電子技術(shù)基礎(chǔ)Ⅰ（模擬部分）智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下湖南師范大學(xué)

電子技術(shù)基礎(chǔ)Ⅰ（模擬部分）智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下湖南師范大學(xué)湖南師范大學(xué)

第一章測試

對(duì)PN結(jié)電擊穿描述不正確的是（）。

A:齊納擊穿原理與雪崩擊穿原理近似相同，都是在外加反向電壓下實(shí)現(xiàn)的

B:雪崩擊穿屬于電擊穿

C:穩(wěn)壓二極管就是利用齊納擊穿原理實(shí)現(xiàn)的

D:PN結(jié)電擊穿時(shí)，在外電壓撤除后能夠恢復(fù)原狀態(tài)

答案:齊納擊穿原理與雪崩擊穿原理近似相同，都是在外加反向電壓下實(shí)現(xiàn)的

2AP9表示的是（）。

A:18世紀(jì)70年代到19世紀(jì)中期

B:18世紀(jì)60年代到19世紀(jì)上半期

C:18世紀(jì)60年代到18世紀(jì)末

D:18世紀(jì)30年代到18世紀(jì)末

答案:18世紀(jì)30年代到18世紀(jì)末

對(duì)二極管模型的描述不正確的是（）。

A:二極管的恒壓降模型，硅管導(dǎo)通壓降0.7V，鍺管導(dǎo)通壓降0.2V

B:二極管理想模型，正向偏置時(shí)電阻為零，反向偏置時(shí)電阻無窮大

C:二極管折線模型，看成是0.5V的電源和一個(gè)電阻串聯(lián)，此時(shí)二極管電流大于1mA

D:二極管小信號(hào)模型中的等效電阻值與二極管工作的Q點(diǎn)無關(guān)

答案:二極管小信號(hào)模型中的等效電阻值與二極管工作的Q點(diǎn)無關(guān)

如圖所示，設(shè)二極管為理想二極管，則A端的輸出電壓為（）。

A:-12V

B:-10V

C:-8V

D:0V

答案:0V

如圖所示，設(shè)二極管為理想二極管，則A端的輸出電壓為（）。

A:500Ω，1W

B:600Ω，1/8W

C:500Ω，1/8W

D:600Ω，1W

答案:600Ω，1/8W

第二章測試

晶體三極管形成原理描述不正確的是（）。

A:到達(dá)基區(qū)的電子很容易穿過集電結(jié)

B:由于基區(qū)很薄，電子和空穴在基區(qū)復(fù)合的概率較高

C:由于基區(qū)很薄，電子和空穴在基區(qū)復(fù)合的概率較低

D:到達(dá)基區(qū)的空穴很容易穿過發(fā)射結(jié)

答案:由于基區(qū)很薄，電子和空穴在基區(qū)復(fù)合的概率較高

對(duì)晶體三極管放大電路的工程常識(shí)描述不正確的是（）。

A:放大電路的輸入信號(hào)電流一般是微安級(jí)的電流

B:放大電路的輸出功率一般是瓦特級(jí)

C:放大電路的輸出信號(hào)電流一般是幾毫安

D:放大電路的輸入信號(hào)電壓一般是毫伏甚至是微伏級(jí)電壓

答案:放大電路的輸出功率一般是瓦特級(jí)

對(duì)共基極放大電路特性描述不正確的是（）。

A:輸入電阻小，對(duì)前一級(jí)放大電路或信號(hào)源的帶負(fù)載能力要求不高

B:由于無結(jié)電容影響，常用于放大高頻信號(hào)

C:輸出電阻大，帶負(fù)載能力較差

D:放大電路的輸出信號(hào)與輸入信號(hào)同相

答案:輸入電阻小，對(duì)前一級(jí)放大電路或信號(hào)源的帶負(fù)載能力要求不高

對(duì)多級(jí)放大電路性能描述不正確的是（）。

A:多級(jí)放大電路的輸出電阻為最后一級(jí)放大電路的輸出電阻

B:多級(jí)放大電路的輸入電阻為第一級(jí)放大電路的輸入電阻

C:多級(jí)放大電路的頻帶帶寬比任何一級(jí)放大電路的頻帶帶寬都窄

D:多級(jí)放大電路的電壓增益等于各級(jí)放大電路電壓增益分貝值之積

答案:多級(jí)放大電路的電壓增益等于各級(jí)放大電路電壓增益分貝值之積

已知b=100，RS=1kW，RB1=62kW，RB2=20kW,RC=3kW，RE=1.5kW，RL=5.6kW，VCC=15V。則靜態(tài)工作點(diǎn)分別為：（）。

