半導(dǎo)體Chiplet先進(jìn)封裝行業(yè)市場(chǎng)分析

半導(dǎo)體Chiplet先進(jìn)封裝行業(yè)市場(chǎng)分析1先進(jìn)封裝引領(lǐng)摩爾定律延續(xù)半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體制造工藝的后道工序，是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程，即將制作好的半導(dǎo)體器件放入具有支持、保護(hù)的塑料、陶瓷或金屬外殼中，并與外界驅(qū)動(dòng)電路及其他電子元器件相連的過(guò)程。1.1先進(jìn)封裝發(fā)展歷程迄今為止全球集成電路封裝技術(shù)一共經(jīng)歷了五個(gè)發(fā)展階段。通常認(rèn)為，前三個(gè)階段屬于傳統(tǒng)封裝，第四、五階段屬于先進(jìn)封裝。當(dāng)前的主流技術(shù)處于以CSP、BGA為主的第三階段，且正在從傳統(tǒng)封裝（SOT、QFN、BGA等）向先進(jìn)封裝（FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SIP等）轉(zhuǎn)型。傳統(tǒng)封裝以引線框架型封裝為主，芯片與引線框架通過(guò)焊線連接，引線框架的接腳連接PCB，主要包括DIP、SOP、QFP、QFN等封裝形式。傳統(tǒng)封裝的功能主要在于芯片保護(hù)、尺度放大、電氣連接三項(xiàng)功能，先進(jìn)封裝技術(shù)則對(duì)芯片進(jìn)行封裝級(jí)重構(gòu)，能有效提高系統(tǒng)高功能密度?，F(xiàn)階段先進(jìn)封裝主要是指倒裝焊（FlipChip)、晶圓級(jí)封裝（WLP）、2.5D封裝（Interposer）和3D封裝（TSV）等。先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)封裝的主要區(qū)別在于一級(jí)互聯(lián)和二級(jí)互聯(lián)方式的不同。一級(jí)互聯(lián)方式主要包括：傳統(tǒng)工藝—WireBonding（WB）；先進(jìn)工藝—FlipChip（FC）。二級(jí)互聯(lián)方式主要包括：傳統(tǒng)工藝—通孔插裝型/表面貼裝；先進(jìn)工藝—球柵陣列型（BGA）/平面網(wǎng)格陣列LGA/插針網(wǎng)格陣列（PGA）。因此FCBGA、FCLGA等封裝就稱為先進(jìn)封裝。同時(shí)，傳統(tǒng)的元件封裝也演變?yōu)橄到y(tǒng)封裝，封裝對(duì)象由單芯片向多芯片發(fā)展，由平面封裝向立體封裝發(fā)展。市場(chǎng)規(guī)模方面，據(jù)研究數(shù)據(jù)，2017年以來(lái)全球封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)健增長(zhǎng)，2022年達(dá)到815億美元。Yole預(yù)計(jì)總體市場(chǎng)規(guī)模將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2026年達(dá)到961億美元。先進(jìn)封裝則有望展現(xiàn)高于封測(cè)市場(chǎng)整體的增長(zhǎng)水平。據(jù)Yole預(yù)計(jì)，2019-2025年，全球整體封裝市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增速4%，先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模則達(dá)到7%的年均復(fù)合增速，并在2025年占據(jù)整體封裝市場(chǎng)的49.4%。1.2先進(jìn)封裝助力摩爾定律延續(xù)摩爾定律主要內(nèi)容為：在價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可以容納的晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，即：處理器性能大約每?jī)赡攴槐叮瑫r(shí)價(jià)格下降為之前的一半。自2015年以來(lái)，集成電路先進(jìn)制程的發(fā)展開(kāi)始放緩，7nm、5nm、3nm制程的量產(chǎn)進(jìn)度均落后于預(yù)期。隨著臺(tái)積電宣布2nm制程工藝實(shí)現(xiàn)突破，集成電路制程工藝已接近物理尺寸極限；與此同時(shí)芯片設(shè)計(jì)成本快速提升，以先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)處于主流應(yīng)用時(shí)期設(shè)計(jì)成本為例，工藝節(jié)點(diǎn)為28nm時(shí)，單顆芯片設(shè)計(jì)成本約為0.41億美元，而工藝節(jié)點(diǎn)為7nm時(shí)設(shè)計(jì)成本提升至2.22億美元。為有效降低成本、進(jìn)一步提升芯片性能、豐富芯片功能，各家龍頭廠商爭(zhēng)相探索先進(jìn)封裝技術(shù)。先進(jìn)封裝技術(shù)作為提高連接密度、提高系統(tǒng)集成度與小型化的重要方法，在單芯片向更高端制程推進(jìn)難度大增時(shí)，擔(dān)負(fù)起延續(xù)摩爾定律的重任。如今，除了單個(gè)芯片封裝形式的演進(jìn)以外，多芯片集成、2.5D/3D堆疊等技術(shù)也成為現(xiàn)階段先進(jìn)封裝的主流技術(shù)路徑，尤其對(duì)于大規(guī)模集成電路，Chiplet封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生發(fā)揮重要作用，我們將在下文重點(diǎn)討論。2Chiplet：算力時(shí)代的共同選擇2.1算力時(shí)代來(lái)臨，算力芯片降本增效需求凸顯AI技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)中心對(duì)高算力芯片的需求急速增長(zhǎng)。GPU由于具備并行計(jì)算能力，可兼容訓(xùn)練和推理，高度適配AI模型構(gòu)建，目前被廣泛應(yīng)用于加速芯片。隨著ChatGPT帶來(lái)新的AI應(yīng)用熱潮，數(shù)據(jù)中心對(duì)高算力的GPU芯片需求急速增長(zhǎng)。相較于傳統(tǒng)消費(fèi)級(jí)芯片，算力芯片面積更大，存儲(chǔ)容量更大，對(duì)互連速度要求更高，而Chiplet技術(shù)可以很好的滿足這些大規(guī)模芯片的性能和成本需求，因而得到廣泛運(yùn)用。Chiplet即小芯粒，它將一類滿足特定功能的die（裸片），通過(guò)die-to-die內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)將多個(gè)模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片封裝在一起，形成一個(gè)系統(tǒng)芯片。2.2Chiplet技術(shù)在算力芯片領(lǐng)域的三大優(yōu)勢(shì)（1）大面積芯片降低成本提升良率由于更高的性能需求，算力芯片的diesize通常要遠(yuǎn)大于過(guò)去的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。例如Nvdia主流AI加速卡產(chǎn)品，diesize通常超過(guò)800mm2。而近年來(lái)，隨著先進(jìn)制程推進(jìn)，研發(fā)生產(chǎn)成本持續(xù)走高，大面積單顆SOC良率日益下降。