模擬電子技術(shù)習(xí)題集一

.z.第一章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷以下說法是否正確，用“√〞和“×〞表示判斷結(jié)果填入空。〔1〕在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體?！病场?〕因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電?！病场?〕PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零?！病场?〕處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動形成的?！病场?〕結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點(diǎn)?！病场?〕假設(shè)耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會明顯變小?！病辰猓骸?〕√〔2〕×〔3〕√〔4〕×〔5〕√〔6〕×二、選擇正確答案填入空?！?〕PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將。A.變窄B.根本不變C.變寬〔2〕設(shè)二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是。A.ISeUB.C.〔3〕穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿〔4〕當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏〔5〕UGS＝0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有。A.結(jié)型管B.增強(qiáng)型MOS管C.耗盡型MOS管解：〔1〕A〔2〕C〔3〕C〔4〕B〔5〕AC三、寫出圖T1.3所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V。圖T1.3解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。四、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ＝6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin＝5mA。求圖T1.4所示電路中UO1和UO2各為多少伏。圖T1.4解：UO1＝6V，UO2＝5V。五、*晶體管的輸出特性曲線如圖T1.5所示，其集電極最大耗散功率PCM＝200mW，試畫出它的過損耗區(qū)。圖T1.5解圖T1.5解：根據(jù)PCM＝200mW可得：UCE＝40V時IC＝5mA，UCE＝30V時IC≈6.67mA，UCE＝20V時IC＝10mA，UCE＝10V時IC＝20mA，將各點(diǎn)連接成曲線，即為臨界過損耗線，如解圖T1.5所示。臨界過損耗線的左邊為過損耗區(qū)。六、電路如圖T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。試問：〔1〕Rb＝50kΩ時，uO＝？〔2〕假設(shè)T臨界飽和，則Rb≈？解：〔1〕Rb＝50kΩ時，基極電流、集電極電流和管壓降分別為μA所以輸出電壓UO＝UCE＝2V。圖T1.6〔2〕設(shè)臨界飽和時UCES＝UBE＝0.7V，所以七．測得*放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如表T1.7所示，它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)〕，并填入表。表T1.7管號UGS〔th〕/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14－513T2－43310T3－4605解：因?yàn)槿还茏泳虚_啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如解表T1.7所示。解表T1.7管號UGS〔th〕/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14－513恒流區(qū)T2－43310截止區(qū)T3－4605可變電阻區(qū)習(xí)題1.1選擇適宜答案填入空?！?〕在本征半導(dǎo)體中參加元素可形成N型半導(dǎo)體，參加元素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價B.四價C.三價〔2〕當(dāng)溫度升高時，二極管的反向飽和電流將。A.增大B.不變C.減小〔3〕工作在放大區(qū)的*三極管，如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時，IC從1mA變?yōu)?mA，則它的β約為。A.83B.91C.100〔4〕當(dāng)場效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時，它的低頻跨導(dǎo)gm將。A.增大B.不變C.減小解：〔1〕A，C〔2〕A〔3〕C〔4〕A1.2能否將1.5V的干電池以正向接法接到二極管兩端？為什么？解：不能。因?yàn)槎O管的正向電流與其端電壓成指數(shù)關(guān)系，當(dāng)端電壓為1.5V時，管子會因電流過大而燒壞。