A:10μA，1mA,10.5V

B:15μA，1.5mA,6V

C:30μA，3mA,6V

D:20μA，2mA,6V

答案:20μA，2mA,6V

第三章測試

測量某MOSFET的漏源電壓為-3V,柵源電壓為-2V，其開啟電壓或夾斷電壓為-1V，該管工作在（）。

A:截止區(qū)

B:飽和區(qū)

C:預(yù)夾斷臨界點(diǎn)

D:可變電阻區(qū)

答案:飽和區(qū)

對(duì)N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管工作原理描述不正確的是（）。

A:當(dāng)漏極和源極之間加正向電壓超過預(yù)夾斷電壓時(shí)，漏極電流減少

B:柵極和源極之間不加電壓時(shí)，無導(dǎo)電溝道產(chǎn)生

C:柵極和源極之間加直流電壓時(shí)，產(chǎn)生導(dǎo)電溝道

D:柵極和源極之間加直流電壓大于開啟電壓時(shí)，漏極和源極之間加正向電壓，有漏極電流產(chǎn)生

答案:當(dāng)漏極和源極之間加正向電壓超過預(yù)夾斷電壓時(shí)，漏極電流減少

在使用MOSFET時(shí)，下列描述不正確的是（）。

A:焊接FET時(shí)，電烙鐵必須有外接地線，以屏蔽交流電場

B:GaAsMESFET正越來越多地應(yīng)用于高頻放大和數(shù)字邏輯電路中

C:P型襯底接低電位，N型襯底接高電位

D:由于FET的結(jié)構(gòu)對(duì)稱性，其漏極和源極在任何情況下都可以任意互換，其伏安特性幾乎無變化

答案:由于FET的結(jié)構(gòu)對(duì)稱性，其漏極和源極在任何情況下都可以任意互換，其伏安特性幾乎無變化

如圖所示耗盡型N溝道MOS管，RG=1MW，RS=2kW，RD=12kW，VDD=20V。IDSS=4mA，UGS(off)=–4V，則ID是（）。

A:3mA

B:1mA

C:2mA

D:4mA

答案:1mA

采用二階低通濾波器進(jìn)行濾波時(shí)，設(shè)截止頻率為，則10處的增益與處的相差：（）。

A:20dB

B:80dB

C:60dB

D:40dB

答案:40dB

第四章測試

與單管共射放大電路放大倍數(shù)一致的差動(dòng)放大電路是（）

A:雙端輸入單端輸出

B:單端輸入雙端輸出

C:雙端輸入雙端輸出

D:單端輸入單端輸出

答案:雙端輸入雙端輸出

對(duì)共模抑制比描述不正確的是（）

A:電路的差模增益為50，共模增益為0.05，則共模抑制比為40dB

B:噪聲屬于共模信號(hào)

C:共模抑制比越大，電路抑制共模信號(hào)的能力越強(qiáng)

D:共模抑制比反映的是差動(dòng)放大電路抑制共模信號(hào)的能力

答案:電路的差模增益為50，共模增益為0.05，則共模抑制比為40dB

對(duì)集成運(yùn)放參數(shù)描述不正確的是（）

A:輸入偏置電流是指集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端靜態(tài)電流的平均值

B:輸入失調(diào)電壓是由于差動(dòng)放大電路結(jié)構(gòu)不對(duì)稱引起的

C:輸入失調(diào)電流是指輸入電壓為零時(shí)，流入放大器兩端的動(dòng)態(tài)基極電流之差

D:輸入直流誤差特性都作為運(yùn)放精度的指標(biāo)

答案:輸入失調(diào)電流是指輸入電壓為零時(shí)，流入放大器兩端的動(dòng)態(tài)基極電流之差

如圖所示電路所實(shí)現(xiàn)的功能是（）

A:1mA

B:3mA

C:4mA

D:2mA

答案:2mA

對(duì)集成電路描述不正確的是（）

A:集成電路體積小，性能好

B:模擬集成電路的直流偏置技術(shù)采用電流源電路來實(shí)現(xiàn)

