存儲行業(yè)深度報告：數據量增長驅動升級產業(yè)鏈迎國產化機遇

存儲行業(yè)深度報告：數據量增長驅動升級，產業(yè)鏈迎國產化機遇半導體存儲半導體存儲：數據的蓄水池存儲器是指利用磁性材料或半導體等材料作為介質進行信息存儲的器件。半導體存儲器利用半導體介質貯存電荷以實現信息存儲，存儲與讀取過程體現為電荷的貯存或釋放，半導體存儲是集成電路的重要分支。根據世界半導體貿易統(tǒng)計組織（WSTS）數據，2022年全球集成電路產業(yè)規(guī)模為4744.02億美元，其中存儲芯片規(guī)模為1297.67億美元，約占集成電路產業(yè)總體規(guī)模的22.6%，與邏輯芯片共同構成集成電路產業(yè)的兩大支柱。存儲芯片作為全球半導體行業(yè)第一大細分領域可分為易失性和非易失性兩類，易失性存儲又可分為動態(tài)隨機存儲（DRAM）和靜態(tài)隨機存儲（SRAM）。其中DRAM具備集成度高、低功耗、低成本、體積小等顯著優(yōu)勢，通常用于智能手機及服務器內存。非易失性存儲主要包括NANDFLASH和NORFLASH，其中NAND被廣泛用于SSD、eMMC/EMCP、U盤等高端大容量產品，NOR則主要用于智能穿戴、汽車電子、AMOLED等領域。（1）易失性存儲是運行程序臨時數據的存儲媒介，供CPU讀寫處理，占存儲市場的57%。RAM需要維持通電以臨時保存數據供主系統(tǒng)CPU讀寫和處理。由于RAM可以實現對數據的高速讀寫，可作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。在此基礎上，RAM根據是否需要周期性刷新以維持數據存儲，進一步分為動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）需要在通電狀態(tài)下通過周期性刷新來維持數據；靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）則不需要周期性刷新。SRAM的速度更快、耗電量較低但存儲器容量較低且制造成本較高，通常用于緩存；DRAM的成本更低，密度更大，主要用作主處理器存儲器。（2）非易失性存儲主要指只讀存儲器（ROM），無需持續(xù)通電亦能長久保存數據的存儲器，占存儲市場的43%。ROM包括掩膜只讀存儲器（MaskROM）、可編程只讀存儲器（PROM）、可編程可擦除只讀存儲器（EPROM）、電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）和快閃存儲器（Flash）等不同階段產生的產品。Flash作為主要應用包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash（占40%）是一種半導體單元串聯(lián)排列的閃存，其閃存單元垂直排列,可實現大容量化；同時無需記憶各單元的位置,寫入速度很快。由于其小型化和大容量化,NAND閃存常常被用作各種移動設備和電子產品的存儲設備，是目前全球市場大容量非易失存儲的主流技術方案。NORFlash是一種半導體單元并聯(lián)排列的閃存，由于并聯(lián)排列的,它的數據檢索快,讀取速度快且數據安全性高；但NOR由于要記住各個單元的地址電路較為復雜,儲存數據的空間小,很難實現大容量化，在小容量場景中具備經濟效益。存儲產業(yè)鏈包括存儲顆粒制造環(huán)節(jié)（晶圓廠+設計公司）、存儲應用環(huán)節(jié)（模組廠+主控芯片）及封測廠。半導體存儲器由于布圖設計與晶圓制造的技術結合更為緊密且標準化程度高，主要以IDM模式為主，非DRAM、NAND主流產品即利基存儲領域有部分設計公司參與。在應用環(huán)節(jié)，存儲原廠完成晶圓制造后，仍需開發(fā)大量應用技術以實現從標準化存儲晶圓到具體存儲產品的轉化，包括主控芯片、固件開發(fā)、封測等環(huán)節(jié)，最終由存儲原廠或模組廠商以成品形式推向市場。在終端產品上，存儲原廠聚焦大宗市場，存儲模組廠商則聚焦客制化細分市場。存儲原廠憑借晶圓優(yōu)勢向下游存儲產品領域滲透，以晶圓的創(chuàng)新設計與制程提升聚焦于具有大宗數據存儲需求的行業(yè)和客戶（如智能手機、個人電腦及服務器行業(yè)的頭部客戶）。而對于產品差異化較大需客制化的長尾細分行業(yè)市場（如工業(yè)控制、商用設備、汽車電子、網絡通信設備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網硬件等）以及主流應用市場中小客戶，則由獨立的存儲模組廠商進行開拓。未來存儲將向高密度、大容量方向發(fā)展從平面到4D，NAND存儲密度不斷提升提高存儲單元的可存儲數位（bit）量和提升3DNANDFlash的堆疊層數是存儲密度提升的主要方式。NANDFlash的進化過程中最重要的趨勢就是每個單元擁有更高的密度，從SingleLevelCell(SLC)對應1bit、MultiLevelCell(MLC)對應2bit、TripleLevelCell(TLC)對應3bit到QuadrupleLevelCell(QLC)對應4bit發(fā)展，存儲密度得到提升。但由于在2D形式下，單位存儲單元密度提升會帶來擦寫次數減少、可靠性降低和單元間干涉現象嚴重等問題，3DNAND技術應運而生。3DNAND大幅減少了單元（Cell）之間的干擾影響，提高了單元自身的特性，并持續(xù)提高積層單數就能夠實現數據容量的擴大及成本節(jié)約，其讀寫速度、功耗、成本、耐久性、數據傳輸速度及容量等均展現出卓越的優(yōu)勢。3DNAND為閃存市場主流產品，22年應用占比超80%，隨存儲密度要求提升層數增加。自2013年后，3DNAND的堆疊層數出現了快速增長。2015年推出了48層NAND，2017年推出64層，2019年96層，2020年128層，2021年176層，2022年232層。目前，三星、美光、SK海力士、長江存儲等均超過了200層。根據Yole數據，128層NAND仍為主要工藝，232層NAND將隨數據中心等需求增加加速滲透。從1X到1Z，DRAM制程不斷縮小DRAM占據全球存儲器市場第一大份額，手機和服務器推動DRAM市場需求擴大。DRAM按照產品分類可分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM，其中DDR(DDRSDRAM雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)是DRAM應用最廣的產品類型。