華燦光電（蘇州）有限公司LED外延片芯片項(xiàng)目環(huán)評(píng)報(bào)告

本簡(jiǎn)本內(nèi)容由南京國(guó)環(huán)環(huán)境科技發(fā)展股份有限公司編制，并經(jīng)華燦光電(蘇州)有限公司確認(rèn)同意提供給環(huán)保主管部門(mén)作為《華燦光電(蘇州)有限公司LED外延片芯片項(xiàng)目》環(huán)境影響評(píng)價(jià)審批受理信息公開(kāi)。華燦光電(蘇州)有限公司、南京國(guó)環(huán)環(huán)境科技發(fā)展股份有限公司對(duì)簡(jiǎn)本文本內(nèi)容的真實(shí)性、與環(huán)評(píng)文件全本內(nèi)容的一致性負(fù)責(zé)。前言 二、建設(shè)項(xiàng)目周?chē)h(huán)境現(xiàn)狀 14三、工程建設(shè)的環(huán)境影響預(yù)測(cè)及擬采取的主要措施與效果 18 五、環(huán)境影響評(píng)價(jià)結(jié)論要點(diǎn) 52 1《華燦光電(蘇州)有限公司LED外延片芯片項(xiàng)目》環(huán)境影響報(bào)告書(shū)的編制已完作。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)13455萬(wàn)元。華燦光電(蘇州)有限公司是由華燦光電股份有限公司投資設(shè)立的全資子公司，公司位于江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)晨豐公路，成立于2012年9月。本項(xiàng)目由華燦光電(蘇州)有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目建成后正常年年產(chǎn)42萬(wàn)華燦光電股份有限公司是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的LED芯片供應(yīng)商，本項(xiàng)目依托母公司技術(shù)和營(yíng)銷(xiāo)資源，具有良好的市場(chǎng)發(fā)展前景。目前全球LED照明市場(chǎng)需求量呈持續(xù)增長(zhǎng)的趨勢(shì)，應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣，本項(xiàng)目的實(shí)施將鞏固并提高華燦光電公司在LED芯片全球市項(xiàng)目名稱(chēng)LED外延片芯片項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)北區(qū)拓展區(qū)內(nèi)，南臨晨豐公路。建設(shè)性質(zhì)新建工作制度年工作日數(shù)為350天，四班三運(yùn)轉(zhuǎn)制，每班工作時(shí)間8h總投資181236萬(wàn)元人民幣，其中環(huán)保投資1540萬(wàn)元，占總投資的0.85%總占地面積總占地面積112015.2m2；綠化面積14337.9m2，綠化率12.8%員工人數(shù)廠內(nèi)職工總?cè)藬?shù)921人虹路，(1)項(xiàng)目組成2設(shè)計(jì)能力(m2).9存放3只11t氨氣槽車(chē)(5個(gè)車(chē)位)。存放2輛氫氣魚(yú)雷車(chē)(6個(gè)車(chē)位)。5m3/am3/h3臺(tái)2016m3/h冷卻塔(兩用一備)。位于動(dòng)力3臺(tái)20m3/min空壓機(jī)(兩用一備)。位于動(dòng)力3臺(tái)制冷機(jī)(1備)，T8MW熱水鍋爐+4t/hNm。mh3(2)項(xiàng)目工藝流程料包括藍(lán)寶石襯底片、MO源、氨氣(NH3)、濃度為200ppm的硅烷(SiH4)等。外延4TMGa、SiH4W:有機(jī)廢水G11:W:有機(jī)廢水G11:乙醇NHNHNHNHS12:有機(jī)廢液G12:正膠、增粘劑G13:酸性廢氣S13:廢顯影液W12:有機(jī)廢水NHNHNHNH S液W13:酸性廢水G15：含氨含塵廢氣G18含氨含塵5(1)檢驗(yàn)及清洗(2)PSS(襯底圖形化)圖形化襯底技術(shù)(PattemedSapphireSubstrate)，簡(jiǎn)稱(chēng)“PSS”。通過(guò)在藍(lán)寶石LED襯底表面制作具有細(xì)微結(jié)構(gòu)的圖形，然后再在圖形化襯底表面進(jìn)行LED材料外延。