C:把整個(gè)電路的元器件制作在一塊硅基片上，構(gòu)成特定功能的電子電路

D:集成電路中的各級(jí)放大電路之間采用電容耦合方式進(jìn)行的

答案:集成電路中的各級(jí)放大電路之間采用電容耦合方式進(jìn)行的

第五章測試

對(duì)電阻的熱噪聲描述不正確的是（）

A:熱噪聲電壓是指電子隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的隨時(shí)間變化的電壓

B:純電抗元件具有熱噪聲

C:電阻元件有熱噪聲

D:熱噪聲是傳導(dǎo)電流的自由電子隨機(jī)的熱運(yùn)動(dòng)引起的

答案:純電抗元件具有熱噪聲

對(duì)共模抑制比描述不正確的是（）

A:熱噪聲

B:靜電噪聲

C:閃礫噪聲

D:散粒噪聲

答案:散粒噪聲

關(guān)于散粒噪聲的描述不正確的是（）

A:散粒噪聲具有白噪聲性質(zhì)

B:由于發(fā)射極電流和集電極電流無規(guī)則的波動(dòng)引起的

C:散粒噪聲具有瑞利分布

D:散粒噪聲是三極管噪聲的一個(gè)重要來源

答案:散粒噪聲具有瑞利分布

電路如圖所示，輸出與輸入之間的關(guān)系是（）

A:開立方運(yùn)算

B:對(duì)數(shù)運(yùn)算

C:開平方運(yùn)算

D:指數(shù)運(yùn)算

答案:開平方運(yùn)算

利用乘法器實(shí)現(xiàn)解調(diào)功能時(shí)，乘法器輸出后的模塊是（）

A:高通濾波器

B:帶通濾波器

C:全通濾波器

D:低通濾波器

答案:低通濾波器

第六章測試

使帶負(fù)載能力強(qiáng)的反饋是（）

A:電流負(fù)反饋

B:電壓正反饋

C:電壓負(fù)反饋

D:電流正反饋

答案:電壓負(fù)反饋

在深度負(fù)反饋條件下，不正確的是（）

A:放大倍數(shù)只與反饋系數(shù)相關(guān)

B:輸入電流與反饋電流幾乎相等

C:輸入電壓與反饋電壓幾乎相等

D:放大倍數(shù)與不帶負(fù)反饋時(shí)的放大倍數(shù)有關(guān)

答案:放大倍數(shù)與不帶負(fù)反饋時(shí)的放大倍數(shù)有關(guān)

如圖所示電路中，RE所引入的反饋是（）

A:電流串聯(lián)負(fù)反饋

B:電壓串聯(lián)負(fù)反饋

C:電流并聯(lián)負(fù)反饋

D:電壓并聯(lián)負(fù)反饋

答案:電流串聯(lián)負(fù)反饋

對(duì)反饋放大電路描述不正確的是（）

A:引入交流反饋是為了改善放大電路的性能

B:引入直流反饋是為了穩(wěn)定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)

C:引入電流反饋是為了穩(wěn)定輸入電流

D:引入電壓反饋是為了穩(wěn)定輸出電壓

答案:引入電流反饋是為了穩(wěn)定輸入電流

使電路的輸入電阻較高的反饋是（）

A:串聯(lián)正反饋

B:并聯(lián)負(fù)反饋

C:并聯(lián)正反饋

D:串聯(lián)負(fù)反饋

答案:串聯(lián)負(fù)反饋

第七章測試

有一OTL電路，其電源電壓VCC=16V，。在理想情況下，可得到最大輸出功率為（）

A:8W

B:4W

C:16W

D:64W

答案:4W

在基本OCL功放電路中設(shè)輸入信號(hào)為正弦波，可以推算出其最大的輸出功率約為（）

A:27W

B:18W

C:36W

D:9W

答案:18W

OCL功放電路屬于（）

A:丙類放大

B:甲乙類放大

C:乙類放大

D:甲類放大

答案:甲乙類放大

提高功率BJT的可靠性，其主要的途徑是，使用時(shí)要降低額定值。那么下列降低額定值錯(cuò)誤的是：

A:在最壞的條件下(包括沖擊電流在內(nèi)),工作電流不應(yīng)超過極限值的80%。

B:在最壞的條件下(包括沖擊電壓在內(nèi)),工作電壓不應(yīng)超過極限值的80%。

C:在最壞的條件下(包括沖擊功耗在內(nèi)),工作功耗不應(yīng)超過器件最大工作環(huán)境溫度下的最大允許功耗的80%。

D:工作時(shí),器件的結(jié)溫不應(yīng)超過器件允許的最大結(jié)溫的80%。

答案:在最壞的條件下(包括沖擊功耗在內(nèi)),工作功耗不應(yīng)超過器件最大工作環(huán)境溫度下的最大允許功耗的80%。

下列不是功率器件特點(diǎn)的是（）

A:并聯(lián)負(fù)反饋

B:并聯(lián)正反饋

C:串聯(lián)正反饋

D:串聯(lián)負(fù)反饋

答案:并聯(lián)負(fù)反饋

第八章測試

對(duì)LC振蕩電路描述不正確的是（）

A:電容三點(diǎn)式振蕩電路屬于LC振蕩電路

B:LC振蕩電路主要用來產(chǎn)生高頻信號(hào)

