半導(dǎo)體詞語含義介紹（二）

半導(dǎo)體詞語含義介紹（二）101)

IonImplanter

離子植入機102)

IonSource

離子源離子植入機中產(chǎn)生所要植入雜質(zhì)離子的部分，主要由ArcChamber,Filament組成，雜質(zhì)氣體或固體通入ArcChamber，由Filament產(chǎn)生的電子進行解離而產(chǎn)生離子。103)

IPA

異丙醇IsopropylAlcohol的簡稱，在半導(dǎo)體制造中，用來作為清洗溶劑，常用來擦拭機臺操作面板等，也作為SOG等化學(xué)液體的溶劑。104)

IsotropicEtching等向性蝕刻在蝕刻反應(yīng)中，除了縱向反應(yīng)發(fā)生外﹒橫向反應(yīng)亦同時發(fā)生(見左圖)，此種蝕刻即稱之為等向性蝕刻，一般化學(xué)濕蝕刻多發(fā)生此種現(xiàn)象。干式蝕刻，其蝕刻后的橫截面具有異向性蝕刻特性

(Anisotropic)，即可得到較陡的圖形105)

Latchup:閉鎖效應(yīng)CMOS組件里的底材、阱及PMOS的漏極與NMOS的源極，在某些條件下，會形成一個如圖（1）所示的寄生的pnpnHYPERLINK二極管。這種pnpn二極管的電流（I）對電壓（V）的操作曲線則如圖。其中圖中的IH，為使pnpn二極管處于運作（Acting）狀態(tài)時所需的最低電流稱之為“引發(fā)電流（triggeringcurrent）”。當(dāng)I≥IH發(fā)生之后，CMOS電路的功能將暫時或永久性的喪失，我們稱這個現(xiàn)象為“閉鎖（Latchup）”。即，如果CMOS組件的設(shè)計或制作不當(dāng)，這種寄生于CMOS組件里的“pnpn二極管”，有可能處于運作的狀態(tài)，而影響到CMOS的正常運作。所以在使用CMOS的設(shè)HYPERLINK計時，務(wù)必注意使這個pnpn二極管隨時處于“閉”的狀態(tài)，即I<IH，以防止“閉鎖現(xiàn)象”的發(fā)生。防止閉鎖的方法很多，最簡單的方式就是把CMOS的n阱（內(nèi)有PMOS）與NMOS彼此間的遠離而不發(fā)生。不過這將使半導(dǎo)體組件在HYPERLINK芯片上的集成度下降，所以并不是很好的方法最普遍防閉鎖的方法是“外延硅底材（EPIsubstrate）”這種防制方法的原理，是在原本高摻雜的底材上，加上一層輕微摻雜的單晶硅層，已做為CMOS制程的的底材。因此CMOS是直接建筑在低摻雜的EPI層上（不是以往的底材上）的。而高摻雜底材作為接地的板面（groundplane）。假如這層EPI夠?。ǖ融迳疃群瘢瑒t圖中的直立的pnp雙載子寄生電HYPERLINK晶體的電流將不易橫向流向寄生的npn電晶體，而流向高摻雜的硅底材（摻雜濃度高導(dǎo)電性好）。因此硅底材接地，寄生pnp和npn的閉鎖現(xiàn)象就可以被抑制了。外延單晶硅層的厚度宜薄，這樣發(fā)生閉鎖的引發(fā)電流將越高，閉鎖將不容易發(fā)生，但考慮到EPI層太薄，底材雜質(zhì)將會進入EPI層，造成濃度的改變，故需嚴格控制以避免EPI太薄或太厚所帶來的問題。106)

Layout布局Layout：此名詞用在IC設(shè)計時，是指將設(shè)計者根據(jù)客戶需求所設(shè)計的線路，經(jīng)由CAD(HYPERLINK計算機輔助設(shè)計)，轉(zhuǎn)換成實際制作IC時，所需要的光罩布局，以便去制作光罩。因為此一布局工作﹒關(guān)系到光罩作出后是和原設(shè)計者的要求符合，因此必須根據(jù)一定的規(guī)則，好比一場游戲一樣，必須循一定的規(guī)則，才能順利完成﹒而布局完成后的圖形便是IC工廠制作時所看到的光罩圖形。107)