Chiplet將單顆SOC的不同功能模塊拆分成獨(dú)立的小芯粒（即Chiplet），大大縮小了單顆die的面積，起到提升良率、降低成本的作用。DAC2022會(huì)議上，清華大學(xué)馮寅瀟發(fā)表研究成果，結(jié)論表明在5nm制程，當(dāng)芯片面積達(dá)到200mm2以上，單顆SOC的成本將高于MCM工藝；當(dāng)芯片面積達(dá)到400mm2以上，由于良率的大幅下降，單顆SOC方案的成本將高于InFO工藝（MCM、InFO均為Chiplet技術(shù)的不同封裝形式）。其成本差異就主要在大面積單芯片方案中的良率損失，在多芯片方案中大幅下降。（2）HBM的導(dǎo)入高性能計(jì)算應(yīng)用對(duì)內(nèi)存速率提出了更高的要求，借助3D封裝技術(shù)的HBM則很好的解決了內(nèi)存速率瓶頸。HBM（HighBandwidthMemory）即高帶寬存儲(chǔ)器，其通過(guò)使用先進(jìn)的封裝方法（如TSV硅通孔技術(shù)）垂直堆疊多個(gè)DRAM，并在硅interposer上與GPU封裝在一起。HBM內(nèi)部的DRAM堆疊屬于3D封裝，而HBM與GPU合封于Interposer上屬于2.5D封裝，是典型的Chiplet應(yīng)用。（3）允許更多計(jì)算核心的“堆料”由于chiplet工藝引入了高速互連的Interposer或其他中介層，使得芯片廠商得以將多顆計(jì)算核心die進(jìn)行合封，以提高芯片整體性能。Apple的M1Ultea芯片采用了臺(tái)積電的InFO_LSI工藝，將兩顆M1Max“拼接”，Apple將其成為UltraFusion芯片互連技術(shù)。LSI即本地硅互連（LocalSiliconInterconnect），即通過(guò)在RDL載板中嵌入一塊硅橋?qū)崿F(xiàn)兩顆Die的高速互連。與之類似，2022年8月，國(guó)產(chǎn)算力芯片廠商壁仞科技發(fā)布BR100，采用臺(tái)積電CoWoS-S工藝，將兩顆計(jì)算核心封在一塊硅Interposer上，其16位浮點(diǎn)算力達(dá)到1000T以上、8位定點(diǎn)算力達(dá)到2000T以上，創(chuàng)造全球算力紀(jì)錄。2.3行業(yè)龍頭助力，算力芯片異構(gòu)化已成大勢(shì)所趨得益于Chiplet技術(shù)在大規(guī)模算力芯片領(lǐng)域的優(yōu)異表現(xiàn)，業(yè)內(nèi)設(shè)計(jì)公司巨頭紛紛加入推廣Chiplet成為行業(yè)主流方案。2022年3月3日，AMD、Intel等半導(dǎo)體巨頭宣布共同成立Chiplet行業(yè)聯(lián)盟，目標(biāo)共同打造Chiplet互連標(biāo)準(zhǔn)、推進(jìn)開(kāi)放生態(tài)，并制定了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范UCIe，在芯片封裝層面確立互聯(lián)互通的高速接口標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上的主流算力芯片廠商均導(dǎo)入了Chiplet方案，尤其是在AI芯片領(lǐng)域。Nvdia方面，當(dāng)前主力產(chǎn)品A100/H100均采用臺(tái)積電CoWoS2.5D封裝，A100采用7nm制程，最高配備80GBHBM2E；H100則采用4nm制程，并配備最高80GBHBM3。AMD方面則推出了更大規(guī)模的Chiplet產(chǎn)品，其2023年6月14日正式發(fā)布的MI300AI加速卡擁有13個(gè)小芯片，共包括9個(gè)5nm的計(jì)算核心（6個(gè)GCD+3個(gè)CCD），4個(gè)6nm的I/Odie兼InfinityCache（同時(shí)起到中介層的作用，位于計(jì)算核心和interposer之間），還配備了累計(jì)8顆共計(jì)128GB的HBM3芯片。相較Nvdia的A/H系列產(chǎn)品，MI300更進(jìn)一步的將SOC拆分成了多顆小芯粒，并擁有更大的面積、芯粒數(shù)量、緩存顆粒數(shù)量。國(guó)內(nèi)算力芯片廠商亦在快速跟進(jìn)，除了前文提到的壁仞科技以外，沐曦、天數(shù)等AI芯片廠商亦紛紛推出異構(gòu)集成的GPU產(chǎn)品，導(dǎo)入HBM存儲(chǔ)，我們相信Chiplet的技術(shù)優(yōu)勢(shì)將使其成為算力芯片未來(lái)的主流方案，給產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)帶來(lái)價(jià)值增量。下文我們將具體討論Chiplet的產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)展，以及其對(duì)國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈的拉動(dòng)作用。3龍頭晶圓廠主導(dǎo)Chiplet技術(shù)路線3.1臺(tái)積電晶圓代工龍頭臺(tái)積電是Chiplet工藝的全球領(lǐng)軍者，也是當(dāng)前業(yè)內(nèi)主流算力芯片廠商的主要供應(yīng)商，因此我們將做著重介紹。其于2021年將2.5D/3D先進(jìn)封裝相關(guān)技術(shù)整合推出3DFabric平臺(tái)，由于Chiplet技術(shù)涉及芯片的堆疊，因此臺(tái)積電將其命名為3DFabric?技術(shù)，旗下?lián)碛蠧oWoS、InFO、SoIC三種封裝工藝，代表當(dāng)前Chiplet技術(shù)的三種主流形式。Intel和三星各自都有類似的2.5D/3D封裝工藝，盡管命名不同，但結(jié)構(gòu)與臺(tái)積電方案類似。前段技術(shù)3DSoIC利用芯片間直接銅鍵合，具有更小間距；后段技術(shù)2.5D方面，CoWos擴(kuò)展至三種不同轉(zhuǎn)接板技術(shù)，InFO將封裝凸塊直接連接到再分配層。（1）CoWoS2012年臺(tái)積電與Xilinx共同開(kāi)發(fā)集成電路封裝解決方案CoWoS，該封裝技術(shù)已成為高性能和高功率設(shè)計(jì)的實(shí)際行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。CoWoS-S采用硅中介層，可以為高性能計(jì)算應(yīng)用提供更高的性能和晶體管密度；CoWoS-R采用RDL中介層，利用InFO技術(shù)進(jìn)行互連，更強(qiáng)調(diào)小芯片間的互連；CoWoS-L融合CoWoS-S和InFO技術(shù)優(yōu)勢(shì)，使用夾層與LSI（局部硅互連）芯片進(jìn)行互連，使用RDL層進(jìn)行電源和信號(hào)傳輸，提供了靈活的集成。英偉達(dá)、博通、谷歌、亞馬遜、NEC、AMD、賽靈思、Habana等公司已廣泛采用CoWoS技術(shù)。（2）InFO2017年臺(tái)積電宣布2.5D封裝技術(shù)InFO（IntegratedFanouttechnology）集成扇出晶圓級(jí)封裝。臺(tái)積電的InFO技術(shù)使用polyamide代替CoWoS中的硅中介層，降低了成本和封裝高度，促進(jìn)大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。InFO具有高密度的RDL，適用于移動(dòng)、高性能計(jì)算等需要高密度互連和性能的應(yīng)用。（3）SoIC2019年臺(tái)積電推出SoIC技術(shù)，包括chip-on-wafer（COW）和wafer-on-wafer（WOW）兩種方案。