1.3電路如圖P1.3所示，ui＝10sinωt(v)，試畫出ui與uO的波形。設(shè)二極管正向?qū)妷嚎珊雎圆挥?jì)。圖P1.3解圖P1.3解：ui和uo的波形如解圖P1.3所示。1.4電路如圖P1.4所示，ui＝5sinωt(V)，二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。圖P1.4解圖P1.4解：波形如解圖P1.4所示。1.5電路如圖P1.5〔a〕所示，其輸入電壓uI1和uI2的波形如圖〔b〕所示，二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V。試畫出輸出電壓uO的波形，并標(biāo)出幅值。圖P1.5解：uO的波形如解圖P1.5所示。解圖P1.51.6電路如圖P1.6所示，二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V，常溫下UT≈26mV，電容C對交流信號可視為短路；ui為正弦波，有效值為10mV。試問二極管中流過的交流電流有效值為多少？解：二極管的直流電流ID＝〔V－UD〕/R＝2.6mA其動態(tài)電阻rD≈UT/ID＝10Ω故動態(tài)電流有效值Id＝Ui/rD≈1mA圖P1.61.7現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V，正向?qū)妷簽?.7V。試問：〔1〕假設(shè)將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？〔2〕假設(shè)將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？解：〔1〕兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓值?！?〕兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。1.8穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ＝6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。試求圖P1.8所示電路中電阻R的取值圍。解：穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流IZM＝PZM/UZ＝25mA電阻R的電流為IZM～I(xiàn)Zmin，所以其取值圍為圖P1.81.9圖P1.9所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ＝6V，最小穩(wěn)定電流IZmin＝5mA，最大穩(wěn)定電流IZma*＝25mA?！?〕分別計(jì)算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值；〔2〕假設(shè)UI＝35V時負(fù)載開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象"為什么？解：〔1〕當(dāng)UI＝10V時，假設(shè)UO＝UZ＝6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故當(dāng)UI＝15V時，穩(wěn)壓管中的電流大于最圖P1.9小穩(wěn)定電流IZmin，所以UO＝UZ＝6V同理，當(dāng)UI＝35V時，UO＝UZ＝6V?！?〕29mA＞IZM＝25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。1.10在圖P1.10所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD＝1.5V，正向電流在5～15mA時才能正常工作。試問：〔1〕開關(guān)S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？〔2〕R的取值圍是多少？解：〔1〕S閉合?！?〕R的圍為圖P1.101.11電路如圖P1.11〔a〕、〔b〕所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ＝3V，R的取值適宜，uI的波形如圖〔c〕所示。試分別畫出uO1和uO2的波形。圖P1.11解：波形如解圖P1.11所示解圖P1.111.12在溫度20℃時*晶體管的ICBO＝2μA，試問溫度是60℃時ICBO≈？解：60℃時ICBO≈＝32μA。1.13有兩只晶體管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它參數(shù)大致一樣。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子？為什么？解：選用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β適中、ICEO較小，因而溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。1.14兩只晶體管的電流放大系數(shù)β分別為50和100，現(xiàn)測得放大電路中這兩只管子兩個電極的電流如圖P1.14所示。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其實(shí)際方向，并在圓圈中畫出管子。圖P1.14解：答案如解圖P1.14所示。解圖P1.141.15測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.15所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。