絕緣柵雙極型調(diào)制器igb在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

絕緣柵雙極型調(diào)制器igb在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

0igbt功率開(kāi)關(guān)作為一種新型的功率半導(dǎo)器，密封雙極性peniew[1.5]不僅具有高輸出性能和低干擾噪聲的優(yōu)點(diǎn)，而且具有控制功率小、拆卸方便的特點(diǎn)。開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，而兩極性氧化物的導(dǎo)通性強(qiáng)、導(dǎo)通性差的優(yōu)點(diǎn)。在倡導(dǎo)節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟(jì)的時(shí)代，它具有節(jié)能效率高、便于大規(guī)模生產(chǎn)、智能意識(shí)等優(yōu)點(diǎn)。因此，它是中高功能電子行業(yè)最常用的能源開(kāi)關(guān)裝置[1.5]。由于IGBT器件的優(yōu)越特性,目前IGBT已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、汽車(chē)電子、家電產(chǎn)品、照明、消費(fèi)電子及網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域,而智能電網(wǎng)、高速鐵路、新能源汽車(chē)的發(fā)展為IGBT開(kāi)辟了更加廣泛的應(yīng)用市場(chǎng)。使用IGBT可改造包括電力、交通、機(jī)械、化工、冶金等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排、信息化和智能化。目前,單個(gè)IGBT器件(模塊)電壓應(yīng)用覆蓋從370V~6500V的范圍,應(yīng)用頻率可達(dá)150~200kHz。1關(guān)于igbt的器件技術(shù)從20世紀(jì)60年代后期起,人們一直在尋求一種高速、高效的固態(tài)開(kāi)關(guān)器件;70年代后期,當(dāng)時(shí)在美國(guó)GE公司的B.J.Baliga開(kāi)始致力于一種集成雙極載流子物理特性的新型MOS器件研究,并于1979年發(fā)表了他的研究成果,向世界首次展示了IGBT的工作原理(由于在IGBT開(kāi)發(fā)和商用化方面的卓越貢獻(xiàn),Baliga教授被美國(guó)總統(tǒng)授予2011年國(guó)家技術(shù)與創(chuàng)新獎(jiǎng))。幾乎同時(shí),兩名美國(guó)RCA的工程師,HansW.Becke和CarlF.Wheatley于1980年遞交了一份被后來(lái)業(yè)界視為IGBT種子專(zhuān)利(seminalpatent)的美國(guó)專(zhuān)利,該專(zhuān)利首次指出IGBT工作時(shí)沒(méi)有晶閘管效應(yīng)。最早開(kāi)發(fā)的IGBT是在VDMOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,巧妙地將VDMOS的n+襯底換成p+襯底,從而在器件背面引入pn結(jié)而形成。正向?qū)〞r(shí)背面pn結(jié)引入的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使IGBT的導(dǎo)電機(jī)制由VDMOS的多數(shù)載流子(多子)導(dǎo)電變?yōu)殡p極載流子導(dǎo)電,從而克服了作為多子器件的VDMOS正向?qū)娮枧c擊穿電壓2.5次方的矛盾關(guān)系,在高的耐壓下可獲得低的正向?qū)▔航?。自IGBT發(fā)明以來(lái),IGBT的器件技術(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域得到了巨大的發(fā)展,器件性能也得到了穩(wěn)步提升。國(guó)際知名半導(dǎo)體公司,如Infineon、ABB、Fairchild、IXYS、IR、Hitachi、三菱電子和富士電機(jī)等相繼投入到IGBT的研發(fā)和制造中。