LightlyDopedDrain

輕摻雜集極簡稱LDD，可以防止熱電子效應(yīng)(HotElectron/CarrierEffect)；方法是采用離子植入法，在原來的MOS的源極和汲極接近通道的地方，再增加一組摻雜程度較原來n型的源極與汲極為低的n型區(qū)。缺點是制程復(fù)雜且輕摻雜使S/D串聯(lián)電阻增大，導(dǎo)致組件操作速度降低。108)

LocalOxidation

區(qū)域氧化法LocalOxidationofSilicon

即區(qū)域氧化，簡稱LOCOS,是FieldOxide一種制作方法,即在有SiN層作為幕罩的情況下讓芯片進入爐管進行FieldOxide的制作。109)

LoadLock傳送室

用來隔絕反應(yīng)室與外界大氣直接接觸，以確保反應(yīng)室內(nèi)的潔凈，降低反應(yīng)室受污染的程度。一般用于電漿蝕刻及金屬濺鍍等具有真空反應(yīng)室的設(shè)備。LoadLock和無LoadLock的差異如下圖系統(tǒng)起初門均關(guān)閉

，其傳送芯片的動作為：傳送芯片→打開LoadLockA→將芯片放入，關(guān)閉，抽真空→打開ˉ，將芯片放入反應(yīng)室，抽其空→開始蝕刻或濺鍍→蝕刻OK→打開，將芯片移至→,關(guān)上，抽真空，再破真空→打開LoadLockB→送出芯片→關(guān)上′真空→系統(tǒng)恢復(fù)起初狀。110)

LotNumber批號批號乃為在線所有材料的"身份證"，keyin批號如同申報流動戶口，經(jīng)由SMS

系統(tǒng)藉以管制追蹤每批材料的所在站別，并得以查出每批材料的詳細相關(guān)數(shù)據(jù)，故為生產(chǎn)過程中的重要步驟。批號為7碼，其編排方法如下

:XX年號929394XXXX流水序號000010000200003以此類推*批號的產(chǎn)生乃于最初投片時由SMS系統(tǒng)自動產(chǎn)生。111)

LPCVD

低壓化學(xué)氣象沉積法LPCVD

的全名是LowPressureChemicalVaporDeposition,

即低壓化學(xué)氣相沉積。這是一種沉積方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅，復(fù)晶二氧化硅及非晶硅等不同材料。112)

Mask

光罩；罩幕在微影的階段中，必要的線路或MOS電晶體的部分結(jié)構(gòu)，將被印制在一片玻璃片上，這片印有HYPERLINK集成電路圖形的玻璃片稱為光罩（Mask）；在離子植入或LOCOS氧化時，上面會有一層氧化層或SiN層作為幕罩（Mask），以降低離子植入時的通道效應(yīng)或氧化時的阻擋。113)

MFC（MassFlowController）質(zhì)流控制器簡稱MFC,是直接HYPERLINK測量氣體流量的一種裝置，常用在流動氣體的控制上。主要是由一個質(zhì)流感應(yīng)器，一個旁流管及一個可調(diào)整閥構(gòu)成。114)

micro,Micrometer,Micron微，微米Micro

為10-6,

1Micro＝10-61Micrometer＝10-6m＝1Micron＝1μm通常我們說1μ即為10-6m。又因為1?＝10-8cm＝10-8m

（原子大?。┕?μ＝10,000?

約為一萬個原子堆積而成的厚度或長度。115)

MobileIonCharge

移動性離子電荷一般出現(xiàn)在熱氧化層中，主要來自鈉及鉀等賤金屬雜質(zhì)，影響到氧化層的電性；這些雜質(zhì)可以借由在氧化制程中加入適量的HCl來防范。116)

