100道填空題及參考答案

100100道填空題參考答案〔*號(hào)的不作要求〕一、數(shù)制和碼制1、十進(jìn)制數(shù)254.75的二進(jìn)制編碼1111111.11，十六進(jìn)制編碼7F.C2、將〔459〕10(0111100011003

編成〔010*********〕8421BCD,3、以下數(shù)中，哪個(gè)數(shù)最大B〔A、B、C、D〕。A111B、八進(jìn)制110C、十進(jìn)制101D10048進(jìn)制數(shù)B〔A、B、C、D〕。A、128B、120C、912D、1A25、[N]補(bǔ)=10100101，則其[N]原=11011001。5-13100010002421C。A．01010101B.10000101C.10111011D.11101011、在計(jì)算機(jī)中進(jìn)展加減運(yùn)算時(shí)常承受D。AASCIIB原碼C反碼D補(bǔ)碼、二進(jìn)制小數(shù)-0.0110的補(bǔ)碼表示為1.1010。、0的原碼有2形式，反碼有2形式，補(bǔ)碼有1形式。二、門電路6、CMOS電路不用的輸入端不能〔能、不能〕懸空。7、CMOS“與非”門用的多余輸入端的處理方法有：A。A、接規(guī)律“1”B、接規(guī)律“0”C、懸空8、CMOSTTL門電路的功耗小(大、小)。9、TTLCMOS門電路速度高〔高、低〕。10、與一般門電路不同，OC門在工作時(shí)需要外接上拉電阻和電源。11、OC門的輸出端相連可以實(shí)現(xiàn)線與。12、有兩個(gè)TTL與非門，它們的關(guān)門電平分別為VoffA=1.1V,VOFFB=0.9V；開門電平分別為VonA=1.3V,VonB=1.7V。它們輸出的凹凸電平均一樣，A〔A、B〕門的抗干擾力量強(qiáng)。13、一片與非門芯片具有三個(gè)三輸入端與非門，該芯片引腳數(shù)至14〔14、16、18、20〕。14、三態(tài)門除了具有高電平和低電平兩種狀態(tài)外，還有第三種狀態(tài)叫高阻狀態(tài)。15、三極管作為開關(guān)器件“非門”時(shí)，不能工作在放大狀態(tài)。三極管非門輸入低電尋常，三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)。1621〔0，1〕；2輸入端或非門當(dāng)作非門使用時(shí)，則另一輸入端接0〔0，1〕。17、74LS00TTL〔TTLCMOS〕。18、TTL門電路主要外部特性參數(shù)有標(biāo)稱電平、開門電平、關(guān)門電平延時(shí)、功耗、扇入系數(shù)、噪聲容限等等。*19、NMOS門電路如圖19所示，輸入變量為A、B，輸出函數(shù)L=。1920、一片芯片具有四個(gè)兩輸入端或非門，該芯片引腳數(shù)至少有14〔14、16、18、20〕。21、74LS0074HC0074LS00芯片速度更快。2222、上圖中，Y1=L,Y2=L?！睭=高電平、L=低電平〕、某集成電路芯片，查手冊(cè)知其最大輸出低電平VOLmax=0.1V，最大輸入低電平VILmax=1.5V，最小輸出高電平VOHmax=4.9V，最小輸入高電平VIHmax=3.5V，則其低電平噪聲容限VNL=BA2.0VB1.4VC1.6VD1.2V、以下真值表完成的規(guī)律函數(shù)為C。A、F=ABB、F=A-BC、F=A⊕BD、F=A+B23-2、X⊕0⊕1⊕1⊕1⊕0=。23-3AF=相等的是B。)(A11⊕=AF)(BAF=2⊙1)(C13?=AF)(D04+=AF三、規(guī)律函數(shù)化簡(jiǎn)和冒險(xiǎn)24A、B、C，最小項(xiàng)m0=1，m1=0，m2=0。25、x⊕0⊕1⊕0⊕1=x?！瞂是一位二進(jìn)制數(shù)〕26、由函數(shù)F=AB+AB+ADC構(gòu)成的規(guī)律電路無(wú)〔有，無(wú)〕險(xiǎn)象。27、規(guī)律函數(shù)FAECDEAC=++構(gòu)成的規(guī)律電路，〔有、無(wú)〕無(wú)規(guī)律冒險(xiǎn)。28、說(shuō)法“一個(gè)沒有冒險(xiǎn)現(xiàn)象的規(guī)律表達(dá)式是最簡(jiǎn)規(guī)律表達(dá)式”錯(cuò)誤?！舱_、錯(cuò)誤〕29、說(shuō)法“用卡諾圖簡(jiǎn)化規(guī)律函數(shù)時(shí)，從沒有多種入圈方式的 1開頭畫卡諾圈，這樣將不會(huì)產(chǎn)生多余圈”正確。