單晶硅表面鈍化層在低能電子輻照前后的SIMS和XPS分析_第1頁(yè)
單晶硅表面鈍化層在低能電子輻照前后的SIMS和XPS分析_第2頁(yè)
單晶硅表面鈍化層在低能電子輻照前后的SIMS和XPS分析_第3頁(yè)
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使用過程中，減少材料表面的氧化和腐蝕，提高材料的使用性是非常重要的。因此，可以在單晶硅表面引入一層鈍化層表面性質(zhì)。本文主要探討了單晶硅表面鈍化層在低能電子用了不同的處理過程來(lái)制備單晶硅表面的鈍化層，并對(duì)），4.分析測(cè)試：最后，我們對(duì)處理前后的樣品進(jìn)行況。處理前后，我們發(fā)現(xiàn)單晶硅表面的氧含量有所增加，且抵御氧化。此外，我們還發(fā)現(xiàn)低能電子輻照會(huì)導(dǎo)致單晶硅去其抵御氧化的功能。即電子的輻照會(huì)破壞鈍化層的信號(hào)強(qiáng)度有所下降。這表明鈍化層的存在可以有效地減少表面XPS分析，揭示了其表面性質(zhì)及其對(duì)低能電子輻照的響應(yīng)。結(jié)化層可以有效地抵制氧化和其他雜質(zhì)物質(zhì)，但在經(jīng)歷低能電結(jié)構(gòu)會(huì)受到損害，失去其原有的抵御能力。因此，在使用過保護(hù)其表面鈍化層，避免受到輻照等因素的損害。展望如何進(jìn)鈍化層的性質(zhì)，提高其應(yīng)用范圍和表面特性，這也是今后規(guī)劃

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