內(nèi)存型號(hào)說(shuō)明

Samsung具體含義解釋主要含義：24，DRAM。第3SSDRAMHDDRGSGRAM、TDDR2DRAM、DGDDR1〔顯存顆粒〕。4、5128Mbit；56、55、57、5A256Mbit51512Mbit的容量。位數(shù)據(jù)；64648位——為一個(gè)數(shù)字，表示內(nèi)存的物理Bank，即顆粒的數(shù)據(jù)位寬，有3和48Banks。對(duì)于內(nèi)存而言，數(shù)據(jù)寬度×芯片數(shù)量＝64128，12bank。例256M32×416：4×16=64，bank；256M16M×168：16×8=128，bankbank組打算。內(nèi)存芯片常見(jiàn)的數(shù)據(jù)寬度有4、8、16這三種，芯片組對(duì)于不同的數(shù)據(jù)256M128M常使用。Q：SSTL-1.8V〔1.8V，1.8V〕。DDR2.5V，DDR21.8V的空間。10M2nd-7thABCEF比較老，有些是由于容量、封裝技術(shù)要求而不得不這樣做的。1112FBGA〔Leaded-Free〕。目前看到最多的是TSOPFBGAFBGA流〔mBGA〕DDR2FBGA像667、80013，“C”CommercialTemp.(0°C~85°C)&NormalPower，1.8V；“L”表~85°C)&LowPower，是低電壓版，適合超頻，的發(fā)燒友超頻帶來(lái)危急。14、15606ns；707ns；7B7.5ns(CL=3)；7C7.5ns(CL=2)808ns1010ns(66MHz)DDR2400MHz，800MHz，1066MHzDDR2“CC”DDR2-40〔200MHz@CL=3、tRP=3〕、“D5”DDR2-533〔266MHz@CL=4、tRCD=4、tRP=4〕、“E6”DDR2-667〔333MHz@CL=5、tRCD=5、tRP=5〕、“E7”表示DDR2-800〔400MHz@CL=5、tRCD=5、tRP=5〕OEM的領(lǐng)域，因而在此就不介紹了。容量計(jì)算18SAMSUNGK4H280838B-TCB04、5“28”128Mbits6、7“08”代表該顆8兆數(shù)位×16/8bits=256MB〔兆字節(jié)〕。8ECC88ECC648ECCECC1816189ECC2Hynix(Hyundai)現(xiàn)代現(xiàn)代內(nèi)存的含義：HY5DV641622AT-36HYXXXXXXXXXXXXXXXX123456789101112、HY2、內(nèi)存芯片類(lèi)型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V416=16Mbits4KRef64=64Mbits8KRef65=64Mbits257=256Mbits、8KRef5801632481632位6、BANK1、2、3248Bank2、I/O：1:SSTL_3、2:SSTL_28A、B、C、D9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=一般芯片TG=16mmTSOP-Ⅱ、:300NHZ、LDR200、HDR266B、KDR266A億恒〕億恒簡(jiǎn)介InfineonInfineon128MbitsInfineon4Bank少，區(qū)分也是最簡(jiǎn)潔的。容量標(biāo)示4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160128MB/16bits；HYB39S256800256MB/8bits。作速率。133MHz；。例如：16InfineonHYB39S128400-7.5生產(chǎn)。其容量計(jì)算為：128Mbits〔兆數(shù)位〕×16/8=256MB〔兆字節(jié)〕。InfineonHYB39S128800-7.5產(chǎn)。其容量計(jì)算為：128Mbits〔兆數(shù)位〕×8片/8=128MB〔兆字節(jié)〕。4KINGMAX內(nèi)存的說(shuō)明簡(jiǎn)介KingmaxTinyBGA〔Tinyballgridarray〕。并且該封裝模128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來(lái)。容量備注KSVA44T4A0A——64Mbits，16M4KSV884T4A0A——64Mbits，8M848KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空間×16作速率：-7A——PC133/CL=2；-7——PC133/CL=3；-8A——PC100/CL=2；-8——PC100/CL=3。16KSV884T4A0A-7A的內(nèi)存顆粒制造，其容64Mbits〔兆數(shù)位〕×16/8=128MB〔兆字節(jié)〕。5Micron〔美光〕含義：48SDRAM；46DDR。5V；V2.5V。地址A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。TG——封裝方式，TGTSOP-75133MHz；-65150MHz。18MT46V32M4-75ECCBank32M×4bit×16片/8=256MB〔兆字節(jié)〕。華邦〕含義說(shuō)明：〔Winbond〕內(nèi)存芯片的前綴。B表示產(chǎn)品類(lèi)型。98SDRAM94DDRSDRAMC字段表示內(nèi)存芯片的容量。16代表16Mbit〔2MB〕32代表32Mbit〔4MB〕64內(nèi)存條的總?cè)萘?，只需將?nèi)存芯片的容量乘上內(nèi)存芯片的數(shù)量即可。D字段表示內(nèi)存構(gòu)造。08＊816G6＊1632G232。E表示內(nèi)存芯片的修正版本。A1B2C3D4F表示內(nèi)存芯片的封裝方式。B60ballsBGA、90ballsBGA或144-BallLFBGAD100-PinLQFPH50-Pin400milTSOP66-Pin400milTSOP86-Pin400milTSOPG表示內(nèi)存芯片的速度標(biāo)識(shí)。對(duì)于SDRAM：-5200MHz〔CL=3〕-6166MHz〔CL=3〕-7143MHz〔CL=3〕PC133〔CL=2〕-75PC133DDRSDRAMDDR400〔CL=2.5〕-5H200MHz〔CL=3〕-55183MHz〔