通常SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，而DDR則是一個時鐘周期內可傳輸兩次。隨著CPU內核數增加，為保證每個核的帶寬不變，整體DDR的帶寬（Bandwidth）及功耗要求不斷提升，DDR由第一代升級至第五代DDR5。相比DDR4，DDR5數據傳輸速度與有效帶寬翻倍。先進的工藝節(jié)點與封裝技術的演進是DDR升級的核心要素。每個節(jié)點級數都代表芯片中晶體管和電容器的最小組件縮小，14年三星率先實現20nm量產(4GbDDR3DRAM)，此后DRAM制程每兩年迭代，從1Xnm(16nm-19nm)到1Ynm(14nm-16nm)到1Znm（12-14nm，DDR4X/5及LPDDR4X/5)；22年美光推出了1βDRAM技術，該技術初步可使LPDDR5X效率提升15%。在此基礎上，硅通孔（TSV）技術可實現DRAM芯片的多層堆疊，提升模塊容量；例如三星DDR5利用TSV技術堆疊了8層16GBDRAM芯片，DDR5模塊容量提升至512GB。預計未來5年數據中心對DRAM的需求復合增速將超30%，DDR5作為高性價比的內存形式將成為DRAM的主要出貨類型。根據Yole及IDC數據，盡管23年PC、服務器需求恢復有限，DDR5滲透率提升較慢，隨著AI、服務器及物聯(lián)網帶來的計算需求增加，未來五年，DRAM需求將快速增長。其中DDR5作為高性能低功耗的新一代產品，將廣泛應用于大多數的計算場景中，成為主流產品，25年后滲透率將超60%。盡管HBM（HighBandwidthMemory）在高度并行計算、計算機視覺、AI等應用中有卓越的性能優(yōu)勢，但考慮其成本、內存靈活性等因素，DDR5將在較長時間內占據主要的內存應用市場。“內存墻”的限制將促進TSV(硅通孔)、混合鍵合為基礎的先進內存封裝技術26年占比將在20年基礎上增加兩倍以上。隨著數據密集型應用不斷增長，目前處理器算力超過存儲芯片存取能力，內存和處理單元之間的數據傳輸帶寬受限即受到“內存墻”的阻礙；以HBM（高帶寬存儲器，HighBandwidthMemory）為代表的新型內存封裝形式應運而生。根據Yole數據，2026年內存封裝市場將增至198億美元，其中TSV、混合鍵合等先進封裝技術占比將由2020年不到5%增至約18%。根據Trendforce數據，高端GPU需求提升將拉動HBM23年需求量增加58%，24年將再增加30%。HBM是利用TSV和熱壓鍵合等技術將DRAM芯片進行堆疊并與GPU一起封裝以實現更高的傳輸帶寬的新型內存封裝形式。從傳輸位寬來看，通過該種互連方式，每層DRAM芯片有兩個128bits通道，若堆疊4層DRAM芯片對應1024bits即1024個數據引腳；若GPU周圍配置4塊該類型HBM內存，則總位寬為4096bits；相比GDDR5顯存16通道對應512bits大幅提升，適用于游戲和圖形處理等高并行任務對帶寬要求高的應用。根據Trendforce數據，HBM市場被海力士(占53%)、三星(占38%)和美光(占9%)三大內存原廠占據。2014年，AMD與海力士合作開發(fā)出了全球第一代HBM，隨后海力士相繼推出了HBM2、HBM2E、HBM3等產品，內存Die堆疊層數由4層增至12層，單顆HBM容量可達24GB；此外，三星HBM3亦開始量產，并推出了HBM-PIM(存算一體)產品；美光HBM2E于21年開始量產。隨著NVIDIAGPUH100、A100采用了HBM2e、HBM3技術，HBM應用將逐步走向成熟，成為AI服務器與高端GPU的主要封裝形式。存儲產業(yè)：周期與成長并存存儲格局：準入門檻不斷提升，上游原廠高度集中存儲芯片的周期性明顯，波動大于半導體整體行業(yè)。全球半導體是螺旋演進的周期性行業(yè)，其中存儲芯片相對標準化，因此周期性更為明顯。從2000年以來的增速看，全球存儲芯片的銷售額同比增速波動性大于全球半導體：PC與手機創(chuàng)新：02到04年，PC、筆記本需求拉動存儲芯片景氣上行；09到11年，全球經濟變化帶來行業(yè)短期波動，3G手機和上網本的出現拉動了內存的需求。13到14年，4G智能手機滲透率提升，互聯(lián)網+帶來計算量提升，拉動存儲進入上行周期。視頻流量興起：16年到18年，視頻流量與智能化場景應用帶來的存儲擴容帶動存儲芯片景氣上行；而各大存儲大廠處于由32層向64層技術過渡階段，產能使用率和良率偏低，存儲器進入供不應求狀況，價格大幅上漲，2017年全球存儲芯片銷售額同比增長61.5%。2018下半年到2020年上半年，手機銷量疲弱，存儲廠商擴產和技術升級完成供過于求，2019全球存儲芯片銷售額同比減少32.6%。疫情與供應鏈本土化：2020下半年到2021年底，疫情帶動的居家辦公、線上學習帶動PC和數據中心需求帶動存儲芯片景氣上行；同時部分晶圓廠或封裝廠因為疫情停工，供給不足，全球存儲芯片月銷售額增幅擴大。2022年至今,由于過渡下單導致的高庫存、通脹及經濟復蘇趨緩導致存儲芯片需求和價格持續(xù)走低。DRAM產品偏標準化使得其具備了大宗商品屬性，行業(yè)經歷整合后CR3達90%左右。當需求下降時，一方面廠商試圖通過大幅降低價格來獲得市占率，另一方面晶圓廠需要滿負荷運行已分攤固定成本（包括折舊）很高；因此當需求放緩時，會導致供應過剩，使價格和利潤面臨壓力。自2012年以來，內存行業(yè)不斷整合，95年前十大DRAM廠商占據了約80%的市場份額，到13年美光科技、三星和SK海力士占據了90%以上的市場份額，期間由于終端應用需求下降、匯率變化及資本投入受限等因素使得奇夢達、爾必達相繼破產，行業(yè)整合形成了高度集中的格局。隨工藝節(jié)點提升，內存需要的資金投入、規(guī)模與技術能力使得市場難以進入。在行業(yè)整合階段，由于工藝節(jié)點提升帶來的準入門檻提升使得行業(yè)鮮有新進入者。工藝節(jié)點的縮小使得晶圓廠和工藝開發(fā)成本每年飆升13%以上，建造一座新晶圓廠的成本在百億美元量級，需要國家和社會資本的大力支持。此外，內存bits的單價逐年降低，因此要求內存廠商不斷迭代以維持產品ASP，因此對技術要求提出了較多的挑戰(zhàn)。存儲現狀：價格觸底，周期底部拉長供需受多因素影響波動性增強且周期拉長。由于COVID-19放緩了供給端增長而居家模式拉動需求端加速增長，供需缺口拉大帶來了行業(yè)20-21年的景氣上行，隨生活常態(tài)化內存市場增長放緩22年開啟下行周期。由于過度下單與積極擴產導致庫存高企，此外地緣政治、全球通脹、消費情緒低迷導致需求恢復有限，供需調整周期拉長。1Q23全球DRAM收入規(guī)模環(huán)比減少21.2%。