MOS金屬半導(dǎo)體構(gòu)成IC的HYPERLINK晶體管結(jié)缸可分為兩型一雙載子型(bipolar)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)。雙載子型IC的運算速度較快但電力消耗較大，制造工程也復(fù)雜，并不是VLSI的主流。而MOS型是由電場效應(yīng)晶體管(FET)集積化而成。先在硅上形成絕緣氧化膜之后，再由它上面的外加電極(金屬或復(fù)晶硅)加入電場來控制某動作，制程上比較簡單，也較不耗電，最早成為實用化的是P-MOS，但其動作速度較慢，不久，更高速的N-MOS也被采用。一旦進入VLSI的領(lǐng)域之后﹒NMOS的功率消耗還是太大了，于是由P-MOS及N-MOS組合而成速度更高、電力消耗更少的互補式金氧半導(dǎo)體(CMOS，ComplementaryMOS)

遂成為主流。117)

N2,Nitrogen氮氣空氣中約4/5是氮氣，氮氣是一安定的惰性氣體，由于取得不難且安定，故Fab內(nèi)常用以當(dāng)作Purge管路，除去臟污、保護氣氛、傳送氣體(CarrierGas)、及稀釋(Dilute)用途，另外氮氣在零下

196℃(77°F)以下即以液態(tài)存在，故常被用做真空冷卻源。118)

NWell

N井在半導(dǎo)體行業(yè)里，一般在P-Sub上植入P以形成N-well,以便為后期形成PMOS.119)

Nanospec一種用于量測膜厚的測量儀器。120)

P/N-TypeSemiconductor

P/N型半導(dǎo)體一般金屬由于阻值相當(dāng)?shù)?10-2Ω-cm以下)，因此稱之為良導(dǎo)體，而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上，稱之非導(dǎo)體或絕緣體。若阻值在10-2~10-5Ω-cm之間，則名為半導(dǎo)體。IC工業(yè)使用的硅芯片，阻值就是在半導(dǎo)體的范圍，但由于Si(硅)是四價鍵結(jié)(共價鍵)的結(jié)構(gòu)，若摻雜有如砷(As)，磷(P)等五價元素，且占據(jù)硅原子的地位(SubstitutionalSites)，則多出一個電子，可用來導(dǎo)電，使導(dǎo)電性增加，稱之為N型半導(dǎo)體。若摻雜硼(B)等三價元素，且仍占據(jù)硅原子的地位，則鍵結(jié)少了一個電子，因此其它電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過來填補，如此連續(xù)的電子填補，稱之為定電洞傳導(dǎo)，亦使硅的導(dǎo)電性增加，稱為P型半導(dǎo)體。因此N型半導(dǎo)體中，其主要常電粒子為帶負電的電子，而在P型半導(dǎo)體中，則為常正電的電洞。在平衡狀況下(室溫)不管N型或P型半導(dǎo)體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對減少。145)

NativeOxide

原始氧化層當(dāng)我們把硅芯片暴露在含氧的環(huán)境里時，例如氧氣或水，芯片表面的硅原子便會進行如下（一）（二）所示的氧化反應(yīng)，然后在芯片的表面長出一層二氧化硅層。因為（二）式所示的氧化反應(yīng)涉及到水分子，雖然進行反應(yīng)的水分子不見得是以液態(tài)的形式存在，但我們習(xí)慣以干式氧化（DryOxidation）來稱呼（一）式的反應(yīng)，而以濕式氧化（WetOxidation）來表示（二）式。因為這兩個反應(yīng)在室溫下便得以進行，所以硅芯片的表面通常都會由一層厚度約在數(shù)個?到20?不等的SiO2所覆蓋。這層因為空氣里的氧以及水分子所自然形成的SiO2,則稱為“原始氧化層（NativeOxidation）”。Si(s)

+

O2(g)

=

SiO2(s)

(一)Si(s)

+

2H2O(g)=

SiO2(s)

+2H2(g)）

(二)146)

NeedleValve

針閥針狀閥裝在圓錐形閥座上的有細桿的閥，用于準確地調(diào)整液體或氣體的流動。147)

NitricAcid

硝酸一種腐蝕性液態(tài)無機酸HNO3,通常由氨的催化氧化或硫酸與硝酸鹽反應(yīng)制得,主要用作氧化劑(如火箭推進劑),并用于硝化作用以及肥料、炸藥、染料、硝基烷和各種其它有機化合物的制造中。硝酸是透明，無色或微黃色，發(fā)煙，易吸濕的腐蝕性液體，能腐蝕大部份金屬。其黃色是由于曝光所產(chǎn)生的二氧化氮，為強氧化劑，可與水混合，沸點78℃，比重1.504。對皮膚有腐蝕性，為強氧化劑，與有機物接觸有起火危險。清洗爐管用。148)