與CoWoS和InFO不同，前面兩種方案是在封裝環(huán)節(jié)將完成晶圓級(jí)封裝的邏輯芯片、HBM、Interposer等進(jìn)行堆疊，因此成為后道3D制造（BackEnd3DFabric），而SoIC是在前道晶圓制造環(huán)節(jié)，就在邏輯芯片上制造TSV通孔，并將邏輯芯片之間（或邏輯芯片的晶圓之間）進(jìn)行堆疊，這個(gè)過(guò)程稱為前道3D制造（FrontEnd3DFabric），完成堆疊后的晶圓切割后可再進(jìn)行類似InFO和CoWoS的后道封裝。因此，SoIC與InFO/CoWoS并非并列、替代關(guān)系，而是將InFO/CoWoS所用到的單顆SoC替換成了經(jīng)過(guò)3D堆疊的多顆SoC。SoIC是臺(tái)積電異構(gòu)小芯片封裝的關(guān)鍵，具有高密度垂直堆疊性能，與CoWoS和InFO技術(shù)相比SoIC可以提供更高的封裝密度和更小的鍵合間隔。3.2Intel作為全球CPU設(shè)計(jì)龍頭廠商，Intel同時(shí)亦是領(lǐng)先的IDM廠商。其主推的Chiplet工藝包括EMIB和Foveros，分別類似于臺(tái)積電的InFO_LSI和SoIC。EMIB是2.5D硅中介層的替代方案，die-substrate互連通過(guò)傳統(tǒng)覆晶芯片方式，die-die橋接的部分用一個(gè)很小的Si片實(shí)現(xiàn)，并將這部分嵌入在載板內(nèi)，和硅中介層（interposer）相比，EMIB硅片面積更微小、更靈活、更經(jīng)濟(jì)；與傳統(tǒng)2.5D封裝的相比，因?yàn)闆](méi)有TSV，因此EMIB技術(shù)具有正常的封裝良率、無(wú)需額外工藝和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。Foveros技術(shù)是高于EMIB技術(shù)的3D芯片堆疊技術(shù)，利用晶圓級(jí)封裝能力，與2D的EMIB封裝方式相比，F(xiàn)overos更適用于小尺寸產(chǎn)品或?qū)?nèi)存帶寬要求更高的產(chǎn)品。與TSMC的SoIC/CoWoS/InFO的關(guān)系類似，F(xiàn)overos與EMIB亦可以配合使用。3.3三星三星基于“超越摩爾定律”方法的異構(gòu)集成技術(shù)，沿著水平集成和垂直集成兩種方向，先后研發(fā)出三大先進(jìn)封裝技術(shù)：I-Cube、H-Cube和X-Cube。I-Cube和H-Cube是2.5D封裝方案。I-CUBE-S類似臺(tái)積電的CoWoS-s，I-CUBE-E類似臺(tái)積電的CoWoS-L。H-Cube方案則拋棄了大面積的ABF基板，采用面積較小的ABF基板或FBGA基板疊加大面積的HDI基板的方式。X-Cube則采用在3D空間堆疊邏輯裸片的方法，類似臺(tái)積電的SoIC方案。而在芯片之間的互連方式上，X-Cube可以采用傳統(tǒng)的u-bump，也可以使用更高端的混合鍵合（HybridBonding），HybridBonding可以容納更高的I/O密度。4Chiplet技術(shù)帶來(lái)國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈機(jī)遇本章我們將重點(diǎn)討論Chiplet技術(shù)應(yīng)用，尤其是增長(zhǎng)潛力較大的算力芯片2.5D/3D封裝帶來(lái)的國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈機(jī)遇。主要包括：1）封測(cè)端：算力芯片廣泛采用的2.5D/3D封裝方案是對(duì)傳統(tǒng)封裝的重大升級(jí)，但封測(cè)廠商仍將扮演重要地位。尤其是在晶圓級(jí)封裝等領(lǐng)域，與過(guò)去的FC封裝有共通之處。2）設(shè)備端：Chiplet技術(shù)帶來(lái)芯片數(shù)量的增長(zhǎng)，測(cè)試設(shè)備用量。此外Chiplet技術(shù)還增加了晶圓級(jí)封裝的需求，諸多晶圓制造設(shè)備迎來(lái)需求增量。3）材料端：Chiplet技術(shù)對(duì)芯片的高速互聯(lián)需求增長(zhǎng)，帶來(lái)高速封裝基板需求，此外高端封裝耗材的用量亦會(huì)有所增加。4.1封裝：晶圓廠主導(dǎo)，封裝廠商配套導(dǎo)入中算力芯片的2.5D/3D封裝主要包括中段晶圓級(jí)封裝+后段封裝。以臺(tái)積電CoWoS封裝為例：1）晶圓級(jí)封裝：計(jì)算核心等芯片晶圓制造完成后在重構(gòu)晶圓上制造RDL和bump；2）COW：將計(jì)算核心、I/Odie、HBM等芯片封裝在Interposer上，即為CoWoS（chiponwaferonsubstrate）的chiponwafer環(huán)節(jié)；3）OS：完成CoW封裝的整個(gè)系統(tǒng)在封裝基板上封裝，這一步即CoWoS的onsubstrate環(huán)節(jié)，其封裝方式與傳統(tǒng)的FCBGA的后段封裝基本類似。與傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)鏈分工不同的是，2.5D/3D封裝是在晶圓制造和傳統(tǒng)的后段封裝之間增加了額外的環(huán)節(jié)，因此晶圓廠和封裝廠均有參與機(jī)會(huì)。當(dāng)前臺(tái)積電基本壟斷了全球算力芯片的2.5D封裝市場(chǎng)，受益于算力芯片需求攀升，正在積極擴(kuò)充封裝產(chǎn)能。而于此同時(shí)，國(guó)內(nèi)龍頭封裝廠亦在積極把握行業(yè)機(jī)遇，導(dǎo)入客戶Chiplet產(chǎn)品供應(yīng)鏈。通富微電已經(jīng)具備7nmChiplet規(guī)模量產(chǎn)能力，并持續(xù)與AMD等龍頭廠商加深合作；長(zhǎng)電科技推出XDFOI?技術(shù)方案，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)國(guó)際客戶4nm節(jié)點(diǎn)Chiplet產(chǎn)品的量產(chǎn)出貨。此外，Chiplet應(yīng)用加速了晶圓級(jí)封裝的需求，國(guó)內(nèi)諸多封測(cè)廠商都具備晶圓級(jí)封裝能力，諸如長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、甬矽電子、盛合晶微等，有望迎來(lái)晶圓級(jí)封裝的需求增量。我們看好Chiplet技術(shù)應(yīng)用提速之下國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝廠商的發(fā)展機(jī)遇。4.2設(shè)備：晶圓級(jí)封裝設(shè)備和后道封測(cè)設(shè)備需求增長(zhǎng)Chiplet應(yīng)用對(duì)設(shè)備的需求拉動(dòng)來(lái)自兩方面：1）晶圓級(jí)封裝設(shè)備。晶圓級(jí)封裝需要的設(shè)備與前道晶圓制造類似，涉及光刻機(jī)、涂膠顯影設(shè)備、薄膜設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、量測(cè)設(shè)備等。國(guó)產(chǎn)諸多公司都有相關(guān)業(yè)務(wù)：北方華創(chuàng)（刻蝕、薄膜、清洗等）、芯源微（涂膠顯影、清洗）、盛美上海（電鍍、清洗、涂膠顯影、拋光）、中科飛測(cè)（檢測(cè)）等。2）后道封測(cè)設(shè)備。