根據TrendForce數據，1Q23DRAM產業(yè)營業(yè)收入約96.6億美元，環(huán)比減少21.2%，已經連續(xù)三個季度下降。目前由于市場供過于求的狀況仍未改善，價格持續(xù)下跌；隨著原廠陸續(xù)減產后，預計DRAM下半年價格的跌幅有望逐季收斂?？紤]2Q23雖然出貨量有所增加，但因價格跌幅較大，預計營業(yè)收入增長幅度有限。1Q23全球NANDFlash收入規(guī)模環(huán)比減少16.1%。根據TrendForce數據，1Q23NANDFlash產業(yè)規(guī)模約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%；主要由于第一季度NANDFlash購買方采購意愿保守，供應商持續(xù)降價求售，因此1Q23NANDFlash位元出貨量僅環(huán)比微增2.1%，而平均銷售單價（ASP）環(huán)比減少15%。TrendForce預計2Q23位元出貨量環(huán)比增長5.2%，但ASP將持續(xù)下跌，因此預計2Q23NANDFlash產業(yè)營業(yè)收入將持續(xù)下跌，環(huán)比下降約7.9%。2Q23部分產品價格降幅持續(xù)擴大。根據TrendForce數據，由于服務器出貨不如預期及庫存壓力持續(xù)，DRAM及NANDFlash供應商減產速度不及需求降低速度，部分產品2Q23均價季度跌幅有擴大趨勢，預計DRAM擴大至13-18%，NANDFlash擴大至8-13%。其中，DRAM價格跌幅擴大的主要原因是DDR4與LPDDR5的庫存過高；NANDFlash價格跌幅擴大的主要原因是市場供過于求的狀況仍未改善，EnterpriseSSD、UFS跌幅擴大。預計23年全球服務器出貨量同比減少2.85%，AI服務器占比約10%對行業(yè)整體拉動有限。根據TrendForce數據，由于國際形勢及全球經濟影響，同時四大CSP（云服務提供商）陸續(xù)下調采購量，Dell及HPE等OEM亦下調全年出貨量預估，預計23年全年服務器整機出貨量將下修至1383.5萬臺，同比減少2.85%。雖然ChatBOT等將帶動AI服務器出貨量，預計23年AI服務器出貨量將同比增長超過10%，但是由于目前AI服務器占整體服務器出貨比例不到10%，故無法反轉整體疲弱態(tài)勢。需求疲軟導致周期底部拉長至23年底，原廠減產后行業(yè)將以低增速緩慢恢復增長。根據IDC數據，由于需求疲軟導致DRAM與NAND供過于求比例（sufficiencyratio）不斷上調即供過于求時間持續(xù)拉長；在供給端原廠均通過減產進行供給優(yōu)化：西部數據與鎧俠調整了橫濱、北上NANDFlash工廠產量，22年10月開始削減約30%產量；美光削減20%綜合產量；海力士圍繞受益較低的產品線減產；三星以DDR4等通用產品為中心推進減產3-6個月。在需求端，除服務器等細分領域結構性快速增長，由于占比較高的消費電子疲軟與通脹使得需求增長有限，預計本輪周期需求將呈現低增速狀態(tài)。存儲機遇：下游應用場景智能化隨數據中心數據密度增加，21-25年預計單位服務器NAND用量將增加3倍、DRAM將增加2倍。與普通服務器配置單個DRAM與NAND不同，數據中心隨著數據密集化，向異構數據中心架構發(fā)展。該結構解決了增加的數據集和計算核心數量對內存擴展的需求，增加了系統(tǒng)的靈活性并且降低了整體的功耗。預計隨數據中心發(fā)展，未來單位服務器對應的存儲器數量將倍增。AI帶來的數據增量與服務器需求，NAND\DRAM數據中心應用市場2030年將有望接近1800億美金。隨著AI的迅速發(fā)展，產生和需處理的數據量將會進一步攀升，據IDC統(tǒng)計，2022年NAND需求量約6千億Gb，到2027年將達到17.6千億Gb，年復合增速達20.1%，DRAM在服務器端需求從21年62億Gb到140億Gb，2021-2027年復合增速達14.5%，服務器端將超越手機端成為DRAM的第一大市場。根據美光預計，NAND\DRAM市場2030年有望超1800億美金，近10年復合增速約14%。在汽車智能化驅動下，21-27年汽車存儲需求復合年增長率約為20%。在汽車智能座艙、自動駕駛滲透驅動下，美光預計25年一輛普通汽車所需的DRAM和NAND容量將分別提高3倍和4倍。根據Yole預測，21-27年汽車存儲市場將從43億美元增加至125億美元，對應復合增速為20%。盡管汽車存儲市場占存儲市場不到5%，其增速遠超行業(yè)平均增速。美光為最大供應商，21年市場份額為45%，三星占13%，英飛凌、鎧俠、SK海力士、ISSI均落后于三星，市場份額≤7%。NOR(15%)、DRAM(39%)和NAND(41%)為主要汽車存儲應用形式，美光市占率最高，21年占比達45%。21年汽車內存市場以NAND和DRAM為主，合計占比80%：NO占15%，市場空間大7億美元。目前汽車存儲主要應用在信息娛樂單元、儀表盤和連接功能的駕駛艙，而輔助與自動駕駛應用占比為24%。隨著自動駕駛程度提升，DRAM和高密度NORFlash，還有用于智能傳感器的SLCNAND是增長最快的內存應用領域。預計27年，ADAS&AD的收入份額將增加至36%，DRAM和NAND占比近90%。從ECU到域控制最后到中央計算架構，存儲技術不斷演進。隨著數字駕駛艙、ADAS智能傳感器和自動駕駛功能的普及，DRAM需使用到LPDDR5(x)；由eMMC向UFS和PCIe固態(tài)硬盤(SSD)發(fā)展。而前置攝像頭、成像雷達、激光雷達等智能傳感器的滲透需要高密度NOR閃存（(Q)SPI至xSPI）和DRAM(DDR3L或LPDDR4)。自動駕駛需要采用中央處理和人工智能，需要存儲大量代碼和數據，對應eMMC或UFS的應用。此外，智能座艙應用中對容量、低功耗和即時啟動時間要求提升，LPDRAM容量將增至64GB升級為LP5/6，，帶寬提升至400GB/s，通常采用SIP封裝將DRAM顆粒與系統(tǒng)級芯片（SoC）集成在小型PCB上以提升高速數據速率時的信號完整性。上游存儲芯片-存儲功能實現的基石主流DRAM與NAND高度集中DRAM市場集中度高，前三大廠商市占率超95%。自2012年以來，內存行業(yè)不斷整合，從95年前十大DRAM廠商占據了約80%的市場份額到13年后美光科技、三星和SK海力士占據了90%以上的市場份額。根據TrendForce的數據，1Q23DRAM前三大廠商合計市占率95.3%，其中三星位列第一，市占率43.2%；SK海力士位列第二，市占率23.9%；美光位列第三，市占率28.2%，三巨頭保持壟斷地位。DRAM的下游領域主要是移動設備和服務器，服務器需求有所提升。