。為達(dá)到上述目的，CMP拋光液供需雙方，需相互緊密配合，投入大量研發(fā)成本不斷試錯(cuò)，去調(diào)試符合晶圓廠物理化學(xué)性能及拋光性能要求的拋光液，直到生產(chǎn)出符合晶圓表面質(zhì)量要求、并達(dá)到較高產(chǎn)品良率的拋光液產(chǎn)品。CMP拋光墊是實(shí)現(xiàn)平坦化拋光的核心要件之一。在晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中，CMP拋光墊的作用主要有：存儲(chǔ)CMP拋光液及輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，使拋光持續(xù)均勻的進(jìn)行，之后去除所需的機(jī)械負(fù)荷，并將拋光過(guò)程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品（氧化產(chǎn)物、拋光碎屑等）帶出拋光區(qū)域，形成一定厚度的CMP拋光液層，為拋光過(guò)程中化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械去除提供場(chǎng)所。CMP拋光墊通過(guò)影響拋光液的流動(dòng)和分布，決定拋光效率和表面平坦性，對(duì)實(shí)現(xiàn)晶圓平坦化至關(guān)重要。2.國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體芯片供需缺口巨大，國(guó)產(chǎn)替代前景廣闊一方面，我國(guó)是半導(dǎo)體芯片需求大國(guó)，但所需芯片高度依賴(lài)進(jìn)口，僅2022年，我國(guó)就進(jìn)口集成電路芯片5384億塊，近五年累計(jì)進(jìn)口數(shù)量總額25801億片，扣除出口的12796億片，凈進(jìn)口量仍然維持在13004億片的絕對(duì)高位量，進(jìn)口份額全球第一。另一方面，半導(dǎo)體芯片的國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)品供需缺口巨大。從我國(guó)的IC市場(chǎng)規(guī)模及IC產(chǎn)值來(lái)看，2021年，我國(guó)的IC市場(chǎng)規(guī)模為1870億美元；中國(guó)IC產(chǎn)值為僅312億美元，國(guó)產(chǎn)化自給率不足17%，供需缺口巨大，龐大的需求缺口高度依賴(lài)海外大廠的供給。在全球化貿(mào)易體制被嚴(yán)重破壞的當(dāng)下，我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全經(jīng)受巨大威脅，特別是2018年以來(lái)，美日等發(fā)達(dá)國(guó)家相繼對(duì)其半導(dǎo)體高端芯片及設(shè)備的出口進(jìn)行嚴(yán)格限制，更加劇了我國(guó)半導(dǎo)體芯片供給的不確定性，促使我國(guó)出臺(tái)了一系列政府補(bǔ)貼和激勵(lì)政策等措施，大力推進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)自主安全發(fā)展，國(guó)產(chǎn)替代的潛在市場(chǎng)規(guī)?？臻g巨大，發(fā)展前景廣闊。2.1.內(nèi)資晶圓廠逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)，助力半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速?gòu)娜虬雽?dǎo)體芯片的產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史來(lái)看，晶圓廠建設(shè)是半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié)，晶圓廠擴(kuò)建擴(kuò)產(chǎn)迫在眉睫。自2022年以來(lái)，盡管全球半導(dǎo)體行業(yè)周期向下，但我國(guó)晶圓廠產(chǎn)能卻不斷逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體芯片國(guó)產(chǎn)化替代需求逆勢(shì)增加。