模擬電子技術(shù)期末考試卷

《模擬電子技術(shù)》期末考試卷學(xué)號(hào)姓名成績(jī)一、選擇題（每題2分，共20分）1、在某種純凈的半導(dǎo)體中摻入以下（）可以形成N型半導(dǎo)體。A.含四價(jià)元素的雜質(zhì)C.三價(jià)元素鎵B.含空穴的雜質(zhì)D.五價(jià)元素磷2、硅穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時(shí)，工作在（）狀態(tài)。A正向?qū)顟B(tài)；反向B電擊穿狀態(tài)；C反向截止?fàn)顟B(tài)；反向D熱擊穿狀態(tài)3、在石英晶體振蕩器的最大特點(diǎn)是（）A、振蕩頻率高B、振蕩波形失真小C、振蕩頻率穩(wěn)定度高D、振蕩頻率可調(diào)4、為更好的抑制零漂，集成運(yùn)放的輸入級(jí)大多采用（）A、直接耦合電路；、阻容耦合電路B；、反饋放大電路D。種直接耦合放大器，它()C、差動(dòng)放大電路；5、差分放大器是一A.只能放大直流信號(hào)C.不能放大交流信號(hào)B.只能放大交流信號(hào)D.可以抑制共模信號(hào)位分別為V=6V，V=-0.6V，V=0V,該三CBE6、今測(cè)得三極管各電極對(duì)地的電極管工作狀態(tài)為(A.放大狀態(tài))截止B.狀態(tài)飽和C.狀態(tài)擊D.穿狀態(tài)7、圖示的負(fù)反饋放大電路中，級(jí)間反饋的反饋類型是(A.電流并聯(lián)B.電壓并聯(lián)C.電流串聯(lián)負(fù)反饋)。D.電壓串聯(lián)8、如圖所示的互補(bǔ)對(duì)稱功放電路中，所采用的三極管應(yīng)是什么，才能正常工作。（）+VA、T為PNP，T為PNP；12T1B、T為NPN，T為NPN；12uiRTL2-VC、T為PNP，T為NPN；12D、T為NPN，T為PNP。129、在單相半波整流電路中，設(shè)輸入電壓的有效值為U，則負(fù)載電阻R上2L平均電壓等于（）A、0.9U、0.45UB、UC、2UD222210、圖示理想運(yùn)放的輸出電壓U為（）0A．－6V．－12BVC．＋12V．＋6VD二、填空題（1～7題每空1分，8～10題每空2分）1、通常，當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)選得偏高或偏低時(shí)，就有可能使放大器的工作狀態(tài)進(jìn)入____________區(qū)或____________區(qū)，而使輸出信號(hào)的波形產(chǎn)生失真。2、PN結(jié)最重要的特性是__________，它是一切半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。在NPN型三極管中，摻雜濃度最大的是__________區(qū)。3、測(cè)得某正常線性放大電路中晶體管三個(gè)管腳x、y、z對(duì)地的靜態(tài)電壓分別為6.7伏、2.4伏、1.7伏，則可判斷出x、y、z分別為三極管的_______極、_______極、________極。4、P溝道增強(qiáng)型MOSFET的電路符號(hào)是。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性、。曲線可分為三個(gè)區(qū)域，分別是、5、衡量一個(gè)差動(dòng)放大電路抑制零漂能力的最主要指標(biāo)是________________________。6、按照通帶與阻帶的相相互位置不同，有源濾波電路通?？煞譃橐韵聨最?、、、。7、乙類功率放大電路中，功放晶體管靜態(tài)電流I=CQ、靜態(tài)時(shí)的電源功耗P=。這類功放的能量轉(zhuǎn)換效率，在理想情況下，可達(dá)V到，但這類功放有失真。8、圖示電路中，D、D為理想二極管，則ao12兩端的電壓為。9、某放大電路空載輸出電壓為4V，接入3KΩ負(fù)載后，輸出電壓變?yōu)?V，該放大電路的輸出電阻為。10、如圖所示FET放大電路中各電阻、電容的參數(shù)值和FET工作點(diǎn)上的互導(dǎo)g值為已知，則該放大器的電壓放大倍數(shù)為。m三、電路如圖所示，A、A為理想運(yùn)放，電容的初始電壓為零，請(qǐng)推導(dǎo)出12u與u、u和u之間的關(guān)系式。（10分）oi1i2i3R16K、R5.1K、C0.01F，414四、設(shè)運(yùn)放是理想，已知試分析下圖所示正弦波振蕩電路：（1）為滿足振蕩條件，試在圖中用+、-標(biāo)出運(yùn)放的同相端和反相端；（2）為能起振，R和R兩P2個(gè)電阻之和應(yīng)滿足什么條件？（3）此電路的振蕩頻率f?（4）0若已知雙向穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值V值，R用10K的電位器，ZP求穩(wěn)定振蕩時(shí)輸出電壓的峰值是多少？（10分）RCV0RCRD2ZRR1P五、有一單相橋式整流電容濾波電路，已知交流電源頻率為50H，負(fù)載z電阻R200，要求直流輸出電壓U＝15V，（1）選擇參數(shù)是多少整流oL二極管？（2）選擇參數(shù)是多少的電容？（3）畫(huà)出該電路的電路圖（4）若上述電路后面接一穩(wěn)壓電路如圖所示，問(wèn)輸出電壓的調(diào)節(jié)范圍是多少？（10分）六、放大電路如圖所示，二個(gè)三極管皆為硅管，電流放大系數(shù)分別為60、80，開(kāi)始時(shí)，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，求（1）放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）畫(huà)出該電路的小信號(hào)電路模型；（3）每一級(jí)的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻和放大電路總的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻；（4）開(kāi)關(guān)閉合后，該電路是什么類型的反饋電路？反饋系數(shù)是多少？該反饋放大電路的電壓放大倍數(shù)是多少？有反饋后輸入電阻、輸出電阻和通頻帶是如何變化的？（24分）《模擬電子技術(shù)》期末考試卷參考答案一、選擇題（每題2分，共20分）1、D2、B3、C4、C5、D6、B7、D8、D9、B10、C二、填空題（1～7題每空1分，8～10題每空2分，共26分）1、飽和截止2、單向?qū)щ娦园l(fā)射3、集電基發(fā)射4、可變電阻區(qū)恒流區(qū)擊穿區(qū)5、共模抑制比、低6通高通帶通帶阻7、00％78.5交越8、1V、1KΩ9、101gmgRdRmSR三、1u(RR2)()uR2uRRRs1s24o1R13411uui3o1CRR76u()dt0四、⑴運(yùn)算放大器二輸入端：上端為“＋”，下端為負(fù)。⑵RR應(yīng)大于20KΩ?！?P1⑶f2RC1591.5HZ3R⑷V2RRVZ1om1P五、⑴流經(jīng)二極管的平均電流IU37.5mAo2RDL二極管承受的最大反向電壓V2Uo17.7VRM1.2應(yīng)選用允許最大電流大于37.5mA、最大反向電壓大于17.7V的整流二極管。⑵根據(jù)RC(3~5)T2L2TC200uFRL應(yīng)選用電容量略大于200uF、耐壓值大于17.7V（選用220uF/25V）的電解電容。⑷調(diào)節(jié)范圍是：1.2V～13.2V。六、⑴I16.6uAI0.92mAVCE1Q9.15V1.8VB1QC1QV4VB2QI3.4mAVCE2QC2Q⑶第一級(jí)：電壓放大倍數(shù)A4.34輸入電阻V1R8.01Ki1輸出電阻R2Ko1第二級(jí)電壓放大倍數(shù)A97.56輸入電阻V2R