藍(lán)寶PSS包括：光刻(具體同芯片生產(chǎn)光刻工藝)、干法刻蝕(具體同芯片生產(chǎn)ICP刻表(3)清洗：刻蝕后的基片送至芯片廠房清洗?；M(jìn)入清洗槽，將基片按要求依次經(jīng)過(guò)酸洗(硫酸、雙氧水)、純水洗，烘干后送至外延廠房進(jìn)入下一工序。(4)MOVCD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積)，MOVCD外延爐要進(jìn)行抽真空，可使外延生長(zhǎng)3)壓力溫度控制常MOCVD外延爐的反應(yīng)室壓力為100-400托(Torr，0℃時(shí)1mmHg)，襯底溫度為4)外延生長(zhǎng)在一定溫度(550℃)及壓力下，通入高流速的氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w，用N2保護(hù)、6H2作載體，使三甲基鎵(TMGa)、三乙基鎵(TEGa)和氨氣反應(yīng)生成GaN層，GaN(用于摻雜)反應(yīng)生成GaN的N電極層，生長(zhǎng)時(shí)間約60min。Ga(CH3)3+In(CH3)3+2NH3→InGaN+6CH4使三甲基鎵、三甲基鋁、氨氣反應(yīng)生成AlGaN層，此步會(huì)有甲烷氣體生成。其反應(yīng)方Ga(CH3)3+Al(CH3)3+2NH3→AlGaN+6CH4N(5)降溫取片：從MOVCD外延爐取出生長(zhǎng)完成的外延片。外延材料生長(zhǎng)時(shí)爐內(nèi)(6)檢測(cè)：在常溫常壓下，檢查外延片的量子阱以及發(fā)光性能等，合格的產(chǎn)品包裝后入庫(kù)。不合格外延片返工至工序(1)有機(jī)清洗除膠后繼續(xù)加工生產(chǎn)。7雙氧水W水烤S212鋁GW水SiO2光刻S215OW水G：去膠液雙氧水W水烤S212鋁GW水SiO2光刻S215OW水G：去膠液蠟水G：乙醇W水W水W水 不符合使用GG廢氣S廢液W：含氟廢水G210：去膠液、丙酮乙醇S28：有機(jī)廢液W：有機(jī)廢水要求的合格品符合使用要求的合格品片ITO光刻W：有機(jī)廢水G212：酸性廢氣S210：酸性廢液W28：酸性廢水W：有機(jī)廢水ICP刻蝕CBL光刻 NHF8(1)清洗：清洗工作是在不破壞外延片表面特性的前提下，有效的使用化學(xué)溶液清除外延片表面的各種殘留污染物。將外延片按要求依次經(jīng)過(guò)酸洗(硫酸)、雙氧水洗、1)涂膠、軟烤：涂敷光刻膠之前，將洗凈的外延片表面涂上附著性增強(qiáng)劑，可增的粘度和勻膠的轉(zhuǎn)速來(lái)控制。光刻膠主要是由對(duì)光與能量非常敏感的高分子聚合物組2)曝光：在掩模版的遮蔽下，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。3)顯影：將曝光后的外延片放到顯影機(jī)里，片子在機(jī)臺(tái)內(nèi)高速旋轉(zhuǎn)，同時(shí)片子上4)顯影后無(wú)需清洗，直接烘干。9其原理是利用10%的硅烷(SiH4/H2)熱分解得到硅外延層的生長(zhǎng)技術(shù)。先將腔體抽至低壓，再流進(jìn)特定氣體(10%SiH4和笑氣)，并將腔體控制在特定壓力下，溫度約設(shè)定200~300℃，以射頻產(chǎn)生器來(lái)產(chǎn)生電漿，而使存在于空間中的氣體被活化而可以在更低確保SiH4等完全分解。淀積前，腔體內(nèi)部需抽真空處理，設(shè)備起始真空度可達(dá)CFOSiOSiF4與氫氟酸生成氟硅酸(六氟合硅酸)，方程式：(8)去膠和清洗：經(jīng)腐蝕完成圖形復(fù)制以后，將外延片依次放入去膠液槽、丙酮(9)ITO蒸鍍：在真空環(huán)境下，在外延層表面鍍上一層ITO膜。本項(xiàng)目ITO蒸鍍采用真空蒸發(fā)法，是采用電子束加熱法將金屬原料蒸發(fā)沉積到外延片上的一種成膜方法。蒸發(fā)原料的分子(或原子)的平均自由程長(zhǎng)(10-4Pa以下，達(dá)幾十米)，所以在真ITO蒸鍍使用的主要材料為氧化銦、氧化錫等。使用的主要設(shè)備為ITO蒸鍍臺(tái)。(10)退火：將蒸鍍的ITO透明電極進(jìn)行熱退火，使ITO膜重結(jié)晶，膜質(zhì)更致密，。(13)NP電極光刻：外延片經(jīng)電極光刻對(duì)需要區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，露出少量不需要的(14)焊盤(pán)制備(蒸鍍)：在芯片上制作焊盤(pán)。