微電子封裝技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下濰坊學(xué)院

微電子封裝技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下濰坊學(xué)院濰坊學(xué)院

第一章測試

封裝會使芯片包裹的更加緊實，因此提供散熱途徑不是芯片封裝要實現(xiàn)的功能。（）

A:對B:錯

答案:錯

按照封裝中組合使用的集成電路芯片的數(shù)目，芯片封裝可以分為單芯片封裝和多芯片封裝兩類。（）

A:錯B:對

答案:對

按照針腳排列方式的不同，針柵排列可以提供較高的封裝密度，其引腳形式為（）。

A:底部引腳形態(tài)B:中心引腳形態(tài)C:周邊引腳形態(tài)D:背部引腳形態(tài)

答案:底部引腳形態(tài)

針柵陣列式封裝的引腳分布形態(tài)屬于（）。

A:四邊引腳B:底部引腳C:單邊引腳D:中心引腳

答案:底部引腳

集成電路的零級封裝，主要是實現(xiàn)（）。

A:芯片內(nèi)部不同功能電路的連接B:鍵合引線C:打碼D:芯片內(nèi)部器件的互連

答案:芯片內(nèi)部不同功能電路的連接;芯片內(nèi)部器件的互連

第二章測試

硅晶圓可以直接用來制造IC芯片而無需經(jīng)過減薄處理工藝。（）

A:錯B:對

答案:錯

當(dāng)金-硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為69%和31%時能夠?qū)崿F(xiàn)共熔，且共熔溫度最低。（）

A:錯B:對

答案:對

玻璃膠粘貼法僅適用于（）。

A:陶瓷封裝B:玻璃封裝C:塑料封裝D:金屬封裝

答案:陶瓷封裝

以下芯片互連方式，具有最小的封裝引線電容的是（）。

A:Hot-WB鍵合B:FC焊接C:WB鍵合D:TAB鍵合

答案:FC焊接

集成電路芯片封裝的工序一般可分為（）。

A:前道工序B:第二工序C:第一工序D:后道工序

答案:前道工序;后道工序

第三章測試

軸向噴灑涂膠工藝的缺點為成品易受到水氣侵襲。（）

A:對B:錯

答案:對

碳化硅是半導(dǎo)體，因此它不能作為陶瓷封裝的材料。（）

A:錯B:對

答案:錯

陶瓷封裝工藝首要的步驟是漿料的制備，漿料成分包含了無機材料和（）。

A:有機材料B:玻璃粉末C:塑料顆粒D:陶瓷粉末

答案:有機材料

金屬封裝所使用的的材料除了可達(dá)到良好的密封性之外，還可提供良好的熱傳導(dǎo)及（）。

A:電屏蔽B:保護(hù)C:抗腐蝕D:支撐

答案:電屏蔽

降低密封腔體內(nèi)部水分的主要途徑有以下幾種（）。

A:采取合理的預(yù)烘工藝B:避免烘烤后管殼重新接觸室內(nèi)大氣環(huán)境C:抽真空工藝D:盡量降低保護(hù)氣體的濕度

答案:采取合理的預(yù)烘工藝;避免烘烤后管殼重新接觸室內(nèi)大氣環(huán)境;盡量降低保護(hù)氣體的濕度

第四章測試

雙列直插封裝的引腳數(shù)可達(dá)1000以上。（）

A:對B:錯

答案:錯

球柵陣列封裝形式的芯片無法返修。（）

A:對B:錯

答案:錯

以下封裝方式中，具有工業(yè)自動化程度高、工藝簡單、容易實現(xiàn)量產(chǎn)的封裝形式為（）。

A:塑料單列直插式封裝B:塑料雙列直插式封裝C:陶瓷熔封雙列直插式封裝D:多層陶瓷雙列直插式封裝

答案:塑料雙列直插式封裝

載帶球柵陣列封裝所用的焊球，其成分為（）。

A:90%Pb-10%SnB:35%Sn-65%PbC:65%Sn-35%PbD:10%Sn-90Pb

答案:90%Pb-10%Sn

陶瓷熔封雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)簡單，其三個基本零部件為（）。

A:封裝蓋板B:陶瓷框架C:鍵合引線D:粘接底座

答案:封裝蓋板;鍵合引線;粘接底座

第五章測試

凸點無法通過電鍍的方法獲得。（）

A:錯B:對

答案:錯

MicroBGA和QFN形成引出端的通用方法是蝕刻法。（）

A:錯B:對

答案:對

以下封裝方式擁有最高封裝密度的是（）。

A:倒裝焊B:引線鍵合C:熱壓鍵合D:載帶自動焊

答案:倒裝焊

芯片尺寸封裝的封裝面積與裸芯片面積的比例為（）。

A:1:1B:1.1:1C:1.2:1D:1.3:1

答案:1.1:1

多芯片組件封裝的基板材料可以為（）。

A:金屬B:陶瓷C:高分子材料D:玻璃

答案:金屬;陶瓷;高分子材料

第六章測試

制造性能主要包括螺旋流動長度、滲透和填充、凝膠時間、聚合速率、熱硬化以及后固化時間和溫度。（）

A:對B:錯

答案:對

封裝材料的化學(xué)性能包括反應(yīng)化學(xué)元素或涉及化學(xué)反應(yīng)的性能，包括離子雜質(zhì)、離子擴散和易燃性。（）

A:錯B:對

答案:對

潮氣滲透可用以下哪種方法測定（）。

A:吸收因子B:隔離池C:稱重池D:膨脹系數(shù)