圖P1.15解：晶體管三個極分別為上、中、下管腳，答案如解表P1.15所示。解表P1.15管號T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16電路如圖P1.16所示，晶體管導(dǎo)通時UBE＝0.7V，β=50。試分析VBB為0V、1V、1.5V三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓uO的值。解：〔1〕當(dāng)VBB＝0時，T截止，uO＝12V?！?〕當(dāng)VBB＝1V時，因?yàn)棣藺所以T處于放大狀態(tài)。〔3〕當(dāng)VBB＝3V時，因?yàn)棣藺圖P1.16所以T處于飽和狀態(tài)。1.17電路如圖P1.17所示，試問β大于多少時晶體管飽和？解：取UCES＝UBE，假設(shè)管子飽和，則所以，時，管子飽和。圖P1.171.18電路如圖P1.18所示，晶體管的β＝50，|UBE|＝0.2V，飽和管壓降|UCES|＝0.1V；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ＝5V，正向?qū)妷篣D＝0.5V。試問：當(dāng)uI＝0V時uO＝？當(dāng)uI＝－5V時uO＝？解：當(dāng)uI＝0時，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿，uO＝－UZ＝－5V。當(dāng)uI＝－5V時，晶體管飽和，uO＝0.1V。因?yàn)閳DP1.181.19分別判斷圖P1.19所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。圖P1.19解：〔a〕可能〔b〕可能〔c〕不能〔d〕不能，T的發(fā)射結(jié)會因電流過大而損壞?！瞖〕可能1.20*結(jié)型場效應(yīng)管的IDSS＝2mA，UGS〔off〕＝－4V，試畫出它的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線，并近似畫出予夾斷軌跡。解：根據(jù)方程逐點(diǎn)求出確定的uGS下的iD，可近似畫出轉(zhuǎn)移特性和輸出特性；在輸出特性中，將各條曲線上uGD＝UGS〔off〕的點(diǎn)連接起來，便為予夾斷線；如解圖P1.20所示。解圖P1.201.21放大電路中一只N溝道場效應(yīng)管三個極①、②、③的電位分別為4V、8V、12V，管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子〔結(jié)型管、MOS管、增強(qiáng)型、耗盡型〕，并說明①、②、③與G、S、D的對應(yīng)關(guān)系。解：管子可能是增強(qiáng)型管、耗盡型管和結(jié)型管，三個極①、②、③與G、S、D的對應(yīng)關(guān)系如解圖P1.21所示。解圖P1.211.22場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖P1.22所示，畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。圖P1.22解：在場效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線〔如解圖P1.22〔a〕所示〕，讀出其與各條曲線交點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及UGS值，建立iD＝f〔uGS〕坐標(biāo)系，描點(diǎn)，連線，即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線，如解圖P1.22〔b〕所示。解圖P1.221.23電路如圖1.23所示，T的輸出特性如圖P1.22所示，分析當(dāng)uI＝4V、8V、12V三種情況下場效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。解：根據(jù)圖P1.22所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為5V，根據(jù)圖P1.23所示電路可知所以uGS＝uI。當(dāng)uI＝4V時，uGS小于開啟電壓，故T截止。當(dāng)uI＝8V時，設(shè)T工作在恒流區(qū)，根據(jù)輸出特性可知iD≈0.6mA，管壓降uDS≈VDD－iDRd≈10V因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于開啟電壓，圖P1.23說明假設(shè)成立，即T工作在恒流區(qū)。當(dāng)uI＝12V時，由于VDD＝12V，必然使T工作在可變電阻區(qū)。1.24分別判斷圖P1.24所示各電路中的場效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。圖P1.24解：〔a〕可能〔b〕不能〔c〕不能〔d〕可能第二章根本放大電路自測題一、在括號用“〞或“×〞說明以下說法是否正確?！?〕只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用；〔〕〔2〕可以說任何放大電路都有功率放大作用；〔〕〔3〕放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的；〔〕〔4〕電路中各電量的交流成份是交流信號源提供的；〔〕〔5〕放大電路必須加上適宜的直流電源才能正常工作；〔〕〔6〕由于放大的對象是變化量，所以當(dāng)輸入信號為直流信號時，任何放大電路的輸出都毫無變化；〔〕〔7〕只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真?！