浙江宇芯集成電路有限公司6吋高可靠集成電路生產(chǎn)基地建設(shè)項目環(huán)境影響報告

1 9 13 31 33—1—2108-330791-04-01-3改建擴建技術(shù)改造不予批準后再次申報項目超五年重新審核項目重大變動重新報批項目2108-330791-04-01-34況4.生態(tài)專項評價：本項目不涉及取水口下游500米—2—2、與《金華市區(qū)呂塘單元、秋濱單元（ZX30.31）控制性詳細規(guī)劃環(huán)境影響滿足相關(guān)行業(yè)標準要求，所在區(qū)域環(huán)境質(zhì)量良好，項目建設(shè)可以滿足環(huán)境標對周圍環(huán)境影響在可接受范圍內(nèi)，不會導致評價區(qū)域的環(huán)境功能的改變。本3、與《金華市區(qū)呂塘單元、秋濱單元（ZX30.31）控制性詳細規(guī)劃環(huán)境根據(jù)規(guī)劃環(huán)評審查意見（金環(huán)函[2021]10號），本項目位于開發(fā)區(qū)產(chǎn)業(yè)集聚類重點管控單元內(nèi)，建設(shè)滿足區(qū)域準入要求及相關(guān)規(guī)劃要求，廢氣治理采用高效治理措施；廠區(qū)建設(shè)嚴格執(zhí)行雨污分流制度，廢水納管排放；固體—3—應(yīng)當符合生態(tài)保護紅線、環(huán)境質(zhì)量底線、資源利用上線和生態(tài)環(huán)境準入清單管控的要求；排放污染物應(yīng)當符合國家、省規(guī)定的污染物排放標準和重點污染物排放總量控制要求。建設(shè)項目還應(yīng)當符合國土空間規(guī)劃、國家和省產(chǎn)業(yè)方案>的通知》（金環(huán)發(fā)[2020]39號）以及《金華市“三線一單”生態(tài)環(huán)境分區(qū)管控方案》文本，屬于金華市金華開發(fā)區(qū)工業(yè)重點管控區(qū)，編號：境質(zhì)量均可符合環(huán)境質(zhì)量功能區(qū)劃要求；項目實施后要求完善企業(yè)環(huán)境風險管控應(yīng)急措施，建立常態(tài)化隱患排查整治監(jiān)管機制；項目所需各類能源資源將市區(qū)生態(tài)功能極重要、生態(tài)環(huán)境極敏感的區(qū)域，禁止開發(fā)區(qū)域，以及其他因此，項目建設(shè)可以滿足生態(tài)保護紅線、環(huán)境質(zhì)量底線、資源利用上線2、國家、省規(guī)定的污染物排放標準符合性分析：項目產(chǎn)生的污染物經(jīng)有效治理后，能夠做到達標排放。廢水納管能達到中特別排放限值、《惡臭污染物排放標準》(GB14554-93)二級新改擴建限值等標準要求；廠界噪聲滿足《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標準》（GB12348-存和填埋污染控制標準》（GB18599-2020），危險廢貯存污染控制標準》(GB18597-2001)及其修改單要求。綜上所述，項目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的污染物經(jīng)有效措施治理后，均可實現(xiàn)達標排放。根據(jù)《關(guān)于印發(fā)<建設(shè)項目主要污染物排放總量指標審核及管理暫行辦控制污染物為CODCr、NH3-N、NOX和VOCs，項目污染物經(jīng)區(qū)域替代削減后本項目位于金華經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)南二環(huán)西路2688號二號廠房一樓，廠房—4—備等均未列入限制和淘汰類目錄內(nèi)。本項目已經(jīng)取得出具金華經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會經(jīng)濟發(fā)展局的備案通知書，建設(shè)符合國家及省、市的相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策—5—建設(shè)內(nèi)容件等產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的企業(yè)。