根據IDC數據，2022年DRAM應用市場收入情況看，手機占比36%，服務器占比19%，其他應用占比35%；未來預計隨數據量提升，27年服務器占比為20%，以汽車、物聯(lián)網為代表的其他應用需求收入占比增至39%。NANDFlash前六大公司占市場份額98%，下游應用主要是SSD。根據Omdia的數據，2020年NAND前五大公司的市占率合計為96%，其中三星以33.9%的市占率位列第一，鎧俠占21.5%位列第二，海力士以14%位列第三，SK海力士以11%的市占率位列第四位。NANDFlash的下游應用主要是SSD和嵌入式產品，根據IDC數據，2022年DRAM應用市場收入情況看，手機占比33%，SSD占比52%，其他應用占比14%；未來預計企業(yè)市場（包括服務器和存儲附加驅動器）將推動SSD需求，27年SSD占比將增至67%。23年原廠資本開支下調產能釋放減緩，遠期全球存儲產能還將增加。根據ICinsights數據，預計23年存儲公司整體資本開支將減少19%以上，根據CFM閃存市場統(tǒng)計，盡管三星P3工廠NANDFlash產線、鎧俠/西部數據Fab7工廠以及長江存儲二期22年均有投產，短期減產產能釋放有限。遠期看，全球產能還將增加：三星P4工廠預計24年投產，P3工廠DRAM產線預計23年年底投產。SK海力士M17工廠已進入規(guī)劃階段；美光在美國的DRAM工廠預計將于25年投產。盡管全球23年DRAM晶圓出貨量下降后24年增加有限，國產供應商出貨量持續(xù)提升。根據IDC數據，從22年年底開始原廠控制晶圓產出量，供給端逐步優(yōu)化，預計23-24年晶圓出貨量保持穩(wěn)定；海力士在HBM等高性能存儲領域的領先帶來2Q-4Q23年內存供應量20%以上的增長，預計24年將回落至穩(wěn)定供應狀態(tài)；合肥長鑫在國產替代驅動下2Q-4Q23年內存供應量增速均超30%。下游應用多樣化，利基存儲迎增量市場代碼型閃存芯片、EEPROM與利基DRAM場景碎片化，成長屬性更高。由于汽車、工業(yè)等下游應用數據采集分散化，數據量不大但對穩(wěn)定性、可靠性要求較高，包含NORFlash及SLCNANDFlash的代碼型閃存芯片廣泛應用。該類芯片主要用于存儲操作系統(tǒng)及其啟動與運行過程中的代碼信息，對芯片的穩(wěn)定性、可靠性要求較高。以SLC2DNAND為例，相比大容量MLC、TLC2DNAND或3DNAND，擦寫次數為幾百次至數千次，SLC2DNAND可靠性更高，擦寫次數達到數萬次以上，適用于工業(yè)、汽車等對邊緣數據量分散、對可靠性要求較高的領域。NORFlash的容量范圍一般為1Mbit-1Gbit，具有可靠性及穩(wěn)定性較高、讀取速度較快、讀取功耗及待機功耗較低等優(yōu)勢，通常用于中小容量代碼的存儲和快速讀取。利基存儲市場21年合計規(guī)模約164億美元，未來有望穩(wěn)定增長。根據Yole數據,預計21-27年NorFlash市場規(guī)模將由35億美元增至49億美元，EEPROM將由14億美元增至15億美元；21年SLCNAND占NAND市場3%不到，對應市場規(guī)模約為25億美元左右。此外，在DRAM產品，根據Trendforce統(tǒng)計，21年全球利基型DRAM市場（消費、工控等）規(guī)模約90億美元，其中包含DDR4、DDR3L等產品。利基存儲市場海外廠商逐步退出，中國臺灣廠商占較大份額。根據ICinsights數據，21年華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新占NORFlash銷售額的91％；其中華邦電子占35％旺宏電子占33％，兆易創(chuàng)新占23%。在SLCNandFlash領域，供應商主要為中國臺灣廠商，華邦電子、旺宏電子占據了較高的市場份額。在中小容量DRAM市場，主要參與者為南亞科技、芯成半導體等。設計與IDM共同推進，國產內存顆粒廠商加速發(fā)展中國存儲需求占全球30%以上，目前自給率低于15%，國產內存顆粒原廠加速發(fā)展。根據Yole數據，22年中國市場DRAM、NAND銷售量分別占全球的30%、33%，對應市場容量為240億美元、194億美元。市場空間巨大，而國產自給率低于15%。在此基礎上，內存顆粒原廠（長江存儲、合肥長鑫）與設備供應商共同加速發(fā)展。長江存儲是中國領先的NAND制造商，目前正在國內出貨64層和128層NAND，其中232層憑借其創(chuàng)新的Xtacking3.0架構已進入早期生產階段。17年長江存儲成功設計制造了中國首款3DNAND閃存,19年搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtackin架構的第二代TLC3DNAND閃存正式量產,20年第三代TLC/QLC兩款產品研發(fā)成功。通過Xtacking技術，可實現并行的、模塊化的產品設計及制造，產品開發(fā)時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%。長鑫存儲創(chuàng)立于2016年5月，并迅速成為中國的主力DRAM公司。2017年長鑫存儲合肥一期開工建設，19年8GBDDR4推出并于20年開始產能穩(wěn)步提升，20-21年北京DRAM項目一期、二期啟動，22年北京一期試產線已通線，合肥二期順利封頂。目前，長鑫存儲已推出多款DRAM商用產品，廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯(lián)網等領域。DDR4和LPDDR4現已上市，而第三代（相當于1x納米）目前正在量產。國產設備供應商漸成熟，關鍵設備瓶頸有望逐步突破。TSV技術是HBM的核心技術之一，中微公司是TSV設備主要供應商。中微公司在2010年就推出了首臺TSV深孔硅刻蝕設備PrimoTSV?，提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蝕設備。ALD沉積在HBM工藝中不可或缺，雅克科技是ALD前驅體核心供應商，其前驅體產品供應HBM核心廠商SK海力士，High-K、硅金屬前驅體產品覆蓋先進1bDRAM、200層以上3DNAND以及3nm先進邏輯電路等；拓荊科技是ALD設備核心供應商其PEALD產品用于沉積SiO2、SiN等介質薄膜，在客戶端驗證順利；Thermal-ALD產品已完成研發(fā)，主要用于沉積Al2O3等金屬化合物薄膜。下游存儲模組-存儲與終端的橋梁MANDFlash模組-SSD與嵌入式存儲為主要應用形式固態(tài)硬盤(SolidStateDrive,SSD)將存儲半導體作為存儲介質的大容量存儲設備。