第4章 分立半導(dǎo)體器件識(shí)別與檢測(cè)

第4章分立半導(dǎo)體器件識(shí)別與檢測(cè)4.1晶體二極管4.2晶體三極管4.3半導(dǎo)體分立器件的命名方法4.4晶閘管整流元件與場(chǎng)效應(yīng)晶體管4.5晶體二極管識(shí)別檢測(cè)技能實(shí)訓(xùn)4.6晶體三極管的識(shí)別檢測(cè)實(shí)訓(xùn)4.7晶體場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的識(shí)別檢測(cè)實(shí)訓(xùn)

4.1晶體二極管4.1.1晶體二極管的分類(lèi)晶體二極管也稱(chēng)半導(dǎo)體二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)二極管。內(nèi)部由一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體經(jīng)特殊工藝加工，在其接觸面上形成一個(gè)PN結(jié)。外部有兩個(gè)電極，分別稱(chēng)為正極（P型區(qū)一側(cè)）和負(fù)極（N型區(qū)一側(cè)），使用時(shí)不能將正負(fù)極接反。二極管具有單向?qū)щ娦?，可用于整流、檢波、穩(wěn)壓等電路中。用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換等。晶體二極管的分類(lèi)：（1）按材料可分為鍺二極管、硅二極管和砷化鎵二極管、磷化鎵二極管等。（2）按制作工藝（管芯PN結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn)）可分為面接觸二極管和點(diǎn)接觸二極管以及鍵型、合金型、擴(kuò)散型、平面型等。（3）按用途和功能不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管、開(kāi)關(guān)二極管、快速恢復(fù)二極管、阻尼二極管、續(xù)流二極管、激光二極管、雙向擊穿二極管、磁敏二極管、肖特基二極管、溫度效應(yīng)二極管、隧道二極管、雙向觸發(fā)二極管、體效應(yīng)二極管、恒流二極管等多種。（4）按封裝形式可分為塑料封裝（簡(jiǎn)稱(chēng)塑料）二極管、玻璃封裝二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)玻封）、金屬封裝二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)金封）以及用于SMT的片狀二極管、無(wú)引線圓柱形二極管等。（5）按電流容量可分為小功率二極管（電流在1A以下）、中功率二極管（電流在1～5A）和大功率二極管（電流為5A以上）。（6）按工作頻率可分為高頻二極管和低頻二極管。4.1.2晶體二極管的主要參數(shù)及選用1．晶體二極管的主要參數(shù)（1）最大整流電流IFM最大整流電流又稱(chēng)額定工作電流，是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)允許通過(guò)的最大正向電流值。（2）最高反向工作電壓URM通常稱(chēng)額定工作電壓。加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。?）反向飽和電流IR反向飽和電流又稱(chēng)反向漏電流，是指二極管未進(jìn)入擊穿區(qū)的反向電流，其值越小，管子的單向?qū)щ娦阅茉胶?。?）最高工作頻率fM最高工作頻率是指晶體二極管能正常工作的最高頻率。2．晶體二極管的選用（1）穩(wěn)壓二極管的選用。選用的穩(wěn)壓二極管，應(yīng)滿(mǎn)足應(yīng)用電路中主要參數(shù)的要求。（2）檢波二極管的選用。檢波二極管一般可選用點(diǎn)接觸型鍺二極管。（3）開(kāi)關(guān)二極管的選用。根據(jù)應(yīng)用電路的主要參數(shù)（如正向電流、最高反向電壓、反向恢復(fù)時(shí)間等）來(lái)選擇開(kāi)關(guān)二極管的具體型號(hào)。（4）整流二極管的選用。選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮其最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。（5）變?nèi)荻O管的選用。選用變?nèi)荻O管時(shí)，應(yīng)著重考慮其工作頻率、最高反向工作電壓、最大正向電流和零偏壓結(jié)電容等參數(shù)是否符合應(yīng)用電路的要求。4.1.3片式二極管1．無(wú)引線柱形玻璃封裝二極管無(wú)引線柱形玻璃封裝二極管是將管芯封裝在細(xì)玻璃管內(nèi)，兩端以金屬帽為電極。2．矩形片式塑料封裝二極管（1）塑料封裝二極管一般做成矩形片狀。（2）片式塑封復(fù)合二極管。所謂復(fù)合二極管是指在一個(gè)封裝內(nèi)，包含2個(gè)以上的二極管，以滿(mǎn)足不同的電路工作要求。（3）片式發(fā)光二極管。圖4-4所示為片式發(fā)光二極管（片式LED），片式LED是一種新型表面貼裝式半導(dǎo)體發(fā)光器件，具有體積小、散射角大、發(fā)光均勻性好、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。4.1.4二極管組件1．整流橋（1）結(jié)構(gòu)。整流橋通常是由兩只或四只硅整流二極管作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱(chēng)全橋。2．命名規(guī)則一般整流橋命名中有3個(gè)數(shù)字，第一個(gè)數(shù)字代表額定電流（A）；后兩個(gè)數(shù)字代表額電壓（V，數(shù)字×100）。3．高壓硅堆圖4-7高壓硅堆由于單獨(dú)一個(gè)硅二極管耐壓有限，許多個(gè)串接起來(lái)做在一個(gè)器件中，作為高壓整流元件，叫做高壓硅堆，在高壓電路中相當(dāng)于一個(gè)單獨(dú)的二極管。