〔正確、錯(cuò)誤〕30、說(shuō)法“卡諾圈中1的個(gè)數(shù)應(yīng)當(dāng)為2的整數(shù)倍，如2、4、6…1”錯(cuò)誤?！舱_、錯(cuò)誤〕31、規(guī)律函數(shù)的表達(dá)方法有表達(dá)式、電路圖、真值表等。32、競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)是由于門電路延時(shí)產(chǎn)生的。四、組合規(guī)律電路33、常用MSI組合規(guī)律電路有編碼器、譯碼器、數(shù)據(jù)選擇器數(shù)值比較器、全加器等。34、說(shuō)法“組合規(guī)律電路的輸出只和即時(shí)輸入有關(guān)，與過去的輸入和輸出無(wú)關(guān)”正確?！舱_、錯(cuò)誤〕35、與門、或門和非門是組合規(guī)律電路的根本單元。36、奇校驗(yàn)器只能檢測(cè)奇次〔奇次、偶次〕數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤。37、數(shù)據(jù)選擇器的功能是C〔A、B、C、D〕。A、從兩路輸入信號(hào)中選一路輸出。B、把一路信號(hào)分時(shí)從幾路輸出。C、從多路輸入信號(hào)中選一路輸出。D、依據(jù)掌握信號(hào)，打算是輸出輸入信號(hào)，還是輸出處于高阻狀態(tài)。38、數(shù)據(jù)比較器如下圖，假設(shè)引腳234分別接“100”；9、11、14、1“1001”；10、12、13、15“1001”567001。39、超前進(jìn)位加法器與串行進(jìn)位加法器相比，速度更快。五、時(shí)序電路40、觸發(fā)器是時(shí)序規(guī)律電路的根本單元。41、就總體而言，主從觸發(fā)器在CP的一個(gè)變化周期中，它的狀態(tài)轉(zhuǎn)變了1次，抑制了空翻現(xiàn)象。42、C〔A、B、C、D〕抑制了空翻現(xiàn)象。AJKBJK〔JK〕CJK觸發(fā)器DRS43、與主從觸發(fā)器相比，邊沿觸發(fā)器抗干擾性能更好。44、觸發(fā)器按構(gòu)造可分為根本觸發(fā)器、鐘控觸發(fā)器、主從觸發(fā)器、邊沿觸發(fā)器等。45RS觸發(fā)器、JK觸發(fā)器、D觸發(fā)器、T46、JK觸發(fā)器的狀態(tài)由Qn=0轉(zhuǎn)換到Qn+1=1,J和K端正確而又完整的掌握狀態(tài)是A〔A、B、C、D〕。A、1XB、0XC、X1D、X0(X479個(gè)狀態(tài)，該電路需要4個(gè)觸發(fā)器。48、要設(shè)計(jì)一個(gè)14進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器，該電路至少需要4個(gè)觸發(fā)器。49、時(shí)序電路的規(guī)律功能可以用特征方程、驅(qū)動(dòng)方程、狀態(tài)圖、狀態(tài)表、時(shí)序圖等方程描述。50、請(qǐng)列舉兩種常用集成時(shí)序規(guī)律部件計(jì)數(shù)器、存放器。51100進(jìn)制計(jì)數(shù)器。52、狀態(tài)編碼時(shí)，狀態(tài)表中消滅次數(shù)最多的次態(tài)應(yīng)安排規(guī)律0〔0、1〕。53、異步時(shí)序電路中，觸發(fā)器狀態(tài)的變化不是〔是、不是〕同時(shí)發(fā)生的。54、下面哪種說(shuō)法正確B〔A、B、C〕。AJKJK主從觸發(fā)器，輸出狀態(tài)一樣。B、同樣的輸入，對(duì)于JK邊沿觸發(fā)器與JK主從觸發(fā)器，輸出狀態(tài)未必一樣。C、同樣的輸入，對(duì)于JK邊沿觸發(fā)器與JK主從觸發(fā)器，輸出狀態(tài)確定不同。55、圖示電路是〔同步時(shí)序電路，異步時(shí)序電路〕異步時(shí)序電路。56、某同步時(shí)序電路，狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如下圖，其功能5二進(jìn)制加法同步計(jì)數(shù)器。57、某自動(dòng)飲料售賣機(jī)連續(xù)投入兩個(gè)一元硬幣時(shí)，給出一瓶飲料，給飲料掌握信號(hào)應(yīng)當(dāng)用時(shí)序規(guī)律電路〔組合規(guī)律電路、時(shí)序規(guī)律電路〕產(chǎn)生。58、某密碼箱當(dāng)連續(xù)按兩次“1”鍵，再按一次“2”鍵時(shí)，密碼箱翻開，密碼箱開啟掌握信號(hào)應(yīng)當(dāng)用時(shí)序規(guī)律電路〔組合規(guī)律電路、時(shí)序規(guī)律電路〕產(chǎn)生。