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PN結(jié)及其單向?qū)щ娦砸?、PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片的兩端,分別摻入三價元素硼和五價元素磷,使其形成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體,在它們的交界處就形成了PN結(jié)。P型半導(dǎo)體(P區(qū))N型半導(dǎo)體(N區(qū))++++++++++++++++----------------空穴自由電子負(fù)離子自由電子空穴正離子++++++++++++++++----------------多子:擴(kuò)散運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)(耗盡層)在半導(dǎo)體中由于濃度差別,多數(shù)載流子從濃度高向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散,也就是P區(qū)的空穴往N區(qū)擴(kuò)散,N區(qū)的電子往P區(qū)擴(kuò)散。在擴(kuò)散時,大部分的自由電子和空穴相遇產(chǎn)生復(fù)合運(yùn)動,使得自由電子和空穴成對消失。一、PN結(jié)的形成++++++++++++++++----------------P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)(耗盡層)擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬?!麅?nèi)電場由于空間電荷區(qū)一側(cè)帶正電一側(cè)帶負(fù)電,從而形成內(nèi)電場,內(nèi)電場的方向從N區(qū)指向P區(qū)。隨著擴(kuò)散運(yùn)動的進(jìn)行,使得空間電荷區(qū)逐漸變寬,內(nèi)電場進(jìn)一步增強(qiáng)。內(nèi)電場會阻礙多子的擴(kuò)散運(yùn)動,而使得少子的漂移運(yùn)動。一、PN結(jié)的形成++++++++++++++++----------------少子:漂移運(yùn)動漂移運(yùn)動P區(qū)N區(qū)內(nèi)電場越強(qiáng),就使漂移運(yùn)動越強(qiáng),而漂移使空間電荷區(qū)變窄←內(nèi)電場空間電荷區(qū)(耗盡層)少數(shù)載流子在內(nèi)電場作用下的運(yùn)動稱為漂移運(yùn)動。內(nèi)電場作用下,P區(qū)的少數(shù)載流子電子向N區(qū)運(yùn)動,填補(bǔ)了交界面附近缺失的電子;N區(qū)的少數(shù)載流子空穴向P區(qū)運(yùn)動,填補(bǔ)缺失的空穴;這樣漂移運(yùn)動會使得空間電荷區(qū)變窄。一、PN結(jié)的形成++++++++++++++++----------------P區(qū)N區(qū)←內(nèi)電場空間電荷區(qū)(耗盡層)擴(kuò)散運(yùn)動使得空間電荷區(qū)變寬,漂移運(yùn)動使得空間電荷區(qū)變窄;當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動與漂移運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡時,空間電荷區(qū)的寬度保持不變。就把這個空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。一、PN結(jié)的形成PN結(jié)正偏時,PN結(jié)變窄,電流大,PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)正偏PN結(jié)P區(qū)接電源正極(+),N區(qū)接電源負(fù)極(-),稱PN結(jié)外加正向電壓,或稱PN結(jié)正向偏置,簡稱為正偏。外電場方向與內(nèi)電場方向相反內(nèi)電場被削弱,空間電荷區(qū)變窄多子的擴(kuò)散運(yùn)動加強(qiáng)少子的漂移運(yùn)動受抑制形成較大的擴(kuò)散電流(正向電流)PN結(jié)反偏時,PN結(jié)變寬,電流很小,PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。PN結(jié)P區(qū)接電源負(fù)極(-),N區(qū)接電源正極(+),稱PN結(jié)外加反向電壓,或稱PN結(jié)反向偏置,簡稱為反偏。外電場方向與內(nèi)電場方向相同內(nèi)電場被增強(qiáng),空間電荷區(qū)變寬多子的擴(kuò)散運(yùn)動受抑制少子的漂移運(yùn)動加強(qiáng)但少子有限,形成較小的反向二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)反偏PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)++++++++++++++++-------------
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