從新建大規(guī)模晶圓廠來(lái)看，SEMI預(yù)計(jì)，在2021至2023年，全球半導(dǎo)體行業(yè)將建設(shè)84座大規(guī)模晶圓廠，僅中國(guó)大陸將新建近20座晶圓工廠/產(chǎn)線，占比達(dá)25%左右；站在300mm晶圓產(chǎn)能角度看，SEMI在《300mm晶圓廠展望報(bào)告-2026年》中顯示，中國(guó)大陸的300mm前端Fab廠的晶圓產(chǎn)能，預(yù)計(jì)其全球份額將從2021年的19%，增加到2025年的23%，達(dá)到230萬(wàn)wpm，晶圓產(chǎn)能接近全球領(lǐng)先的韓國(guó)，并有望在2024年左右，超過(guò)目前排名第二的中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。國(guó)內(nèi)晶圓廠的大規(guī)模逆勢(shì)擴(kuò)建，一方面提高了國(guó)產(chǎn)芯片的自給率，減少芯片絕對(duì)進(jìn)口數(shù)量，緩解我國(guó)半導(dǎo)體芯片供給不確定性的矛盾，打造自主可控的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈；另一方面，因內(nèi)資晶圓產(chǎn)能增加而新增的半導(dǎo)體材料需求，也為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料供給商提供很大的市場(chǎng)開(kāi)拓空間。2.2.半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)替代需求加速，CMP拋光材料持續(xù)受益我國(guó)不但是半導(dǎo)體材料需求大國(guó)，而且還是全球成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。數(shù)據(jù)顯示，從2006年到2023年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模全球占比逐年提升，從6.38%上升到約20.49%，到2023年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1024.34億元（同比增長(zhǎng)12.02%），這得益于我國(guó)晶圓廠的持續(xù)擴(kuò)建擴(kuò)產(chǎn)，而國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料公司也不斷提高研發(fā)技術(shù)水平，積極搶占國(guó)內(nèi)的增量市場(chǎng)份額，使得我國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程有效推進(jìn)，成就了我國(guó)成為全球成長(zhǎng)最快的半導(dǎo)體材料市場(chǎng)。其中，CMP拋光材料成本在半導(dǎo)體材料成本中占比約為7%，隨著半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)，CMP拋光市場(chǎng)有望也同步受益成長(zhǎng)。2.2.1.國(guó)內(nèi)龍頭打破外企壟斷，CMP拋光液實(shí)現(xiàn)0到1的破局我國(guó)CMP拋光液市場(chǎng)規(guī)模逐年提升，行業(yè)需求增速高于全球平均增速水平。CMP拋光液作為拋光材料中占比最高（49%）的核心工藝耗材，全球市場(chǎng)規(guī)模逐年穩(wěn)步提升。根據(jù)CabotMicroelectronics、TECHCET和觀研天下數(shù)據(jù)測(cè)算，全球CMP拋光液2016年市場(chǎng)規(guī)模為11.0億美元，2021年為18.9億美元（CMP拋光材料市場(chǎng)規(guī)模約為38.58億美元），預(yù)計(jì)2026年將達(dá)到25.3億美元，全球CAGR為6.0%。近年來(lái)，隨著我國(guó)晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)擴(kuò)建等因素，我國(guó)CMP拋光液需求持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2021-2028年市場(chǎng)規(guī)模CAGR為12.0%，顯著高于全球平均增速水平。