到目前,IGBT的器件技術(shù)已經(jīng)過(guò)數(shù)代的發(fā)展,盡管各個(gè)公司在產(chǎn)品代數(shù)的劃分上不完全一致,但基本發(fā)展的趨勢(shì)相同,業(yè)界一般將IGBT的演變按柵工程和襯底工程技術(shù)簡(jiǎn)要?dú)w納為六代,見(jiàn)表1。在這6代IGBT結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,又進(jìn)一步發(fā)展出了包括逆導(dǎo)型IGBT(RC-IGBT)、逆阻型IGBT(RB-IGBT)和超結(jié)型IGBT(SJ-IGBT)等器件新結(jié)構(gòu)。2bt的發(fā)展方向作為一種新型的功率半導(dǎo)體器件,IGBT從問(wèn)世以來(lái)一直朝著低損耗、高頻率和高可靠性的方向發(fā)展。在過(guò)去的三十多年中,其器件和模塊技術(shù)的發(fā)展主要如下。2.1非穿通的igbt結(jié)構(gòu)IGBT襯底工程技術(shù)的發(fā)展主要經(jīng)歷了從穿通(PT)結(jié)構(gòu)到非穿通(NPT)結(jié)構(gòu)再到場(chǎng)阻(FS/LPT/SPT)結(jié)構(gòu)的發(fā)展,襯底厚度得到了持續(xù)的減小,如圖1所示。PT型IGBT采用p+襯底上雙外延工藝制作,工藝成本高,特別是對(duì)于>1200V的高壓器件,需要超過(guò)100μm的外延層厚度。由于p+襯底濃度通常很高,即便有緩沖(buffer)層的情況下背面集電極的注入效率仍然比較高,器件的關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)。為了減小PT型IGBT的關(guān)斷時(shí)間,需要采用載流子壽命控制技術(shù),以控制漂移區(qū)內(nèi)少數(shù)載流子的壽命。同時(shí)器件的導(dǎo)通飽和壓降具有負(fù)的溫度系數(shù),器件并聯(lián)應(yīng)用時(shí)難以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)均流,因此不利于大電流下的并聯(lián)應(yīng)用。但PT型IGBT結(jié)構(gòu)不需要額外的背面注入工藝,工藝難度低,可以實(shí)現(xiàn)很薄的漂移區(qū),與MOS工藝兼容性較好。為了克服PT型IGBT結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn),G.Miller等人于1989年首先提出了非穿通(NPT)IGBT結(jié)構(gòu)的概念。通過(guò)采用高電阻率的區(qū)熔(FZ)單晶片替換昂貴的異型高阻厚外延片,使NPTIGBT器件特別是高壓IGBT器件的成本得到大幅度降低。同時(shí)在硅片背面通過(guò)注入和退火工藝形成發(fā)射效率較低的集電極,NPT結(jié)構(gòu)的IGBT幾乎在全電流范圍內(nèi)導(dǎo)通飽和壓降都呈現(xiàn)正溫度系數(shù),使大電流并聯(lián)應(yīng)用成為可能。對(duì)于NPT結(jié)構(gòu),為了承受高的阻斷電壓,需要較厚的漂移區(qū)以確保在高電壓下不會(huì)發(fā)生耗盡層穿通的現(xiàn)象。然而厚的漂移區(qū)會(huì)顯著增加器件的導(dǎo)通飽和壓降和關(guān)斷時(shí)間,不利于器件性能的提高。在NPT結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,21世紀(jì)初提出了FS(電場(chǎng)截止型)IGBT結(jié)構(gòu)[14~16]。FS型結(jié)構(gòu)具有與PT型結(jié)構(gòu)相似的緩沖層,但摻雜濃度較低。與NPT結(jié)構(gòu)相比,在相同的阻斷電壓下,FSIGBT結(jié)構(gòu)的硅片厚度可減小約1/3,并且保持了導(dǎo)通飽和壓降正溫度系數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)由于較薄漂移區(qū)中的過(guò)剩載流子減少,FSIGBT還能夠減小自身的關(guān)斷時(shí)間,提高器件的關(guān)斷速度。近年來(lái),隨著硅薄片加工工藝的發(fā)展,FSIGBT的襯底厚度持續(xù)減薄,600VIGBT的硅片厚度減薄到約為70μm,器件性能得到了顯著的提高。