4．二極管排二極管排是將兩只或兩只以上的二極管封裝在一起組成的，其內(nèi)電路有共陰（將各只二極管的負(fù)極接在一起）型、共陽(yáng)（將各只二極管的正極接在一起）型、串接型和獨(dú)立腳點(diǎn)型等多種連接形式。4.2晶體三極管4.2.1晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)與分類(lèi)1．晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)晶體管，也稱(chēng)半導(dǎo)體三極管，簡(jiǎn)稱(chēng)三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和其他信號(hào)處理方面。2．晶體管的分類(lèi)（1）按材質(zhì)不同可分為：硅管、鍺管。（2）按結(jié)構(gòu)不同可分為：NPN型和PNP型。（3）按晶體管消耗功率的不同可分為：小功率管、中功率管和大功率管等。（4）按功能不同可分為：開(kāi)關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管等。（5）按工作頻率不同可分為：低頻晶體管、高頻晶體管。（6）按安裝方式不同可分為：插件晶體管、貼片晶體管。（7）按封裝形式不同可分為：金屬封裝、塑料封裝。4.2.2片式晶體管片式晶體管采用帶有翼形短引線的塑料封裝，即SOT封裝。4.2.3晶體管的主要參數(shù)1．直流參數(shù)（1）集電極—基極反向飽和電流ICBO集電極—基極反向飽和電流是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓UCB時(shí)的集電極反向電流。（2）集電極—發(fā)射極反向電流ICEO集電極—發(fā)射極反向電流也稱(chēng)穿透電流，是指基極開(kāi)路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定電壓VCE時(shí)的集電極電流。（3）發(fā)射極—基極反向電流IEBO發(fā)射極—基極反向電流是指集電極開(kāi)路時(shí)，在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時(shí)發(fā)射極的電流，它實(shí)際上是發(fā)射結(jié)的反向飽和電流。（4）直流電流放大系數(shù)（或hFE）直流電流放大系數(shù)是指采用共發(fā)射極接法，沒(méi)有交流信號(hào)輸入時(shí)，集電極的直流電流與基極的直流電流的比值。2．交流參數(shù)（1）交流電流放大系數(shù)β（或hFE）交流電流放大系數(shù)是指采用共發(fā)射極接法時(shí)，集電極輸出電流的變化量ΔIC與基極輸入電流的變化量ΔIB之比。（2）截止頻率fβ、fα晶體管的頻率參數(shù)描述晶體管的電流放大系數(shù)對(duì)高頻信號(hào)的適應(yīng)能力。根據(jù)fβ的定義，所謂共射截止頻率，并非說(shuō)明此時(shí)晶體管已經(jīng)完全失去放大作用，而只是共射電流放大系數(shù)的幅頻特性下降了3dB。（3）特征頻率因?yàn)樾盘?hào)頻率?上升時(shí)，晶體管的β就下降，當(dāng)β下降到1時(shí)，所對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率稱(chēng)為共發(fā)射極特征頻率，是表征晶體管高頻特性的重要參數(shù)。3．極限參數(shù)（1）集電極最大允許電流ICM集電極最大允許電流是指當(dāng)集電極電流IC增加到某一數(shù)值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2時(shí)的IC值。所以當(dāng)集電極電流超過(guò)集電極最大允許電流時(shí)，雖然不致使管子損壞，但β值顯著下降，影響放大質(zhì)量。（2）集電極—基極擊穿電壓U（BR）CBO集電極—基極擊穿電壓是指當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向擊穿電壓。（3）發(fā)射極—基極反向擊穿電壓U（BR）EBO發(fā)射極—基極反向擊穿電壓是指當(dāng)集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓。（4）集電極—發(fā)射極擊穿電壓U（BR）CEO集電極—發(fā)射極擊穿電壓是指當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，使用時(shí)如果UCE＞U（BR）CEO，管子就會(huì)被擊穿。（5）集電極最大允許耗散功率PCM集電極最大允許耗散功率是指管子因受熱而引起參數(shù)的變化不超過(guò)允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。4.2.4幾種常見(jiàn)的晶體三極管1．中小功率晶體三極管中小功率晶體三極管通常是指管子集電極耗散功率PCM小于1W的晶體管。2．大功率晶體三極管大功率晶體三極管是指管子集電極耗散功率PCM大于1W的晶體管。3．達(dá)林頓管達(dá)林頓管是一種復(fù)合管，它采用復(fù)合連接方式，將兩只或更多只的晶體管集電極連在一起，并將前一只晶體管的發(fā)射極直接耦合到一只晶體管的基極，依次級(jí)聯(lián)而成，最后引出E、B、C三個(gè)電極。4．光敏三極管光敏三極管與普通晶體管結(jié)構(gòu)相同，其工作原理與光敏二極管相似。4.2.5晶體三極管的選用1．一般晶體三極管的選用（1）根據(jù)具體電路要求，選用不同類(lèi)型晶體三極管。（2）根據(jù)晶體管的主要參數(shù)進(jìn)行選用。（3）選用合適的外形尺寸和封裝形式。（4）硅管與鍺管的具體選用方法。4.3半導(dǎo)體分立器件的命名方法1．