單片機原理與控制技術(shù)試題及答案

《單片機原理與把握技術(shù)》試題姓名 成績分數(shù)得分評卷人一、填空題〔130分〕總線是用于傳送信息的公共；數(shù)據(jù)總線DB;地址總線AB;把握總線CB;1665536(64K)字節(jié)的存儲單元。堆棧操作無論是存入或取出數(shù)據(jù)，必需遵循先進后出”和“后進先出的原則。80C51的存儲器可以分為三個不同的存儲空間，分別是64KB程序存儲器ROM64;KB外RAM(外部數(shù)據(jù)存儲器);256;B內(nèi)RAM;〔包括特別功能存放器〕內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器。80C51內(nèi)RAM可以分成三個物理空間，分別是工作存放器區(qū)00H-1FH;位尋址區(qū)20H-2FH;數(shù)據(jù)緩沖區(qū)30H-7FH。80C51單片機復位的條件是使RST2個機器周期以上的高電平。復位后：PC=0000H;SP=07H;P0-P3=FFH。80C51進入待機狀態(tài)的方法是PCON中IDL1退出待機狀態(tài)的方法是中斷懇求被響應或復位。機器周期是80C51單片機工作的根本定時單位，簡稱機周。一個機器周期含有12個時鐘12MHz1μS。均需先寫入“1”用作輸出時，P0口應外接上拉電阻。CPU不執(zhí)行訪問外RAM指令〔MOVX〕時,ALE1/6的固定頻率輸出。80C51I/O口從外RAM存儲空間擴展，從理論上講，最多可擴展64000個。數(shù)據(jù)指針DPTR16位的特別存放器，由8位存放器DPH、DPL組成。得分評卷人二、多項選擇題〔220分〕屬于RAM特性的是〔A,E,F 〕；屬于ROM特性的是〔B,C,D 〕。ABCDEFGHI讀存放器某一單元必需具備的條件有〔A,B,D 〕J“高阻”態(tài)；KLM當PSW=10H時，R6的字節(jié)地址為〔C 〕。N06H;O0EH;P、16H;Q1EH.80C51存放當前指令地址的存放器是〔C〕RSTUV80C51指令按指令長度分類有〔A,B,C 〕。W、1字節(jié)指X、令；Y2字節(jié)指ZAA3字節(jié)指BBCC4字節(jié)指DD80C51指令按指令分類執(zhí)行時間分類有〔A,B,D 〕。EE1機周指FFGG2機周指HHII3機周指JJKK4機周指LL80C51匯編語言指令格式中的非必需項有〔A,C,D 〕。MM、標NNPPQQ以下指令中劃線局部操作數(shù)屬于存放器尋址方式的有〔B,C,D 〕。RR、MOV 30H, Acc SS、MOV 30H, C ;30H,R0;UUMULAB;以下指令中可能轉(zhuǎn)變Cy的有〔A,B VV、DA AWW、INC XX、CPL A;;;YY、RLC A以下指令中〔ZZ、PUSHAAAPOP;A,E〕是合法指令，〔B ;@R1;B,C,D〕是非法指令。BBBPOPDDDSWAPA ;Acc ;A ;得分評卷人三、連線題〔510分〕按性能對以下ROM對應畫線。MaskROM 由用戶一次性寫入，寫入后，不能更改。OTPROM 由用戶寫入，電可擦除，可反復屢次使用，價格低廉。EPROM 有生產(chǎn)廠商寫入，用戶不能擦寫，不能更改。EEPROM 由用戶寫入，紫外線擦除，可反復屢次使用。FlashROM 由用戶寫入，電可擦除，可反復屢次使用，價格較高。按把握作用對以下引腳對應畫線。ALE 外ROM讀選通信號。PSEN 外RAM讀選通信號。EA 低八位地址鎖存信號。WR 內(nèi)外ROM選擇信號。RD RAM寫選通信號。得分評卷人四、編程題〔2040分〕請按以下要求傳送數(shù)據(jù)：[設(shè)內(nèi)RAM(20H)=ABH, 外RAM〔4000H〕=CDH, ROM(4000H)=EFH]內(nèi)RAM20H單元數(shù)據(jù)送外RAM20H單元；內(nèi)RAM20H單元數(shù)據(jù)送外RAM2023H單元；外RAM4000H單元數(shù)據(jù)送內(nèi)RAM20H單元；外RAM4000H單元數(shù)據(jù)送外RAM1000H單元；ROM4000H單元數(shù)據(jù)送外RAM20H單元；按以下要求編程。R7內(nèi)容送R6中；RAM50H單元內(nèi)容送內(nèi)RAM50H單元；RAM1000H單元內(nèi)容送外RAM2023H單元；ROM1000H單元內(nèi)容送外RAM8000H單元；A4位與B4位互換；30H31H數(shù)據(jù)相加，和〔<256〕32H;《單片機原理與把握技術(shù)》試題答案及評分標準〔僅供參考〕一、填空題〔120分〕公共；數(shù)據(jù)總線DB;地址總線AB;把握總線CB;65536(64K);“先進后出”和“后進先出”棧頂；64；ROM;64;RAN;256;RAM;工作存放器；00H-1FH;位尋址；20H-2FH;數(shù)據(jù)緩沖；30H-7FH;RST;2個機器周期以上的高電平；0000H;07H;FFH;PCONIDL1；中斷懇求被響應或復位；根本定時；12；1；“外接上拉電阻；不執(zhí)行訪問外RAM指令〔MOVX〕;1/6;RAM;64000;16;8位存放器DPH、DPL;二、多項選擇題〔240分〕12345678910A,E,FB,C,DA,B,DCCA,B,CA,B,DA,C,DB,C,DA,BA,EB,C,D三、連線題〔416分〕按性能對以下ROM對應畫線。MaskROM 由用戶一次性寫入，寫入后，不能更改。OTPROM 由用戶寫入，電可擦除，可反復屢次使用，價格低廉。EPROM 有生產(chǎn)廠商寫入，用戶不能擦寫，不能更改。EEPROM 由用戶寫入，紫外線擦除，可反復屢次使用。FlashROM 由用戶寫入，電可擦除，可反復屢次使用，價格較高。按把握作用對以下引腳對應畫線。ALE 外ROM讀選通信