經(jīng)充分市場調(diào)查科技協(xié)同創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園及環(huán)宇企業(yè)集團總部中心項目合作協(xié)），1表2-2利用租用的空置廠房設(shè)置生產(chǎn)車間，布置氧化/擴散、光刻、刻蝕、注率70%）、冷卻水系統(tǒng)供應(yīng)工藝用水，并已考慮今后擴能發(fā)展預留用生化”工藝處理達標后納管排放；生活廢水經(jīng)沼氣凈化池處理后納管排—6—業(yè)提供資料，并按照項目設(shè)計、項目安評等相關(guān)資料校核本項目系租用金華經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)南二環(huán)西路2688生產(chǎn)用房（根據(jù)《金華環(huán)宇科技協(xié)同創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園及環(huán)宇開發(fā)區(qū)管委會與建設(shè)單位簽訂的投資協(xié)議，由國有廠房—7—工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析根據(jù)企業(yè)提供資料，本項目為6吋集成電路晶圓芯目主要的工藝包括硅片清洗、熱氧化、擴散、光刻、刻蝕、離子注入、體工藝，這些工段均會反復交叉進行復雜處理，所需處理步驟根據(jù)產(chǎn)品需求硅片成品清洗熱氧化光刻檢測薄膜淀積刻蝕清洗熱氧化光刻檢測薄膜淀積刻蝕擴散離子注入離子注入現(xiàn)分別對項目集成電路芯片制造的主要工藝流程—8—與項目有關(guān)的原有環(huán)境污染問題—9—區(qū)域環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀），—10—環(huán)境保護目標污染物排放控制標準項目外排廢水滿足《電子工業(yè)水污染物排放標準》（GB39731-2020）中間接排放限秋濱污水處理廠尾水COD、氨氮、總氮、總磷執(zhí)行《城鎮(zhèn)污水處理廠主要水污染物排放標準》（DB33/2169-2018）的規(guī)定，其余指標執(zhí)行《城鎮(zhèn)污水處理廠污染物排放標準》1pH234CODCr5678891pH——2——3BOD5——4CODcr——5——≤2（4）①6——≤12（15）①7——8———11—9————②金華秋濱污水處理廠尾水無氟化物控制要氨//表3.3-4廠NMHCmg/m36mg/m3項目營運期廠界噪聲排放執(zhí)行《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標準》（GB123B18599-2020）；危險廢物暫存執(zhí)行《危險廢物貯存污染控制標準》(GB18597-2001)及其—12—總量控制指標NH3-N（t/a）VOCs（t/a）—13—根據(jù)《污染源源強核算技術(shù)指南準則》(HJ884-2018)、《排污許可證申請與核發(fā)技術(shù)規(guī)范電子工業(yè)》(HJ1031-2019）等相關(guān)規(guī)定/薄膜等淋是/VOCs)濕法刻蝕（堿蝕）氨淋是等附是（熱排）////////////注：①項目涉及的丙二醇甲醚醋酸酯、二甲基亞砜、異丙醇、乙醇、丙酮、乙二醇、醋酸等VOCs廢氣在源強核算分析時均以非甲烷總烴表征，這類②項目各污染物廢氣產(chǎn)生時間規(guī)律見表4.2-4—14—運營期環(huán)境影響和保護蝕）、注入/薄膜等N29.041888氨N29.041864/N29.041891/N29.041868///—15—項目廢氣種類包括有機清洗廢氣（G1）、酸堿清洗廢氣（酸膠廢氣（G7）、注入薄膜廢氣（G8）。具體源強產(chǎn)生情況分（2）酸堿清洗廢氣（酸霧和堿霧G2）氯化氫以及未完全反應(yīng)的三氟甲烷等物質(zhì)，產(chǎn)生量為氟化硅175.392kg/a、氯化硅—16—項目濕法刻蝕主要分兩大類，即酸蝕和堿蝕。酸蝕溶液主要1231—17—），噴淋洗滌吸收法、活性炭吸附法”均屬于電子工業(yè)廢氣治理可行技術(shù)。