Chiplet封裝依舊需要和傳統(tǒng)封裝類似的封裝和測(cè)試環(huán)節(jié)，有望成為國(guó)產(chǎn)封測(cè)設(shè)備廠商成長(zhǎng)的新動(dòng)力，包括：封裝設(shè)備廠商新益昌、ASMP；測(cè)試設(shè)備廠商長(zhǎng)川科技、華峰測(cè)控、金海通等。4.3材料：ABF載板用量提升Chiplet技術(shù)發(fā)展增大芯片封裝面積，提升ABF載板用量。Chiplet是將一類滿足特定功能的die（裸片），通過(guò)die-to-die內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)實(shí)現(xiàn)多個(gè)模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片封裝在一起，形成一個(gè)系統(tǒng)芯片，要將這些芯片整合在一起需要更大的ABF載板來(lái)放置，這意味著ABF載板耗用的面積將隨chiplet技術(shù)而變大，而載板的面積越大，ABF的良率就會(huì)越低，ABF載板需求也會(huì)進(jìn)一步提高。同時(shí)，Chiplet先進(jìn)封裝的應(yīng)用也會(huì)增加封裝載板層數(shù)，具體層數(shù)與技術(shù)指標(biāo)要求取決于芯片的設(shè)計(jì)方案。ABF載板已經(jīng)成為FC-BGA封裝的標(biāo)配。ABF載板又被稱為味之素基板，其關(guān)鍵材料ABF膜被日本味之素公司壟斷，是FC-BGA封裝的標(biāo)配材料。ABF載板作為芯片封裝中連接芯片與電路板的中間材料，主要用于CPU、GPU、FPGA、ASIC等高運(yùn)算性能芯片，其核心作用就是與芯片進(jìn)行更高密度的高速互聯(lián)通信，然后通過(guò)載板上的更多線路與大型PCB板進(jìn)行互聯(lián)，起著承上啟下的作用，進(jìn)而保護(hù)電路完整、減少漏失、固定線路位置、有利于芯片更好的散熱以保護(hù)芯片，甚至可埋入無(wú)源、有源器件以實(shí)現(xiàn)一定系統(tǒng)功能。ABF載板廠商主要集中在中國(guó)臺(tái)灣、日本和韓國(guó)。根據(jù)QYResearch統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，2021年全球ABF基板市場(chǎng)銷售額達(dá)到43.68億美元，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到65.29億美元，CAGR為5.56%。目前ABF載板主要有七大供貨商，2021年供貨比重分別是欣興21.6%、Ibiden19.0%、AT&S16.0%、南電13.5%、Shinko12.1%、景碩7.2%、Semco5.1%，2022年除Semco外，其余廠商于皆有進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。從生產(chǎn)端來(lái)看，日本、中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)主導(dǎo)了全球ABF載板生產(chǎn)，2021年這三大地區(qū)的市場(chǎng)份額分別為25%、44%和9.9%。未來(lái)隨著CPU、GPU、FPGA、ASIC等高性能運(yùn)算芯片需求增長(zhǎng)以及Chiplet技術(shù)的廣泛應(yīng)用，ABF載板的需求量將進(jìn)一步提升。國(guó)內(nèi)廠商如華正新材、生益科技、方邦股份、興森科技、深南電路等正在加快核心技術(shù)研發(fā)，力爭(zhēng)打破海外壟斷格局。目前華正新材的CBF積層絕緣膜正在加快新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)程，在CPU、GPU等半導(dǎo)體芯片封裝領(lǐng)域進(jìn)入了下游IC載板廠、封裝測(cè)試廠及芯片終端驗(yàn)證流程，并取得了良好進(jìn)展。5投資分析長(zhǎng)電科技長(zhǎng)電科技成立于1972年，是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)企業(yè)。主營(yíng)業(yè)務(wù)包括集成電路的系統(tǒng)集成、設(shè)計(jì)仿真、技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證、晶圓中測(cè)、晶圓級(jí)中道封裝測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)封裝測(cè)試、芯片成品測(cè)試。公司全面覆蓋主流中高低封測(cè)技術(shù)，并覆蓋WLP、2.5D/3D、SIP、高性能倒裝芯片、引線互聯(lián)等先進(jìn)技術(shù)；業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)對(duì)汽車領(lǐng)域、通信領(lǐng)域、高性能計(jì)算領(lǐng)域、存儲(chǔ)領(lǐng)域的覆蓋。長(zhǎng)電旗下生產(chǎn)基地全球布局，擁有主營(yíng)先進(jìn)封裝的星科金朋、長(zhǎng)電韓國(guó)、長(zhǎng)電先進(jìn)、長(zhǎng)電江陰，和主營(yíng)傳統(tǒng)封裝的滁州、宿遷多個(gè)廠區(qū)。長(zhǎng)電科技在中國(guó)、韓國(guó)和新加坡?lián)碛袃纱笱邪l(fā)中心和六大集成電路成品生產(chǎn)基地，星科金朋、長(zhǎng)電先進(jìn)、長(zhǎng)電韓國(guó)主營(yíng)先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，而長(zhǎng)電本部江陰廠、宿遷廠和滁州廠主營(yíng)傳統(tǒng)封裝業(yè)務(wù)。各生產(chǎn)基地分工明確、各具技術(shù)特色和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。2022年半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)景氣下行，但公司加快高性能封測(cè)領(lǐng)域的研發(fā)和客戶產(chǎn)品導(dǎo)入，強(qiáng)化高附加值市場(chǎng)的開(kāi)拓，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)比重，實(shí)現(xiàn)收入和凈利潤(rùn)逆勢(shì)增長(zhǎng)。2022年全年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收337.62億元，同比增長(zhǎng)10.69%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)32.31億元，同比增長(zhǎng)9.20%，創(chuàng)歷年新高。2023年Q1，受半導(dǎo)體周期性下行影響，公司業(yè)績(jī)短期承壓，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.10億元，同比下滑87.24%，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收58.60億元，同比下滑27.99%。利潤(rùn)率和費(fèi)用率方面，公司在過(guò)去數(shù)年間通過(guò)業(yè)務(wù)規(guī)模增長(zhǎng)、運(yùn)營(yíng)管理精進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了較好的降費(fèi)增效和盈利釋放。