焊盤(pán)的作用是芯片封裝時(shí)，通過(guò)焊膠后沖洗。具體操作同前述(8)去膠和清洗。同(5)鈍化層制備。SiOSiOSiO露出P、N兩SiO揮發(fā)性的氟化物，生成物被泵抽離反應(yīng)腔體。量純水沖洗。具體操作同前述(8)去膠和清洗。(21)減?。和ㄟ^(guò)蠟將外延片粘接在研磨盤(pán)上，放入研磨機(jī)內(nèi)，用砂輪打薄襯底，片作為圓片外售給低要求的廠方使用；符合要求的外延片則進(jìn)入切割工段進(jìn)行劃片切(28)目檢：在顯微鏡下用真空吸筆將外觀不合格和點(diǎn)墨水的芯片剔除。(1)產(chǎn)業(yè)政策符合性敏感元器件及傳感器、新型機(jī)電元件、高密度印刷電路板和柔性電路板等)制造”。亦屬于《江蘇省工業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄》(2012年本)鼓勵(lì)類(lèi)中信息產(chǎn)業(yè)類(lèi)第23條“新型電子元器件(片式元器件、頻率元器件、混合集成電路、電力電子器件、光、高密度印刷電路板和柔性電路板等)新敏感元器件及傳感器、新型機(jī)電元件等)制造”。(2)符合地區(qū)規(guī)劃要求(1)與《江蘇省國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十二五規(guī)劃綱要》的相符性(2)與《蘇州市經(jīng)濟(jì)和發(fā)展第十二五規(guī)劃綱要》的相符性(3)與《張家港市城市總體規(guī)劃(修編)2003-2020》的相符性(4)與江蘇張家港經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)北區(qū)拓展區(qū)規(guī)劃及環(huán)境影響報(bào)告書(shū)批復(fù)的符合性項(xiàng)目選址于江蘇張家港經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)北區(qū)拓展區(qū)，北區(qū)拓展區(qū)區(qū)域環(huán)評(píng)于2008年10月取得江蘇省環(huán)保廳的批復(fù)(蘇環(huán)管[2008]241號(hào))。本項(xiàng)目建設(shè)地屬于北區(qū)拓展區(qū)中。(5)與江蘇省重要生態(tài)功能區(qū)劃的符合性分析(6)與蘇環(huán)辦[2011]177號(hào)相符性業(yè)(或項(xiàng)目)排放污水嚴(yán)謹(jǐn)直接接入城市生活污水處理廠處理。]241號(hào))。拓展區(qū)產(chǎn)業(yè)定位為光電(不含電鍍)、光伏(不含單晶、多晶硅原料生產(chǎn))、新能源、新材料(不含化學(xué)新材料)、精密機(jī)械及裝備(不含電鍍)等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，項(xiàng)目屬于光電行業(yè)，本項(xiàng)目生產(chǎn)過(guò)程中不使用重金屬作為生產(chǎn)原輔料，因此，符合蘇環(huán)辦[2011]177號(hào)建設(shè)項(xiàng)目周?chē)h(huán)境現(xiàn)狀距離(m)N2000人E642人N215人NE316人W41人250人彩虹苑小區(qū)(規(guī)ESN準(zhǔn)(1)環(huán)境空氣大氣環(huán)境監(jiān)測(cè)根據(jù)評(píng)價(jià)區(qū)域的地形及氣象特征，各環(huán)境功能區(qū)和敏感點(diǎn)的分布情。地W(2)地表水環(huán)境類(lèi)、鎳、鉻(六價(jià))口進(jìn)(3)聲環(huán)境(4)地下水環(huán)境Dm(5)土壤環(huán)境鋅。項(xiàng)目所在地土壤各監(jiān)測(cè)因子均符合《土壤環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB15618-1995)二級(jí)標(biāo)(1)大氣評(píng)價(jià)范圍(2)地表水評(píng)價(jià)范圍(3)噪聲評(píng)價(jià)范圍(4)地下水評(píng)價(jià)范圍(5)風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)范圍三、工程建設(shè)的環(huán)境影響預(yù)測(cè)及擬采取的主要措施與效果(一)有組織排放(1)外延生產(chǎn)①含氨含塵尾氣(G15-G110)N(2)芯片生產(chǎn)1)光刻間1(G22、G28(1)、G211(1)、G213(1)、G216(1))a2)光刻間2(G23、G28(2)、G211(2)、G213(2)、G216(2))3)PSS光刻間(G12)4)有機(jī)清洗間(G11、G25-26、G210、G214、G218)5)去蠟間(G219)1)無(wú)機(jī)清洗間(G14、G21、G29、G212)BOEHFNHFITOHCl液)。