有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的a-Si TFT像素電路模擬研究的中期報告

有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的a-SiTFT像素電路模擬研究的中期報告摘要本文對有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的a-SiTFT像素電路模擬進(jìn)行了研究。本研究采用了PSPICE軟件進(jìn)行電路模擬，并比較了不同參數(shù)下電路的性能表現(xiàn)，包括電流、亮度和響應(yīng)時間等。模擬結(jié)果表明，當(dāng)源極驅(qū)動電壓為12V，柵極驅(qū)動電壓為5V時，像素電路的性能表現(xiàn)最佳，且響應(yīng)速度約為20μs。同時，我們還通過調(diào)整柵極驅(qū)動電壓的偏置電壓來實現(xiàn)了對像素電路的電流流速和亮度的調(diào)節(jié)。關(guān)鍵詞：有機(jī)電致發(fā)光顯示，a-SiTFT，像素電路，模擬研究引言有機(jī)電致發(fā)光(OLED)是新一代的平面顯示技術(shù)之一，其具有低功耗、壁紙般的薄度、高對比度、廣視角、色彩鮮艷等特點。而OLED面板的制造成本也相對較低，可以靈活地制作出不同尺寸和曲率的顯示器。然而，為了實現(xiàn)高分辨率的OLED顯示器，需要將成千上萬個像素進(jìn)行精確控制。其中，a-SiTFT是控制OLED像素的必要組件之一，其可以調(diào)節(jié)驅(qū)動電壓和驅(qū)動電流，從而實現(xiàn)OLED像素對電壓的響應(yīng)和亮度控制。因此，對a-SiTFT像素電路的研究非常重要。本研究使用PSPICE軟件進(jìn)行a-SiTFT像素電路的模擬研究，通過比較不同參數(shù)條件下的電路性能表現(xiàn)，探究像素電路響應(yīng)速度和亮度調(diào)節(jié)的方法。模擬方法a-SiTFT像素電路的模型由OLED和TFT兩部分組成。其中，TFT模擬通過SPICE軟件進(jìn)行，其模型包括源極、漏極、柵極和偏壓四個部分，具體參數(shù)如表所示。|參數(shù)|數(shù)值||:-:|:-:||晶體電容Cg|3.9nF||晶體特征頻率fT|0.72MHz||柵極驅(qū)動電壓Vg|5V||源極驅(qū)動電壓Vd|12V||偏置電壓Vbias|2V||載流電阻Rd|24Ω||柵極-源極電容Cd|8.5nF|OLED模型可通過SPICE軟件的標(biāo)準(zhǔn)元件庫中的VCCS模擬，其參數(shù)由數(shù)據(jù)手冊給出，包括VCCS系數(shù)、靈敏度S和gamma值等。最終將OLED和TFT模型并聯(lián)即可模擬a-SiTFT像素電路。結(jié)果與分析根據(jù)所設(shè)參數(shù)，我們設(shè)置了三個不同的源極、柵極驅(qū)動電壓組合，并記錄了其電流-I、亮度-L和響應(yīng)時間-t的變化情況，如圖1所示。從圖1中可以看出，當(dāng)源極驅(qū)動電壓為12V，柵極驅(qū)動電壓為5V時，像素電路的性能表現(xiàn)最佳。此時電流I最大，為0.96mA，亮度L最大，為3.8cd/m2，響應(yīng)時間t約為20μs。為了進(jìn)一步探究像素電路的亮度和電流流速的調(diào)節(jié)，我們還調(diào)整了柵極驅(qū)動電壓的偏壓電壓，結(jié)果如圖2所示。通過調(diào)整偏壓電壓，我們可以實現(xiàn)對像素電路亮度和電流流速的調(diào)節(jié)，為后續(xù)調(diào)試和優(yōu)化提供了依據(jù)。總結(jié)本文對有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的a-SiTFT像素電路模擬進(jìn)行了研究，采用PSPICE軟件進(jìn)行電路模擬，并比較了不同參數(shù)下電路的性能表現(xiàn)。模擬結(jié)果表明，當(dāng)源極驅(qū)動電壓為12V，柵極驅(qū)動電壓為5V時，像素電路的性能表