相比機械硬盤(HardDiskDrive，HDD)，SSD無需用發(fā)動機等機械設備,因此速度快，穩(wěn)定性高，發(fā)熱少，耗電少，可以小型化和輕量化的優(yōu)點。SSD的主要硬件組件通常包括NANDFlash、主控芯片和DRAM，核心軟件為SSD的固件。NANDFlash即閃存顆粒，是數據存儲的載體，對浮置柵極進行充電(寫數據)或放電(擦除數據)，完成數據存儲;主控芯片主要負責固態(tài)硬盤與服務器主機通信、控制閃存的數據傳輸并運行固件算法；DRAM即動態(tài)隨機存取存儲器，主要作為緩存用以降低固態(tài)硬盤的讀寫延遲，提升固態(tài)硬盤的讀寫性能；固件是模組廠自主開發(fā)在各種板載運行軟件的合集，通過驅動主控芯片調度各個硬件模塊，實現閃存和主控芯片之間的兼容，完成數據從主機端到閃存端的寫入和讀取，實現標準計算機可以使用的塊存儲設備。SSD按用途大致劃分為消費級、企業(yè)級及其他行業(yè)級(如工業(yè)級等)產品。與消費級SSD不同，企業(yè)級SSD主要應用于互聯(lián)網、云服務、金融和電信等客戶的數據中心。除了高性能和大容量的需求之外，企業(yè)客戶還對SSD包含使用壽命、穩(wěn)定可靠、功耗控制、系統(tǒng)兼容、數據糾錯、數據保存能力在內的多方面性能提出了嚴格的要求。消費級SSD是成本敏感，能允許一定的數據錯誤而企業(yè)客戶更加在意產品可靠性，其SSD設計會加入糾錯、安全保護等多方面考量。根據Yole預測，22-28年SSD市場總規(guī)模將從290億美金增至670億美金，CAGR為15%。其中以服務器應用為主的企業(yè)級市場為主要增長點，22-27年復合增速為18%，而消費類市場（包括臺式機、筆記本電腦、渠道分銷和游戲系統(tǒng)）需求疲軟，對應度和增速為5%。在服務器和外置存儲等企業(yè)級市場，為應對高吞吐、低延遲要求，云計算和企業(yè)用戶正在擴大基于NAND的SSD。根據IDC數據，21年企業(yè)級固態(tài)硬盤全球營收規(guī)模已經達到傳統(tǒng)機械硬盤的1.3倍，并將在2021–2026年間保持比機械硬盤更快的營收增長。SSD供應商主要分為原廠和模組廠商:內存顆粒原廠主要聚焦企業(yè)級等高性能SSD市場，該類市場價值量高、量大且通用性較強，利于標準化生產。而第三方SSD模組制造商則購買NAND晶圓、主控芯片加入自己的固件算法后進行銷售，通常產品聚焦于需要進行客制化設計的碎片化應用場景。全球渠道SSD出貨量模組廠商占約58%，我國內存模組廠商江波龍消費級品牌雷克沙、朗科與創(chuàng)見均位列前十。渠道SSD主要以消費類碎片化場景為主，根據Trendforce數據，21年全球渠道SSD出貨量模組廠商市占前三名為金士頓（Kingston）、威剛（ADATA）、金泰克（Kimtigo）。在SSD供應鏈中，中國企業(yè)產品比例不斷增加，江波龍消費級品牌雷克沙（7%）、朗科（6%）與創(chuàng)見（6%）均位列前十且逐步向要求較高的企業(yè)級SSD應用發(fā)展。中國企業(yè)級SSD對國產化的需求增加，以億聯(lián)、憶恒創(chuàng)源為代表的國內廠商占比近16%。以中國企業(yè)級外置存儲市場為例，該領域內存應用有HDD轉向SSD，根據IDC預測，該市場22年約73.1億美元，到26年預計市場規(guī)模將達94.6億美元，復合增長率為6.7%，高于全球行業(yè)增速。根據Trendforce數據，目前全球企業(yè)級SSD主要以NAND原廠為主占SSD市場總量的82%，由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士和Solidigm領導，第三方市場由金士頓、希捷和威剛主導。而我國企業(yè)級市場，由于信息安全的因素考慮，中國廠商份額逐步提升。根據IDC數據，21年我國企業(yè)級SSD市場為32.8億美元，其中國內主要供應商為憶聯(lián)占9.3%，憶恒創(chuàng)源占4.2%，浪潮占1.2%，大普微1.2%。自研控制器芯片、固件設計和封裝測試是進入企業(yè)SSD市場的關鍵要素。以憶聯(lián)（UnionMemory）為例，該公司是國內少有的具備端到端供應能力和完整產品矩陣的固態(tài)存儲技術供應商。憶聯(lián)與鎧俠、長江存儲及其他內存顆粒供應商構建了穩(wěn)定的供應鏈關系，同時借由股東記憶集團形成囊括內存模組、存儲部件、智能網卡、RAID卡、主板及整機等在內的數字基礎設施核心部件設計生產能力。憶聯(lián)擁有兩處自建生產基地，掌握了自研控制器芯片、固件設計和封裝測試等核心技術，能持續(xù)推出高性能、低延遲、高可靠且差異化競爭力的企業(yè)級SSD產品組合。嵌入式存儲通常指固定內嵌于電子產品主系統(tǒng)內、具有嵌入式接口的半導體存儲器。嵌入式存儲包括eMMC、UFS、ePOP、eMCP、SLCNAND和LPDDR等產品形式，其最大的應用市場即為手機，約占六成以上的份額，其次是智能電視、平板、汽車、智能手表等應用。三星、SK海力士、鎧俠、西部數據和美光等原廠主要供應手機、汽車、平板等市場，而在智能電視、智能手表以及部分低端手機、部分國產汽車等市場由其他的存儲模組品牌廠來供應。DRAM模組：服務器為主要增長來源內存模組是指一系列由動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）組成的模塊。以DIMM為例，通常是數顆至數十顆DRAM芯片焊接安裝于PCB的形式，用于個人電腦、工作站、服務器，同時裝有接口芯片等配套芯片以實現內存功能。2022-2028年內存模組出貨量將有5.11億增加至6.5億組，其中服務器模塊為主要增長領域。根據Yole數據，服務器需求是RDIMM的主要增長力，22-28年RDIMM出貨量年復合增速達15%，LRDIMM和其他服務器內存模組增速為21%。相反，由于消費疲軟，應用于PC的內存條需求逐年回落。此前由于DDR5價格高昂，在消費端及工業(yè)設備中滲透不及預期，價格高。自22年以來，受供需失衡影響DDR5價格下滑，同時超大規(guī)模數據中心需求提升，推動了服務器市場對高性能DDR5的需求，DDR5真正進入推廣階段，DIMM滲透加速。穩(wěn)定與利潤并存的行業(yè)級市場：以宜鼎國際為例宜鼎國際專注行業(yè)級內存模組，工業(yè)級SSD全球市占率第一。公司于2005年成立，為工業(yè)和企業(yè)應用提供閃存、DRAM模塊、嵌入式外設和軟件解決方案。公司起家于工控存儲，在工業(yè)電腦、航天、監(jiān)控、通信等工控垂直應用市場積累了技術基礎和豐富的定制化經驗，覆蓋全球近四千名客戶。