國(guó)內(nèi)廠商打破了長(zhǎng)期的外資壟斷局面，實(shí)現(xiàn)了從0到1的國(guó)產(chǎn)替代突破后，增長(zhǎng)迅猛。長(zhǎng)期以來(lái)，全球CMP拋光液由美日企業(yè)壟斷，2000年，美企卡博特（Cabot）全球市占率在80%，隨著市場(chǎng)全球化的發(fā)展變化，2019年，全球CMP拋光液市場(chǎng)格局中，卡博特（Cabot）占比為33%，日立（Hitachi）占比13%，F(xiàn)ujimi占比10%，CR4均為美日外企，集中度達(dá)89%。中國(guó)廠商安集科技全球占比僅2%，排名第5。近年來(lái)，安集科技成功打破國(guó)外廠商對(duì)CMP拋光液的高度壟斷，全球市占率不斷提升（2021年為5%），中國(guó)大陸市占率更是增速迅猛，提升到30.8%，實(shí)現(xiàn)了從0到1的國(guó)產(chǎn)替代突破。2.2.2.CMP拋光墊打破寡頭壟斷，破繭而出根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)顯示，與CMP拋光液市場(chǎng)一樣，全球CMP拋光墊市場(chǎng)規(guī)模也呈逐步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2016年市場(chǎng)規(guī)模為6.5億美元，2021年為11.3億美元，5年CAGR為11.7%。在中國(guó)大陸市場(chǎng)，CMP拋光墊市場(chǎng)規(guī)模也是逐年上升，2021年達(dá)到13.85億元，同比增長(zhǎng)15.9%，隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)擴(kuò)建，需求增速明顯高于全球平均增速水平。根據(jù)CabotMicroelectronics數(shù)據(jù)，全球CMP拋光墊市場(chǎng)格局中，陶氏杜邦占比79%，占據(jù)市場(chǎng)絕對(duì)主導(dǎo)地位，卡博特（Cabot）與ThomasWest分別占比5%及4%。目前，盡管?chē)?guó)產(chǎn)CMP拋光墊產(chǎn)品市場(chǎng)滲透率極低，但我國(guó)的鼎龍股份已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，掌握CMP拋光墊全套核心技術(shù)，率先打破外企壟斷，打入國(guó)內(nèi)主流晶圓廠供應(yīng)鏈，使國(guó)內(nèi)CMP拋光墊市場(chǎng)，由外企絕對(duì)壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局產(chǎn)生變化。未來(lái)，像鼎龍股份這樣優(yōu)先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的頭部企業(yè)，有望從國(guó)內(nèi)的CMP拋光墊存量市場(chǎng)，及內(nèi)資晶圓廠擴(kuò)建擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)的增量市場(chǎng)中，雙重受益，成長(zhǎng)空間巨大。綜上，CMP材料作為半導(dǎo)體芯片加工環(huán)節(jié)的核心材料之一，近年來(lái)，隨著我國(guó)內(nèi)資晶圓廠不斷擴(kuò)產(chǎn)，以及晶圓制程工藝不斷的提高，對(duì)國(guó)產(chǎn)CMP材料的需求不斷加大。一方面，鑒于我國(guó)已是全球半導(dǎo)體需求最大的市場(chǎng)，半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成，而作為半導(dǎo)體材料核心的CMP材料，自給率僅17%，國(guó)產(chǎn)替代仍有較大的提升空間；另一方面，本土CMP材料供應(yīng)商已部分實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，產(chǎn)品性能可對(duì)標(biāo)海外CMP材料大廠產(chǎn)品，隨著本土CMP拋光材料企業(yè)逐步切入高端市場(chǎng)，將加速CMP材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)場(chǎng)，爭(zhēng)奪海外企業(yè)已占據(jù)國(guó)內(nèi)存量市場(chǎng)規(guī)模的同時(shí)，又享受內(nèi)資晶圓廠擴(kuò)建帶來(lái)的增量紅利，快速提升國(guó)內(nèi)市場(chǎng)滲透率。