根據(jù)上述廢氣處理綜合排放標準》（GB16297-1996）新污染源二級標準要求、《惡臭污染物排放標準》組織排放，預計廠區(qū)內(nèi)廠房外VOCs排放可滿足《揮發(fā)性有機物無組織排放控制標準》（GB37822-2019）中特別排放限值要求，廠區(qū)外亦可滿足《大氣污染物綜合排放標準》非正常工況一般包括開停車、檢修、環(huán)保設(shè)施不達1—18—11111氨11—19—類法藝術(shù)化是/a2///水////////////////////////////統(tǒng)////活//h/aNH3-N2/生活廢水NH3-N物N29.039727—20——21—2.1廢水源強分析根據(jù)工程分析，本項目主要產(chǎn)生的廢水包括工藝清洗廢水（W1+W2）、地面清洗水（W3）、噴淋廢水（W4）、制純水濃水（W5）、循環(huán)水排水（W6）以及員工生活廢水水污染物濃度預計為CODcr1000mg/L、氨氮20mg/L，則廢水污染物產(chǎn)生量為CODcr經(jīng)轉(zhuǎn)化折算，最終噴淋廢水中污染物產(chǎn)生量約為CODcr2.815t/a、氨氮0.020t/a、硫酸鹽—22—根據(jù)上述生產(chǎn)廢水源強分析，生產(chǎn)廢水產(chǎn)生總量約為32736t/a，污染物標納管，納管濃度執(zhí)行《電子工業(yè)水污染物排放標準》（GB39731-2020）中間接排放限水中污染物濃度平均CODCr350mg/L，NH3-N35mg/L計算，其污染物產(chǎn)生量約為CODCr標準》（GB39731-2020）中間接排放限值（半導體器件）要求納入工業(yè)區(qū)污水管網(wǎng)，進入金華市秋濱污水處理廠處理達標（CODCr40mg/L，NH3-N22.2廢水納管可行性分析特別是生產(chǎn)廢水，建議采用管廊架空方式輸送；確因—23—溝內(nèi)不得敷設(shè)與雨水收集無關(guān)的管網(wǎng)，嚴防嚴禁污水混入雨水企業(yè)后期擴產(chǎn)發(fā)展使用。參照《排污許可證申請與核發(fā)技術(shù)規(guī)范電子工業(yè)》(HJ金華市秋濱污水處理廠目前設(shè)計總處理規(guī)模為32萬3.1項目噪聲源強及達標符合性分析），源/套h/a法114—24—3.2噪聲例行監(jiān)測計劃—25—期環(huán)境影響和保護序號稱節(jié)期性1洗2等34T5T67射//8//9理理T裝5—26—裝//備2//活////—27—），行。項目危險廢物的收集和轉(zhuǎn)運過程應(yīng)根據(jù)按照《危險廢物收集貯存運輸技術(shù)規(guī)范》—28—5.1污染物類型和污染途徑托盤等應(yīng)急措施，泄漏的各類物質(zhì)能及時有效收集，因此本項目不會出現(xiàn)地面漫為了保護地下水和土壤環(huán)境，建設(shè)單位可參照《石油化工工程防滲技術(shù)規(guī)范》5.2分區(qū)防控要求入地下。按照《環(huán)境影響評價技術(shù)導則地下水環(huán)境》（HJ610-2016）中分區(qū)防控措施要 /—29——30—），放口監(jiān)控及應(yīng)急切斷設(shè)施，并要求做好初期雨水池、應(yīng)急事故水池的聯(lián)動控制要求。123456—31—/污染源996）新污染源二級標準/集，加強設(shè)備維護管污染源無組織監(jiān)控要標準》(GB14554-93)織排放控制標準》境等定期對設(shè)備進行檢查維修，使設(shè)備正常運無///收集后出售給相關(guān)單位綜合利用。一般固廢—32—危險廢物收集后必須委托有相應(yīng)危廢處置資質(zhì)的單位點防滲區(qū)域進行防滲處理，結(jié)合《石油化工防滲工程技術(shù)規(guī)范》（GB/T50934-2013（1）企業(yè)設(shè)置專業(yè)的環(huán)保管理機構(gòu)，配備環(huán)保管理人員，建立環(huán)保管理制度，加強（2）企業(yè)應(yīng)定期向社會公開企業(yè)環(huán)保管理內(nèi)容，包括污染物排放達標情況、環(huán)保管（3）企業(yè)應(yīng)按照《環(huán)境保護圖形標志排放口(源)》(GB15562.1)規(guī)定，在廠區(qū)設(shè)置規(guī)（4）企業(yè)項目應(yīng)嚴格按照本環(huán)評內(nèi)容和要