病辰猓骸?〕×〔2〕√〔3〕×〔4〕×〔5〕√〔6〕×〔7〕×二、試分析圖T2.2所示各電路是否能夠放大正弦交流信號，簡述理由。設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短路。圖T2.2解：〔a〕不能。因?yàn)檩斎胄盘柋籚BB短路?！瞓〕可能?！瞔〕不能。因?yàn)檩斎胄盘栕饔糜诨鶚O與地之間，不能馱載在靜態(tài)電壓之上，必然失真?！瞕〕不能。晶體管將因發(fā)射結(jié)電壓過大而損壞?！瞖〕不能。因?yàn)檩斎胄盘柋籆2短路?！瞗〕不能。因?yàn)檩敵鲂盘柋籚CC短路，恒為零?！瞘〕可能?！瞙〕不合理。因?yàn)镚-S間電壓將大于零?！瞚〕不能。因?yàn)門截止。三、在圖T2.3所示電路中，VCC＝12V，晶體管的＝100，＝100kΩ。填空：要求先填文字表達(dá)式后填得數(shù)?！?〕當(dāng)＝0V時，測得UBEQ＝0.7V，假設(shè)要基極電流IBQ＝20μA，則和RW之和Rb＝≈kΩ；而假設(shè)測得UCEQ＝6V，則Rc＝≈kΩ。〔2〕假設(shè)測得輸入電壓有效值=5mV時，輸出電壓有效值＝0.6V，則電壓放大倍數(shù)＝≈。假設(shè)負(fù)載電阻RL值與RC相等，則帶上負(fù)載圖T2.3后輸出電壓有效值＝＝V。解：〔1〕?！?〕。四、圖T2.3所示電路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V；并在輸出端加負(fù)載電阻RL，其阻值為3kΩ。選擇一個適宜的答案填入空。〔1〕該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom≈；A.2V B.3V C.6V〔2〕當(dāng)＝1mV時，假設(shè)在不失真的條件下，減小RW，則輸出電壓的幅值將；A.減小 B.不變 C.增大〔3〕在＝1mV時，將Rw調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，假設(shè)此時增大輸入電壓，則輸出電壓波形將；A.頂部失真B.底部失真 C.為正弦波〔4〕假設(shè)發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將。A.RW減小 B.Rc減小 C.VCC減小解：〔1〕A〔2〕C〔3〕B〔4〕B五、現(xiàn)有直接耦合根本放大電路如下：A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路D.共源電路 E.共漏電路它們的電路分別如圖2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、和2.7.9(a)所示；設(shè)圖中Re<Rb，且ICQ、IDQ均相等。選擇正確答案填入空，只需填A(yù)、B、……〔1〕輸入電阻最小的電路是，最大的是；〔2〕輸出電阻最小的電路是；〔3〕有電壓放大作用的電路是；〔4〕有電流放大作用的電路是；〔5〕高頻特性最好的電路是；〔6〕輸入電壓與輸出電壓同相的電路是；反相的電路是。解：〔1〕C，DE〔2〕B〔3〕ACD〔4〕ABDE〔5〕C〔6〕BCE，AD六、未畫完的場效應(yīng)管放大電路如圖T2.6所示，試將適宜的場效應(yīng)管接入電路，使之能夠正常放大。要求給出兩種方案。解：根據(jù)電路接法，可分別采用耗盡型N溝道和P溝道MOS管，如解圖T2.6所示。圖T2.6解圖T2.6習(xí)題2.1按要求填寫下表。電路名稱連接方式〔e、c、b〕性能比擬〔大、中、小〕公共極輸入極輸出極RiRo其它共射電路共集電路共基電路解：答案如表所示。電路名稱連接方式性能比擬〔大、中、小〕公共端輸入端輸出端RiRo其它共射電路ebc大大小大共集電路cbe小大大小共基電路bec大小小大頻帶寬2.2分別改正圖P2.2所示各電路中的錯誤，使它們有可能放大正弦波信號。要求保存電路原來的共射接法和耦合方式。圖P2.2解：〔a〕將－VCC改為＋VCC。〔b〕在＋VCC與基極之間加Rb?！瞔〕將VBB反接，且在輸入端串聯(lián)一個電阻。〔d〕在VBB支路加Rb，在－VCC與集電極之間加Rc。2.3畫出圖P2.3所示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對交流信號均可視為短路。圖P2.3解：將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路，圖略。圖P2.3所示各電路的交流通路如解圖P2.3所示；解圖P2.32.4電路如圖P2.4〔a〕所示，圖〔b〕是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時UBEQ＝0.7V。利用圖解法分別求出RL＝∞和RL＝3kΩ時的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓Uom〔有效值〕。圖P2.4解：空載時：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真輸出電壓峰值約為5.3V，有效值約為3.75V。帶載時：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V，有效值約為1.63V。如解圖P2.4所示。