因此，我們認(rèn)為，隨著內(nèi)資晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)以及國(guó)內(nèi)晶圓制程工藝的突破，國(guó)內(nèi)CMP材料需求量增速將遠(yuǎn)超全球行業(yè)水平，為國(guó)產(chǎn)CMP材料廠商奠定健康的發(fā)展基礎(chǔ)，優(yōu)先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的本土CMP材料企業(yè)將從存量及增量市場(chǎng)中雙重受益。3.CMP拋光材料打破海外壟斷，化劣為優(yōu)CMP拋光材料行業(yè)主要有兩大壁壘，分別是技術(shù)壁壘以及客戶壁壘，核心體現(xiàn)在產(chǎn)品性能、認(rèn)證周期以及擴(kuò)產(chǎn)能力等方面。3.1.技術(shù)壁壘專(zhuān)利壁壘是指企業(yè)依靠技術(shù)壟斷優(yōu)勢(shì)，利用專(zhuān)利制度的法律保護(hù)，為保護(hù)自身的市場(chǎng)份額和謀求最大利益的手段，是技術(shù)壁壘中常見(jiàn)的一類(lèi)。從CMP拋光墊專(zhuān)利來(lái)看，2004年到2009年期間，全球申請(qǐng)專(zhuān)利數(shù)量處于高峰期，而自2010年之后，新增專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量有所下降，主要系CMP拋光墊技術(shù)迭代放緩。而受益于CMP拋光墊技術(shù)迭代放緩，給予國(guó)內(nèi)企業(yè)時(shí)間實(shí)現(xiàn)技術(shù)追趕和突破，專(zhuān)利申請(qǐng)因此逐年提升。目前，以鼎龍股份為例，公司由8英寸無(wú)窗口CMP拋光墊入手實(shí)現(xiàn)突破后，快速切入12英寸硅片用的CMP拋光墊，產(chǎn)品目前已到客戶測(cè)試階段，有望打破國(guó)內(nèi)從0到1的局面，一旦公司產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，便能夠利用自身的專(zhuān)利形成技術(shù)壁壘，侵蝕外企所占有的存量市場(chǎng)，并優(yōu)先卡位內(nèi)資擴(kuò)產(chǎn)的增量市場(chǎng)。從CMP拋光液專(zhuān)利來(lái)看，自2004年開(kāi)始申請(qǐng)專(zhuān)利，截止到2023年，絕大部分的專(zhuān)利申請(qǐng)集中在中國(guó)大陸方面，其他地區(qū)的申請(qǐng)僅占全部申請(qǐng)量的8%左右。安集科技目前在傳統(tǒng)的層間介質(zhì)氧化硅、低k介質(zhì)以及互連銅、鎢和阻擋層鉭的拋光等方面有了較深的積累，并在先進(jìn)封裝技術(shù)硅通孔領(lǐng)域進(jìn)行了專(zhuān)利布局，自實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代后，市場(chǎng)份額快速提升。3.2.客戶壁壘在晶圓加工的多重工藝環(huán)節(jié)中，CMP材料的產(chǎn)品性能、可靠性以及工藝穩(wěn)定性對(duì)晶圓產(chǎn)品的性能及良率有著直接的重要影響，因此，CMP材料的下游客戶對(duì)CMP材料供應(yīng)商及CMP產(chǎn)品均有極高的要求。在選擇CMP拋光材料時(shí)，客戶往往會(huì)通過(guò)多重測(cè)試環(huán)節(jié)之后，才會(huì)做出大批量采購(gòu)決策，一旦客戶予以產(chǎn)品認(rèn)證，并形成穩(wěn)定的供應(yīng)鏈體系后，客戶與供應(yīng)商就建立了非常緊密的合作關(guān)系，兩者之間有較強(qiáng)的依賴(lài)粘性，在不發(fā)生重大產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題以及供應(yīng)鏈保障的情況下，客戶一般沒(méi)有進(jìn)行更改和替換供應(yīng)商的動(dòng)力，其原因是替換成本高、風(fēng)險(xiǎn)大，不確定性強(qiáng)。