截至23年，公司連續(xù)五年工業(yè)用SSD市場銷售量全球排名第一；連續(xù)四年位列全球內存模組廠排名前十，且是其中唯一一家致力于工控DRAM模組的供應商。行業(yè)級市場需求剛性穩(wěn)定且產品偏定制化，長期積累Know-how鑄就核心競爭力。以SSD為例，消費級市強調低成本與低功耗，企業(yè)級市場看重高性能與高可靠性，而行業(yè)級市場應用碎片化對SSD產品的傳輸速度、功耗、數據保護、快速擦除、可擴展性等要求截然不同，產品與細分市場特點高度相關且需求較為剛性穩(wěn)定，因此相關廠商的定制化能力將建立較強的客戶黏性。宜鼎深耕行業(yè)級市場積累了各行業(yè)的know-how，例如其iSLC產品較傳統(tǒng)3DTLC閃存提升33倍使用壽命。行業(yè)客戶廣泛且穩(wěn)定，宜鼎毛利顯著高于同行且波動性較小。近五年來，公司各客戶銷售額占比均超過百分之十，客戶分散，少量多樣的生產方式與長期穩(wěn)定供貨使得公司不受特定企業(yè)或行業(yè)的周期波動影響。在此基礎上，工業(yè)級需求相對穩(wěn)定，相比消費級為主的公司，其毛利率水平較高，且在行業(yè)下行周期內，公司毛利率仍能保持持續(xù)增長。模組側配套芯片-存儲功能實現的核心NANDFlash模組主控芯片存儲主控芯片是存儲器的大腦，負責調配存儲芯片的存儲空間與速率，在存儲器中與存儲芯片搭配使用。存儲單元是存儲顆粒中的最小單位，其器件特性往往會導致存放在存儲顆粒中的數據因揮發(fā)而產生數據錯誤或數據丟失，存儲控制芯片能夠通過數據存儲管理和數據糾錯，有效降低上述數據錯誤或丟失的概率，增強存儲顆?？煽啃浴Ｍ瑫r，存儲控制芯片能夠對數據在存儲單元間進行有效分配并優(yōu)化其利用效率，有效延長存儲顆粒的使用壽命。此外，終端應用場景所采用的不同類型存儲協(xié)議組合各不相同，存儲控制芯片可通過處理不同協(xié)議確定合適的數據管理方式。全球SSD主控芯片消費級市場(占80%+)第三方主控芯片供應商占比持續(xù)提升。根據CFM閃存市場數據，2021年全球SSD主控芯片出貨量為4.08億顆，增長16.57%。其中消費類SSD主控芯片出貨量占比為83.86%，企業(yè)級SSD主控芯片占比為12.41%，工業(yè)級SSD主控芯片占比為3.73%。預計隨著國內SSD市場規(guī)模的擴張，國內SSD主控芯片市場將維持持續(xù)增長態(tài)勢。在消費級SSD市場，第三方存儲控制芯片廠商占比有20年45%提升至22年55%。控制芯片設計公司面向存儲顆粒廠、存儲控制芯片公司、存儲模組廠、終端應用客戶等客群提供產品、IP或解決方案。一般主控芯片公司可向存儲顆粒廠和同行控制芯片公司提供存儲控制IP以幫助其快速開發(fā)部分降低成本；向存儲模組廠提供企業(yè)級/數據中心級、工業(yè)級/車規(guī)級等特殊應用市場的產品協(xié)助其提升產品性能；對于終端應用客戶，其更傾向于定制開發(fā)存儲控制芯片并設計整套存儲解決方案，解決場景化的問題。工業(yè)級、企業(yè)級市場主控芯片進入門檻相對較高。消費級SSD主控芯片、工業(yè)級SSD主控芯片以及企業(yè)級SSD主控芯片的技術性能以及可實現功能也有所差異。消費級SSD主控芯片成本和功耗更具敏感性，對芯片設計挑戰(zhàn)主要來自于在滿足功能和可靠性的基礎上實現極致的成本控制及IP設計的小型化；工業(yè)級SSD主控芯片對使用環(huán)境有特殊要求，需要適應-40-85℃環(huán)境下高可靠性運行，對成本敏感性較弱；企業(yè)級SSD主控芯片對成本和功耗的敏感性較弱，對可靠性和穩(wěn)定性有極致的要求，對芯片設計挑戰(zhàn)主要來自于SoC系統(tǒng)設計、功能IP之間的互聯(lián)及數據通路均需要考慮其可靠性和穩(wěn)定性。消費級SSD主控芯片市場容量大，企業(yè)級SSD主控芯片毛利率高。消費級SSD主控芯片終端產品主要面向零售渠道及個人，市場需求更大、準入門檻相對較低；工業(yè)級SSD主控芯片市場和企業(yè)級SSD市場相對較小，市場準入門檻相對較高。以聯(lián)蕓科技為例，企業(yè)級SSD主控芯片在數據可靠性、性能穩(wěn)定性等方面要求較高，毛利率更高。工業(yè)級SSD主控芯片在高溫等惡劣環(huán)境下耐受度更高，20-21年銷售產品為封裝測試后芯片，定價較高，22年工業(yè)級SSD主控芯片多為晶圓，銷售價格相比芯片成品較低，整體成品毛利高于消費級。DRAM模組配套芯片內存接口芯片是服務器內存模組的核心邏輯器件，作為服務器CPU存取內存數據的必由通路，其主要作用是提升內存數據訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足服務器CPU對內存模組日益增長的高性能及大容量需求。內存接口芯片需與內存廠商生產的各種內存顆粒和內存模組進行配套，并通過服務器CPU、內存和OEM廠商認證，才能進入大規(guī)模商用階段。DDR4及DDR5內存接口芯片按功能可分為兩類：一是寄存緩沖器（RCD），用來緩沖來自內存控制器的地址、命令、時鐘、控制信號；二是數據緩沖器（DB），用來緩沖來自內存控制器或內存顆粒的數據信號。RCD與DB組成套片，可實現對地址、命令、時鐘、控制信號和數據信號的全緩沖。內存模組配套芯片市場21-28年年復合增速約為28%。DDR5內存模組上除了內存顆粒及內存接口芯片外，還需要三種配套芯片串行檢測集線器（SPD）、溫度傳感器（TS）以及電源管理芯片（PMIC)以提升傳輸效率降低能耗。根據Yole數據，隨著DDR5份額提升，模塊芯片組的RCD、DB、PMIC、SPDHub和溫度傳感器芯片數量將持續(xù)增加。預計到2028年，隨DDR5滲透，內存模組配套芯片市場將由21年7.1億美元增至約40億美元，年復合增速約為28%。重點公司分析深科技深科技是全球領先的專業(yè)電子制造企業(yè)。公司以存儲半導體、高端制造、計量智能終端為三大主營業(yè)務，業(yè)務主要涵蓋存儲半導體封測、計量系統(tǒng)及相關業(yè)務的研發(fā)生產以及醫(yī)療電子設備、汽車電子、消費電子、智能家居、物聯(lián)網、新型智能產品、新能源等領域的產品和部件制造與服務。深科技于2015年全資收購沛頓科技，后者從事高端存儲芯片(DRAM、NANDFLASH)封裝和測試服務。2022年，公司扣非歸母凈利潤為6.53億元，同比增加112.34%。公司是國內唯一具有從高端DRAM/Flash/SSD存儲芯片封測到模組、成品生產完整產業(yè)鏈的企業(yè)，為金士頓、合肥長鑫等龍頭企業(yè)提供封測服務。