2017-2022年，公司毛利率從11.71%提升至17.04%，期間費(fèi)用率從13.55%下降至7.47%，2019年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，2022年實(shí)現(xiàn)凈利率9.57%。2023年Q1，受行業(yè)景氣度影響公司毛利率短期下滑至11.84%，凈利率同步下滑至1.88%。從下游市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)看，公司下游市場(chǎng)以通信和消費(fèi)電子為主。2022年全年，公司收入結(jié)構(gòu)中通訊電子占比39.3%、消費(fèi)電子占比29.3%、運(yùn)算電子占比17.4%、工業(yè)及醫(yī)療電子占比9.6%、汽車電子占比4.4%。運(yùn)算電子和汽車電子兩大成長(zhǎng)性賽道將是公司重點(diǎn)發(fā)力方向。通富微電通富微電是全球第四、中國(guó)大陸第二OSAT廠商，2022年全球市占率6.51%，公司主要從事集成電路封裝測(cè)試一體化服務(wù)。封裝類型齊全，包含框架類封裝，基板類封裝和圓片類封裝，以及COG、COF和SIP等。產(chǎn)品種類豐富，廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)通訊、移動(dòng)終端、車載電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)智造等領(lǐng)域。公司共設(shè)有七大生產(chǎn)基地，分別為崇川總部、南通通富、合肥通富、通富超威蘇州、通富超威檳城、廈門通富和通富通科。2022年以來(lái)，封測(cè)行業(yè)需求走弱，但公司蘇州、檳城廠收入保持了50%以上的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，2022年公司營(yíng)收214.29億元，同比增長(zhǎng)35.52%。稼動(dòng)率下行更多地體現(xiàn)在國(guó)內(nèi)業(yè)務(wù)，并影響了利潤(rùn)端，2022年公司歸母凈利潤(rùn)5.02億元，同比下降47.53%，蘇通廠、合肥廠均出現(xiàn)凈利虧損。2023年Q1公司收入46.42億元，保持正增長(zhǎng)，年度收入目標(biāo)248億，同比增長(zhǎng)16%。利潤(rùn)率和費(fèi)用率方面，2022年公司毛利率和凈利率分別為13.9%/2.48%，近五年來(lái)呈現(xiàn)明顯波動(dòng)的情況；同年，公司期間費(fèi)用率為12.02%，自2018年來(lái)保持相對(duì)穩(wěn)定態(tài)勢(shì)。2023年Q1，公司毛利率和凈利率分別為9.45%/0.23%，期間費(fèi)用率為12.11%。華天科技公司主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，封裝產(chǎn)品可分為三大類：（1）引線框架類產(chǎn)品，主要包括DIP/SOP、QFP、QFN、FCQFN、SOT、DFN；（2）基板類產(chǎn)品，主要包括WBBGA/LGA、FCCSP/FCLGA、FCBGA、SiP；（3）晶圓級(jí)產(chǎn)品，定位高端產(chǎn)品，主要包括WLP系列、TSV系列、Bumping系列和MEMS系列等。產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。受終端市場(chǎng)產(chǎn)品需求下降及集成電路行業(yè)景氣度下滑影響，公司2022年?duì)I業(yè)收入119.06億元，同比下降1.58%；歸母凈利潤(rùn)7.54億元，同比下降46.74%。景氣度低迷持續(xù)到2023年Q1，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入22.39億元，同比下降26%；歸母凈利潤(rùn)虧損1.06億元，同比下降151.2%。利潤(rùn)率和費(fèi)用率方面，2022年公司毛利率和凈利率分別為16.84%/8.59%，近五年內(nèi)出現(xiàn)明顯的波動(dòng)；同年，公司期間費(fèi)用率為12.45%，自2018年來(lái)保持相對(duì)穩(wěn)定態(tài)勢(shì)。2023年Q1，公司毛利率和凈利率分別為3.99%/-5.66%，期間費(fèi)用率為14.13%。業(yè)務(wù)拆分：集成電路封測(cè)：公司的主要業(yè)務(wù)，2022年因封測(cè)行業(yè)周期性下行，收入增速轉(zhuǎn)負(fù)并呈現(xiàn)毛利率的下滑，預(yù)計(jì)2023年起伴隨半導(dǎo)體下游需求逐漸回復(fù)，集成電路封測(cè)業(yè)務(wù)收入恢復(fù)增長(zhǎng)。綜合考慮行業(yè)景氣度回升，以及公司2021年定增募投項(xiàng)目將在2023年底逐步達(dá)到可用狀態(tài)，并在之后實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能釋放，我們預(yù)計(jì)2024-2025年會(huì)有更高的收入增速，預(yù)計(jì)2023-2025年收入同比增長(zhǎng)14.5/17.4/17.8%，而毛利率仍受到價(jià)格及產(chǎn)能利用率影響，預(yù)計(jì)2023年仍將短期承壓，并有望于2024年開(kāi)始回升，逐步回到接近周期前高水平（2021年度），預(yù)計(jì)2023-2025年毛利率分別為14.2/18.2/20.1%。LED封測(cè)：收入占比較低，且相較集成電路業(yè)務(wù)更為低端，因此在行業(yè)下行周期呈現(xiàn)了較大的收入降幅和利潤(rùn)虧損。我們預(yù)計(jì)下游LED需求將在2023年觸底，后續(xù)受有望受益于面板行業(yè)復(fù)蘇、miniLED新品滲透等因素恢復(fù)增長(zhǎng)，2023-2025年收入同比增長(zhǎng)-30.1/9.0/4.3%。毛利率方面，短期價(jià)格及產(chǎn)能利用率維持地位仍將壓制公司盈利水平，預(yù)計(jì)2023年起虧損收窄，并逐漸扭虧，2023-2025年毛利率分別為-19.5/-9.0/-0.3%。甬矽電子甬矽電子是一家新銳半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)，從成立之初即聚焦集成電路封測(cè)業(yè)務(wù)中的先進(jìn)封裝領(lǐng)域。公司擁有的主要核心技術(shù)包括高密度細(xì)間距倒裝凸點(diǎn)互聯(lián)芯片封裝技術(shù)、應(yīng)用于4G/5G通訊的射頻芯片/模組封裝技術(shù)、混合系統(tǒng)級(jí)封裝(Hybrid-SiP)技術(shù)、多芯片(Multi-Chip)/高焊線數(shù)球柵陣列(WB-BGA)封裝技術(shù)、基于引線框的高密度/大尺寸的QFN封裝技術(shù)、MEMS&光學(xué)傳感器封裝技術(shù)和多應(yīng)用領(lǐng)域先進(jìn)IC測(cè)試技術(shù)等。公司全部產(chǎn)品均為QFN/DFN、WB-LGA、WB-BGA、FC-BGA、FC-LGA等中高端先進(jìn)封裝形式，并在系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、高密度細(xì)間距凸點(diǎn)倒裝產(chǎn)品（FC類）、大尺寸/細(xì)間距扁平無(wú)引腳封裝產(chǎn)品（QFN/DFN）等先進(jìn)封裝領(lǐng)域具有較為突出的封裝技術(shù)優(yōu)勢(shì)和先進(jìn)性。