NSG

NondopedSilicateGlass無滲入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃NSG為半導(dǎo)體集成電路中的絕緣層材料，通常以化學(xué)氣相沉積的方式生成，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質(zhì)。主要應(yīng)用于閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產(chǎn)生均勻的覆蓋及良好的絕緣，并且有助于后續(xù)平坦化制程薄膜的生成。149)

Nozzle

噴嘴管嘴，噴嘴管子等對象的尾端的帶有開口的突起部分，用于控制和引導(dǎo)水流。150)

OCAPOCAP

是

Outof

Control

Action

Plan

的縮寫，中文稱為制程異常處理程序它是在處理制程異常時的一套標準步驟，可供處理人員遵循，依序?qū)栴}厘清，并加以解決。更詳細的說，OCAP乃是由一連串的問題及行動指示所組成，以流程圖的方式來指示我們，當(dāng)制程違反管制規(guī)則時，應(yīng)采取的步驟及措施。OCAP

是由制造部、制程、設(shè)備一同來制定及檢討。OCAP

須不斷的修訂，以符合生產(chǎn)線實際的需要。151)

OhmicContact

歐姆式接觸歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(qū)(Activeregion)而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：（1）金屬與半導(dǎo)體間有低的界面能障(BarrierHeight)（2）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N≧1012cm-3)前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(ThermionicEmission)增加;后者則使界面空乏區(qū)變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙(EnergyCap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸

(無適當(dāng)?shù)慕饘倏捎?，必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n＋-norMetal-p+-p等結(jié)構(gòu)。152)

OI(OperationInstruction)操作指南它是我們在操作機臺,維護機臺等操作情況時的操作手冊,它規(guī)定了操作的先后順序。按照操作指南才會保證安全，保證工作的順利進行。153)

Oilpump1.

Oilpump結(jié)構(gòu):Oiltemperaturecontroller有很長的lHYPERLINKIFetimeOilpump中oil的品質(zhì)對pump有很大影響，油品好，pump抽氣能力強，使用時間長2.

Oil的作用：潤滑、降溫和密封。154)

ONO（OxideNitrideOxide氧化層-氮化層-氧化層）半導(dǎo)體組件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì)

(類似電容器)，以儲存電荷，使得數(shù)據(jù)得以在此處存取。在此氧化層-氮化層-氧化層三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶層的接合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷

(如pinhole)的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補所缺。155)

Oxygen氧氣無色，無氣味，無味道雙原子氣體。在-183℃液化成淺藍色的液體，在-218℃固化。在海平面上，空氣中約占20%體積的氧，溶于水和乙醇，不可燃，可以助燃。在電漿光阻去除中，O2主要用來去除光阻用。在電漿干蝕刻中，O2,混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。目前O2氣主要用途在于電漿光阻去除。利用O2在電漿中產(chǎn)生氧的自由基(RADICAL)，與光阻中的有機物反應(yīng)產(chǎn)生CO2和H2O氣體蒸發(fā)，達到去除光阻的效果。156)

Outgassing

出氣主要是指剩余的溶劑或水氣，來源于未經(jīng)完全固化的光阻、SOG或其他物質(zhì)。下圖是離子植入時因離子轟擊硅片表面的光阻而發(fā)生的出氣現(xiàn)象。157)

Oxidation

氧化1）物質(zhì)原子失去電子的化學(xué)反應(yīng),也就是物質(zhì)與氧化合的過程。2）脫氫,尤指在氧或其它氧化劑作用時脫氫3）通過增加電負性的比例來改變一種化合物半導(dǎo)體中熱氧化(Oxidation)：在爐管中通入O2(或H2O)與Si反應(yīng)形成二氧化硅(SiO2)氧化層熱氧化生長方式：干氧氧化

、水蒸氣氧化

、濕氧氧化

、氫氧合成氧化158)