答案:稱重池

材料的體積、面積或長度隨溫度的變化而變化，這是材料的（）。

A:熱應(yīng)變系數(shù)B:熱膨脹系數(shù)C:熱應(yīng)力系數(shù)D:熱失配系數(shù)

答案:熱膨脹系數(shù)

液態(tài)聚合物樹脂轉(zhuǎn)變?yōu)槟z并最終變硬的過程是材料的（）。

A:后固化B:固化C:變硬D:凝結(jié)

答案:固化;變硬

第七章測試

四邊扁平封裝最容易引發(fā)爆米花效應(yīng)。（）

A:對B:錯

答案:對

集成電路芯片的失效可發(fā)生在芯片的任何部位。（）

A:錯B:對

答案:對

下列封裝形式，最容易發(fā)生底座偏移的為（）。

A:雙列直插式封裝B:單列直插式封裝C:球柵陣列封裝D:薄型小尺寸封裝

答案:薄型小尺寸封裝

引起芯片翹曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。

A:過小B:消失C:不平衡D:過大

答案:不平衡

芯片發(fā)生失效的機理包括（）。

A:疲勞B:磨損C:過壓力D:過應(yīng)力

答案:磨損;過應(yīng)力

第八章測試

在微電子器件的失效分析中，盡量不使用破壞性失效分析技術(shù)。（）

A:錯B:對

答案:錯

阻抗和連接性都屬于電學(xué)測試的內(nèi)容。（）

A:錯B:對

答案:對

要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。

A:透射電子顯微鏡B:原子力顯微鏡C:掃描電子顯微鏡D:光學(xué)顯微鏡

答案:掃描電子顯微鏡

以下電子產(chǎn)品的測試方法，屬于破壞性測試的為（）。

A:紅外光譜分析B:X射線檢測C:選擇性剝層D:透射電鏡掃描

答案:選擇性剝層

集成電路的電學(xué)測試包括功能測試和參數(shù)測試，以下屬于電學(xué)測試的為（）。

A:電流B:電壓C:阻抗D:電場強度

答案:電流;電壓;阻抗;電場強度

第九章測試

產(chǎn)品鑒定用于評價電子封裝的原型。（）

A:錯B:對

答案:對

早期失效主要由電子產(chǎn)品制造和組裝過程中的缺陷和瑕疵造成。（）

A:錯B:對

答案:對

溫度循環(huán)試驗是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化，溫度變化的速率是（）。

A:固定的B:可變的C:快速的D:與溫度沒有關(guān)系

答案:可變的

壽命周期載荷可分為工作載荷和（）。

A:性能載荷B:應(yīng)力載荷C:環(huán)境載荷D:溫度載荷

答案:環(huán)境載荷

鑒定加速試驗中，溫度相關(guān)的試驗包括（）。

A:溫度循環(huán)試驗B:功率溫度組合循環(huán)試驗C:恒溫試驗D:熱沖擊試驗

答案:溫度循環(huán)試驗;功率溫度組合循環(huán)試驗;熱沖擊試驗

第十章測試

生物集成電路芯片是一種新型的電子技術(shù)。（）

A:對B:錯

答案:對

OLED又被稱為有機發(fā)光半導(dǎo)體。（）

A:錯B:對

答案:對

MEMS是以下哪種名詞的英文簡稱（）。

A:微機電系統(tǒng)B:無源元件C:傳感器D:射頻器件

答案:微機電系統(tǒng)

以下哪種材料具有生物相容性，能夠應(yīng)用于生物MEMS和生物電子封裝（）。

A:聚合物B:玻璃C:陶瓷D:金屬

答案:聚合物

以下哪些技術(shù)反映了當(dāng)代電子產(chǎn)品未來的發(fā)展方向（）。

A:生物芯片B:光電子學(xué)C:納米技術(shù)D:納米電子學(xué)

答案:生物芯片;光電子學(xué);納米技術(shù);納米電子學(xué)

第十一章測試

按照膜厚的經(jīng)典分類，認(rèn)為小于1μm的為薄膜，大于1μm的為厚膜。（）

A:錯B:對

答案:對

印刷是厚膜漿料在基板上成膜的基本技術(shù)之一，厚膜中最常用的印刷是絲網(wǎng)印刷。（）

A:對B:錯

答案:對

典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行，以下不屬于物理氣相淀積工藝