C:電路的振蕩頻率

D:電路存在正反饋

答案:電路的振蕩頻率

對(duì)開關(guān)電容濾波器描述不正確的是（）

A:開關(guān)電容濾波器主要是應(yīng)用在集成電路中

B:與數(shù)字濾波器相比較，處理速度快，整體結(jié)構(gòu)簡單

C:可實(shí)現(xiàn)高精度高穩(wěn)定濾波，便于集成

D:其工作頻率較高

答案:其工作頻率較高

對(duì)帶通濾波電路描述不正確的是（）

A:輸入信號(hào)先通過低通濾波電路，再通過高通濾波電路來實(shí)現(xiàn)

B:輸入信號(hào)先通過高通濾波電路，再通過低通濾波電路來實(shí)現(xiàn)

C:雙T帶阻濾波電路屬于上述濾波電路

D:帶通濾波器的英文縮寫為BPF

答案:雙T帶阻濾波電路屬于上述濾波電路

下列傳遞函數(shù)表示帶通濾波器的是（）

A:

B:

C:

D:

答案:

;

對(duì)石英晶體振蕩電路描述不正確的是（）

A:石英晶體振蕩電路的頻率穩(wěn)定度高

B:石英晶體有兩個(gè)諧振頻率，兩個(gè)頻率相差較大

C:Q值越大，頻率穩(wěn)定度就越高

D:在電路中，晶振串聯(lián)接入一個(gè)電容后，并不影響并聯(lián)諧振頻率

答案:石英晶體有兩個(gè)諧振頻率，兩個(gè)頻率相差較大

第九章測試

將方波積分得到三角波，為了使三角波的峰-峰值與方波的峰-峰值相近，積分電阻和積分電容應(yīng)該（）

A:RC的乘積與信號(hào)半周期相當(dāng)

B:RC的乘積與信號(hào)周期相當(dāng)

C:增加電阻和電容值

D:減少電阻和電容值

答案:減少電阻和電容值

關(guān)于電壓比較器的描述，錯(cuò)誤的是：

A:電壓比較器存在正反饋

B:過零電壓比較器屬于單門限比較器

C:單門限電壓比較器抗干擾能力不強(qiáng)

D:遲滯電壓比較器抗干擾能力較強(qiáng)

答案:電壓比較器存在正反饋

對(duì)電壓比較器描述不正確的是（）

A:過零電壓比較器屬于單門限比較器

B:電壓比較器存在正反饋

C:單門限電壓比較器抗干擾能力不強(qiáng)

D:遲滯電壓比較器抗干擾能力較強(qiáng)

答案:電壓比較器存在正反饋

電路如圖所示，輸出的波形為（）

A:三角波

B:鋸齒波

C:脈寬波

D:方波

答案:鋸齒波

用現(xiàn)有的方波產(chǎn)生同頻的PWM波，正確的是（）

A:都不正確

B:方波→積分器→過零比較器

C:方波→微分器

D:方波→積分器→可調(diào)電壓比較器

答案:方波→積分器→可調(diào)電壓比較器

第十章測試

對(duì)整流后的濾波電路描述不正確的是（）

A:濾波電路一般有電容輸入式和電感輸入式兩大類

B:輸出直流電流小且負(fù)載幾乎不變時(shí)，采用電容輸入式濾波電路

C:電容濾波和電感濾波都是用來使輸出電流變得平滑

D:輸出電流大且負(fù)載電流大的大功率場合，采用電感輸入式濾波電路

答案:電容濾波和電感濾波都是用來使輸出電流變得平滑

設(shè)交流電源電壓周期為,對(duì)負(fù)載電阻和濾波電容乘積選擇正確的是（）

A:

B:

C:

D:

答案:

對(duì)穩(wěn)壓電源質(zhì)量指標(biāo)描述不正確的是（）

A:輸出電阻反映了負(fù)載電流變化對(duì)輸出電壓的影響

B:溫度系數(shù)表示輸出電壓的溫度穩(wěn)定性

C:輸入電壓調(diào)整因數(shù)反映了輸入電壓波動(dòng)對(duì)輸出電壓