計算機組成原理RAM實驗報告

...wd......wd......wd...山東大學(xué)軟件學(xué)院組成原理實驗報告〔實驗〕課程名稱計算機組織與構(gòu)造實驗報告學(xué)生姓名：學(xué)號：指導(dǎo)教師：陳志勇實驗地點：硬件實驗室實驗時間：2014年12月11日一、實驗工程名稱：RAM實驗二、實驗?zāi)康模海?了解半導(dǎo)體靜態(tài)隨機讀寫存儲器RAM的工作原理及其使用方法。２.掌握半導(dǎo)體存儲器的字、位擴展技術(shù)。三、實驗內(nèi)容：RAM實驗構(gòu)造圖INTEL2114靜態(tài)存儲器：Intel2114RAM存儲器芯片為雙列直插式集成電路芯片，共有18個引腳，各引腳的功能如下：A0-A9：10根地址信號輸入引腳。：讀／寫控制信號輸入引腳，當(dāng)為低電平時，使輸入三態(tài)門導(dǎo)通，信息由數(shù)據(jù)總線通過輸入數(shù)據(jù)控制電路寫入被選中的存儲單元；反之從所選中的存儲單元讀出信息送到數(shù)據(jù)總線。I/O1~I/O4：4根數(shù)據(jù)輸入／輸出信號引腳。：片選信號，低電平有效，通常接地址譯碼器的輸出端。第一局部：采用1Kx4的芯片，構(gòu)成1Kx8的存儲器。第二局部：采用1Kx4的芯片，構(gòu)成2Kx4的存儲器。四、實驗要求：◆采用1Kx4的芯片，構(gòu)成1Kx8的存儲器。選擇五個不連續(xù)的存貯單元地址，分別存入不同內(nèi)容，作單個存貯器單元的讀/寫操作實驗。◆采用1Kx4的芯片，構(gòu)成2Kx4的存儲器?！舯仨毷褂米g碼器進展擴展〔三輸入都用，接開關(guān)〕。選擇五個不連續(xù)的存貯單元地址，分別存入不同內(nèi)容，作單個存貯器單元的讀/寫操作實驗。選用適當(dāng)芯片，根據(jù)各種控制信號的極性和時序要求，設(shè)計出實驗線路圖。分別設(shè)計實驗步驟。使用開關(guān)進展數(shù)據(jù)加載，通過指示燈顯示實驗結(jié)果，記錄試驗現(xiàn)象，寫出實驗報告。給出字擴展試驗中每片RAM芯片的地址范圍。五、參考器件：RAM采用兩片MM2114隔離部件采用74LS125譯碼器采用74LS138備注：為簡化試驗，地址可只用低4位〔其余地址可接地〕。六、實驗數(shù)據(jù)記錄及結(jié)果分析：字擴展的實驗操作：1.初始化：將k15〔74LS125的C信號〕推至高電平，斷開開關(guān)輸入。將k13〔RAM片選信號〕推至低電平，選中RAM。將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態(tài)，以防選地址過程中對沿路數(shù)據(jù)進展修改。2.寫入數(shù)據(jù)：將k0~k3的四個開關(guān)調(diào)至想要輸入的地址。將k4~k11調(diào)整至想要的二進制輸入值。將k15〔74LS125的C信號〕推至低電平，連接開關(guān)輸入。將k14〔讀寫控制〕推至低電平寫入狀態(tài)，寫入數(shù)據(jù)。3.讀取數(shù)據(jù)：將k14〔讀寫控制〕推至高電平讀取狀態(tài)，斷開對RAM的寫入。將k15〔74LS125的C信號〕推至高電平，斷開開關(guān)對扽燈泡的影響，讀取數(shù)據(jù)。位擴展的實驗操作：1.初始化：將k15〔74LS125的C信號〕推至高電平，斷開開關(guān)輸入。將k13〔第一塊RAM片選信號〕推至低電平，選中RAM，同時確保將k12〔第二塊RAM片選信號〕推至高電平，使RAM失效。將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態(tài)，以防選地址過程中對沿路數(shù)據(jù)進展修改。2.寫入數(shù)據(jù)：將k0~k3的四個開關(guān)調(diào)至想要輸入的地址。將k4~k7調(diào)整至想要的二進制輸入值。將k15〔74LS125的C信號〕推至低電平，連接開關(guān)輸入。將k14〔讀寫控制〕推至低電平寫入狀態(tài)，寫