OxidationFurnace

氧化爐氧化爐是芯片制造的基礎(chǔ)，其主要功用就是對硅片進行氧化制程，生成所需的二氧化硅層。擴散爐是集成電路生產(chǎn)工藝中用來對半導(dǎo)體進行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。159)

OxideTrappedCharge

氧化層阻陷電荷Qot,這類電荷沒有特定的分布位置，主要是因為芯片過程中的其它制程，如離子植入、電漿蝕刻以及物理氣相沉積所引起的電子及電洞，被氧化層內(nèi)的雜質(zhì)或未飽和鍵所撲捉而陷入所造成的。所以帶正電或負電則不一定。160)

P磷自然界元素之一。由15個質(zhì)子及16個中子所組成。離子植入的磷離子，是由氣體PH3，經(jīng)燈絲加熱分解得到的P+離子，借著Extraction抽出氣源室經(jīng)加速管加速后﹒布植在芯片上。是一種N-type離子，用做磷植入，S/D植入161)

PWell

P井在半導(dǎo)體行業(yè)里，一般在P-Sub上植入B以形成P-well,以便為后期形成NMOS.162)

PadOxide

墊氧化層在制程中主要是起到緩沖層,一般做為SIN的墊底以抵消SIN的應(yīng)力，并且阻止光阻污染Si芯片表面。其制程條件為：溫度：950℃~1100℃;

氣體：O2或O2+TDCE(含氯的碳氫化合物)壓力：接近1ATM;

SiO2厚度：100?~500?163)

ParticleContamination塵粒污染“塵粒污染”：由于芯片制造過程甚為漫長，經(jīng)過的機器、人為操作處理甚為繁雜，但因機器、人為均或多或少會產(chǎn)生一些塵粒Particle，這些塵粒一旦沾附到芯片上，即會造成污染影響，而傷害到產(chǎn)品品質(zhì)與良率，此即“塵粒污染”。我們在操作過程中，應(yīng)時時防著各項塵粒污染來源。164)

Passivation

保護層為IC最后制程，用以隔絕Device和大氣?？煞謨煞N材料：a﹒大部分產(chǎn)品以PSG當(dāng)護層(PContent2-4%)，b.少部分以PECVD沉積的氮化硅為之。因與大氣接觸，故著重在Corrosion(鋁腐蝕)、Crack（龜裂）、PinHole(針孔)的防冶。除了防止組件為大氣中污染的隔絕之外，護層可當(dāng)作下層Metal層的保護，避免Metal被刮傷。165)

PECVD電漿CVDPECVD英文全名為PlasmaEnhancementCVD。CVD

化學(xué)反應(yīng)所需的能量可以是熱能、光能或電漿。以電漿催化的CVD稱做PECVD。PECVD的好處是反應(yīng)速率快、較低的基板溫度及StepCoverage；缺點是產(chǎn)生較大的應(yīng)力，現(xiàn)Feb內(nèi)僅利用PECVD做氮化硅護層。166)

PH3,Phosphine

氫化磷一種半導(dǎo)體工業(yè)用氣體。經(jīng)燈絲加熱供給能量后，可分解成:P'，PH＋，PH2＋。(及H+)通常

P+最大?？捎少|(zhì)諳諳場分析出來，做N-type的離子植入用。167)

PhosphoricAcid

磷酸一種糖漿狀或潮解性結(jié)晶狀三元酸H3PO4,用五氧化二磷水化或通過用硫酸瀝取法分解磷酸鹽(如磷酸鹽礦)得到,主要用于制造肥料和其它磷酸鹽,用于金屬防銹、糖的精制和軟飲料的調(diào)味劑.依溫度，濃度而定。在20℃50及75﹪強度為易流動液體，85﹪為似糖漿，100%酸為晶體。比重1.834，熔點42.35℃。在213﹪失去Y2H2O，形成焦磷酸。溶于水，乙醇，腐蝕鐵及合金。對皮膚，眼睛有剌激性，不小心被濺到，可用水沖洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，濃度是85﹪，沸點156℃，SI3N4

與SIO2的蝕刻比約為30:1168)

PhotoResist光阻"光阻"為有機材料，系利用光線照射，使有機物質(zhì)進行光化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生分子結(jié)構(gòu)變化，再使用溶劑使的顯像。目前一般商用光阻主要含二部份(1)高分子樹脂(2)光活性物質(zhì)，依工作原理不同可分為正，負型二類:(1)