59、某同步時(shí)序電路，狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如下圖，其功能111、IIN/OUT60A〔A、B、C、D〕。A、依題意畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，列狀態(tài)表，簡(jiǎn)化狀態(tài)表，狀態(tài)編碼，畫鼓勵(lì)和輸出卡諾圖，得到鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式，依據(jù)鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式畫電路圖。B、依題意畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，列狀態(tài)表，狀態(tài)編碼，簡(jiǎn)化狀態(tài)表，畫鼓勵(lì)和輸出卡諾圖，得到鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式，依據(jù)鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式畫電路圖。C、依題意畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，進(jìn)展?fàn)顟B(tài)編碼，畫電路圖，得到鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式。D、依題意畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，簡(jiǎn)化狀態(tài)圖，得到鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式，進(jìn)行狀態(tài)編碼，畫電路圖。nnQQ=+1BD。)(A)(B、某移位存放器的時(shí)鐘脈沖頻率為100KHZ，欲將存放在該存放器中的數(shù)左移8B時(shí)間。A.10μSB.80μSC.100μSD.800ms六、其他*61N、平均延遲時(shí)間為tpd，下面環(huán)形多諧振蕩器的振蕩周期為。CPQCPQCPQ0CP62、555定時(shí)器可構(gòu)成施密特觸發(fā)器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、多諧振蕩器等電路。*63、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的暫穩(wěn)態(tài)維持時(shí)間與觸發(fā)脈沖的寬度和幅度〔有、無(wú)關(guān)〕。*64、施密特觸發(fā)器與雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的區(qū)分為施密特觸發(fā)器是靠觸發(fā)，適用于慢變化的信號(hào)，而雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器是觸發(fā)，不適合于慢變的信號(hào)。65、規(guī)律功能可由用戶依據(jù)自己的需要來(lái)設(shè)計(jì)并通過編程實(shí)現(xiàn)的器件是PLD?！步M合規(guī)律器件、時(shí)序規(guī)律器件、A/D、D/A、PLD〕*66、要保證采樣后的信號(hào)能反映原來(lái)的模擬信號(hào)，假設(shè)A/D轉(zhuǎn)換1MHz，取樣頻率的下限是。67、8位ADC輸入滿量程為10V，當(dāng)輸入5V電壓值，數(shù)字輸出1000000068、A/D轉(zhuǎn)換要經(jīng)過采樣、保持、量化、編碼等步驟。69、用ROM實(shí)現(xiàn)的規(guī)律函數(shù)如上圖右所示，寫出規(guī)律函數(shù)〔不用簡(jiǎn)化〕。。70、動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元〔DRAM〕是利用電容存儲(chǔ)信息的,為不DRAM71、假設(shè)要某共陰極數(shù)碼管顯示數(shù)字“3”，則abcdefg〔0000000~1111111〕72、假設(shè)要某共陽(yáng)極數(shù)碼管顯示數(shù)字“3”，則abcdefg1111001〔0000000~1111111〕73、依據(jù)寫入的方式不同，只讀存儲(chǔ)器 ROM分為MROM，PROM，EPROM，E2PROM74、某存儲(chǔ)器有10條地址線和8條數(shù)據(jù)線，該儲(chǔ)存器的容量是21075、雙蹤示波器可以C〔A、B、C、D〕。