高中數(shù)學(xué)-第三章-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-第四節(jié)-離子晶體講義-新人教版選修3課件

第四節(jié)晨背關(guān)鍵語句隨堂基礎(chǔ)鞏固課時(shí)跟蹤訓(xùn)練理解教材新知把握熱點(diǎn)考向應(yīng)用創(chuàng)新演練第晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)知識(shí)點(diǎn)二知識(shí)點(diǎn)一第晨背關(guān)鍵語句隨堂基礎(chǔ)鞏固課時(shí)跟蹤訓(xùn)練理解教材新知把握熱點(diǎn)考高中數(shù)學(xué)-第三章-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-第四節(jié)-離子晶體講義-新人教版選修3課件高中數(shù)學(xué)-第三章-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-第四節(jié)-離子晶體講義-新人教版選修3課件高中數(shù)學(xué)-第三章-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-第四節(jié)-離子晶體講義-新人教版選修3課件1．離子晶體是由陰、陽離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素有:幾何因素(正負(fù)離子的半徑比)，電荷因素(正負(fù)離子的電荷比)，鍵性因素(離子鍵的純粹程度)。

2．離子晶體硬度較大，難于壓縮，具有較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，固體不導(dǎo)電，溶于水或在熔融狀態(tài)下可以導(dǎo)電。

3．離子晶體的晶格能是指氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量，晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，熔點(diǎn)越高，硬度越大。1．離子晶體是由陰、陽離子通過離子鍵結(jié)合而高中數(shù)學(xué)-第三章-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-第四節(jié)-離子晶體講義-新人教版選修3課件[自學(xué)教材·填要點(diǎn)]陰離子陽離子離子鍵最鄰近導(dǎo)電性半徑比電荷比1．結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(1)構(gòu)成粒子：

和

。(2)作用力：

。(3)配位數(shù)：一個(gè)離子周圍

的

離子的數(shù)目。2．決定晶體結(jié)構(gòu)的因素(1)幾何因素：晶體中正負(fù)離子的

。(2)電荷因素：晶體中正負(fù)離子的

。(3)鍵性因素：離子鍵的純粹程度。[自學(xué)教材·填要點(diǎn)]陰離子陽離子離子鍵最鄰近導(dǎo)電性半徑比電荷3．性質(zhì)(1)硬度

，難于壓縮。(2)熔、沸點(diǎn)

。4．常見離子晶體的空間結(jié)構(gòu)(1)AB型離子晶體的空間結(jié)構(gòu)。較大較高離子晶體NaClCsCl陰離子的配位數(shù)陽離子的配位數(shù)68683．性質(zhì)較大較高離子晶體NaClCsCl陰離子的配位數(shù)陽離子0.5250.9340.5250.934(2)CaF2晶體構(gòu)型。Ca2＋的配位數(shù)為

，F(xiàn)－的配位數(shù)為

。84(2)CaF2晶體構(gòu)型。Ca2＋的配位數(shù)為，F(xiàn)－的配[師生互動(dòng)·解疑難]四種晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的比較類型項(xiàng)目離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體構(gòu)成晶體的粒子陰、陽離子原子分子金屬陽離子和電子氣粒子間的作用離子鍵共價(jià)鍵分子間作用力(范德華力或氫鍵)金屬離子和自由電子之間的強(qiáng)烈相互作用確定作用力強(qiáng)弱的一般判斷方法離子電荷、半徑鍵長(原子半徑)組成結(jié)構(gòu)相似時(shí)，比較相對(duì)分子質(zhì)量離子半徑、價(jià)電子數(shù)[師生互動(dòng)·解疑難]四種晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的比較

類型項(xiàng)目離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體熔、沸點(diǎn)較高高低差別較大(汞常溫下為液態(tài)，鎢熔點(diǎn)為3410℃)硬度略硬而脆大較小差別較大導(dǎo)電性不良導(dǎo)體(熔化后或溶于水導(dǎo)電)不良導(dǎo)體(個(gè)別為半導(dǎo)體)不良導(dǎo)體(部分溶于水發(fā)生電離后導(dǎo)電)良導(dǎo)體類型離子晶體原子分子晶體金屬晶體熔、沸點(diǎn)較高高