正型:光活性物質(zhì)為DIAZOQUINOUE類，照光前難溶于堿液中，有抑制溶解樹脂功能，照光后產(chǎn)生酸，反有利于堿液溶解，因此可區(qū)分曝光區(qū)與非曝光區(qū)。(2)

負型:光活性物質(zhì)為Diazlde類，照后生成極不安定的雙電子自由基，能與高分子樹脂鍵結(jié)，而增加分子量，選擇適當(dāng)溶劑便可區(qū)分分子量不同的曝光區(qū)與非曝光區(qū)。169)

PVD(PhysicalVaporDeposition)物理氣相沉積所謂的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition），通常簡稱為（PVD）,就是以物理現(xiàn)象的方式，來進行薄膜沉積的一種技術(shù)。在半導(dǎo)體制程的發(fā)展上，主要的PVD技術(shù)有蒸鍍（Evaporation）以及濺鍍（Sputter）等兩種。前者是借著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在高溫（接近其熔點）時所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的沉積的；而后者，則是利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著粒子對被濺鍍物體電極（Electrode）的轟擊（Bombardment）,使電漿的氣相（VaporPhase）內(nèi)具有被鍍物的離子（如原子），然后依薄膜的沉積機構(gòu)，來進行沉積。170)

PID（Proportional,Integral,Derivation）PID是一種控制方式。是比例，積分，微分的縮寫171)

PilotWafer試作芯片PilotWafer為試作芯片，并非生產(chǎn)芯片

(PrimeWafer)。在操作機器前，為了確定機器是否正常所作的試片，或機器作完維修、保養(yǎng)后所作的HYPERLINK測試用芯片均稱為PilotWafer,

由于PilotWafer

所作出來的結(jié)果將決定該批的制程條件，故處理PilotWafer時，

所抱持的態(tài)度必須和處理PrimeWafer一樣慎重。172)

PinHole

針孔在光阻制程所謂的針孔，就是在光阻覆蓋時，光阻薄膜無法完全蓋住芯片表面，而留有細小如針孔般的缺陷，在蝕刻制程時，很可能就被蝕刻穿透，而致芯片的報廢。在以往使用負光阻制程時，由于負光阻黏稠性較大，覆蓋較薄，因此，容易出現(xiàn)針孔，故有些層次(如

Contact)，必須覆蓋兩次，才能避免針孔的發(fā)生。目前制程大多使用正光阻，覆蓋較原，已無針孔的問題存在，QC亦不做針孔測試。173)

PiranhaClean過氧硫酸清洗過氧硫酸

(PeroxymonosulfuricAcid)又稱為CARO'sacid，其主要由硫酸加雙氧水反應(yīng)生成，反應(yīng)式如下:H2SO4+H2O2

＜＝＞H2SO5+H2OH2SO5為一強氧化劑，可將有機物氧化分解為CO2+H2O，因此在

IC

制程中常用來去除殘余的光阻，另外對金屬污染及微塵污染也有相當(dāng)好的清洗效果。Piranha原意為食人魚，在這里則是用來形容過氧硫酸與光阻的間的劇烈反應(yīng)。174)

Planarization

平坦化平坦化就是把Wafer表面起伏的的介電層外觀，加以平坦的一種半導(dǎo)體制程技術(shù)。為什么要進行平坦化？影響黃光制程的精確度和分辨率；影響金屬沉積的均勻性；影響金屬的Etching常見平坦化方法：BPSG:利用高溫?zé)峄亓鳎‵low和Reflow）原理，用于金屬層前的平坦化。SOG：即SPiN-ONGLASS,利用旋轉(zhuǎn)涂布的原理，達到局部平坦化，常用于0.35um以上制程的金屬層間的平坦化。CMP：即ChemicalMechanicPolishing,利用化學(xué)機械研磨原理，達到全面平坦化，常用于0.35um以下制程。175)