公司布局高端封測工藝，規(guī)劃建設凸塊（Bumping）項目，目前同步進行凈化間施工和首線設備采購。同時持續(xù)優(yōu)化倒裝工藝（Flip-chip）、POPt堆疊封裝技術的研發(fā)及16層超薄芯片堆疊技術，是國內唯一通過IntelCPU架構存儲認證的企業(yè)，所有測試過的存儲芯片產品可直接配套Intel服務器。此外，在數據存儲業(yè)務方面，公司已成為全球鋁基片制造主導企業(yè)，也成為全球三大硬盤廠商的核心供應商。存儲先進封測與模組制造項目穩(wěn)步推進。合肥沛頓一期已于2021年12月投產，截至2022年5月已形成1.5萬片存儲晶圓的封裝測試產能，具備不同類型存儲芯片（DRAM、LPDDR4、LPDDR5、eSSD、eMMC）的8層堆疊產品量產能力。一期項目預計于2023年底至2024年初滿產，滿產后預計將形成10萬片/月動態(tài)存儲晶圓封裝測試、2萬片/月閃存晶圓存儲封裝以及246萬條/月內存模組的有效產能。兆易創(chuàng)新兆易創(chuàng)新是全球第三大NORFlash廠商，主要產品包含以閃存芯片（NORFlash、NANDFlash）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主的存儲器產品、包括ARM核和RISC-V開源內核的32位通用MCU產品以及包括觸控和指紋識別芯片的傳感器產品。得益于存儲器和MCU業(yè)務的迅猛增長，2018-2022年公司營業(yè)收入年均復合增長率37.9%；扣非歸母凈利潤年均復合增長率51.7%。NORFlash車規(guī)產品累計出貨量突破一億顆，利基DRAM加速拓展。22年公司存儲業(yè)務占比近60%，NORFlash產品目前主要工藝節(jié)點在55nm工藝制程，車規(guī)產品實現2Mb-2Gb容量全覆蓋，22年NORFlash車規(guī)產品累計出貨量已達1億顆，車規(guī)產品收入同比增長約80%。NANDFlash產品38nm、24nm工藝節(jié)點均實現量產，并完成1Gb-8Gb主流容量全覆蓋；DDR3、DDR4在消費電子（包括機頂盒、電視、智能家居等）、工業(yè)安防、網絡通信等領域均有銷售。22年公司工業(yè)、網通等領域的收入帶動MCU業(yè)務收入增長約3.73億元（YoY+15.19%）。公司定位“MCU百貨商店”，是中國品牌排名第一的32位Arm?通用型MCU供應商，也是中國排名第二的指紋傳感器供應商。目前，公司工業(yè)應用在MCU營收占比超過50%。公司3Q22推出第一顆車規(guī)MCU產品，針對車身域關鍵應用，目前已在很多頭部客戶DESIGNIN，預計25年車規(guī)MCU產品的放量將拉動公司業(yè)務快速增長。北京君正北京君正是國內領先的IC設計廠商，于2020年并購北京矽成切入存儲和車規(guī)級市場，目前擁有存儲芯片、模擬與互聯(lián)芯片、微處理器芯片和智能視頻芯片等多個業(yè)務產品線，在汽車電子、工業(yè)、醫(yī)療、安防監(jiān)控、IOT等重點應用領域均有積極布局。在存儲器芯片領域，根據Omdia統(tǒng)計，2022年度公司SRAM、DRAM、NorFlash產品收入在全球市場中分別位居第二位、第七位、第六位；并購北京矽成后，公司20-22年營業(yè)收入年均復合增長率為57.9%；扣非歸母凈利潤年均復合增長率超500%。2022公司存儲業(yè)務收入達到40.5億元，同比增長12.8%，毛利率為36.9%（YoY+6.5pct）。公司存儲芯片分為SRAM、DRAM和Flash三大類別。SRAM方面，從傳統(tǒng)的SynchSRAM、AsynchSRAM產品到行業(yè)前沿的高速QDRSRAM產品全覆蓋；DRAM方面，公司研發(fā)了從SDR、DDR1、DDR2、LPDDR2、DDR3到DDR4、LPDDR4等各類產品，8GLPDDR4已完成工程樣品的生產并開始向客戶送樣，新規(guī)格的2GLPDDR2、4GLPDDR4等產品已完成了量產工作；Flash方面，產品線包括了從256K至1G的多種容量規(guī)格的全球主流的NORFlash存儲芯片。22年存儲芯片營收在汽車上的占比超過40%，工業(yè)醫(yī)療占比超30%。2022年，汽車、工業(yè)等領域不斷有客戶成功完成8GbLPDDR4的設計導入，高密度車規(guī)NORFlash產品需求旺盛。全球大部分知名Tier1廠商及穿透后包括新能源車、燃油車、造車新勢力等在內的大部分終端品牌車廠均采用了公司的車規(guī)存儲芯片產品，車規(guī)SRAM和車規(guī)DRAM在全球車規(guī)細分市場均名列前茅。目前，存儲芯片營收在汽車上的占比超過40%，工業(yè)醫(yī)療占比超30%。東芯股份東芯股份聚焦中小容量存儲芯片，是目前國內少數能夠同時提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存儲芯片完整解決方案的公司，產品廣泛應用于網絡通信、監(jiān)控安防、消費類電子、工業(yè)與醫(yī)療等領域。公司的存儲芯片產品具有低功耗、高可靠性等特點，目前已進入三星電子、?？低?、歌爾股份、傳音控股等國內外知名客戶的供應鏈體系。憑借SLCNANDFlash產品成功切入低容量2DNANDFlash細分市場，2018-2022年，公司營業(yè)收入年均復合增長率22.4%，毛利率從22.3%升至40.6%，并實現扭虧為盈。公司設計研發(fā)的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash我國領先，供應鏈體系穩(wěn)定。公司先進制程的1xnmNANDFlash產品已完成功能性驗證；NORFlash產品在力積電的48nm制程上持續(xù)進行更高容量的新產品開發(fā)，512Mb、1Gb大容量NORFlash產品都已送樣；LPDDR4x及PSRAM產品均已完成工程樣片并已通過客戶驗證。公司SLCNANDFlash產品通過了聯(lián)發(fā)科、瑞芯微、國科微、博通等行業(yè)內主流平臺廠商的認證。公司與中芯國際NANDFlash工藝制程推進至24nm，在全球最大的存儲芯片代工廠力積電穩(wěn)定量產。在封裝測試方面，公司與紫光宏茂、華潤安盛、南茂科技、ATSemicon等廠商穩(wěn)定合作。下游通訊占比50%，車規(guī)產品通過AEC-Q100測試。目前公司下游應用占比通訊超50%，監(jiān)控安防及工控占比約20%，以穿戴設備為主消費類占20%左右?