類型項(xiàng)目離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體溶解性多數(shù)易溶一般不溶相似相溶一般不溶于水，少數(shù)與水反應(yīng)機(jī)械加工性不良不良不良優(yōu)良延展性差差差優(yōu)良類型離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體溶解性多1．下列性質(zhì)中，可以較充分說明某晶體是離子晶體的是(

)A．具有較高的熔點(diǎn)B．固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電C．可溶于水D．固態(tài)不導(dǎo)電，熔融狀態(tài)能導(dǎo)電解析：A選項(xiàng)，原子晶體熔點(diǎn)也較高；B選項(xiàng)，有些分子晶體如HCl的水溶液也能導(dǎo)電；C選項(xiàng)，有些分子晶體也溶于水；分子晶體在液態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，離子晶體在熔融時(shí)可導(dǎo)電。答案：D1．下列性質(zhì)中，可以較充分說明某晶體是離子晶體的是(氣態(tài)離子釋放正值kJ/mol穩(wěn)定高大1.概念

形成1摩離子晶體

的能量，通常取

，單位為

。

2．影響因素

3．晶格能對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響晶格能越大，形成的離子晶體越

，而且熔點(diǎn)越

，硬度越

。氣態(tài)離子釋放正值kJ/mol穩(wěn)定高大12．下列關(guān)于晶格能的說法中正確的是 (

)A．晶格能指形成1mol離子鍵所放出的能量B．晶格能指破壞1mol離子鍵所吸收的能量C．晶格能指1mol離子化合物中的陰、陽離子由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)離子結(jié)合成離子晶體時(shí)所放出的能量D．晶格能的大小與晶體的熔點(diǎn)、硬度都無關(guān)答案：C2．下列關(guān)于晶格能的說法中正確的是 ()高中數(shù)學(xué)-第三章-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-第四節(jié)-離子晶體講義-新人教版選修3課件[例1]

NaF、NaI、MgO晶體均為離子晶體，根據(jù)表中數(shù)據(jù)判斷這三種晶體的熔點(diǎn)高低順序是 (

)物質(zhì)NaFNaIMgO離子電荷數(shù)112離子間距離2.313.182.10[例1]NaF、NaI、MgO晶體均為離子A．NaF＞NaI＞MgO

B．MgO＞NaF＞NaIC．MgO＞NaI＞NaF D．NaI＞NaF＞MgO[解析]

離子晶體的熔點(diǎn)與離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，而離子鍵的強(qiáng)弱可用晶格能來衡量，離子所帶的電荷數(shù)越多，離子間的距離越小，晶格能越大，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。

[答案]

BA．NaF＞NaI＞MgOB．高中數(shù)學(xué)-第三章-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-第四節(jié)-離子晶體講義-新人教版選修3課件解析：離子晶體在液態(tài)(即熔融態(tài))是導(dǎo)電的，所以B項(xiàng)不是離子晶體；CS2是非極性溶劑，根據(jù)“相似相溶”的規(guī)律，C項(xiàng)也不是離子晶體；由于離子晶體質(zhì)硬易碎，且固態(tài)不導(dǎo)電，所以D項(xiàng)也不是離子晶體。答案：A解析：離子晶體在液態(tài)(即熔融態(tài))是導(dǎo)電的，所以B項(xiàng)不是離子晶[例2]

如圖，直線交點(diǎn)處的圓圈為NaCl晶體中Na＋或Cl－所處的位置。這兩種離子在空間三個(gè)互相垂直的方向上都是等距離排列的。

(1)請(qǐng)將其中代表Cl－的圓圈涂黑(不必考慮體積大小)，以完成NaCl晶體結(jié)構(gòu)示意圖。

(2)晶體中，在每個(gè)Na＋的周圍與它最接近的且距離相等的Na＋共有________個(gè)。[例2]如圖，直線交點(diǎn)處的圓圈為(3)在NaCl晶胞中正六面體的頂角上、面上、棱上的Na＋或Cl－為該