2011年,Infineon公司發(fā)表了基于8英寸超薄片加工技術(shù)的400VFSIGBT器件,其硅片厚度僅為40μm。為了進(jìn)一步提高器件的性能,超結(jié)(SJ)和半超結(jié)(Semi-SJ)技術(shù)也被引入到IGBT的設(shè)計(jì)中[18~20]。通過(guò)超結(jié)結(jié)構(gòu)p/n柱的電荷補(bǔ)償作用,在相同的耐壓下,SJ和Semi-SJIGBT具有比傳統(tǒng)FSIGBT更薄的漂移區(qū),更高的漂移區(qū)摻雜濃度,從而減小了器件的正向?qū)▔航挡p小了正向?qū)〞r(shí)存儲(chǔ)在漂移區(qū)的過(guò)剩載流子數(shù)目,提高了器件的關(guān)斷速度。同時(shí),由于SJ結(jié)構(gòu)p/n柱反偏結(jié)耗盡區(qū)的橫向擴(kuò)展,在關(guān)斷時(shí)SJ結(jié)構(gòu)耗盡區(qū)展寬速度更快,這進(jìn)一步提高了器件的關(guān)斷速度,減小了器件的關(guān)斷損耗。此外,SJIGBT還具有更為優(yōu)異的抗輻照特性,能工作在更為惡劣的環(huán)境。典型的SJIGBT結(jié)構(gòu),如圖2所示。3.2器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)提出發(fā)射極載流子濃度增強(qiáng)為了解決平面柵IGBT結(jié)構(gòu)的JFET效應(yīng)并提高其抗閂鎖能力,H.R.Chang和B.J.Baliga于1989年將溝槽技術(shù)引入到IGBT工藝中并率先制備了溝槽柵IGBT。溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu)消除了平面柵結(jié)構(gòu)的JFET區(qū)電阻,并可獲得更高的MOS溝道密度,從而可使器件的特性獲得顯著提高。然而,與平面柵結(jié)構(gòu)相比,溝槽柵結(jié)構(gòu)底部的高電場(chǎng)是影響其可靠性的主要因素之一,因而目前高壓IGBT仍主要采用平面柵結(jié)構(gòu)。為了減小溝槽柵結(jié)構(gòu)底部高電場(chǎng)對(duì)其可靠性的影響,國(guó)際上已提出多種改進(jìn)的溝槽柵結(jié)構(gòu)并對(duì)溝槽柵工藝進(jìn)行了優(yōu)化。對(duì)于傳統(tǒng)的IGBT結(jié)構(gòu),漂移區(qū)內(nèi)載流子的濃度分布從集電極到發(fā)射極下降很快,特別是在pbase層和漂移區(qū)的邊界載流子濃度下降為零。在發(fā)射極附近低的載流子濃度增大了漂移區(qū)的電阻,使器件的導(dǎo)通飽和壓降增大。通過(guò)精細(xì)化圖形工藝,減小溝槽柵之間的間距,雖然可以降低導(dǎo)通飽和壓降并可改善擊穿特性,但是MOS溝道密度的增加會(huì)增大器件的飽和電流,導(dǎo)致短路電流增大,影響器件的短路安全工作。為了進(jìn)一步改善導(dǎo)通飽和壓降和關(guān)斷損耗的折中,并提高器件的短路安全性能,業(yè)界提出了發(fā)射極載流子濃度增強(qiáng)技術(shù)。通過(guò)在器件正面引入dummy元胞或浮空p-base層的方式減小與發(fā)射極連接的p-base層的面積或在器件正面引入空穴阻擋層或載流子存儲(chǔ)層的方式增加空穴從p-base層抽取的勢(shì)壘,從而提高靠近IGBT發(fā)射極的載流子濃度,改善正向?qū)〞r(shí)器件漂移區(qū)的載流子濃度分布。具有發(fā)射極載流子濃度增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的IGBT具有更好的導(dǎo)通飽和壓降和關(guān)斷損耗的折中,并具有良好的短路安全工作區(qū),典型器件結(jié)構(gòu)有:CSTBT(Mitsubishi)、IEGT(Toshiba)、Floatingp-base(Fuji)、HiGT(Hitachi)和EPIGBT(ABB)等,代表結(jié)構(gòu)如圖3和圖4所示。HiGT和傳統(tǒng)IGBT的載流子濃度分布對(duì)比,如圖5所示。從圖5中可以看出通過(guò)采用發(fā)射極載流子濃度增強(qiáng)結(jié)構(gòu),在相同條件下HiGT發(fā)射極附近載流子的濃度相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)得到了顯著的提高,從而獲得了更好的載流子濃度分布。