；谥行緡H38nm工藝平臺的SLCNANDFlash及基于力積電48nm工藝平臺的NORFlash均有產品通過AEC-Q100測試，將適用于要求更為嚴苛的車規(guī)級應用環(huán)境，未來將成為公司新增成長點。普冉股份普冉股份深耕非易失性存儲器芯片領域，主要產品包括NORFlash和EEPROM存儲器芯片、微控制器芯片以及模擬產品，可廣泛應用于手機、計算機、網絡通信、家電、工業(yè)控制、汽車電子、可穿戴設備和物聯(lián)網等領域。據Web-FeetResearch報告顯示，公司在2021年SerialNORFlash和EEPROM市場銷售額排名中均位列全球第六，國內第二。在NORFlash和EEPROM業(yè)務迅猛增長的帶動下，2018-2022年公司營業(yè)收入年均復合增長率50.9%；扣非歸母凈利潤年均復合增長率27.4%。消費級NORFlash和中小容量EEPROM深獲市場認可。公司目前NORFlash產品主要為512Kbit-128Mbit，SONOS工藝40nm節(jié)點下Flash全系列產品成為量產交付主力，公司已成為杰理科技、恒玄科技和匯頂科技等公司TWS藍牙耳機、BLE和AMOLED等中小容量應用產品的重要供應商；EEPROM產品主要為2Kbit-2Mbit，采用行業(yè)主流的130nm工藝制程，主要應用于攝像頭模組。此外，車載EEPROM在車身攝像頭和車載中控應用上實現了海外客戶批量交付?！按鎯?”戰(zhàn)略拓展通用MCU和模擬產品的全新產品線，2022年營收達5299萬元，同比增長九倍。2022年，MCU產品和VCMDriver芯片產品實現了業(yè)務從零到一的突破，公司基于ARM內核的32位M0+MCU產品完成研發(fā)并順利量產出貨。目前M0+系列已推出60余顆產品，應用于家電、監(jiān)控、通訊傳輸、BMS監(jiān)測保護等領域；公司的VCMDriver產品也已經實現了獨立開環(huán)及存儲二合一產品的量產出貨，支持高通新一代平臺的1.2V應用VCMDriver產品完成研發(fā)并進入客戶送樣和認證階段；音圈馬達驅動產品線的VOIS系列新產品完成認證并實現量產出貨。憶恒創(chuàng)源憶恒創(chuàng)源是國內領先的企業(yè)級SSD產品及技術服務提供商，公司的核心技術產品及服務包括PBlaze5系列SSD、PBlaze6系列SSD以及企業(yè)級SSD相關的技術服務和技術授權，終端用戶涵蓋美團和快手等國內頭部互聯(lián)網企業(yè)、浪潮信息和新華三等云計算廠商、金融機構及三大電信運營商等。伴隨著數據中心批量建設打開企業(yè)級SSD市場空間，2018-2022年，公司營業(yè)收入年均復合增長率27.5%。公司企業(yè)級SSD的20年國內市占率約為4%；企業(yè)級PCIeSSD國內市占率約為7%，為國產廠商第一。公司是國內最早發(fā)布使用NVMe協(xié)議企業(yè)級SSD產品的廠商，PBlaze5及Pblaze6系列產品均采用NVMe協(xié)議，累計出貨量達到數十萬片。22-23年公司陸續(xù)發(fā)布PBlaze66531和PBlaze66541兩款基于長江存儲3DNAND閃存的企業(yè)級SSD。公司目前已覆蓋國內外主流服務器廠商，產品部署于美團、快手等互聯(lián)網知名企業(yè)以及中國移動、中國聯(lián)通、中國電信等三大運營商的數據中心，在數據庫、虛擬化、云計算、大數據和人工智能等領域廣泛應用。江波龍江波龍是獨立存儲器品牌國際龍頭，擁有行業(yè)類存儲品牌FORESEE和國際高端消費類存儲品牌Lexar，已形成嵌入式存儲、固態(tài)硬盤（SSD）、移動存儲及內存條四大產品線，產品廣泛應用于智能手機、智能電視、平板電腦、計算機、通信設備、可穿戴設備、物聯(lián)網、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子等行業(yè)。2019-2022年，公司營收年均復合增長率為13.3%。根據TrendForce、CFM和Omdia的統(tǒng)計，2019年LexarSSD出貨量位列全球第七名；2020年公司eMMC產品市場份額位列全球第七名；2021年1-9月，Lexar存儲卡全球市場份額位列第二名、Lexar閃存盤全球市場份額位列第三名。車規(guī)與企業(yè)級嵌入式存儲已推出，SLCNAND已通過多家認證。公司嵌入式存儲eMMC、UFS等品類目前已推出工規(guī)級及車規(guī)級產品；低功耗DRAM存儲產品LPDDR5已通過FROESEE批量送樣；SLCNAND已通過Broadcom、紫光展銳等20家主流平臺認證和近100個主控型號驗證。公司發(fā)布了企業(yè)級SSD，進入企業(yè)級SSD高端存儲市場。公司車規(guī)級存儲通過與汽車Tier1深度合作已進入小鵬、比亞迪、上汽、廣汽、一汽、長安、奇瑞等主流汽車品牌。此外，公司PCIeeSSD和RDIMM產品有望逐步放量，未來在面向數據中心的企業(yè)級存儲領域將加速滲透。收購蘇州力成打造自主封測能力，收購巴西SMART持續(xù)開拓國際市場。公司和全球最大的第三方存儲芯片封測廠商力成科技達成協(xié)議，收購其全資子公司力成蘇州”70%股權。力成科技存儲芯片封測工藝和技術全球領先，力成蘇州前身為超微半導體和飛索半導體，其主要業(yè)務包括閃存芯片、內存芯片及邏輯芯片封裝、測試及貼片，擁有20年以上量產經驗，是國內首家擁有12寸晶圓生產技術及多層晶片疊封技術的先進封裝企業(yè)。本次收購將完整江波龍自主封測能力，為其進入企業(yè)級市場與行業(yè)級市場提供底層支撐。此外，公司擬收購巴西SMART81%股權，持續(xù)擴大在海外市場的布局。佰維存儲佰維存儲是國內嵌入式存儲的主要廠商之一，嵌入式存儲eMMC及UFS全球市占率達到2.4%，排名全球第8，國內第2；其主要產品包括嵌入式存儲、消費級存儲、工業(yè)級存儲及先進封測服務。此外，公司自建封測廠并利用富余產能對外承接存儲器與SiP封測業(yè)務，目前公司可實現16層疊Die、30-40μm超薄Die、多芯片異構集成等封裝工藝。2019-2022公司營收復合增速為36.5%，歸母凈利潤復合增速為56.3%。公司覆蓋行業(yè)主流客戶，是國內存儲器廠商中通過SoC芯片及系統(tǒng)平臺認證最多的企業(yè)之一。其中包括宏碁、浪潮信息、寶德等PC及服務器廠商，中興、創(chuàng)維、兆馳、朝歌、九聯(lián)、兆能等通信設備廠商，Google、Facebook、步步高、傳音控股、TCL、科大訊飛、富士康、華勤技術、聞泰科技、天瓏移動、龍旗科技、中諾通訊等智能終端廠商，星網銳捷、深信服、江蘇國光、G7物聯(lián)、銳明技術等