外延片生產(chǎn)后需用硫酸/雙氧水或鹽酸清洗，會(huì)有酸性氣體及酸霧產(chǎn)生，主要污染2)ICP間(G13、G24)Cl2(未完全反應(yīng)的)。結(jié)合排放標(biāo)準(zhǔn)及排放量，氣體刻蝕步驟的大氣污染物考慮氯。本③刻蝕間(G215、G217)全反應(yīng)的硅烷(0.02t/a)和反應(yīng)剩余的笑氣N2O(5.084t/a)產(chǎn)生。廢氣為設(shè)備內(nèi)管道(3)食堂油煙(4)燃料廢氣表3.1項(xiàng)目有組織廢氣產(chǎn)生及排放情況數(shù)mhmgm3kghtamgm3kghtamkghm直徑m溫度CCVD氨5946—95(設(shè)備內(nèi)過(guò)濾)統(tǒng)(設(shè)備內(nèi)過(guò)濾+———熱———————————正膠(主要為有機(jī)酯類(lèi))——負(fù)膠(主要為有機(jī)酯類(lèi))——附著液(六甲基二硅氨)——4—顯影液(四甲基氫氧化—SS(主要為有機(jī)酯類(lèi))——(六甲基二硅氨)——(四甲基氫氧化氨)————85—(N-甲基吡咯烷酮)——128422——87—去蠟液(脂肪族碳?xì)浠稀?—9ICP間9——2熱———————————122/—12—98/—98—/———(2)廢水目廢水包括①含氮廢水(BOE蝕刻清洗廢水、去膠后清洗廢水、酸性廢氣吸收廢水)，②不含氮工藝廢水，③生活污水，④冷卻水棄水。本項(xiàng)目擬針對(duì)各廢水水質(zhì)，①含氮廢水：來(lái)自BOE蝕刻清洗廢水及去膠后清洗廢水、酸性廢氣吸收廢水，合。表3.2項(xiàng)目水污染物產(chǎn)生及排放狀況aLa法LBOE酸霧吸pH5~6/RO回用于工1藝鍋爐排污pH3~5/淀pH6~9/6~96—558水—(3)噪聲項(xiàng)480~8530(E)580(E)75~8580(E)動(dòng)力間(屋頂)375(E)75~8530(N)(4)固廢表3.4固廢產(chǎn)生源強(qiáng)及處理處置量量 其數(shù)量(t/a)005-06固－－/S211/S21542液－－32液－－32液/S24/S21034液－SSS-3)/S217(2-3)42液－－S216(1)42液－－42液－－49固－－－固－－－－－－固－－－－液－－－－60－－(5)全廠“三本帳”表3.5項(xiàng)目投產(chǎn)后全廠污染物“三本帳”(t/a)000/0/0/00氨39氯00氨000000000000(1)環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)表3.6地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(單位：mg/L，PH除外)pH高錳酸鹽指數(shù)16Ni1PM10NO2NH3H2S2司的相關(guān)中有害物最大允許濃度BA《地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》參考執(zhí)行(GB/T14848-93)Ⅲ類(lèi)水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。pH度6.5~8.51鉻鎳鎘s11表3.10土壤環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)單位：mg/kg(pH無(wú)量綱)PH值<6.56.5-7.5>7.5(2)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)水處理廠接管標(biāo)準(zhǔn)，污水處理廠尾水排放執(zhí)行《城鎮(zhèn)污水處理廠污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》 ADB7)污水處理廠I類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)。