近年來(lái),隨著工藝水平的不斷發(fā)展,發(fā)射極載流子濃度增強(qiáng)技術(shù)也在不斷的發(fā)展。2010年ManabuTakei等人通過(guò)在p-base層下方引入埋氧化層的方式提出了DB(DielectricBarrier)IGBT結(jié)構(gòu),如圖6所示。埋入器件p-base層下方的氧化層直接將大部分p-base層和N型漂移區(qū)隔離開(kāi)來(lái)。在正向?qū)〞r(shí),埋氧層直接阻止空穴流向p-base層,從而在埋氧層下形成空穴的積累達(dá)到載流子濃度增強(qiáng)的效果。2012-2013年MasakiyoSumitomo等人連續(xù)報(bào)道了通過(guò)優(yōu)化溝槽刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)的PNM(PartiallyNarrowMesaStructure)IGBT結(jié)構(gòu),如圖7所示,并通過(guò)應(yīng)用雙柵控制技術(shù)對(duì)器件性能進(jìn)行了優(yōu)化,獲得了優(yōu)異的正向?qū)▔航岛完P(guān)斷損耗的折中。該結(jié)構(gòu)具有上細(xì)下粗的溝槽柵結(jié)構(gòu),從而在不需要進(jìn)一步減小溝槽柵間距的情況下實(shí)現(xiàn)了柵極下方空穴的積累,實(shí)現(xiàn)了載流子濃度增強(qiáng)的目的。2013年JunHu等人通過(guò)利用溝槽提供的電場(chǎng)屏蔽作用實(shí)現(xiàn)了高性能的平面柵發(fā)射極載流子增強(qiáng)結(jié)構(gòu),如圖8所示,并獲得了小的柵電容和大的短路安全工作區(qū)。同時(shí),為了改善傳統(tǒng)CSTBT結(jié)構(gòu)載流子存儲(chǔ)層摻雜濃度與器件耐壓之間的矛盾關(guān)系,進(jìn)一步優(yōu)化正向?qū)〞r(shí)漂移區(qū)的載流子濃度分布,在傳統(tǒng)CSTBT結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上筆者進(jìn)一步提出了具有p型埋層結(jié)構(gòu)的CSTBT結(jié)構(gòu)。3.3在其他方面的應(yīng)用IGBT的關(guān)斷過(guò)程就是IGBT基區(qū)中存儲(chǔ)的大量過(guò)剩載流子的復(fù)合和抽取過(guò)程。如果能夠降低基區(qū)中存儲(chǔ)的過(guò)剩載流子數(shù)目并在器件關(guān)斷時(shí)提供載流子的抽取通道,則顯然能夠有效的減小器件的關(guān)斷時(shí)間,當(dāng)然這在一定程度上會(huì)減弱器件正向?qū)〞r(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),增加正向?qū)▔航?。降低器件集電極注入效率是減小基區(qū)中存儲(chǔ)的過(guò)剩載流子數(shù)目的有效手段。透明陽(yáng)極技術(shù)正是這樣一種集電極(陽(yáng)極)工程技術(shù)。在傳統(tǒng)IGBT結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,通過(guò)采用較低的集電極摻雜濃度和較薄的集電極厚度,透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)可顯著改善器件的關(guān)斷特性,減小關(guān)斷損耗。由于透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的集電極摻雜濃度較低,在實(shí)際工藝中可能存在集電極的歐姆接觸問(wèn)題,為了改善這一特性在傳統(tǒng)透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上又進(jìn)一步發(fā)展了雙緩沖層陽(yáng)極、StripedAnode和SegmentedN+P/P+Anode(SA-NPN)等新結(jié)構(gòu)。另一類(lèi)重要的集電極工程技術(shù)是陽(yáng)極短路(AnodeShorted)結(jié)構(gòu)。