第三章 存儲(chǔ)映射關(guān)系

第三章存儲(chǔ)映射關(guān)系第1頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月2.6.0.MCU存儲(chǔ)器分類及特點(diǎn)寄存器。RAM讀寫方便，保持經(jīng)常修改的數(shù)據(jù)。掉電不能保護(hù)數(shù)據(jù)。靜態(tài)RAM,動(dòng)態(tài)RAM;3.EEPROM非易失存儲(chǔ)器。用于保持重要、修改少的數(shù)據(jù)。掉電保持。4.FLASH固有不揮發(fā)性。不需要后備電源保持?jǐn)?shù)據(jù)。易更新性。成本低、密度高、可靠性好。僅在特殊模式下才可能寫入數(shù)據(jù)。第2頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月2.6.1存儲(chǔ)空間分配二.由邏輯地址向物理地址變換過程一.存儲(chǔ)器管理問題對(duì)基本64K空間進(jìn)行分配各種存儲(chǔ)器地址安排如何避免沖突，發(fā)生沖突解決方法超過基本64K空間解決辦法第3頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月$00_0000,$00_07FF$00_0800,$0F_FFFF$10_0000,$13_FFFF$14_0000,$1F_FFFF$20_0000,$3F_FFFF$40_0000,$7F_FFFF2K寄存器RAMDFLASH保留擴(kuò)展FLASH1M256K768K2M4M8M四.內(nèi)存映射關(guān)系1.8M空間分配第4頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月2.存儲(chǔ)區(qū)映射模塊原理MMC第5頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月注意：GPAGE主要應(yīng)用于讀取大型表格，關(guān)聯(lián)指令有限，不適合應(yīng)用到程序中的操作（比如加減運(yùn)算等）。專用全局指令關(guān)聯(lián):3.存儲(chǔ)器8M空間的連續(xù)讀取GLDARGSTAR第6頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月4.基本64K空間分配頁面分配空間定義：DFLASH:1KRAM:4KFLASH:16KS12XS128內(nèi)存：DFLASH:8K=8×1KRAM:8K<12KFLASH:128K=8×16K12K2K16K2K第7頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月5.邏輯地址映射4K16K1K邏輯空間256×1K=256K256×4K=1M256×16K=4MCPU16位地址第8頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月6.單片模式空間分配第9頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月2.6.2存儲(chǔ)器地址管理2KB寄存器空間4KB分頁RAM1KB數(shù)據(jù)閃存

$FF$FD$FC$FB$00$FD8KBRAM$FE$FF$FC$FB$FA$00最多255最多25416KB閃存16KB閃存16KBFLASH分頁閃存$FF$FE$FD$FC$FB$FA$00最多2541KB分頁數(shù)據(jù)閃存$FE初始值：EPAGE=$FE RPAGE=$FD PPAGE=$FE第10頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月2KB寄存器空間4K保留1KB數(shù)據(jù)閃存

$FF$FD$FC$FB$F8$FD8KBRAM$FE$FF16KB閃存16KB閃存16KB分頁閃存$FF$FE$FD$FC$FB$FA$F81KB分頁數(shù)據(jù)閃存

$FEXS128S實(shí)際地址分配關(guān)系程序需要調(diào)用需要的頁面時(shí)，使用與頁面寄存器相關(guān)的指令將程序調(diào)入分頁WINDOW。第11頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月集成：I/O寄存器、RAM、DFLASH、PFLASH統(tǒng)一編址：64KB($0000~$FFFF）。每存儲(chǔ)單元存8位信息I/O寄存器1KB，(分配2K空間）RAM8KB（沒有使用頁面擴(kuò)展機(jī)制，實(shí)際存放在64K空間內(nèi)，$2000-$3FFF共2個(gè)4K）DFLASH8KB（頁面擴(kuò)展機(jī)制，共8頁，每頁1K頁面編號(hào)$FF、$FE$F8）FLASH128KB（頁面擴(kuò)展機(jī)制，共8頁，每頁16K頁