含氮廢水處理后回用于含氮管標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)pH≤500≤5000000058)≤-.001放標(biāo)準(zhǔn) 食堂油煙排放執(zhí)行《飲食業(yè)油煙排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB18483-2001)中型規(guī)模標(biāo)準(zhǔn)，詳見(jiàn)表mkgh高(GB16297-1996)m9氯《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB14554-93)氨8(GB13271-2001)m*本項(xiàng)目有機(jī)廢氣排氣筒實(shí)際高度為25m，根據(jù)此高度下的計(jì)算公式取值，丙酮、異丙醇、TVOC的允許排放速率分別為17.6kg/h、13.2kg/h、13.2kg/h，數(shù)值較為寬泛，對(duì)環(huán)境管理來(lái)說(shuō)意義不大。因此本項(xiàng)目有機(jī)廢氣排氣筒污染物允許排放速率從嚴(yán)按15m高度下的參數(shù)取值進(jìn)行計(jì)算，計(jì)h表3.13飲食油煙排放標(biāo)準(zhǔn)模型大型≥6率(108J/h)對(duì)應(yīng)排氣罩灶面總投影面積(m2)3，<6.6≥6.6最高允許排放濃度(mg/m3)凈化設(shè)施最低去除效率(%)排放標(biāo)準(zhǔn)3建筑施工階段，場(chǎng)界作業(yè)噪聲按照《建筑施工場(chǎng)界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB12523-2011)執(zhí)行，即晝間70dB(A)，夜間55dB(A)。固體廢物執(zhí)行《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場(chǎng)污染控制標(biāo)準(zhǔn)》(GB18599-2001)和《危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)》(GB18597-2001)。(1)地表水：本項(xiàng)目廢水接管至張家港城北污水處理廠的生產(chǎn)廢水和生活污水水。(2)空氣環(huán)境：估算結(jié)果可知，各排氣筒有組織排放以及芯片廠房、供氨站無(wú)組GBT00m以?xún)?nèi)時(shí)，級(jí)差(3)聲環(huán)境：本項(xiàng)目各噪聲源在采取降噪措施后，對(duì)廠界及外環(huán)境的影響很小，(4)地下水環(huán)境：預(yù)測(cè)結(jié)果表明：地下水滲漏對(duì)評(píng)價(jià)范圍內(nèi)地下水水質(zhì)有一定的(5)生態(tài)環(huán)境：本項(xiàng)目擬建于張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)工業(yè)用地范圍內(nèi)，作為成熟本項(xiàng)目外延爐尾氣先分別經(jīng)爐內(nèi)自帶除塵過(guò)濾器過(guò)濾后再經(jīng)管道匯合后一并通入D根30m高的1#排氣筒排放。由于是爐內(nèi)管道收集，可認(rèn)為廢氣捕集率為冷凍水系統(tǒng)低溫純水罐：(1)新工藝采用物理膜分離法+純水高效吸收法。該法是利用氨氮分離膜的親氨疏(2)在確保氨水濃度達(dá)到15%以上及尾氣能達(dá)標(biāo)排放，系統(tǒng)設(shè)計(jì)五級(jí)連續(xù)吸收的1)MOCVD含氨廢氣通過(guò)集氣管道收集后由高壓漩渦風(fēng)機(jī)吸氣增壓輸送至處理系統(tǒng)。在風(fēng)機(jī)前官道上設(shè)置負(fù)壓傳感器，保證MOCVD機(jī)臺(tái)排氣保有一定的負(fù)壓值，如機(jī)D收組件。MOCVD爐廢氣中含微塵，需采用過(guò)濾器預(yù)除去廢氣中的細(xì)小顆粒物。同時(shí)D4)膜吸收系統(tǒng)中冷凍水吸取含氨廢氣后變?yōu)榘彼?