A、能觀測(cè)兩路信號(hào)的電壓，只能顯示一路信號(hào)的波形。B、能觀測(cè)一路信號(hào)的電壓，顯示兩路信號(hào)的波形。C、能觀測(cè)兩路信號(hào)的電壓，顯示兩路信號(hào)的波形。D、能觀測(cè)兩路信號(hào)的電流，顯示兩路信號(hào)的波形。76、要測(cè)量12K的電阻阻值，應(yīng)把量程打到C〔A、B、C、D〕。A、1KB、10K檔C、20KD、1M77、74LS00芯片應(yīng)用時(shí)，電源引腳應(yīng)接A〔A、B、C、D〕。A、5VB、10VC、12VD、220V78、做數(shù)字電路試驗(yàn)時(shí)，C〔A、B、C、D〕。A、開電源時(shí)：先開試驗(yàn)箱的電源，再開芯片工作電源〔如+5V〕；關(guān)電源時(shí)：先關(guān)試驗(yàn)箱的電源，再關(guān)芯片工作電源〔如+5V〕。B、開電源時(shí)：先開芯片工作電源〔如+5V〕，再開試驗(yàn)箱的電源；關(guān)電源時(shí)：先關(guān)試驗(yàn)箱的電源，再關(guān)芯片工作電源〔如+5V〕。C、開電源時(shí)：先開試驗(yàn)箱的電源，再開芯片工作電源〔如+5V〕；關(guān)電源時(shí)：先關(guān)芯片工作電源〔如+5V〕，再關(guān)試驗(yàn)箱的電源。D、開電源時(shí)：先開芯片工作電源〔如+5V〕，再開試驗(yàn)箱的電源；關(guān)電源時(shí)：先關(guān)芯片工作電源〔如+5V〕，再關(guān)試驗(yàn)箱的電源。79、推斷門電路芯片引腳號(hào)，D〔A、B、C、D〕。A1腳的引腳就是1腳。B1腳的引腳就是1腳。C1腳的引腳就是1腳。D1腳的引腳就是1腳。80、EEPROMROM。81、A/D表示模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)功能。82、數(shù)字電路的開發(fā)步驟是：B〔A、B、C、D〕。A、購(gòu)置元器件，再進(jìn)展仿真試驗(yàn)，然后制作印刷電路板，最終把器件焊接到電路板上，進(jìn)展調(diào)試。B、進(jìn)展仿真試驗(yàn)，再購(gòu)置元器件，然后制作印刷電路板，最終把器件焊接到電路板上，進(jìn)展調(diào)試。C、制作印刷電路板，再購(gòu)置元器件，然后進(jìn)展仿真試驗(yàn)，最終把器件焊接到電路板上，進(jìn)展調(diào)試。D、制作印刷電路板，再購(gòu)置元器件，然后把器件焊接到電路板上，進(jìn)展調(diào)試。最終進(jìn)展仿真試驗(yàn)。83EWB元件不能模擬發(fā)光，發(fā)聲元件不能模擬發(fā)出聲音”，這種說(shuō)法錯(cuò)〔對(duì)、錯(cuò)〕。84、“對(duì)于EWB仿真試驗(yàn)，數(shù)字規(guī)律器件引腳號(hào)和真實(shí)器件引腳號(hào)不相對(duì)應(yīng)”，這種說(shuō)法錯(cuò)〔對(duì)、錯(cuò)〕。85、數(shù)字規(guī)律課程主要內(nèi)容有規(guī)律函數(shù)簡(jiǎn)化、組合規(guī)律電路的分析與設(shè)計(jì)、時(shí)序規(guī)律電路分析與設(shè)計(jì)、常用中大規(guī)模集成電路與應(yīng)用。86、RAMDRAMSRAM87、存儲(chǔ)器必需有掌握線、地址線和數(shù)據(jù)線。88、EWB仿真時(shí)，通過修改元件屬性可以轉(zhuǎn)變?cè)怠?9、用示波器觀看1K的矩形波信號(hào)，“掃描時(shí)間/分度”旋紐應(yīng)當(dāng)打到D使得波形清楚可辨，且便于讀出信號(hào)周期。A、5ms/分度B、0.05ms/分度C、50ms/分度D、0.5ms/分度90、存儲(chǔ)器CY7C128A-15的容量2118位。屬于RAM。〔RAM、ROM〕91、試驗(yàn)時(shí)，TTL芯片發(fā)燙，不行能的緣由是D。A、插反芯片B、電源使用12VC、電源與地短路D4V92、試驗(yàn)用信號(hào)發(fā)生器可產(chǎn)生正弦波、鋸齒波、矩形波。93、萬(wàn)用表可測(cè)量電壓、電流、電阻等電路參數(shù)。94、用與非門實(shí)現(xiàn)規(guī)律函數(shù)F=AB+CD，規(guī)