與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)相比,陽(yáng)極短路結(jié)構(gòu)直接將部分集電極摻雜由p型改為n型,使漂移區(qū)與集電極相連。n+區(qū)一方面可以在正向?qū)〞r(shí)有效降低集電極發(fā)射效率,另一方面在反向恢復(fù)時(shí)可以抽取器件漂移區(qū)中存儲(chǔ)的過(guò)剩載流子以加快器件的關(guān)斷過(guò)程,從而改善器件的性能。然而對(duì)于傳統(tǒng)的陽(yáng)極短路結(jié)構(gòu),正向?qū)〞r(shí)的snapback現(xiàn)象是困擾其應(yīng)用的主要問(wèn)題,為了改善snapback現(xiàn)象,通過(guò)在nbuffer或漂移區(qū)中引入與n+區(qū)串聯(lián)的JFET電阻,筆者所在小組提出了n-regioncontrolled陽(yáng)極和雙陽(yáng)極等器件新結(jié)構(gòu)。所提出的結(jié)構(gòu)較好地解決了傳統(tǒng)陽(yáng)極短路結(jié)構(gòu)的snap-back現(xiàn)象,并可獲得好的器件關(guān)斷特性,以及正向?qū)▔航岛完P(guān)斷損耗的折中。在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,IGBT通常需要與反并聯(lián)的快恢復(fù)二極管(FastRecoveryDiode)配合使用。因此將IGBT與FRD單片地集成在同一硅片上的逆導(dǎo)型IGBT(ReverseConductingIGBT)得到了廣泛的關(guān)注。逆導(dǎo)型IGBT在結(jié)構(gòu)上與陽(yáng)極短路結(jié)構(gòu)基本相同,所不同的是逆導(dǎo)型IGBT需要工作在IGBT和FRD兩種模式下。與陽(yáng)極短路結(jié)構(gòu)相似,傳統(tǒng)RCIGBT在正向?qū)〞r(shí)也存在snap-back的問(wèn)題,在低溫時(shí)這一現(xiàn)象會(huì)更加明顯,甚至?xí)?dǎo)致器件無(wú)法正常開(kāi)啟。為了抑制RC-IGBT的snap-back現(xiàn)象并獲得好的二極管特性,業(yè)界已提出了多種器件結(jié)構(gòu),如BIGT(Bi-modeInsulatedGateTransistor)、SJRCIGBT、浮空P區(qū)槽氧RC-IGBT、雙NPNRC-IGBT、浮空P-plugRC-IGBT和具有反平行肖克萊二極管的RC-IGBT等,典型結(jié)構(gòu)如圖9、10所示。近年來(lái),隨著RC-IGBT的發(fā)展,新的效應(yīng)或工作機(jī)制被引入到RC-IGBT結(jié)構(gòu)中,如具有帶間遂穿效應(yīng)的RC-IGBT以及集電極具有二極管連接MOS結(jié)構(gòu)的RC-IGBT等,如圖11、12所示。具有帶間遂穿效應(yīng)的RC-IGB通過(guò)將帶間遂穿效應(yīng)引入RC-IGBT,不僅大大簡(jiǎn)化了器件的背面工藝而且可以獲得軟的二極管反向恢復(fù)特性。集電極具有二極管連接MOS結(jié)構(gòu)的RC-IGBT巧妙的通過(guò)雙面光刻技術(shù)在背面引入具有二極管連接的MO結(jié)構(gòu),在不增加外接電極的情況下可以完全消除snap-back現(xiàn)象,并可獲得好的IGBT和FRD特性。3.4模型型的模塊封裝在高壓大電流的應(yīng)用場(chǎng)景,為了減小系統(tǒng)的體積并提高其可靠性,需要采用模塊封裝的形式。模塊封裝可將多個(gè)IGBT和反并聯(lián)二極管芯片及熱敏電阻等封裝在一個(gè)模塊中,組成單相半橋/全橋或三相全橋等多種電路形式,單個(gè)模塊可承載上千安培的大電流。典型的模塊封裝是Infineon公司的“Econo”系列封裝形式。目前,大部分公司生產(chǎn)的IGBT模塊采用的均是與英飛凌相同的封裝形式,僅有部分產(chǎn)品采用一些特殊的封裝結(jié)構(gòu)。在IGBT模塊串聯(lián)應(yīng)用的情形,為了提高IGBT模塊的可靠性,實(shí)現(xiàn)IGBT的超高壓應(yīng)用,ABB公司展示了采用壓接式(PressPack)的4500V/2000A封裝結(jié)構(gòu)形式,如圖13所示。