2022年，受到行業(yè)周期下行影響，公司營(yíng)收增速放緩，全年?duì)I業(yè)收入21.77億元，同比增長(zhǎng)5.96%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.38億元，同比下降57.11%。行業(yè)景氣低迷持續(xù)到2023年Q1，該季度甬矽實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.25億元，同比下降26.85%；歸母凈利潤(rùn)為虧損0.50億元，同比下降170.04%。收入構(gòu)成方面，系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品（SiP）與扁平無(wú)引腳封裝產(chǎn)品（QFN/DFN）為公司兩大主要營(yíng)收來(lái)源。2022年，公司SiP業(yè)務(wù)收入12.25億元；QFN/DFN業(yè)務(wù)收入6.32億元；FC類業(yè)務(wù)收入2.92億元；MEMS業(yè)務(wù)收入0.05億元；其他業(yè)務(wù)及產(chǎn)品收入0.22億元。利潤(rùn)率和費(fèi)用率方面，受半導(dǎo)體行業(yè)需求波動(dòng)影響，產(chǎn)品毛利率有所下滑，同時(shí)人員規(guī)模擴(kuò)大、貸款增加等因素導(dǎo)致期間費(fèi)用有所增長(zhǎng)，影響利潤(rùn)表現(xiàn)。2022年毛利率為21.91%，凈利率為6.30%，近五年來(lái)總體呈上升趨勢(shì)；公司期間費(fèi)用率為18.64%，自2018年來(lái)呈下降趨勢(shì)。2023年Q1毛利率為8.39%，凈利率為-13.60%，期間費(fèi)用率為26.34%。晶方科技晶方科技是大陸晶圓級(jí)封測(cè)龍頭，擁有領(lǐng)先的硅通孔（TSV)、晶圓級(jí)、Fanout、系統(tǒng)級(jí)等多樣化的封裝技術(shù)，目前同時(shí)具備8英寸和12英寸晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）技術(shù)的規(guī)模量產(chǎn)能力。公司重點(diǎn)聚焦以影像傳感芯片為代表的智能傳感器市場(chǎng)，封裝的產(chǎn)品主要包括CIS芯片、TOF芯片、生物身份識(shí)別芯片、MEMS芯片等，廣泛應(yīng)用在手機(jī)、安防監(jiān)控、身份識(shí)別、汽車電子、3D傳感等電子領(lǐng)域。主要客戶有豪威、格科微、索尼、晶相光電、思特威等；同時(shí)公司已進(jìn)一步收購(gòu)Anteryon，持有其81.09%股份，強(qiáng)化了對(duì)WLO業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體封裝技術(shù)的整合，有望進(jìn)一步受益于MLA車燈需求增長(zhǎng)；公司加大對(duì)以色列VisIC公司的投資，VisIC是全球領(lǐng)先的GaN器件設(shè)計(jì)公司，研發(fā)團(tuán)隊(duì)擁有數(shù)十年的產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，并已開(kāi)發(fā)出GaN大功率晶體管和模塊，其專利技術(shù)的氮化鎵功率器件可廣泛應(yīng)用于快充、電動(dòng)汽車、5G基站和數(shù)據(jù)中心、高功率激光等領(lǐng)域。公司通過(guò)對(duì)VisIC的布局，有望有效把握第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇。2022年受市場(chǎng)需求下降、行業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩庫(kù)存高企、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品創(chuàng)新力不足，更換設(shè)備的間隔拉長(zhǎng)等多因素影響，公司所專注的影像傳感器細(xì)分市場(chǎng)景氣度疲軟，2022年公司實(shí)現(xiàn)銷售收入11.06億元，同比下降21.62%，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.58億元，同比下降59.63%，實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)2.28億元，同比下降60.45%。2023年Q1，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.23億元，同比下降26.89%；歸母凈利潤(rùn)0.29億元，同比下降68.48%。業(yè)務(wù)拆分：芯片封裝：2022年受封測(cè)行業(yè)周期下行影響，芯片封裝業(yè)務(wù)收入、毛利率均有下滑，預(yù)計(jì)2023年伴隨下游封裝周期觸底，需求逐漸回復(fù)，收入恢復(fù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023-2025年收入同比增長(zhǎng)15.0/20.0/20.0%，毛利率亦有望在年內(nèi)底部企穩(wěn)，考慮到2023年Q1毛利率的較大嚇唬，我們預(yù)計(jì)全年毛利率仍將短期承壓，2024年開(kāi)始有望看到較為明顯的回升，預(yù)計(jì)2023-2025年毛利率分別為45.0/46.0/47.0%。光學(xué)器件：2021年包含在芯片封裝業(yè)務(wù)中，2022年起作為新業(yè)務(wù)在公司財(cái)報(bào)中單獨(dú)披露，由于基數(shù)較低展現(xiàn)了較高的增速。公司預(yù)計(jì)2023年將加大投入開(kāi)發(fā)提升微型光學(xué)器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)與制造能力，加強(qiáng)荷蘭Anteryon、晶方光電的業(yè)務(wù)與技術(shù)協(xié)同，進(jìn)一步鞏固混合鏡頭業(yè)務(wù)的技術(shù)領(lǐng)先能力，提高其在半導(dǎo)體設(shè)備、工業(yè)智能等領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模。完善增強(qiáng)晶圓級(jí)微型鏡頭業(yè)務(wù)的制造能力，拓展MLA產(chǎn)品的客戶群體與業(yè)務(wù)規(guī)模，并大力推進(jìn)在汽車大燈等智能交互領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)與商業(yè)化應(yīng)用。因此預(yù)計(jì)未來(lái)保持較高的收入增長(zhǎng)和盈利提升趨勢(shì)，預(yù)計(jì)2023-2025年收入同比增長(zhǎng)80.0/60.0/40.0%，業(yè)務(wù)規(guī)模逐漸起量有望帶來(lái)規(guī)模優(yōu)勢(shì)和成本下降，預(yù)計(jì)2023-2025年毛利率分別為38.0/38.5/39.0%。偉測(cè)科技公司是國(guó)內(nèi)知名的第三方集成電路測(cè)試服務(wù)企業(yè)，提供從測(cè)試方案開(kāi)發(fā)、晶圓測(cè)試、芯片成品測(cè)試、SLT測(cè)試、老化測(cè)試、InTrayMark、LeadScan等全流程測(cè)試服務(wù)。公司測(cè)試的晶圓和成品芯片在類型上涵蓋CPU、MCU、FPGA、SoC芯片、射頻芯片、存儲(chǔ)芯片、傳感器芯片、功率芯片等芯片種類；在工藝上涵蓋6nm、7nm、14nm等先進(jìn)制程和28nm以上的成熟制程；在晶圓尺寸上涵蓋12英寸、8英寸、6英寸等主流產(chǎn)品。