我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的命名方法2．國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名方法3．美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法4．日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法4.4晶閘管整流元件與場(chǎng)效應(yīng)晶體管4.4.1可控硅1．可控硅的基礎(chǔ)知識(shí)可控硅又叫晶閘管，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)。主要成員有單向可控硅、雙向可控硅、光控可控硅。單向可控硅，也就是普通晶閘管，是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：第一層P型半導(dǎo)體引出的電極稱(chēng)陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極稱(chēng)控制極（也稱(chēng)門(mén)極）G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極稱(chēng)陰極K?？煽毓杈哂泻芏鄡?yōu)異的特點(diǎn)，以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)速度極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪聲；效率高，成本低等?？煽毓璞豢捎脕?lái)做可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無(wú)線電遙控、攝像機(jī)及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。2．可控硅的分類(lèi)（1）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為：?jiǎn)蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅、光控可控硅、逆導(dǎo)可控硅、可關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅等多種。（2）按電流容量可分為：大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（3）按引腳和極性可分為：二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。（4）按封裝形式可分為：金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（5）按關(guān)斷速度可分為：普通可控硅和高頻（快速）可控硅。3．可控硅的型號(hào)命名方法第一部分：用字母“K”表示主稱(chēng)為可控硅；第二部分：用字母表示可控硅的類(lèi)別；第三部分：用數(shù)字表示可控硅的額定通態(tài)電流值；第四部分：用數(shù)字表示重復(fù)峰值電壓級(jí)數(shù)。4．可控硅的主要參數(shù)（1）正向峰值電壓（斷態(tài)重復(fù)峰值電壓）UDRM。是指在門(mén)極開(kāi)路而器件的結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓（2）反向重復(fù)峰值電壓URRM。是指門(mén)極開(kāi)路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。（3）通態(tài)平均電壓UTM。是指在規(guī)定的工作溫度條件下，使可控硅導(dǎo)通的正弦波半個(gè)周期內(nèi)UAK的平均值，一般在0.4～1.2V。（4）通態(tài)峰值電壓UTM。是指可控硅通過(guò)某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓。（5）額定通態(tài)平均電流IT。額定通態(tài)平均電流IT是指可控硅在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流過(guò)的最大工頻正弦半波電流的平均值。（6）維持電流IH。維持電流IH是指能使可控硅維持導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)所必需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安。（7）擎住電流IL。是指可控硅剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的最小電流。（8）浪涌電流ITSM。是指由于電路異常情況引起的并使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過(guò)載電流。（9）控制極觸發(fā)電流IGT。IGT是指在規(guī)定的環(huán)境溫度下，維持可控硅從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)所需要的最小直流電流。（10）控制極觸發(fā)電壓UGT。是指產(chǎn)生門(mén)極觸發(fā)電流所必需的最小門(mén)極電壓，UGT的值一般為1～5V。4.4.2場(chǎng)效應(yīng)晶體管1．場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor，F(xiàn)ET）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)為單極型晶體管。它利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，并以此命名。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。