HR24953失效分析報(bào)告

PAGEPAGE1北京華芯微半導(dǎo)體有限公司 PagePAGE1 DATE\@"M/d/yyyy"8/19/2011HR24953T失效分析報(bào)告客戶反饋信息1.產(chǎn)品型號:HR24953T2.失效數(shù)量:2pcs3.批次:1025.24.失效現(xiàn)象:1:HR24953T工作失效（Y方向振動實(shí)驗(yàn)功能不正常）2:HR24953T刪源極電阻不正常失效分析電特性參數(shù)對失效產(chǎn)品進(jìn)行電測試（把失效產(chǎn)品分1號和2號），測試結(jié)果如下：測試項(xiàng)目P/FVGS(TH)BVDSSIDSSIGSSISGSRDS(ON)RDS(ON)測試條件IDS=250uAIDS=250uAVDS=24VVGS=20VVSG=20VVG=10VIDS=12AVG=4.5VIDS=12A電參數(shù)上限3V1uA100nA100nA.016Ω.023Ω電參數(shù)下限1V30V-失效產(chǎn)品1號*F1.684V*0.086V*2.000uA*1999.9nA*1999.9nA*0.167Ω*0.167Ω失效產(chǎn)品2號P1.784V34.24V0.020uA1.807nA2.060nA.012Ω0.018Ω根據(jù)電測試參數(shù)可知:失效產(chǎn)品1號[BVDSS失效，IDSS失效，IGSS失效],失效產(chǎn)品2號是良品.外觀目檢外觀未發(fā)現(xiàn)不良3.內(nèi)部目檢取擊穿失效的產(chǎn)品開帽后放大50倍看芯片，未發(fā)現(xiàn)異常。分析結(jié)果由于產(chǎn)品外觀,內(nèi)部芯片都未發(fā)現(xiàn)異常，由此可初步判定失效原因是應(yīng)用過程中的瞬態(tài)大電流或靜電對產(chǎn)品造成了二次擊穿。VDMOS晶體管中寄生一個(gè)雙極性晶體管BJT,它的集電極,發(fā)射極同時(shí)也是VDMOS的漏極和源極;還有一個(gè)P體區(qū)等效電阻Rb,電阻一端為P+接觸區(qū),另一端為寄生BJT的基極.當(dāng)漏源電壓增加到一定值時(shí),器件內(nèi)部電流很大,引起寄生BJT的二次擊穿.導(dǎo)致VDMOS失效。防護(hù)措施1.應(yīng)用時(shí)預(yù)防靜電干擾（1）人員操作過程中做好防靜電措施(穿防靜電衣,帶防靜電手套，手環(huán))。（2）有關(guān)機(jī)械設(shè)備作業(yè)過程前做好地線檢查。2.應(yīng)用時(shí)外圍加保護(hù)器件電路中Q1和Q2器件應(yīng)該單獨(dú)外加保護(hù)器件，預(yù)防瞬態(tài)大電流或靜電對該器件造成失效。VCCVCCTTL輸入R1R2MOSFET驅(qū)動RLC1Q1Q2HR24953HR24953