GD32F3開發(fā)進(jìn)階教程 課件 ch04讀寫SRAM實(shí)驗(yàn)

讀寫SRAM實(shí)驗(yàn)“第四章《GD32F3開發(fā)進(jìn)階教程——基于GD32F303ZET6》01實(shí)驗(yàn)內(nèi)容本章的主要內(nèi)容是學(xué)習(xí)GD32F3蘋果派開發(fā)板上的SRAM模塊，包括內(nèi)部SRAM和外部SRAM芯片，掌握內(nèi)外部SRAM的結(jié)構(gòu)和讀寫方法，最后基于開發(fā)板設(shè)計(jì)一個(gè)讀SRAM實(shí)驗(yàn)，通過LOD屏上的GUI界面，實(shí)現(xiàn)讀寫內(nèi)外部SRAM。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容02實(shí)驗(yàn)原理010203ROM(Read-OnlyMemory):只讀存儲(chǔ)器，掉電時(shí)可以保存數(shù)據(jù)。RAM(RandomAccessMemory):隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，可讀可寫，但是電會(huì)丟失數(shù)據(jù)。Flash:又稱閃存，結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能，還具有斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù)、可以快速讀取數(shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn)。存儲(chǔ)器分類存儲(chǔ)器按照存儲(chǔ)介質(zhì)特性可分為易失性存儲(chǔ)器(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器(ROM和Flash)兩大類。內(nèi)部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)和讀寫過程內(nèi)部SRAM在系統(tǒng)架構(gòu)中的位置如圖4-1所示。內(nèi)部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)和讀寫過程《GD32F30x用戶手冊(cè)(中文版)》中的存儲(chǔ)器映射表如表4-1所示。外部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)與讀寫過程1.IS62WV51216芯片GD32F3蘋果派開發(fā)板上板載的外部SRAM芯片型號(hào)為IS62WV51216，其引腳圖如圖4-2所示。外部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)與讀寫過程IS62WV51216芯片引腳描述如表4-2所示。外部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)與讀寫過程2.IS62WV51216芯片通信方式各個(gè)引腳的描述如表4-3所示。外部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)與讀寫過程外部SRAM模塊的電路原理圖如圖4-3所示。外部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)與讀寫過程3.EXMC配置(1)選擇EXMC的訪時(shí)序模型，根據(jù)《GD32F30x用戶手冊(cè)(中文版)》中的表2.1-5得到如表4-4所示的SRAM時(shí)序，本實(shí)驗(yàn)采用異步模型的模式A。外部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)與讀寫過程(2)配置控制時(shí)序參數(shù)，如表4-5所示。外部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)與讀寫過程(3)配置SRAM控制器:通過操作SRAMRFlash控制存器(EXMCSNCTLx)(x=0,1,2,3)完成相應(yīng)的配置。該寄存器的偏移地址、復(fù)位值和結(jié)構(gòu)如圖4-4所示。外部SRAM相關(guān)結(jié)構(gòu)與讀寫過程其中，該寄存器的部分位解釋如表4-6所示。03實(shí)驗(yàn)代碼解析1.ReadWriteSRAM.h文件在ReadWriteSRAM.h文件的“API函數(shù)聲明”區(qū)，聲明了2個(gè)API函數(shù)，如程序清單4-1所示。InitReadWriteSRAM函數(shù)用于初始化讀寫SRAM模塊，ReadWriteSRAMTask函數(shù)用于完成讀寫SRAM模塊任務(wù)。ReadwriteSRAM文件對(duì)2.ReadwriteSRAM.c文件在ReadwriteSRAMc文件的“宏定義”區(qū)如程序清單4-2所示定義了Bank0中Region3的起始地址，并將這個(gè)地址作為外部SRAM的起始地址，還定義了外部SRAM緩沖區(qū)的大小為1MB、內(nèi)部SRAM緩沖區(qū)的大小為4KB及LCD顯示字符串的最大長(zhǎng)度為64字節(jié)。ReadwriteSRAM文件ReadwriteSRAM文件對(duì)在“內(nèi)部變量定義”區(qū)，定義了內(nèi)部變量sstructGUIDev、sarrExSRAM[BUFFERSIZE]sarrInSRAM[INSRAMBUFFERSIZE、sarrStringBufMAXSTRINGLEN]，如程序清單4-3所示。ReadwriteSRAM文件對(duì)在“內(nèi)部函數(shù)聲明a”區(qū)，聲明了4個(gè)內(nèi)部函數(shù)，如程序清單4-4所示。ReadwriteSRAM文件對(duì)在“內(nèi)部函數(shù)實(shí)現(xiàn)”區(qū)，首先實(shí)現(xiàn)的是ReadByte函數(shù)，如程序清單4-5所示。ReadwriteSRAM文件對(duì)在ReadByte函數(shù)實(shí)現(xiàn)區(qū)后為WriteByte函數(shù)的實(shí)現(xiàn)代碼，如程序清單4-6所示。下面按照順序解釋說明InitReadWriteSRAM函數(shù)中的語句。(1)第6至15行代碼:計(jì)算并獲取內(nèi)部和外部SRAM地址范圍并保存在s_suctGUIDev中。(2)第18至24行代碼:將SRAM讀寫函數(shù)賦給讀寫回調(diào)函數(shù)并初始化GUI，此時(shí)，微控制器可根據(jù)GUI的操作，調(diào)用相應(yīng)的回調(diào)函數(shù)讀寫SRAM。(3)第27至44行代碼:初始化內(nèi)外部SRAM的緩沖區(qū)并顯示相應(yīng)信息。ReadwriteSRAM文件對(duì)EXMC.c文件在EXMCc文件的“內(nèi)部函數(shù)聲明”區(qū)，聲明ConfigBank0Region3函數(shù)，如程序清單4-11所示。EXMC.c文件在“內(nèi)部函數(shù)實(shí)現(xiàn)”區(qū)的ConfigEXMCGPIO函數(shù)中，實(shí)現(xiàn)了EXMC與外部存儲(chǔ)器連接的控制引腳的初始化代碼，如程序清單4-12的第8至10行代碼所示。EXMC.c文件在“API函數(shù)實(shí)現(xiàn)”區(qū)的InitEXMC函數(shù)中添加調(diào)用ConfigBank0Region3函數(shù)的代碼如程序清單4-14所示。Main.c文件Proc2msTask函數(shù)的實(shí)現(xiàn)代碼如程序清單4-15所示。實(shí)驗(yàn)結(jié)果下載程序并進(jìn)行復(fù)位，可以觀察到開發(fā)板上的LCD顯示如圖4-5所示的GUI界面。實(shí)驗(yàn)結(jié)果單擊“寫入地址”一欄并輸入“6C000000”，單擊“寫入數(shù)據(jù)”一欄并輸入“99”，單擊“WRITE”按鈕，此時(shí)LCD顯示如圖4-6所示，口助手輸出與LCD顯示相同，表示數(shù)據(jù)寫入成功。實(shí)驗(yàn)結(jié)果單擊“讀取地址”一欄同樣輸入“6C0000