2．場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）兩大類(lèi)。按溝道材料分：結(jié)型和絕緣柵型，各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式分：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極、漏極、源極。場(chǎng)效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極E、基極B、集電極C，它們的作用相似。3．場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用（1）場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于信號(hào)放大。廣泛應(yīng)用于電壓和功率放大電路中；由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。（2）場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。（3）場(chǎng)效應(yīng)管可以用做可變電阻。（4）場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用做恒流源。（5）場(chǎng)效應(yīng)管也可以與雙極性晶體管一樣，用做電子開(kāi)關(guān)。4．場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少數(shù)載流子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。（3）場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。（4）場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱(chēng)的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵—源電壓可正可負(fù)。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活。（5）晶體管導(dǎo)通電阻大，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小，只有幾百mΩ，使用場(chǎng)效應(yīng)管做電子開(kāi)關(guān)的效率比晶體管高。（6）場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。（7）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由UGS控制ID，其放大系數(shù)Gm一般較小，因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差。5．場(chǎng)效應(yīng)晶體管的型號(hào)命名場(chǎng)效應(yīng)晶體管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型晶體管相同，第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。第二種命名方法是CS××#，CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。6．場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用的注意事項(xiàng)（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管子的耗散功率、最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓。（3）MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、儲(chǔ)藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管子的防潮。（4）為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；引腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管子的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管子時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地，如采用接地環(huán)。（5）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)。（6）焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。（7）在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí)，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的場(chǎng)效應(yīng)管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。4.5晶體二極管識(shí)別檢測(cè)技能實(shí)訓(xùn)

