GB/T 43227-2023宇航用集成電路內(nèi)引線氣相沉積保護(hù)膜試驗(yàn)方法

ICS49040

CCSA.29

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43227—2023

宇航用集成電路內(nèi)引線氣相沉積保護(hù)膜

試驗(yàn)方法

Testmethodsforspacevapourdepositionprotectivefilmon

semiconductorwire

2023-09-07發(fā)布2024-01-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T43227—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國宇航技術(shù)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC425)。

本文件起草單位北京微電子技術(shù)研究所中國航天電子技術(shù)研究院

:、。

本文件主要起草人趙元富姚全斌林鵬榮馮小成荊林曉李洪劍付明洋林建京曹燕紅

:、、、、、、、、、

劉思嘉劉征宇

、。

Ⅰ

GB/T43227—2023

宇航用集成電路內(nèi)引線氣相沉積保護(hù)膜

試驗(yàn)方法

1范圍

本文件規(guī)定了宇航用集成電路內(nèi)引線采用氣相沉積保護(hù)膜工藝后的氣相沉積保護(hù)膜檢驗(yàn)方法電

、

力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)方法

。

本文件適用于完成氣相沉積保護(hù)膜的宇航用集成電路的試驗(yàn)

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

氣相沉積保護(hù)膜vapourdepositionprotectivefilm

將集成電路放置于專用真空設(shè)備中經(jīng)高溫將氣相沉積材料裂解為游離基然后在室溫下向集成電

,,

路內(nèi)部結(jié)構(gòu)表面氣相沉積聚合形成的一層絕緣涂層

,。

4環(huán)境條件

本文件所列各項(xiàng)試驗(yàn)方法均應(yīng)在以下環(huán)境條件下進(jìn)行

,:

溫度

a):18℃~28℃;

相對(duì)濕度

b):30%~70%。

5氣相沉積保護(hù)膜檢驗(yàn)方法

51內(nèi)部目檢

.

511目的

..

對(duì)采用氣相沉積工藝封裝的宇航用集成電路應(yīng)檢查保護(hù)膜效果以及保護(hù)膜電路腔體內(nèi)部是否

,,、

存在損傷

。

512設(shè)備

..

試驗(yàn)中采用的設(shè)備應(yīng)能證明器件是否符合相應(yīng)要求包括低放大倍數(shù)下可檢查倍倍高

,40~100,

放大倍數(shù)下可檢查倍倍的光學(xué)設(shè)備

100~200。

513樣品

..

完成氣相沉積工藝的宇航用集成電路