Plasma

等離子體又稱電漿，是一種遭受部分離子化的氣體。藉著在兩個相對應(yīng)的金屬電極板上施以電壓，假如電極板間的氣體分子濃度在某一特定區(qū)間，電極板表面因離子轟擊所產(chǎn)生的二次電子，在電場的作用下，獲得足夠能量，而與電極板間的氣體分子因撞擊而進行解離、離子化、及激發(fā)等反應(yīng)，而產(chǎn)生離子原子原子團及更多的電子，以維持電漿內(nèi)的各粒子的濃度平衡。176)

PlasmaEtching電漿蝕刻在干蝕刻(DryEtch)技術(shù)中

，一般多采用電漿蝕刻(PlasmaEtching)與活性離子蝕刻(ReactiveIonEtching)，通常電漿蝕刻使用較高的壓力(大于200mT)及較小的HYPERLINKRF功率，當(dāng)芯片浸在電漿之中，曝露在電漿的表層原子or分子與電漿中的活性原子接觸并發(fā)生反應(yīng)而形成氣態(tài)生成物而離開晶面造成蝕刻，此類蝕刻即稱之為電漿蝕刻。所謂電漿(Plasma)即為氣體分子在一電場中被游離成離子(正、負電荷)、電子、及中性基(Radical)等，在純化學(xué)反應(yīng)中，吾人取中性基為蝕刻因子，在R.I.E時，取活性離子作為蝕刻因子。177)

PM

(PreventiveMaintenance)定期保養(yǎng)設(shè)備正常運轉(zhuǎn)期間停機，實施定期

(每天、每周、每月或每季等)的設(shè)備保養(yǎng)。例如:檢修，上油，潤滑，更換消耗材等。有良好的PM才能發(fā)揮高的設(shè)備運轉(zhuǎn)效率，發(fā)揮設(shè)備最高的使用率。178)

POCl3三氯氧化磷一種用做N+擴散用的化合物。通常以N2為"載氣"(CarrierGas)，帶著POCl3和O2(氧氣)一起進入高溫爐管，然后產(chǎn)主下列反應(yīng)：4POCl3+3O2→

2P2O5+6Cl25P2O5+5Si

→4P+5SiO2在反應(yīng)過程中，磷沉淀于硅表面，同時硅表面亦形成氧化層。179)

Poly-Crystalline

多晶體如果某純物質(zhì)的原子(或分子)的堆積方式不只一種，而是由許多種體積較小，且堆積方面均不同的經(jīng)晶粒

(Grains)所組成時，這種純物質(zhì)結(jié)構(gòu)，我們稱之為“多晶體”。Polysilicon便是一種多晶體。180)

PolyDope純的Polysilicon電阻較大,但加入P等Dopant時，Rs可獲得較低的值,以符合器件的要求。181)

Polysilicon

多晶硅硅(Silicon)是IC制造的主要原料之一。通常其結(jié)構(gòu)都是單晶(單一方向的晶體)。而Polysilicon也是硅，只是其結(jié)構(gòu)是復(fù)晶結(jié)構(gòu)。即其結(jié)晶的結(jié)構(gòu)是多方向的，而非單一方向。Polysilicon通常用低壓化學(xué)氣相沉積的方法沉積而得。其主要用途在作MOS的閘極及器件單元的連接。182)

Pressure壓力氣體分子撞擊反應(yīng)室的器壁所產(chǎn)生的力量。氣體分子愈少、壓力愈低。反之氣體分子愈多、壓力愈高。如壓力的大氣壓力(1atm)時，表示真空，其壓力單位即為真空度。

1大氣壓=latm=760mmHg水銀柱壓力1Torr(托)=1/760atm=lnnHg如壓力＞大氣壓力時，即用單位面積所受的重量表示。如Kg/cm2，或psi(lb（磅）/in2（吋））。一般電漿蝕刻機的壓力為5Omillitorr~0.5rorr一般使用的氣瓶的壓力約為5OOpsi~2OO0psi。183)

PSG

磷硅玻璃（phosphor-silicate-glass）是一種含磷的二氧化硅

，我們現(xiàn)有制程中P的含量為4.25％

。PSG與PESiN一起構(gòu)成Passivation

。作用：防止PESiN有Pinhold使水汽滲透進來。亦可以抵消PESiN的應(yīng)力。加磷的主要目的是吸附雜質(zhì)。184)

