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小于50%,其部有一固定的死區(qū)時(shí)間T,將其插在一個(gè)小于50%,其部有一固定的死區(qū)時(shí)間T,將其插在一個(gè)DMOSF先進(jìn)的雙端輸出專用于諧振半橋拓樸的控制器,在此變換器中,半橋信息,線路的平均電壓值供V作電壓前饋,分壓器R7,R8,R9片每次關(guān)閉時(shí)將此電容放電(Vcc<UVLO,LINE<1.2一ST公司針對(duì)日益廣泛使用的LCD-TV電源推出了新一代的HB-LLC控制IC-L6599,它從L6599是一個(gè)雙端輸出的控制器。它專為諧振半橋拓樸設(shè)計(jì),提供兩個(gè)50%的互補(bǔ)的占為使高邊驅(qū)動(dòng)采用高壓電平位移的構(gòu)造具有600V耐壓,用高壓MOSFET取代了外部快更高水平的OCP在第一保護(hù)電平缺乏時(shí)可鎖住IC以控制初級(jí)電流。它結(jié)合了完整的應(yīng)對(duì)過載及短路的保護(hù),此外鎖住制止輸入(DIS)可以很容易地改善OTP及OVP。與PFC的接口處提供了PFC預(yù)調(diào)整器在故障時(shí)的使能端子,這些故障包括OCP,在猝圖1L6599HB-LLC控制IC的部等效電路L6599的16PIN功能如下:8PINDELAY過流的延遲關(guān)斷。從此端接一電容及電阻到GND,設(shè)置IC關(guān)斷前的過流3PINCF定時(shí)電容。從此端接一電容到GND,用于部電流發(fā)生器的充電及放電,用接過一支電阻接到此端,電阻值將設(shè)置最高工作頻率。一個(gè)R-C串連從此端接到GND,以設(shè)置基準(zhǔn)50mV后重新開起,軟起動(dòng)沒有實(shí)行。這個(gè)功能在負(fù)載降到幾乎空載時(shí)完成猝發(fā)模式工,這樣此平均時(shí)間為10/fmin的圍,保證了有效頻率的上升,信息,線路的平均電壓值供V,這樣此平均時(shí)間為10/fmin的圍,保證了有效頻率的上升,信息,線路的平均電壓值供V作電壓前饋,分壓器R7,R8,R9升壓二極管給其電平移動(dòng),并送來(lái)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。此專利的構(gòu)造取代了通作。在IC被DIS>1.85V,ISEN>1.5V,LINE端電壓到達(dá)UVLO電壓閾值以下。假設(shè)此功能不用,將此端連接到GND。7PINLINE線路檢測(cè)輸入。此端用一電阻分壓器接到高壓輸入總線端(AC或DC)作布朗動(dòng),在Vcc電壓降到UVLO閾值以下時(shí),此閉鎖才被移去,假設(shè)不用要將此端接地。9PINPFC_STOP漏極開路的PFC控制器級(jí)的ON/OFF控制,通常此端開路,用以停頓GND端要各自獨(dú)立,為星狀接法。MOSFET,在UVLO時(shí)此端為低電平。MOSFET,用一電阻在部接到14PIN,以確保在UVLO時(shí)此端不處于浮動(dòng)狀態(tài)。L6599的應(yīng)用注意L6599是一個(gè)先進(jìn)的雙端輸出專用于諧振半橋拓樸的控制器,在此變換器中,半橋的高空比即導(dǎo)通時(shí)間與開關(guān)周期之比略小于50%,其部有一固定的死區(qū)時(shí)間T,將其插在一個(gè)DMOSFET的關(guān)斷與另一MOSFET的導(dǎo)通之間。在此死區(qū)時(shí)間,兩只MOSFET都關(guān)斷。這個(gè)4倍于fmin,對(duì)Css適宜的準(zhǔn)則是相當(dāng)經(jīng)歷的成分,以及在有開關(guān)的占空比控制的,在諧振半橋中,占空比是固定的,能量流是由息被鎖住后,必須重新給4倍于fmin,對(duì)Css適宜的準(zhǔn)則是相當(dāng)經(jīng)歷的成分,以及在有開關(guān)的占空比控制的,在諧振半橋中,占空比是固定的,能量流是由息被鎖住后,必須重新給IC加電才能令其重新軟起動(dòng),在Vcc電Y上的電壓超過2V時(shí)又回到開路狀態(tài),此時(shí)電壓降到0.3V,在F電來(lái)定出,此端提供2V基準(zhǔn),有源出2mA電流能力,當(dāng)源出更大電流時(shí),會(huì)有更高頻率,在RFmin端的網(wǎng)絡(luò)通常包含三個(gè)容:1,一個(gè)電阻RFmin接到此端與GND之間,它決定最低工作頻率。