，氨水通過(guò)膜吸收組件吸收液出5)經(jīng)過(guò)多級(jí)膜濾系統(tǒng)吸收后的超低含氨廢氣從膜吸收組件下方排出，接入尾氣吸器發(fā)出的低液位信號(hào)控制電動(dòng)三通閥切換排入第五級(jí)吸收液箱進(jìn)行進(jìn)一步吸收以增加6)尾氣系統(tǒng)采用低溫純水對(duì)膜吸收系統(tǒng)處理后尾氣中氨進(jìn)一步去除，對(duì)尾氣中的(2)酸性廢氣、淀積廢氣1)酸性廢氣是無(wú)機(jī)清洗間內(nèi)各種酸性物質(zhì)使用過(guò)程中揮發(fā)產(chǎn)生的酸霧(主要工段環(huán)ICP硫酸霧、氯化1氣100Pa左右，采用新工藝雙風(fēng)機(jī)抽風(fēng)(一備一用)，風(fēng)機(jī)進(jìn)風(fēng)口的電動(dòng)調(diào)節(jié)閥必須與風(fēng)機(jī)填充物采用特拉瑞德，材質(zhì)為PP，空隙率95%，對(duì)氣流阻力小，表面積28FT2/FT3(96M2/M3)，其內(nèi)部的壓力損失為60mmAq，均為噴嘴型非阻塞型(BETEP物計(jì))的去除率較低，約50%，廢氣達(dá)到《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)后由燃燒。所以本項(xiàng)目PECVD設(shè)備清潔時(shí)，每天會(huì)有少量有異味的SiF4排放。SiF4年(3)有機(jī)廢氣(4)無(wú)組織廢氣A．盡量保持生產(chǎn)車(chē)間和操作間(室)的密閉，合理設(shè)計(jì)送排風(fēng)系統(tǒng)，提高廢氣捕B．加強(qiáng)生產(chǎn)管理，規(guī)范操作，使設(shè)備設(shè)施處于正常工作狀態(tài)，減少生產(chǎn)、控制、C．對(duì)于酸洗、濕法蝕刻、有機(jī)溶劑清洗廢氣散發(fā)面較大的工段，合理設(shè)計(jì)廢氣捕DE、項(xiàng)目大宗氣體(氮?dú)?、氨氣、氫氣?通過(guò)管道直接輸送至生產(chǎn)車(chē)間，供氣系無(wú)組織廢氣經(jīng)上述治理措施后可使無(wú)組織監(jiān)控濃度達(dá)到《大氣污染物綜合排放標(biāo)(2)廢水治理措施(1)廢水預(yù)處理方案有機(jī)、酸堿、研磨廢水綜合調(diào)節(jié)池PH反應(yīng)池污泥污泥排放水池達(dá)標(biāo)排放污泥濃縮池壓壓濾機(jī)污泥外運(yùn)處理(2)含N廢水處理措施1、生產(chǎn)廢水(不含生活污水)中含磷情況分析2、生產(chǎn)廢水(不含生活污水)中含氮情況分析E3)外延片生產(chǎn)PSS過(guò)程及芯片生產(chǎn)光刻、涂膠及去膠過(guò)程使用的正膠、負(fù)膠、附HNMOCVD5)上述進(jìn)入廢水中的N元素均隨同含氮廢水送交廠內(nèi)設(shè)置的含氮廢水處理設(shè)施處N因此，本項(xiàng)目最終外排生產(chǎn)廢水(不含生活污水)中不含N元素。(3)噪聲治理措施1)空壓機(jī)房；2)廢氣處理風(fēng)機(jī)3)冷卻塔(4)固體廢物處置措施容(萬(wàn)元)化氫、氮氯hTVOC00+1×100002000+1×1300GB015--水總氮、氟化物蒸發(fā)等水水q—GB08活—活—1000m3事故水池、自動(dòng)監(jiān)控系統(tǒng)、安全防護(hù)系統(tǒng)、應(yīng)急設(shè)施、應(yīng)急預(yù)案、環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)管理等，詳見(jiàn)環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)管理章節(jié)測(cè)能力等)口規(guī)范化設(shè)置家港市內(nèi)平衡；水污染物總量在城———施風(fēng)險(xiǎn)應(yīng)急預(yù)案m項(xiàng)目最大可信事故環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)值為1×10-5/a，低于化工同行業(yè)事故致死率(作為最大(1)提高企業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，促進(jìn)企業(yè)整體良性循環(huán)產(chǎn)線產(chǎn)能已經(jīng)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足客戶(hù)需求。為有效發(fā)揮公司的產(chǎn)品和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，急需對(duì)LEDLED力，也是目前我國(guó)半導(dǎo)體照明于保持華燦光電在國(guó)內(nèi)同行業(yè)中的領(lǐng)先地位，也符合當(dāng)前LED領(lǐng)域市場(chǎng)發(fā)展的總體方(2)提高