解圖P2.42.5在圖P2.5所示電路中，晶體管的＝80，rbe＝1kΩ，＝20mV；靜態(tài)時UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判斷以下結(jié)論是否正確，凡對的在括號打“〞，否則打“×〞。圖P2.5〔1〕〔〕〔2〕〔〕〔3〕〔〕〔4〕〔〕〔5〕〔〕〔6〕〔〕〔7〕〔〕〔8〕〔〕〔9〕〔〕〔10〕〔〕〔11〕≈20mV()〔12〕≈60mV()解：〔1〕×〔2〕×〔3〕×〔4〕√〔5〕×〔6〕×〔7〕×〔8〕√〔9〕√〔10〕×〔11〕×〔12〕√2.6電路如圖P2.6所示，晶體管＝50，在以下情況下，用直流電壓表測晶體管的集電極電位，應(yīng)分別為多少？設(shè)VCC＝12V，晶體管飽和管壓降UCES＝0.5V?！?〕正常情況〔2〕Rb1短路 〔3〕Rb1開路〔4〕Rb2開路〔5〕RC短路圖P2.6解：設(shè)UBE＝0.7V。則基極靜態(tài)電流〔2〕由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V?！?〕臨界飽和基極電流實(shí)際基極電流由于IB＞IBS，故T飽和，UC＝UCES＝0.5V?！?〕T截止，UC＝12V?！?〕由于集電極直接接直流電源，UC＝VCC＝12V2.7電路如圖P2.7所示，晶體管的＝80，=100Ω。分別計(jì)算RL＝∞和RL＝3kΩ時的Q點(diǎn)、、Ri和Ro。圖P2.7解2.7在空載和帶負(fù)載情況下，電路的靜態(tài)電流、rbe均相等，它們分別為空載時，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為RL＝5kΩ時，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為在圖P2.7所示電路中，由于電路參數(shù)不同，在信號源電壓為正弦波時，測得輸出波形如圖P2.8〔a〕、〔b〕、〔c〕所示，試說明電路分別產(chǎn)生了什么失真，如何消除。圖P2.8解：〔a〕飽和失真，增大Rb，減小Rc?！瞓〕截止失真，減小Rb?！瞔〕同時出現(xiàn)飽和失真和截止失真，應(yīng)增大VCC。2.9假設(shè)由PNP型管組成的共射電路中，輸出電壓波形如圖P2.8〔a〕、〔b〕、〔c〕所示，則分別產(chǎn)生了什么失真？解：〔a〕截止失真；〔b〕飽和失真；〔c〕同時出現(xiàn)飽和失真和截止失真。2.10圖P2.10所示電路中晶體管的＝100，rbe=1kΩ?！?〕現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V，估算Rb約為多少千歐；〔2〕假設(shè)測得和的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻RL為多少千歐？圖P2.10解：〔1〕求解Rb〔2〕求解RL：2.11在圖P2.10所示電路中，設(shè)靜態(tài)時ICQ＝2mA，晶體管飽和管壓降UCES＝0.6V。試問：當(dāng)負(fù)載電阻RL＝∞和RL＝3kΩ時電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？解：由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V?？蛰d時，輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽和失真。故時，當(dāng)輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止失真。故2.12在圖P2.10所示電路中，設(shè)*一參數(shù)變化時其余參數(shù)不變，在表中填入①增大②減小或③根本不變。參數(shù)變化IBQUCEQRiRoRb增大Rc增大RL增大解：答案如解表P2.12所示。解表P2.12所示參數(shù)變化IBQUCEQRiRoRb增大②①②①③Rc增大③②①③①RL增大③③①③③2.13電路如圖P2.13所示，晶體管的＝100，=100Ω?！?〕求電路的Q點(diǎn)、、Ri和Ro；〔2〕假設(shè)電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？圖P2.13解：〔1〕靜態(tài)分析：動態(tài)分析：〔2〕Ri增大，Ri≈4.1kΩ；減小，≈－1.92。2.14試求出圖P2.3〔a〕所示電路Q點(diǎn)、、Ri和Ro的表達(dá)式。解：Q點(diǎn)為、Ri和Ro的表達(dá)式分別為2.15試求出圖P2.3〔b〕所示電路Q點(diǎn)、、Ri和Ro的表達(dá)式。設(shè)靜態(tài)時R2中的電流遠(yuǎn)大于T的基極電流。解:Q點(diǎn)：、Ri和Ro的表達(dá)式分別為2.16試求出圖P2.3〔c〕所示電路Q點(diǎn)、、Ri和Ro的表達(dá)式。設(shè)靜態(tài)時R2中的電流遠(yuǎn)大于T2管的基極電流且R3中的電流遠(yuǎn)大于T1管的基極電流。解：兩只晶體管的靜態(tài)電流、管壓降分析如下：、Ri和Ro的表達(dá)式分析如下：2.17設(shè)圖P2.17所示電路所加輸入電壓為正弦波。試問：圖P2.17〔1〕=/≈"=/≈"〔2〕畫出輸入電壓和輸出電壓ui、uo1、uo2的波形；解：〔1〕因?yàn)橥ǔ＆拢荆?，所以電壓放大倍數(shù)分別應(yīng)為兩個電壓放大倍數(shù)說明uo1≈－ui，uo2≈ui。波形如解圖P1.17所示。解圖P1.172.18電路如圖P2.18所示，晶體管的＝80，rbe=1kΩ?！?〕求出Q點(diǎn)；〔2〕分別求出RL＝∞和RL＝3kΩ時電路的和Ri；〔3