2024年通信電子計算機技能考試-平板顯示技術歷年考試高頻考點試題附帶答案

2024年通信電子計算機技能考試-平板顯示技術歷年考試高頻考點試題附帶答案（圖片大小可自由調整）第1卷一.參考題庫(共25題)1.簡述干法刻蝕的物理作用和化學作用。2.簡述氧化物薄膜晶體管驅動OLED的優(yōu)勢，以及當前的研究熱點？3.簡述真空掩膜蒸鍍技術實現(xiàn)紅綠藍像素并置全彩色方案的工藝流程。4.試畫出9次光刻的多晶硅薄膜晶體管的等效電路圖。5.簡述低溫多晶硅薄膜晶體管組成的CMOS驅動電路的優(yōu)點。6.簡述扭曲效應顯示器件和超扭曲向列液晶顯示器工作原理的差異。為什么采用超扭曲向列效應的液晶顯示板能增大液晶顯示屏的行數(shù)？7.請畫出常白型TN液晶顯示器的顯示原理圖，并簡述顯示原理。8.簡述TFT制作中的各種薄膜采用的成膜方法。9.描述MVA技術如何實現(xiàn)的廣視角？10.簡述2T1C驅動原理及面臨的問題。11.簡述單像素雙疇FFS模式的實現(xiàn)的原理。12.LED主要制作工藝是怎樣的？13.簡述提高IGZOTFT性能的方法。14.簡述柔性顯示面臨的技術瓶頸。15.簡述LED背光源的優(yōu)勢。16.簡述F?rster能量轉移和Dexter能量轉移的差別。17.簡述無源矩陣驅動的原理。18.舉例說明多疇模式的作用？19.簡述MVA技術的顯示原理。20.源漏電極很多工廠采用的復層材料Mo/Al/Mo，試分析上下層Mo的作用。21.簡述有機發(fā)光二極管限制發(fā)光效率的因素以及提高效率的辦法。22.激光顯示技術的發(fā)展前景將會如何？23.LED背光源采用的是白光LED，還是RGB三基色LED，哪種更有優(yōu)勢？24.試根據(jù)5次光刻的工藝流程繪制等效電路。25.哪種模塊工藝更適合制作精細線路？為什么？第2卷一.參考題庫(共25題)1.簡述漏光產(chǎn)生的原因。2.簡述銀點膠和邊框膠的作用。3.不同種類的液晶材料是不是都能應用到顯示中？在各種類型的顯示中，液晶材料是不是可以互換？請舉一個例子分析為什么？4.簡述PI膜的形成過程。5.簡述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶體管的工藝流程技術關鍵。6.簡述彩膜的基本結構及各部分的作用。7.簡述液晶材料的物理性質對顯示性能的影響。8.什么是多點觸控技術？簡述多點觸控技術的特點。9.非晶硅半導體有什么特點？非晶硅是哪種半導體？10.為什么說PVA技術有降低亮點的可能性？還有那些技術可以降低亮點呢？11.主導TFT器件工作的半導體現(xiàn)象是什么？它的物理意義和主要影響參數(shù)？為提高TFT器件在液晶顯示器中的開關作用，從半導體的角度應該提高什么，降低什么？12.簡述晶體與非晶材料在導電上的差別？13.簡述疊層存儲電容的組成及等效電路。14.簡述MOSFET與薄膜晶體管工作原理上的不同。15.簡述非晶硅薄膜晶體管的工作原理。16.簡述小分子OLED與高分子PLED的優(yōu)缺點。17.簡述彩膜的工藝流程。18.簡述PVA技術和MVA技術的主要不同。19.描述彩色光的3個基本參量是什么？各是什么含義？20.彩色電視傳送色差信號比直接傳送基色信號有什么優(yōu)越性？21.簡述陣列工藝的基本工藝流程。22.簡述能量轉移再復合發(fā)光的優(yōu)點。23.簡述電流復制型和電流鏡電路的驅動原理。24.簡述存儲電容的作用。25.簡述PE和RIE設備的不同點。第3卷一.參考題庫(共25題)1.試分析如何減少絕緣膜的針孔及工業(yè)上采用的方法。2.描述采用ODF工藝的制屏工藝流程。3.為什么ODF工藝更適合5代線以上的生產(chǎn)線？4.OLED如何實現(xiàn)彩色顯示？