公司的測(cè)試產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制、通訊、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。2022年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.33億元，同比增長(zhǎng)48.64%，主要系下游集成電路測(cè)試需求旺盛，公司持續(xù)擴(kuò)大測(cè)試產(chǎn)能，加大對(duì)新老客戶產(chǎn)品的測(cè)試開(kāi)發(fā)力度，使得集成電路測(cè)試收入保持較快增長(zhǎng)所致；歸母凈利潤(rùn)24,332.73萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)84.09%。2023年Q1受封測(cè)行業(yè)景氣度周期下行影響，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.41億元，同比下降15.38%；歸母凈利潤(rùn)0.27億元，同比下降39.29%。業(yè)務(wù)拆分：晶圓測(cè)試業(yè)務(wù)：公司的主要業(yè)務(wù)，得益于公司獨(dú)特的第三方測(cè)試服務(wù)商商業(yè)模式，在封測(cè)行業(yè)下行周期中仍保持了較好的收入增速，預(yù)計(jì)未來(lái)保持穩(wěn)健增長(zhǎng)，2023-2025年收入同比增長(zhǎng)40.0/40.0/35.0%。毛利率方面，2023年Q1整體毛利率略有下滑，預(yù)計(jì)未來(lái)伴隨封測(cè)整體需求復(fù)蘇，盈利將有所恢復(fù)，2023-2025年毛利率55.0/56.0/56.0%。成品類業(yè)務(wù)：成品測(cè)試業(yè)務(wù)為公司2020-2021年發(fā)力開(kāi)拓方向，已實(shí)現(xiàn)可觀收入規(guī)模，預(yù)計(jì)未來(lái)保持穩(wěn)健增長(zhǎng)，2023-2025年收入同比增長(zhǎng)35.0/35.0/30.0%。毛利率方面，在市場(chǎng)開(kāi)拓期業(yè)務(wù)毛利率有所下降，預(yù)計(jì)未來(lái)伴隨收入規(guī)模擴(kuò)大而逐步穩(wěn)定，2023-2025年毛利率36.0/35.0/35.0%。其他業(yè)務(wù)：非主營(yíng)業(yè)務(wù)，收入較少，預(yù)計(jì)未來(lái)收入伴隨公司整體規(guī)模增長(zhǎng)而穩(wěn)定增長(zhǎng)，毛利率則將維持穩(wěn)定。2023-2025年收入同比增長(zhǎng)45.0/45.0/45.0%，毛利率維持45.0%。長(zhǎng)川科技長(zhǎng)川科技成立于2008年，公司主要為集成電路封裝測(cè)試企業(yè)、晶圓制造企業(yè)、芯片設(shè)計(jì)企業(yè)等提供測(cè)試設(shè)備。目前主要銷售產(chǎn)品為測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、自動(dòng)化設(shè)備及AOI光學(xué)檢測(cè)設(shè)備等。公司生產(chǎn)的測(cè)試機(jī)包括大功率測(cè)試機(jī)、模擬測(cè)試機(jī)、數(shù)字測(cè)試機(jī)等；分選機(jī)包括重力式分選機(jī)、平移式分選機(jī)、測(cè)編一體機(jī)；自動(dòng)化設(shè)備包括指紋模組、攝像頭模組等領(lǐng)域的自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備；AOI光學(xué)檢測(cè)設(shè)備包括晶圓光學(xué)外觀檢測(cè)設(shè)備、電路封裝光學(xué)外觀檢測(cè)設(shè)備等。2022年，歸功于國(guó)家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)注度的提升，公司研發(fā)項(xiàng)目加大投入，產(chǎn)品線豐富和客戶范圍擴(kuò)張等積極作用，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入25.77億元，同比增長(zhǎng)70.49%；歸母凈利潤(rùn)46,108.04萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)111.28%。2023年Q1受半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)景氣度周期下行影響，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.2億元，同比下降40.48%；歸母凈利潤(rùn)為虧損0.57億元，同比下降180.5%。業(yè)務(wù)拆分：分選機(jī)：分選機(jī)業(yè)務(wù)在過(guò)去保持了較高的收入增長(zhǎng)和毛利率提升，2023年公司并購(gòu)長(zhǎng)奕科技，并發(fā)力三溫分選機(jī)等新品，預(yù)計(jì)收入將繼續(xù)高增，2023-2025年收入同比增長(zhǎng)43.4/32.8/25.2%，毛利率方面，伴隨收入規(guī)模釋放，公司分選機(jī)已在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位，毛利率已達(dá)到較高水平，預(yù)計(jì)2023-2025年穩(wěn)定在45.0%。測(cè)試機(jī)：測(cè)試機(jī)產(chǎn)品線新品持續(xù)放量，在2021-2022年持續(xù)高增，達(dá)到較大收入規(guī)模，2023年數(shù)字測(cè)試機(jī)新品放量仍將帶來(lái)較高的收入增速，預(yù)計(jì)未來(lái)2024-2025年增速逐漸趨緩，2023-2025年收入同比增長(zhǎng)72.7/21.6/19.5%。毛利率方面，測(cè)試機(jī)毛利率高于分選機(jī)業(yè)務(wù)，且得益于數(shù)字測(cè)試機(jī)新品迭代，未來(lái)仍有望維持高位，預(yù)計(jì)2023-2025年分別為68.0/69.0/69.0%。興森科技興森科技成立于1993年，是PCB樣板、快件和小批量領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，并在半導(dǎo)體ATE測(cè)試板、封裝基板細(xì)分領(lǐng)域成為國(guó)內(nèi)頭部廠商之一。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為PCB和半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。PCB業(yè)務(wù)聚焦于樣板快件及批量板的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和表面貼裝；半導(dǎo)體業(yè)務(wù)聚焦于IC封裝基板（含CSP封裝基板和FCBGA封裝基板）及半導(dǎo)體測(cè)試板。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、服務(wù)器、工業(yè)控制及儀器儀表、醫(yī)療電子、軌道交通、計(jì)算機(jī)應(yīng)用、半導(dǎo)體等多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域。