元器件降額STRESS測試方法_第1頁
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文檔簡介

元器件STRESS測試辦法所謂元器件STRESS是指檢查待測組件在特定的工作條件下各參數(shù)與其規(guī)格比較,尚有多少余量(Derating),元器件STRESS涉及四部份:溫度STRESS,電壓STRESS,電流STRESS,功率STRESS,下面分別進(jìn)行討論.溫度STRESS1.定義: 溫度STRESS= 結(jié)溫度(junctiontemperature,Tj)是半導(dǎo)體內(nèi)部接合面處的溫度,但是我們所量測到的溫度都是零件表面(CASE)的溫度(Tc),傳統(tǒng)的做法是通過零件規(guī)格中給出的熱阻θ進(jìn)行近似的計(jì)算得出結(jié)溫度Tj:或或Tj:計(jì)算所得到的結(jié)溫度.Ta:零件周邊的環(huán)境溫度(零件周邊的具體位置在零件規(guī)格中有規(guī)定

)Tc:所測量到的零件表面的溫度.零件引腳的溫度環(huán)境到結(jié)點(diǎn)的熱阻.零件表面到結(jié)點(diǎn)的熱阻實(shí)際損耗功率的計(jì)算辦法:A.二極管:(可從規(guī)格中查到,I是實(shí)際測量值) 注意:整流橋之B.MOSFET:HYPERLINK附錄D所示盡管同一掃描時(shí)間,也會(huì)隨觸發(fā)位置變化而變化,如HYPERLINK附錄E所示與否能夠用Gateon測量一種周期的RMS值?2.測量初級(jí)側(cè)的零件時(shí),示波器探棒夾子夾在初級(jí)側(cè)的地,相稱于將FG線與初級(jí)側(cè)的地接在一起,這樣會(huì)有問題嗎?3.波形數(shù)據(jù)采用采集方式:Sample,PeakDetect,Hi-Res?4.普通二極管的溫度Derating需查θjc,但規(guī)格中只有θjl或θja,應(yīng)怎么解決?又要重新點(diǎn)引腳的溫度嗎?

附錄AMOSFET功率損耗計(jì)算辦法Graph#1 HYPERLINKBACK附錄BAvalancheEnergy計(jì)算辦法: HYPERLINKBACK

附錄C觸發(fā)電平對(duì)測試成果的影響:Note:觸發(fā)電平1.59V為最高觸發(fā)電平(1.61V已不能觸發(fā))

附錄DTIMESCALE對(duì)測試成果的影響DPS-250GB-3AC1ripple

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