該模塊技術(shù)可顯著地提高IGBT模塊串聯(lián)應(yīng)用的可靠性和魯棒性。為了進(jìn)一步提高模塊的封裝密度,減小封裝鋁線的寄生電感并消除大電流下封裝鋁線的可靠性問(wèn)題,Semikon公司相繼開(kāi)發(fā)了基于雙面柔性PCB的3DSKiN封裝技術(shù),并展示了600V/400A的逆變器,如圖14所示。該技術(shù)可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、新能源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。3.5比導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)除硅基IGBT外,SiC材料已被用于IGBT的研制。1999年美國(guó)Cree公司的R.Singh等人首次在N型SiC襯底上制備了SiCp-IGBT器件。2005年,Cree公司的Q.Zhang等人報(bào)道了10kV溝槽型4H-SiCp-IGBT,獲得了較好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,分別在25℃和150℃下獲得了-7.5V和-4V的開(kāi)啟電壓以及175mΩ.cm2和13mΩ.cm2的比導(dǎo)通電阻,30A/cm2電流密度下的正向?qū)▔航导s為-12V,這是實(shí)驗(yàn)獲得的首個(gè)10kV電壓等級(jí)的SiCIGBT器件。2007年,美國(guó)Purdue大學(xué)Y.Sui等人研制了阻斷電壓高達(dá)20kV的4H-SiC平面型p-IGBT,器件的P-區(qū)厚175μm,在300W/cm2封裝功率密度的限制下,其最大電流比相同電壓等級(jí)4H-SiCMOSFET的理論最大電流高1.2倍(室溫)和2.1倍(177℃)。2010年,Purdue大學(xué)X.Wang等人研制了阻斷電壓高達(dá)20kV的傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)4H-SiCn-IGBT,在300W/cm2封裝功率密度的限制下,獲得了27.3A/cm2的正向電流和177mΩ·cm2的比導(dǎo)通電阻。2012年Cree公司也報(bào)道了15kV的SiCP溝IGBT和12.5kV的SiCN溝IGBT。隨著器件性能的提升,2013年美國(guó)北卡州立大學(xué)的A.Kadavelugu等人基于Cree公司的4H-SiCn-IGBT和p-IGBT相繼制備了SiCIGBT模塊并搭建了互補(bǔ)逆變器,展示了SiCIGBT模塊的性能優(yōu)勢(shì)。隨著SiC材料生長(zhǎng)技術(shù)的進(jìn)一步完善,SiCIGBT也將走向?qū)嵱没?igbt系統(tǒng)國(guó)內(nèi)在“八五”科技攻關(guān)中即安排了IGBT的研發(fā),并制備出樣品,但此后,我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展非常緩慢,僅有少量IGBT模塊生產(chǎn),沒(méi)有IGBT芯片的國(guó)產(chǎn)化。近幾年,在國(guó)家政策特別是國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)的推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下,我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸FZ單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬勃發(fā)展的大好局面。天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司研制的6英寸FZ單晶材料已批量應(yīng)用,在國(guó)家“02”科技重大專(zhuān)項(xiàng)的推動(dòng)下,8英寸FZ單晶材料已取得重大突破;電磁灶用1200VNPT型IGBT已由多家企業(yè)批量供貨,這標(biāo)志著我國(guó)國(guó)產(chǎn)IGBT芯片打破了國(guó)外一統(tǒng)天下的局面。華潤(rùn)上華和華虹NEC基于6英寸和8英寸的平面型和溝槽型600V、1200V、1700V、2