以安集科技為例，其CMP拋光液在產(chǎn)品立項(xiàng)、研發(fā)階段、推廣應(yīng)用等環(huán)節(jié)，就積極聯(lián)系爭(zhēng)取下游潛在客戶的支持，密切合作進(jìn)行CMP拋光液產(chǎn)品在下游應(yīng)用場(chǎng)景的落地，持續(xù)3-4年后才獲得下游客戶的量產(chǎn)訂單，下游客戶也已對(duì)安集科技建立了很強(qiáng)的粘性依賴(lài)關(guān)系，安集科技也同時(shí)建立了本公司產(chǎn)品的獨(dú)有護(hù)城河，后續(xù)僅需保持穩(wěn)定供貨，就可以鎖定客戶資源，也就是我們所論述的客戶壁壘。對(duì)安集科技以外的競(jìng)爭(zhēng)者，只有其產(chǎn)品只的技術(shù)水平、供應(yīng)價(jià)格、產(chǎn)品質(zhì)量等方面顯著超過(guò)原有供應(yīng)商時(shí)，安集科技才可能喪失客戶壁壘優(yōu)勢(shì)?？偟膩?lái)說(shuō)，由于CMP拋光材料對(duì)產(chǎn)品性能、可靠性以及穩(wěn)定性的要求嚴(yán)格，替換成本高，從而導(dǎo)致上游客戶更換供應(yīng)商意愿不強(qiáng)，一定程度上保障了下游供應(yīng)商的產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)，一旦國(guó)內(nèi)企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，打入供應(yīng)鏈后，則難以被替代。同時(shí)，因海外半導(dǎo)體材料供應(yīng)不確定性加劇，擾動(dòng)國(guó)內(nèi)晶圓大廠材料的供應(yīng)鏈，倒逼本土晶圓廠加速?lài)?guó)產(chǎn)CMP材料的產(chǎn)品認(rèn)證，提升供需雙方CMP產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)替代的共研意愿，一旦實(shí)現(xiàn)突破，便自動(dòng)形成上述競(jìng)爭(zhēng)壁壘，助力推動(dòng)CMP拋光材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。4.A股CMP材料重點(diǎn)公司分析4.1.安集科技：國(guó)內(nèi)CMP拋光液絕對(duì)龍頭，打破外資壟斷的希望所在4.1.1.公司概況公司主營(yíng)CMP拋光液和功能性濕電子化學(xué)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品主要應(yīng)用于晶圓芯片的制造和先進(jìn)封裝領(lǐng)域。2006年成立安集微電子科技（上海）有限公司；2008年首款產(chǎn)品上線進(jìn)入量產(chǎn)；2009年產(chǎn)品首次進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)。2015年臺(tái)灣子公司成立，2016年完成股份制改造，并于2017年變更為安集科技有限公司。2019年7月，安集科技成為上交所科創(chuàng)板首批上市企業(yè)。股權(quán)結(jié)構(gòu)相對(duì)穩(wěn)定，股權(quán)激勵(lì)綁定核心人員。公司控股股東AnjiMicroelectronicsCo.Ltd持有公司40.27%股份，2017年，國(guó)家集成電路基金成為公司第二大股東，其持股比例為8.28%，多年來(lái)，持股數(shù)位于公司前10內(nèi)的其它股東也相對(duì)穩(wěn)定，公司旗下的六家全資子公司均為100%全資控股，安集科技董事長(zhǎng)王淑敏女士在AnjiMicroelectronicsCo.Ltd中亦擔(dān)任董事。另外，2023年4月，公司推出股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃草案（限制性股票的授予價(jià)格為103.86元，激勵(lì)股數(shù)為58.304萬(wàn)股，占公司總股本0.767%），涉及董事、高級(jí)管理人員、核心技術(shù)人員及其他人員共計(jì)203人，進(jìn)一步完善激勵(lì)機(jī)制綁定核心人員，保證了公司中長(zhǎng)期穩(wěn)定快速發(fā)展。