1．實(shí)訓(xùn)目的熟練掌握目測(cè)識(shí)讀晶體二極管類(lèi)型的方法。熟悉晶體二極管的功能特點(diǎn)，建立晶體二極管的檢測(cè)思路及檢測(cè)流程，重點(diǎn)掌握晶體二極管的檢測(cè)特點(diǎn)與檢測(cè)技巧，能夠?qū)Σ煌N類(lèi)的晶體二極管進(jìn)行檢測(cè)，判斷出它們的正負(fù)極及好壞。2．實(shí)訓(xùn)器材（1）指針式萬(wàn)用表一塊。（2）數(shù)字式萬(wàn)用表一塊。（3）各種不同類(lèi)型、不同封裝的晶體二極管若干。3．實(shí)訓(xùn)內(nèi)容與步驟任務(wù)1普通二極管的識(shí)別與檢測(cè)【操作步驟】（1）直接識(shí)別。根據(jù)二極管的外觀及標(biāo)識(shí)，目測(cè)判斷其類(lèi)型（普通、整流、穩(wěn)壓等）、封裝形式及正負(fù)極。二極管的極性一般都通過(guò)一定的方式標(biāo)注在二極管的管殼上，根據(jù)標(biāo)志可以判別出二極管的正負(fù)極。（2）用指針式萬(wàn)用表判別二極管極性。將萬(wàn)用表置于R×100擋或R×1k擋，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測(cè)出一個(gè)結(jié)果后，對(duì)調(diào)兩表筆，再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中，其中一次測(cè)量出的阻值較大（為反向電阻）；一次測(cè)量出的阻值較?。檎螂娮瑁Ｔ谧柚递^小的一次測(cè)量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。（3）用指針式萬(wàn)用表檢測(cè)二極管的單向?qū)щ娦阅芗昂脡摹Ｍǔ?，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300kΩ左右。硅材料二極管的正向電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為∞（無(wú)窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說(shuō)明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶谩Ｈ魷y(cè)得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說(shuō)明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。若測(cè)得二極管的正、反向電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路損壞。（4）用數(shù)字式萬(wàn)用表測(cè)二極管的正負(fù)極。一般數(shù)字萬(wàn)用表大都設(shè)有專(zhuān)門(mén)測(cè)量晶體二極管的擋位，可進(jìn)行正向壓降測(cè)量和管子好壞的判斷注意用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量二極管時(shí)，實(shí)測(cè)的是二極管的正向電壓值，而指針式萬(wàn)用表則測(cè)的是二極管正反向電阻值，要特別注意這個(gè)區(qū)別。（5）片式二極管的檢測(cè)。在工程技術(shù)中，貼片二極管與普通二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本相同，均由一個(gè)PN結(jié)組成。因此，貼片二極管的檢測(cè)與普通二極管的檢測(cè)方法基本相同?！緦?shí)訓(xùn)記錄】將以上識(shí)別、測(cè)試結(jié)果填入表中。任務(wù)2發(fā)光二極管與光敏二極管的識(shí)別與檢測(cè)①目測(cè)極性。判別紅外發(fā)光二極管的正、負(fù)電極。紅外發(fā)光二極管有兩個(gè)引腳，通常長(zhǎng)引腳為正極，短引腳為負(fù)極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見(jiàn)，內(nèi)部電極較寬較大的一個(gè)為負(fù)極，而較窄小的一個(gè)為正極。②用指針式萬(wàn)用表檢測(cè)極性。萬(wàn)用表置于R×10k擋，將兩表筆與發(fā)光二極管的兩個(gè)引腳相接，觀察指針是否偏轉(zhuǎn)，或觀察發(fā)光二極管是否發(fā)光；再將兩表筆對(duì)調(diào)，仍觀察指針是否偏轉(zhuǎn)，或觀察發(fā)光二極管是否發(fā)光。【實(shí)訓(xùn)記錄】將以上檢測(cè)結(jié)果填入表4-8。任務(wù)3穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓值的測(cè)量方法1：先將一塊指針式萬(wàn)用表置于R×10k擋，其黑、紅表筆分別接在穩(wěn)壓管的負(fù)極和正極，這時(shí)就模擬出穩(wěn)壓管的實(shí)際工作狀態(tài)（反向擊穿），再取另一塊表數(shù)字表置于直流電壓20V擋或50V擋上（根據(jù)穩(wěn)壓值選擇量程），將紅、黑表筆分別搭接到剛才那塊表的黑、紅表筆上，這時(shí)測(cè)出的電壓值基本上就是這個(gè)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值。方法2：按圖接線。慢慢將可調(diào)直流電源由0往大調(diào)，同時(shí)用萬(wàn)用表測(cè)量穩(wěn)壓二極管兩端的電壓值，隨著可調(diào)直流穩(wěn)壓電源輸出的增大，穩(wěn)壓二極管兩端的電壓會(huì)隨之增大，當(dāng)所測(cè)電壓穩(wěn)定在某個(gè)值不再變化時(shí)，此值即為穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值。對(duì)于13V以下的穩(wěn)壓二極管，可將穩(wěn)壓電源的輸出電壓調(diào)至15V，若穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值高于15V，則應(yīng)將穩(wěn)壓電源輸出電壓調(diào)至20V以上。