公司總部設(shè)在中國(guó)深圳，并在廣州、宜興、珠海、英國(guó)和美國(guó)等地建立了生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)基地；在中國(guó)香港、美國(guó)成立了子公司。目前海內(nèi)外已建立數(shù)十個(gè)客戶服務(wù)中心，形成了全球化的營(yíng)銷和技術(shù)服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。2022年，半導(dǎo)體整體景氣度下行。受限于行業(yè)層面需求不振、競(jìng)爭(zhēng)加劇的壓力，公司收入增速放緩，且毛利率下行，2022年公司整體營(yíng)收53.54億元，同比增長(zhǎng)6.23%；歸母凈利潤(rùn)5.26億元，同比下降15.42%。2023年Q1封測(cè)行業(yè)稼動(dòng)率持續(xù)低迷，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收12.52億元，同比下降1.63%；歸母凈利潤(rùn)為0.08億元，同比下降96.27%。收入構(gòu)成方面，2022年公司PCB樣板及小批量板收入40.30億元；IC封裝基板收入6.90億元；半導(dǎo)體測(cè)試板收入4.59億元；固態(tài)硬盤、SMT等其他業(yè)務(wù)收入1.75億元。華正新材華正新材成立于2003年，公司主要從事覆銅板及粘結(jié)片、復(fù)合材料和膜材料等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通訊、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、半導(dǎo)體封裝、新能源汽車、智慧家電、醫(yī)療設(shè)備、軌道交通、綠色物流等領(lǐng)域。公司主要產(chǎn)品覆銅板（CCL）全稱覆銅箔層壓板，是制作印制電路板（PCB）的基礎(chǔ)材料。公司產(chǎn)能高質(zhì)量擴(kuò)張，積極布局進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。覆銅板業(yè)務(wù)方面，2022年公司年產(chǎn)2400萬(wàn)張高等級(jí)覆銅板珠?；仨?xiàng)目一期工程按計(jì)劃部分投產(chǎn)，新增產(chǎn)能有效提高了公司高等級(jí)覆銅板的供應(yīng)能力，進(jìn)一步提升了行業(yè)地位。膜材料業(yè)務(wù)方面，公司持續(xù)加快CBF積層絕緣膜新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)度，在CPU、GPU等半導(dǎo)體芯片封裝領(lǐng)域進(jìn)入下游IC載板廠、封裝測(cè)試廠及芯片終端驗(yàn)證流程；BT封裝材料在MiniLED背光和直顯應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定市場(chǎng)供應(yīng)，已在存儲(chǔ)芯片、微機(jī)電系統(tǒng)芯片、射頻模塊芯片等應(yīng)用市場(chǎng)開(kāi)展終端驗(yàn)證。終端市場(chǎng)需求疲軟，公司業(yè)績(jī)承壓。公司2022年?duì)I業(yè)收入為32.86億元，同比減少9.23%；歸母凈利潤(rùn)為0.36億元，同比減少84.85%，主要系終端及下游客戶需求增長(zhǎng)乏力，且產(chǎn)業(yè)整體稼動(dòng)率不高，同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇導(dǎo)致覆銅板售價(jià)下降。受行業(yè)景氣度影響，2023Q1公司營(yíng)收為7.58億元，同比減少9.45%，環(huán)比減少16.50%；歸母凈利潤(rùn)為-0.08億元，同比減少125.30%，環(huán)比增長(zhǎng)68.16%。公司一季度歸母凈利潤(rùn)出現(xiàn)環(huán)比減虧，同時(shí)CBF終端產(chǎn)品驗(yàn)證順利，隨著覆銅板和鋁塑膜業(yè)務(wù)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目的投產(chǎn)，預(yù)計(jì)全年盈利能力有望得到持續(xù)改善。覆銅板為公司主要收入來(lái)源。公司主要產(chǎn)品包括覆銅板、交通物流用復(fù)合材料、絕緣材料、導(dǎo)熱材料。2022年，公司覆銅板業(yè)務(wù)收入達(dá)到24.92億元，占總營(yíng)收75.84%，貢獻(xiàn)公司大部分收入；交通物流用復(fù)合材料、絕緣材料和導(dǎo)熱材料收入分別達(dá)到3.40億元、1.93億元和1.90億元，其營(yíng)收占比分別為10.34%、5.87%和5.79%。毛利率與凈利率23Q1環(huán)比改善。受下游需求疲軟影響，公司2022年毛利率為12.98%，同比下降3.53pct；凈利率為1.24%，同比下降5.4pct。2023Q1，公司毛利率為11.43%，同比減少3.84pct，環(huán)比增加1.07pct；凈利率為-1.04%，同比減少4.83pct，環(huán)比增加1.57pct，毛利率及凈利率環(huán)比均出現(xiàn)增長(zhǎng)。華海誠(chéng)科公司成立于2010年12月，是一家專業(yè)從事于半導(dǎo)體器件、集成電路、特種器件、LED支架等電子封裝材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)企業(yè)。公司已發(fā)展成為我國(guó)規(guī)模較大、產(chǎn)品系列齊全、具備持續(xù)創(chuàng)新能力的環(huán)氧塑封料廠商，在半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域已構(gòu)建了完整的研發(fā)生產(chǎn)體系并擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司主要產(chǎn)品包括環(huán)氧塑封料與電子膠黏劑，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝、板級(jí)組裝等應(yīng)用場(chǎng)景。其中環(huán)氧塑封料與芯片級(jí)電子膠黏劑與半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展息息相關(guān)，是保證芯片功能穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵材料。環(huán)氧塑封料應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝工藝中的塑封環(huán)節(jié)，屬于技術(shù)含量高、工藝難度大、知識(shí)密集型的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。在塑封過(guò)程中，封裝廠商主要采用傳遞成型法將環(huán)氧塑封料擠壓入模腔并將其中的半導(dǎo)體芯片包埋，在模腔內(nèi)交聯(lián)固化成型后成為具有一定結(jié)構(gòu)外型的半導(dǎo)體器件。2022年，受下游封測(cè)需求疲軟影響，公司營(yíng)業(yè)收入為3.03億元，同比減少12.67%；歸母凈利潤(rùn)為0.41億元，同比減少13.39%，主要系公司營(yíng)業(yè)收入同比下滑、管理費(fèi)剛性支出以及研發(fā)費(fèi)用的持續(xù)投入所致。2023年Q1下游封測(cè)景氣度持續(xù)低迷，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0