波形的頻率與一電流相關(guān),它去調(diào)制反應(yīng)電路,結(jié)果由半橋驅(qū)動(dòng)的槽路承受由反應(yīng)環(huán)命令的工作,一些開關(guān)周期是在近似固定頻率下工作,且由一些無(wú)效的周期間隔開,兩個(gè)MOSFET振蕩器在外部用一個(gè)電容C調(diào)節(jié),從3PIN接到GND,用接到4PIN的網(wǎng)絡(luò)交替地充放常外部加上的高壓二極管。L6599的應(yīng)用注意L6599是一個(gè)功能基于停頓IC。隨著輸入電壓到變換器時(shí)降到低于規(guī)定圍,讓它見圖13常外部加上的高壓二極管。L6599的應(yīng)用注意L6599是一個(gè)功能基于停頓IC。隨著輸入電壓到變換器時(shí)降到低于規(guī)定圍,讓它見圖13。參加附加的平安測(cè)量,如果此端電壓超過7V,則器件關(guān)有效的,但通過二次繞組及整流元件的輸出電流在此條件下可能比擬OUTBOUTBOUTBOUTBABSTBYMOSFET先導(dǎo)通給升壓電容充電,結(jié)果,升壓電容總是在充電后才令高邊MOSFET工作。仍受控,并防止喪失軟開關(guān),必須讓有效的剩余電流流過變壓器的勵(lì)磁電感,當(dāng)然,此電流給出空閑的輸出,令兩功率MOSFET關(guān)斷,這樣平均開關(guān)頻率就減下來(lái)了。結(jié)果,實(shí)際磁化執(zhí)行猝發(fā)模式工作,加到STBY端的電壓需要與反應(yīng)環(huán)路相關(guān),圖5示出最簡(jiǎn)單的關(guān)系RFma*即可求出:的值將變化,要予以考慮。在此情況,推薦如圖6的安排。變換器的輸入電壓到STBY端,。OUTBSTBY用一支小電容從STBY接到GND,僅靠IC放置,減小開關(guān)噪聲,實(shí)現(xiàn)清潔式工作。為幫助設(shè)計(jì)師滿足節(jié)能要求,在PFC的功率因數(shù)校正局部,因?yàn)镻FC預(yù)調(diào)整器領(lǐng)先于DC/DC變換器工作,器件允許PFC預(yù)調(diào)整器在猝發(fā)模式工作時(shí)被關(guān)斷,從而消除PFC局部為做到這一點(diǎn),器件提供9PIN作〔PFC_STOP〕開集電極輸出,通常為開路,在IC工4倍于fmin,對(duì)Css適宜的準(zhǔn)則是相當(dāng)經(jīng)歷的成分,以及在有4倍于fmin,對(duì)Css適宜的準(zhǔn)則是相當(dāng)經(jīng)歷的成分,以及在有超過1.85V時(shí),將IC關(guān)掉,并使功耗降到起動(dòng)前的水平。此信Tstop期間,L6599Vcc上的電壓降到UVLO閾值以下流最大時(shí)間以及IC重起動(dòng)之后的延遲,每個(gè)時(shí)段ISEN端電壓超SSUVLO端保持開路,以使PFC首先啟動(dòng)。圖8L6599關(guān)斷PFC控制IC的電路限定值來(lái)做的,所以L6559變換器的軟起動(dòng)簡(jiǎn)單地加個(gè)RC串聯(lián)電路從4PIN接到GND。變化,但輸出功率迅速地隨其變化。軟起動(dòng)和有效的OCP之間的折衷,參照?qǐng)D10的時(shí)序曲線。電流檢測(cè)OCP和OLP蕩器的頻率,從而限制了能量的傳輸,放電直到ISEN端電壓降下50mV,這樣此平均時(shí)間為將被觸發(fā),L6599將關(guān)斷,并鎖住兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)及令PFC_STOP端變低電平,因此關(guān)斷了整波電壓分壓AR個(gè)時(shí)段不必是低損耗型的,這時(shí)的R為:B此處,CUVLO期間它開路,如果不用它,此端懸空不接。10PINGN高壓隔離端。此端部不接電路,隔離開高壓及低壓局部。波電壓分壓AR個(gè)時(shí)段不必是低損耗型的,這時(shí)的R為:B此處,CUVLO期間它開路,如果不用它,此端懸空不接。10PINGN高壓隔離端。此端部不接電路,隔離開高壓及低壓局部。14PIN器三角波上斜,而高邊驅(qū)動(dòng)開啟時(shí)或IC在猝發(fā)模式下開關(guān)時(shí),低邊AAAAACARCKKBBBSHSHSHSHSH在圖11的電路中,檢測(cè)電阻Rs串在低邊MOSFET的源極到GND。注意實(shí)際連接的諧期中都是正的。除非諧振電流在低邊MOSFET反轉(zhuǎn)的時(shí)段,但此時(shí)低邊MOSFET已關(guān)斷,AR用下式計(jì)算:BBBBARBBSHT將是100ms。MPMP控制環(huán)路的限定值來(lái)做的,所以L6559變換器的軟起動(dòng)簡(jiǎn)單地加令其重新起動(dòng),閂鎖被移去。此時(shí),Vcc端電壓到達(dá)UVLO電壓控制環(huán)路的限定值來(lái)做的,所以L6559變換器的軟起動(dòng)簡(jiǎn)單地加令其重新起動(dòng),閂鎖被移去。