5.簡述TN型液晶顯示器的顯示原理。6.簡述OLED產(chǎn)業(yè)化的面臨的問題？你認為有什么解決辦法？7.熒光粉厚度對顯示性能的影響是什么？8.簡述背溝道刻蝕型結構的優(yōu)缺點。9.簡述FFS技術中電極和電場的特點。10.簡述液晶顯示器殘像產(chǎn)生的原因。11.簡述液晶顯示器的分類及英文縮寫。12.簡述有機發(fā)光顯示的特點。13.畫出陣列基板單元像素的平面圖形及等效電路，簡述其結構。14.簡述激光光閥顯示的結構及顯示原理。15.簡述微晶硅薄膜晶體管中非晶硅薄膜上面有一層金屬薄膜Mo的作用，以及工藝中需要采用的特殊技術？16.簡述AMOLED驅動的最關鍵的TFT性能要求。17.試分析在背溝道阻擋結構的第二次光刻中，采用了背曝光為什么還要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行嗎？18.簡述PDP多灰度級顯示的實現(xiàn)方法。19.簡述電容式觸摸屏的優(yōu)點。20.簡述背溝道阻擋結構的優(yōu)缺點。21.用對比的方法描述ODF與傳統(tǒng)液晶注入方式主要的差別。22.簡述ACF的作用。23.簡述有機材料和無機半導體材料的相同點和不同點。24.以ITO陽極-空穴傳輸層-發(fā)光層-電子傳輸層-金屬陰極結構OLED為例說明每一功能層的作用，并簡述其工作原理。25.簡述液晶顯示器亮度決定因素有哪些？并計算分析實際亮度能達到多少？第1卷參考答案一.參考題庫1.參考答案:物理作用的刻蝕類似于濺射成膜的原理，利用惰性氣體的輝光放電產(chǎn)生帶正電的離子，在電場作用下加速吸引到下電極上面的基板上，轟擊刻蝕薄膜的表面，將薄膜原子轟擊出來的過程。常用的惰性氣體有氦氣（He）、氬氣（Ar）等。作用過程完全利用物理上能量的轉移進行的，具有很強的刻蝕方向性，可以獲得高的各向異性刻蝕斷面，線寬控制非常好。 化學作用的刻蝕是一種純粹的化學反應，利用各種源如射頻、微波等，將氣體電離產(chǎn)生化學活性極強的原子團、分子團等，擴散到刻蝕薄膜的表面與薄膜發(fā)生化學反應，生產(chǎn)易揮發(fā)的反應生成物，由真空泵抽離真空反應室。由于只有化學反應發(fā)生稱之為化學反應刻蝕，類似于濕法刻蝕。只是反應物和生成物都是氣態(tài)的，且由反應物的等離子體決定刻蝕速率。2.參考答案:優(yōu)點是載流子遷移率為10cm2/Vs左右，閾值電壓的變化與LTPS相當，可以采用濺射方法制作，不受基板尺寸限制，對現(xiàn)在的TFTLCD生產(chǎn)線不需要較大改動。 研究熱點在于：1）由于載流子有氧空位，制造過程和工作狀態(tài)下易受到影響，TFT特性穩(wěn)定性和工藝重復性差，成為量產(chǎn)前急需解決的一個關鍵技術難題。通過在成膜后施加熱處理，有望改善； 2）在相同體系中其他半導體材料的研發(fā)，減少貴金屬材料的使用，降低材料成本； 3）更為便宜的制造工藝的研發(fā)，如涂布和噴印技術。3.參考答案:1）在真空下，利用掩模板遮擋的方法，將相鄰的三個像素中遮擋兩個像素，在另一個像素上蒸鍍紅、藍、綠其中一種發(fā)光層； 2）利用高精度的對位系統(tǒng)移動遮擋的掩模板，再繼續(xù)蒸鍍下一像素。掩膜板常采用金屬材料制成。4.參考答案:5.參考答案:組成的CMOS驅動電路的優(yōu)點： 1）利用自對準工藝，寄生電容降到最低，響應速度很快； 2）較高的遷移率以及溝道長度的微細化，有利于進一步提高響應速度； 3）在周邊驅動的CMOS電路中，利用p-SiTFT高開態(tài)電流和高遷移率特性，不受關態(tài)泄漏電流的影響，使得p-Si?TFT非常適合制作周邊驅動電路； 4）溝道長度微細化后，TFT尺寸縮小，周邊驅動電路的面積縮小，非常適合高精度、高清晰的顯示； 5）在考慮漏極的耐壓極限后，常規(guī)的p-SiTFT的溝道長度設計為4μm。