磁控濺射操作規(guī)程

磁控濺射設備操作規(guī)程開機過程開電柜A水閥（注意有兩水路，閥門上標簽為電柜左(A)，電柜右(B)）.開電柜A總控制電源.開機械泵，打開旁抽角閥V1,開低真空計電源，用機械泵抽至機械泵抽壓極限(或5Pa以下).開閘板閥G，開電磁閥（DF1），關閉旁抽角閥V1.觀察低壓真空計示數(shù)是否穩(wěn)定(穩(wěn)定時即為系統(tǒng)不漏氣)，待穩(wěn)定后開分子泵(KYKY)總電源.觀察分子泵顯示窗口為閃動的600Hz時，按下分子泵啟動按鈕，分子泵加速.當分子泵轉速穩(wěn)定，窗口顯示為600Hz后，按下高真空計DL-7電源按鈕，觀察真空室真空度，等待達到濺射所需的本底真空度(一般為10-4Pa).濺射過程關閉高真空計DL-7(!進氣之前一定要關閉，否則高真空計會被損壞)，然后打開V2，再打開V5.開氬氣瓶總閥，開減壓閥，觀察其指示小于1.5格(三個大氣壓)即可.開質量流量計電源，將MFC1打到閥控位關小閘板閥G，此調節(jié)過程配合旋動旋鈕調節(jié)氣體流量，使低壓真空計示數(shù)（直流濺射一般為2~5Pa之間，射頻一般在5-8Pa之間）.開電柜B水閥，開電柜B總控制電源.(1).直流濺射：開電柜B中相對應靶位直流濺射電源，調節(jié)功率使使靶上方氬氣電離啟輝.旋轉功率調節(jié)旋鈕，使濺射功率達到所需要的數(shù)值.待板壓和板流穩(wěn)定后，轉動擋板和轉盤，轉動擋板和轉盤到相應的靶上，開始濺射并計時.濺射完畢后，將功率調節(jié)旋鈕逆時針調到最小，按下停止按鈕.然后關閉電柜B的總控制電源.(2).射頻濺射：按下電柜B中射頻功率源的Uf按鈕，電子管預熱5-10分鐘.按下Ua的開始按鈕，通過Ua粗調和細調增大板壓，使靶上方氬氣電離啟輝.調節(jié)SP-II型射頻匹配器的C1,C2(調節(jié)一個時，另一個不動)，使反射功率最小，駐波比小于1.5.增大Ua,調節(jié)匹配器的電容使反射功率始終最小，如此反復調節(jié)使濺射功率達到所需要的數(shù)值.預濺射幾分鐘后，轉動擋板和轉盤到相應的靶上，即可開始濺射.(3).濺射完畢后，將Ua調到最小，按下Ua的停止按鈕.等待幾分鐘后按下Uf按鈕.然后關閉電柜B的總控制電源.（如果需要給襯底加熱，方法同退火過程的5，6步驟）.靶擋板和轉盤的轉動：可通過電腦上的控制軟件或手動轉動.注意轉盤和樣品擋板同時轉動前一定要檢查定位插銷，不能使轉盤被卡住；只對樣品進行轉動操作前，需要將樣品擋板卡??；為了不使加熱電纜纏繞，不能大角度轉動轉盤.濺射完畢后，關閉氬氣的過程：先關氣瓶總閥，后關減壓閥，再將MFC1打到關閉，待流量計顯示為0后關閉流量計電源.先關V5后關V2，開大閘板閥G，讓分子泵將真空室抽至高真空.退火過程開加熱控溫電源，調節(jié)設定退火溫度，加熱電流初始調至2A，過2分鐘左右依次調至4A,6A,8A，注意不要使電流太大.溫度顯示為設定溫度時開始計時(退火時間).關機過程待真空室抽到高真空（10-4帕），關閉閘板閥G.按下分子泵停止按鈕，分子泵減速，當頻率顯示低于50Hz時，關閉電磁閥.按機械泵按鈕，停止機械泵.當分子泵停止頻率顯示為閃動的600Hz時,關閉分子泵總電源.分子泵顯示窗口顯示P.OFF后關閉總控制電源.關閉水閥，放回排氣管，關嚴窗戶.更換樣品過程打開放氣閥(V4)，使真空室和外界壓強相等后，關閉V4.打開電柜A水閥及電柜A總控制電源，確保拔出定位插銷后，按下升按鈕，升起真空室蓋到適當高度..取下樣品托，更換樣品.將真空室頂蓋小心推至真空室正上方，按下“降”按鈕.小心緩慢的將真空室頂蓋降下，真空室頂蓋降到不能自動再降電動機會自動停止.更換靶材過程（起始過程同上述1.2.）1．用螺絲刀擰開固定靶擋板的四個螺絲，將靶擋板小心取出.旋起靶罩并將其取出，后用內六角螺絲刀將靶蓋的固定螺絲擰松，取出靶罩和靶材.將新的靶材放在銅靶托上，蓋上靶蓋，擰上螺絲.重新旋上靶罩，使靶罩和靶蓋間留有一定的間隙(1-3mm或稍大)，兩者不能接觸，因為在濺射電源開時，靶罩為陽極，靶和靶蓋為陰極(對直流濺射而言)；對射頻濺射電源來說，兩極一直在交替.靶罩和靶蓋相接觸的話，即為短路(這一步驟必須戴布手套操作，避免手汗及油脂對真空室引入污染).放入靶擋板，用螺絲刀擰緊固定螺絲.將真空室頂蓋小心推至真空室正上方，按下“降”按鈕