AP30H80Q 電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管-N溝道 30V 80A 絲印30H80Q-驪微電子

CC深圳市驪微電子科技有限公司 銓力半導(dǎo)體代理商桂半桂半導(dǎo)體理商深圳市擁微電子科有限公司-Cnctosft

WERDATASHEETTCTCALARACTST=25℃ustrweo)Prr ybol utCton Mn ype 缸 tstatcCractrlcaDrabrakownve V(BR)DSS VGS""OV,eee25A 30

．．vZerotevoencur『t oss Vosee3QVGs"'ovG閣bodyeecurrent Gss VGS20Vos=OV

．．1 μA．．00 nAGtetsodvoteC3> Vth) Vos，o250μA 5 25 vVos0o30A

．41 8Draorceonsstace<>

｝ mQ=45o=2A

．utCsacnee OutptCapcee 蛐 Vos5V0s=Of=zRv"SerasferCapac四 Cr.SWgcrctertcs圈nytime 句n)

．．245．．

．．．．．島GateCarge Qg

m-onm-onrsetmeI,Vc5c30A,．5m-仔eytmeici，VGS=Ro=30．32．

．．．QgsGternCrge d

．．

．．src:eranoecrctriat臼｝VGSOs=A．．vDodeorwrdcrrtCl．．70Arte:epttvetisethlm創(chuàng)ymaxmmjuctntempert陪ESCntTVcRG5H5APseet:錦t!i30dtycycl!i%4.SfaceoutednFR4Bo時(shí)0民N-ChannelEnhancementMosfet

WERDATASHEET

Q9｜←Q9｜←伊Vos

ChargereCeestCrcut&Wavefonnosos%VGs arui i%---I1%’!句 t.一一 1,,,..lgre2:ResstiveSwitchgtrct&Waveforms)jl_T斗←

Sre3cpeuctieSwgestCrcut&町fonsN-ChannelEnhancementMosfetclrfrceracrstsFrOttracterst西

re2:TypclrsfrraristcsA80回創(chuàng)回創(chuàng)4020234402005 0 4.0

40;

Fure3『staDranrrent{mO)

Fre4:BoyDoeChrtcss(A)10S一0:

VGS=5V

’rr

”

oA)

／25"(／／ I ／Vso(V)0 20 305:GatevVGsMv

40 2 04 06 08 0 2 .4 協(xié) 8FreCapaceert臼＼＼曬＼M／o=30A／／8／6／／／v4v2900600／Qg(nC)8 32 40

30000

6 30N-ChannelEnhancementMosfet

WERDATASHEETra:Nor到rekoltagev.nctinp陪)(V} ”_.,,,,..--_.,.,.-L可｝

remZdonneev.nctinrll)rt陽(yáng)on)(rnO)

2,I/,， 1． v

｜

／可｝-50 ?；?200raMaxmSafetigArea

00 。?；?00 回 淚remCosranCrrntv.caseprall陪

、、v byRDs(cn)

..ω回

＼＼νr 」l1111c劃｜｜｜r---ne刷r---1 ｜｜｜｜｜ ｜飛”

41 ＼20。 c） ＼Jao’ctio-Case1a°

0 25 50 ii」 ？」 ？深圳市驪微電子科技有限公司銓力半導(dǎo)體代理商深圳市驪微電子科技有限公司銓力半導(dǎo)體代理商b D1b D1eHE2L1A2AE1ELL2 A2AE1EL

L3A1A1SYMBOLMILLIMETERMINTyp.MAXA0.7000.8000.900A10.152REF.A20~0.05D3.0003.1003.200D12.3002.4502.600E2.9003.0003.100E13.1503.3003.450E21.3201.5201.720b0.2000.3000.4