4.1.2.業(yè)務(wù)分析三大基地穩(wěn)健協(xié)同發(fā)展，八大產(chǎn)品平臺(tái)規(guī)模效應(yīng)凸顯。公司現(xiàn)擁有上海研發(fā)中心、上海金橋基地（主要生產(chǎn)CMP拋光液和部分功能性濕電子化學(xué)品）和寧波北侖基地（主要生產(chǎn)功能性濕電子化學(xué)品），加上公司正在籌劃位于上海市化工區(qū)的建設(shè)項(xiàng)目，形成未來(lái)三大基地協(xié)同互補(bǔ)的穩(wěn)健協(xié)同發(fā)展格局。另外，在銅及銅阻擋層CMP拋光液、介電材料拋光液、鎢拋光液、基于氧化鈰磨料的拋光液、襯底拋光液、功能性濕電子化學(xué)品的基礎(chǔ)上，公司還完成了電鍍液及添加劑技術(shù)平臺(tái)的搭建和加強(qiáng)，形成了八大產(chǎn)品平臺(tái)的布局，產(chǎn)品平臺(tái)的規(guī)模效應(yīng)已進(jìn)一步凸顯。營(yíng)收保持高速增長(zhǎng)，營(yíng)收指標(biāo)逐年向好。近年來(lái)，公司加大研發(fā)和產(chǎn)品線投入，完成了CMP拋光液的全品類(lèi)產(chǎn)業(yè)布局，功能性濕電子化學(xué)品達(dá)產(chǎn)放量，并有望成為第二增長(zhǎng)曲線，產(chǎn)品平臺(tái)大幅擴(kuò)充，國(guó)產(chǎn)替代成績(jī)顯著，公司主營(yíng)營(yíng)收額加速增長(zhǎng)，經(jīng)營(yíng)毛利率常年保持在50%以上的高位，管理費(fèi)用率逐年向下財(cái)務(wù)費(fèi)用率轉(zhuǎn)正為負(fù)，現(xiàn)金流保持良好態(tài)勢(shì)，各項(xiàng)營(yíng)收指標(biāo)逐年向好。以2022年為例，公司2022年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入10.77億元，同比增長(zhǎng)56.82%，創(chuàng)歷史新高；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)3.01億元，同比增長(zhǎng)140.99%，而公司費(fèi)用率卻較上年下降2.41個(gè)百分點(diǎn)。未來(lái)公司將繼續(xù)推進(jìn)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)拓展和加速客戶端導(dǎo)入，積極爭(zhēng)奪CMP拋光液的國(guó)產(chǎn)替代舞臺(tái)，預(yù)計(jì)公司將持續(xù)高速增長(zhǎng)。CMP拋光液毛利穩(wěn)定增長(zhǎng)，功能性濕電子化學(xué)品有望成為第二增長(zhǎng)曲線。從公司銷(xiāo)售毛利率來(lái)看，公司毛利率相對(duì)穩(wěn)定，維持在50%以上。分業(yè)務(wù)來(lái)看，CMP拋光液毛利率逐年提升，未來(lái)與山東安特納米材料合作自研研磨顆粒逐步放量，毛利率有望突破60%。功能性濕電子化學(xué)品毛利率較上年減少1.53個(gè)百分點(diǎn)，主要系寧波基地一期項(xiàng)目處于投產(chǎn)初期且產(chǎn)量較低、固定資產(chǎn)折舊較高原因所致，后期隨著所投產(chǎn)品放量，毛利率將會(huì)進(jìn)一步快速提升。研發(fā)人員與研發(fā)投入穩(wěn)步提升，提升潛在競(jìng)爭(zhēng)力厚積薄發(fā)。2020年，公司研發(fā)人員突破100人，占比達(dá)到了42.65%，近三年研發(fā)人員數(shù)量及占比逐年增加，現(xiàn)已占公司總?cè)藬?shù)的45.69%，其中公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)及核心管理團(tuán)隊(duì)等高素質(zhì)的員工隊(duì)伍為維持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)提供了保證，也極大地提升了公司的技術(shù)研發(fā)能力。4.1.3.總結(jié)及推薦內(nèi)資CMP拋光液絕對(duì)龍頭，功能性濕電子化學(xué)品打開(kāi)第二增長(zhǎng)曲線。