【操作步驟】每人分配不同穩(wěn)壓值的穩(wěn)壓二極管若干只，用萬(wàn)用表檢測(cè)正反向電阻值（方法參考普通二極管檢測(cè)）并用以上方法1或方法2測(cè)量穩(wěn)壓值?！緦?shí)訓(xùn)記錄】將以上各項(xiàng)檢測(cè)結(jié)果填入表中。任務(wù)4整流橋的引腳判別與性能檢測(cè)【操作步驟】（1）用指針式萬(wàn)用表判別引腳性質(zhì)。判別引腳的性質(zhì)，是根據(jù)全橋組件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，利用二極管的單向?qū)щ娦赃M(jìn)行檢測(cè)的。圖4-33所示為兩只大功率整流橋的照片及整流橋的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖。檢測(cè)方法如下：（2）數(shù)字萬(wàn)用表判別引腳性質(zhì)。（3）判別性能。【實(shí)訓(xùn)記錄】將以上步驟（1）、步驟（2）、步驟（3）的檢測(cè)過(guò)程與結(jié)果，分別填入下。4.6晶體三極管的識(shí)別檢測(cè)實(shí)訓(xùn)1．實(shí)訓(xùn)目的熟練掌握目測(cè)識(shí)讀晶體三極管類(lèi)型的方法。熟悉晶體三極管的功能特點(diǎn)，建立晶體三極管的檢測(cè)思路及檢測(cè)流程，重點(diǎn)掌握晶體三極管的檢測(cè)特點(diǎn)與檢測(cè)技巧，能夠?qū)Σ煌N類(lèi)的晶體三極管進(jìn)行檢測(cè)，測(cè)量直流放大系數(shù)并判斷出它們的引腳極性及好壞。2．實(shí)訓(xùn)器材（1）指針式萬(wàn)用表一塊；（2）數(shù)字式萬(wàn)用表一塊；（3）各種不同類(lèi)型、不同封裝的晶體三極管若干。3．實(shí)訓(xùn)內(nèi)容與步驟任務(wù)1晶體管引腳識(shí)別及性能好壞的檢測(cè)【操作步驟】（1）晶體管引腳性質(zhì)的目測(cè)識(shí)別。①晶體管電極引腳的排列方式具有一定的規(guī)律。對(duì)于國(guó)產(chǎn)小功率金屬封裝晶體管，引腳排列順序一般是：將引腳所在圓截面正對(duì)眼睛，三個(gè)引腳所構(gòu)成的等腰三角形頂點(diǎn)向下，從左向右依次為c、b、e；有定位銷(xiāo)的晶體管，從定位銷(xiāo)處開(kāi)始，按順時(shí)針?lè)较蛞来螢閑、b、c；塑封小功率晶體管引腳排列順序是：引腳向下，面對(duì)平面（另一面是弧形），從左向右依次為e、b、c，②塑封中功率TO－220封裝的晶體管引腳排列順序一般是：引腳向下，有字一側(cè)正對(duì)眼睛，從左至右的順序?yàn)閎、c、e。③金屬封裝的大功率晶體管引腳的目測(cè)判定7。②檢測(cè)晶體管類(lèi)型。萬(wàn)用表仍調(diào)至R×1k或R×100擋，檢測(cè)出晶體管基極后，將萬(wàn)用表的一只表筆與基極相接，另一表筆與剩下的兩個(gè)引腳中的其中一個(gè)相接，測(cè)量電阻值；再將兩只表筆對(duì)調(diào)，重新測(cè)量，共測(cè)得兩次電阻值。以測(cè)得電阻值小的一次為準(zhǔn)，對(duì)于指針式萬(wàn)用表，如果黑表筆所接的引腳為基極，則為NPN型晶體管；如果紅表筆所接引腳為基極，則為PNP型晶體管。對(duì)于數(shù)字式萬(wàn)用表則相反。③檢測(cè)集電極和發(fā)射極。【實(shí)訓(xùn)記錄】①根據(jù)表中所列晶體管型號(hào)寫(xiě)出晶體管的類(lèi)型、材料及功率、工作頻率分類(lèi)。②將用萬(wàn)用表判別晶體管引腳電極、類(lèi)型的結(jié)果填入表4-14中。任務(wù)2晶體管直流電流放大系數(shù)β值的檢測(cè)【操作步驟】（1）直接識(shí)讀。有的晶體管用標(biāo)注在管殼上的色點(diǎn)來(lái)標(biāo)示β值的大小，色點(diǎn)的顏色與β值的關(guān)系見(jiàn)表。注意色點(diǎn)顏色表示的是β值的范圍值，但對(duì)于某一個(gè)具體的晶體管，在同一檢測(cè)條件下，其β值是一個(gè)確定的值。（2）用萬(wàn)用表檢測(cè)β值。①指針式萬(wàn)用表測(cè)β值。②數(shù)字式萬(wàn)用表測(cè)β值。數(shù)字表同樣可以測(cè)量晶體管的β值，測(cè)量結(jié)果以數(shù)字形式在LCD上顯示注意①NPN型和PNP型管插孔不同，注意不要插錯(cuò)位置。②由于測(cè)試結(jié)果與測(cè)試條件有關(guān)，所得數(shù)據(jù)與標(biāo)稱(chēng)β值可能有差距，且不同的萬(wàn)用表測(cè)試結(jié)果會(huì)有差別。【實(shí)訓(xùn)記錄】（1）根據(jù)管殼上的色點(diǎn)判斷晶體管的β值范圍，并與萬(wàn)用表檢測(cè)結(jié)果對(duì)比。將檢測(cè)結(jié)果填入表中。（2）將已損壞和正常的晶體管若干只混裝，用萬(wàn)用表檢測(cè)性能好壞，進(jìn)行分檢。將檢測(cè)結(jié)果填入表中。4.7晶體場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的識(shí)別檢測(cè)實(shí)訓(xùn)4.7.1晶體場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)實(shí)訓(xùn)1．實(shí)訓(xùn)目的熟悉晶體場(chǎng)效應(yīng)管的功能特點(diǎn)，掌握?qǐng)鲂?yīng)管的檢測(cè)方法與檢測(cè)技巧，能夠?qū)Σ煌N類(lèi)的場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行檢測(cè)，判斷出它們的引腳及性能好壞。2．實(shí)訓(xùn)器材（1）指針式萬(wàn)用表一塊；（2）數(shù)字式萬(wàn)用表一塊；（3）各種不同類(lèi)型、不同封裝的晶體場(chǎng)效應(yīng)管若干。3．實(shí)訓(xùn)內(nèi)容與步驟任務(wù)1