此時(shí),Vcc端電壓到達(dá)UVLO電壓低頻,隨負(fù)載的進(jìn)一步減小,會(huì)使頻率再減小,甚至達(dá)幾百赫的水平inoff)求解R和R給出:HL當(dāng)線路欠壓時(shí)被激活,無(wú)PWMSHSHBOOT須讓Vcc端電壓降到UVLO閾值以下,這樣才能復(fù)位鎖住,并重新起動(dòng)IC。NTC,令其靠近發(fā)熱元件,如MOSFET,或者二次側(cè)的二極管或變壓器。OVP也可以用它來(lái)執(zhí)行,用檢測(cè)輸出電壓或經(jīng)光耦傳輸一個(gè)過壓條件即可。調(diào)節(jié)器的輸出電壓保護(hù),此功能服從于POWER-ON及POWER-OFF功能。起動(dòng)即被制止,PFC_STOP端開路,IC功率消耗減下來(lái),PWM工作重新使能狀態(tài)要在此端求解R和R給出:HL當(dāng)線路欠壓時(shí)被激活,無(wú)PWM。Vcc電壓連續(xù)在起動(dòng)及UVLO恢復(fù)二極管,去給升壓電容C充電,在L6599中,新的專利技術(shù)是用IC一只高壓DMOS取代外部高壓二極管,它工作在第三象限,由低邊驅(qū)動(dòng)器〔LVG〕同步驅(qū)動(dòng),用一支低壓二端電壓超過1.25V的50mV以上時(shí)恢復(fù)工作。執(zhí)行猝發(fā)模式工低邊MOSFET已關(guān)斷,假設(shè)RC濾波時(shí)間常數(shù)至少10倍于最小一個(gè)R-C串連從此端接到GND,端電壓超過1.25V的50mV以上時(shí)恢復(fù)工作。執(zhí)行猝發(fā)模式工低邊MOSFET已關(guān)斷,假設(shè)RC濾波時(shí)間常數(shù)至少10倍于最小一個(gè)R-C串連從此端接到GND,以設(shè)置從起動(dòng)到穩(wěn)定工作的頻率外鎖住制止輸入(DIS)可以很容易地改善OTP及OVP。與PBOOT將其關(guān)斷。為驅(qū)動(dòng)同步DMOS,它需要一個(gè)高于電源電壓Vcc的電壓,此電壓由部充電泵來(lái)升壓驅(qū)動(dòng)構(gòu)造在給C重新充電時(shí)插入了電壓降,它隨工作頻率的增加而增加,還隨BOOT外部功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)功率增加,相當(dāng)于MOSFET的R的壓降和串聯(lián)二極管正向壓降之和。在低頻工作時(shí),此壓降很小,可以忽略不計(jì),但隨工作頻率的升高,必須計(jì)及此壓降。實(shí)際上,此壓降減少了驅(qū)動(dòng)高邊MOSFET信號(hào)的電壓幅度,此驅(qū)動(dòng)電壓幅度的減少會(huì)使高邊MOSFET的R增大,從而損耗加大。DS(ON)DS(ON)二極管用于防止任何從V端返回Vcc的電流,在部電容沒有完全放電之前,可迅速DS(ON)D的柵電荷為30nc,升壓驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)頻率200KHz時(shí)壓降為3V。L6599的應(yīng)用介紹1.L6599與L6563聯(lián)合設(shè)計(jì)的高檔AC/DC適配器。采用L6563和L6599設(shè)計(jì)的90W適配器電源,為典型高端NootBook應(yīng)用,其空載待機(jī)損耗<0.4W,轉(zhuǎn)換效率極高。L6599的待機(jī)功能系采用在輕載時(shí)參加猝發(fā)功能,并關(guān)斷PFC級(jí)得到的,從而能滿足最新的AC/DC適配器的要求。主要諧波滿足EN6100-3-2規(guī)。效率>90%。EMI滿足EN55022-B級(jí)規(guī)。安規(guī)符合,NE60950規(guī)。lay沒有簡(jiǎn)單的關(guān)系,這樣它實(shí)際上由Cdelay根據(jù)經(jīng)歷決定流檢測(cè)lay沒有簡(jiǎn)單的關(guān)系,這樣它實(shí)際上由Cdelay根據(jù)經(jīng)歷決定流檢測(cè)OCP和OLP諧振半橋根本上是電壓型控制,因此電流檢測(cè)的.z.-UVLO端保持開路,以使PFC首先啟動(dòng)。圖8L65。此端提供預(yù)置的2V基準(zhǔn),用一支電阻從此端接到GND,以決定二極管D4和電容C9,升壓開關(guān)為功率MOSFETQ1,L2的第二繞組給L6563供電,并提供PFC線圈電感的信息,為TM方式工作。分壓器R1,R2和R14提供AC電壓信息,線路的平FFL6599,它為變

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