目前，安集科技已成為中芯國(guó)際和長(zhǎng)江存儲(chǔ)兩大內(nèi)資晶圓廠的CMP拋光液第一供應(yīng)商，在國(guó)內(nèi)CMP拋光液供應(yīng)商中處于絕對(duì)龍頭地位，隨著內(nèi)資晶圓廠的逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)擴(kuò)建，由此帶來(lái)拋光液市場(chǎng)規(guī)模的增量，公司直接受益的確定性最強(qiáng)。公司進(jìn)行的研磨顆粒的研發(fā)及擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目進(jìn)展順利，遠(yuǎn)期經(jīng)營(yíng)效率將進(jìn)一步提升。另外，公司功能性濕電子化學(xué)品逐步突破，打開(kāi)了公司第二增長(zhǎng)曲線，未來(lái)成長(zhǎng)可期。4.2.鼎龍股份：多元化發(fā)展，塑造半導(dǎo)體材料平臺(tái)型公司4.2.1.公司概況打印復(fù)印通用耗材業(yè)務(wù)為基石，重點(diǎn)突破半導(dǎo)體材料領(lǐng)域業(yè)務(wù)。鼎龍股份創(chuàng)立于2000年，2010年創(chuàng)業(yè)板上市，是國(guó)內(nèi)打印耗材及CMP材料（拋光墊）龍頭。在打印復(fù)印通用耗材領(lǐng)域，從上游的彩色聚合碳粉，顯影輥等核心原材料供應(yīng)，到下游硒鼓和墨盒兩大終端產(chǎn)品的銷(xiāo)售，公司已實(shí)現(xiàn)了全資控股和全產(chǎn)業(yè)鏈布局。目前，公司重點(diǎn)聚焦于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的CMP材料、半導(dǎo)體顯示材料、半導(dǎo)體先進(jìn)封裝材料三個(gè)細(xì)分板塊業(yè)務(wù)。其中，CMP材料包括：CMP鉆石碟、CMP拋光墊、CMP拋光液以及清洗液，其中，CMP拋光墊已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，打破國(guó)外壟斷局面，是我國(guó)CMP拋光墊領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)。半導(dǎo)體顯示材料包括黃色聚酰亞胺漿料YPI、光敏聚酰亞胺PSPI以及面板封裝材料；先進(jìn)封裝材料包括底部填充膠（Underfill）、臨時(shí)鍵合膠以及封裝光刻膠PSPI。公司股權(quán)結(jié)構(gòu)較為集中。截止到2023年一季報(bào)公布日，朱全雙持有公司14.69%的股權(quán)，朱順全持有公司14.58%股權(quán)，二人為兄弟關(guān)系，共計(jì)持有29.28%股權(quán)，為該公司實(shí)際控股人，股權(quán)集中有利于公司長(zhǎng)期健康穩(wěn)定發(fā)展。坐擁七大技術(shù)平臺(tái)，公司重視技術(shù)整合和技術(shù)平臺(tái)，利用人才團(tuán)隊(duì)、技術(shù)積累和行業(yè)打造七大技術(shù)平臺(tái)，夯實(shí)公司創(chuàng)新材料平臺(tái)型企業(yè)的定位。4.2.2.業(yè)務(wù)分析營(yíng)業(yè)收入穩(wěn)步上升，CMP拋光墊等逐步放量。2022年度，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入27.21億元，同比增長(zhǎng)15.52%；公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)3.9億元，同比增長(zhǎng)82.66%，主要原因是除國(guó)內(nèi)打印耗材業(yè)務(wù)穩(wěn)定增長(zhǎng)外，高毛利率的CMP拋光墊產(chǎn)品持續(xù)放量，銷(xiāo)售收入及歸母凈利潤(rùn)雙雙大幅提升。另外，隨著CMP拋光液、清洗液產(chǎn)品以及柔性顯示材料YPI、PSPI等高毛利產(chǎn)品開(kāi)始逐步放量，未來(lái)公司業(yè)績(jī)有望持續(xù)增長(zhǎng)。CMP拋光墊營(yíng)收占比快速提升，未來(lái)有望成為第一營(yíng)