PESIN用PECVD的方式沉積的SiN

，其與PSG一起構(gòu)成Passivation。作用：防止機械劃傷；防止水汽(Moisture)，堿金屬離子滲入。185)

Qbd擊穿電荷(C/cm2)表征二氧化硅電特性的參數(shù)，用加電流量電壓法測得。加1mA至

nsec,如果第nsec電壓<20V,則Qbd=1mA*(n-1)coul/0.01cm2。Qbd>1.0coul/cm2且D0<80時才pass。186)

RecipeRecipe在字典的解釋是醫(yī)生的處方，廚師的食譜。在IC制程中，則指制程的程序。IC制造中各個步驟都有不同的要求:如溫度要多少?某氣體流量多少?反應(yīng)室的壓力多少?等等甚多的參數(shù)都是Recipe內(nèi)容的一部份。187)

Reclaim

再生硅片半導(dǎo)體晶圓廠內(nèi)設(shè)備進行生產(chǎn)前，均需以測試硅片來量測沉積膜層厚度、電阻率、B/P含量、Particle等制程參數(shù)，量測后的測試硅片運用一定次數(shù)后通常會報廢。但因近幾年來歐、美、日等硅片材料制造廠產(chǎn)能吃緊，加上八寸晶圓廠陸續(xù)落成，六寸或八寸測試硅片的單價頗高，晶圓廠為節(jié)省成本，通常會送至日本或美國再加工，將測試硅片上的粒子與晶層經(jīng)過蝕刻與磨平程序，可重新回收賣給晶圓廠使用，稱為ReclaimWafer或RecycleWafer(意為「再生」硅片).188)

Reflow再回流回流是IC制程中一種特殊技術(shù)。是在沉積BPSG或

BSG。之后，將芯片推入高溫爐（850-950℃）一段時間（20-40min），藉該BPSG高溫下的"流動"，使芯片表面變得較平坦。此即回流平坦化技術(shù)。當(dāng)BPSG沉積與熱流動完成，且經(jīng)過接觸微影與蝕刻等步驟后，為使將來的金屬濺鍍能順利在剛剛定義的接觸窗里沉積，通常將硅片送入剛剛的爐管里，以相同或類似的操作參數(shù)，進行BPSG的第二度回流，稱為再回流。189)

Reliability可靠性可靠性實在有很多方法來描述，但我們只針對兩個觀點來討論。一般來說，可靠性就是客戶對我們的產(chǎn)品，在他們使用一段很長的時間之后，仍能符合他們的信賴與期待。更精確的描述就是我們的產(chǎn)品在我們所要求的特殊環(huán)境的測試，經(jīng)過一段很長時間之后，仍能確保IC功能，函數(shù)的正常操作稱之為可靠性合格產(chǎn)品。測試的項目很多，但總離不開，電壓、溫度機械應(yīng)力，濕度及壓力等。190)

Resistivity阻值物理學(xué)上定義阻值(Ω，即奧姆)為

R＝ΔV/I在物體兩截面上通以定電流V，量得電壓降ΔV，則ΔV/I即為這物體的阻值。但在半導(dǎo)體工業(yè)上，這樣定義阻值并無太大實用價值。我們只關(guān)心芯片表面薄薄一層"動作區(qū)"(ActiveArea)的阻值。于是另外定義一"薄層阻值"(SheetResistance)，以四點針測的方法量取ΔV及I(見四點針測一文)。

Rs=ΔV/I

(ΔV/口)

定義為芯片的阻值。

191)

Rework/Scrap/Waive修改/報廢/簽過修改:

分ADI修改，AEI修改ADI修改：將光阻去除，重新上新光阻，以定義新的或精確的圖形。

AEI修改：將己沉積或氧化的厚厚膜或薄層去除，重新沉積或氧化。

報廢:芯片受污染或流程不合規(guī)范上的規(guī)定，造成芯片有無良率的可能，則停止流程不繼續(xù)生產(chǎn)。謂之。

簽過:當(dāng)芯片流程至某步驟時，發(fā)現(xiàn)圖形或規(guī)格不合于規(guī)范內(nèi)的規(guī)定，但其影響不致使芯片達報廢的程度，可由工程師簽署