采用LDD結構后，耐壓能力提高，溝道長度可以設計到1.5～2μm。6.參考答案:7.參考答案:常白模式液晶顯示器的上下兩個偏振片透光的光軸垂直，內部液晶分子從上到下剛好扭曲90°。不外加電壓時，液晶顯示器為透光狀態(tài)，為亮態(tài)；加上外界電場后，隨電場的增加透過的光強逐漸減小，最后透光率趨近于零，為暗態(tài)，可以實現(xiàn)在白色背景上顯示黑色圖案。 8.參考答案:柵電極、源漏電極的金屬材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoNx、Mo/Al/Mo等采用濺射；像素電極ITO透明氧化物材料采用濺射；柵極絕緣膜SiNx、SiOx采用PECVD；半導體層a-Si：H、歐姆接觸層n+a-Si材料采用PECVD；保護膜（鈍化膜）SiNx材料采用PECVD。9.參考答案:V字形直條三角棱狀的凸起物把每個子像素分成了四個疇，上下基板交錯排列。在方位Ⅱ處觀察，開態(tài)和關態(tài)，看到的都是接近液晶分子長軸的投影，顯示中灰階；在方位Ⅰ和Ⅲ處觀察，關態(tài)在屏幕的投影是短軸方向，顯示黑色；開態(tài)在屏幕投影是液晶分子長軸方向，顯示白色。因此，方位Ⅱ和Ⅲ處能同時看到高灰階和低灰階，混色后正好是中灰階。10.參考答案:驅動原理： 1）當掃描線掃描到某一行，掃描線給開關TFT的柵極加電壓，T1管導通； 2）信號線送入數(shù)據(jù)信號電壓，經(jīng)由T1管給驅動TFT柵極加電壓，T2管導通； 3）信號電壓同時給存儲電容充電，把信號存儲在存儲電容中； 4）信號電壓控制T2管導通后，電源線施加一個恒定的電壓，T2管工作在飽和區(qū)，像素處于點亮狀態(tài)。 面臨的問題：1）驅動管閾值電壓和遷移率的不均勻； 2）電源線阻抗的影響。11.參考答案:雙疇的FFS結構中，共用電極線在中間，把像素電極分成上下兩部分。條形電極的方向不同，分別與信號線成一定的角度。表面取向層的摩擦方向，平行信號線方向。不加電壓下，液晶分子沿摩擦方向排列。加電壓后，正性液晶分子平行電場方向排列。像素電極上部分的液晶分子順時針旋轉，像素電極下部分的液晶分子逆時針旋轉。兩個方向旋轉的液晶分子形成了兩個不同的疇。12.參考答案:13.參考答案:1）改善非晶金屬氧化物IGZO沉積條件、控制退火溫度和存放環(huán)境等； 2）改善柵極絕緣層和非晶金屬氧化物IGZO形成的界面。柵極絕緣層表面粗糙度越低，表面的缺陷態(tài)越少，成膜的質量越高，TFT的性能越好； 3）提高非晶金屬氧化物IGZO鈍化層性質。14.參考答案:面臨的技術瓶頸主要有： 1）性能差； 2）壽命低； 3）生產(chǎn)設備不成熟； 4）相關高科技技術還未匹配。15.參考答案:1）更輕薄； 2）光衰期長； 3）效率高，耗電少； 4）色域廣； 5）環(huán)保。16.參考答案:不同點：1）F?rster能量轉移由于依靠電荷的庫侖作用，能在較遠的距離內實現(xiàn)，一般可以達到幾納米。Dexter能量轉移由于需要電子云的交疊，只能在緊鄰的分子之間才能完成，分子間最大間距最多只能到幾埃； 2）F?rster能量轉移是一個分子上的電子與空穴的激子復合，受到自旋方向的限制，只有單重激發(fā)態(tài)激子能發(fā)生F?rster能量轉移；Dexter能量轉移由于電子云的交疊，電子或空穴可以在分子間遷移，三重激發(fā)態(tài)激子由于自旋禁戒不容易與基態(tài)復合，可以發(fā)生Dexter能量轉移。17.參考答案:當某一行要發(fā)光的像素加電壓，其他行接地；當某一列像素加負電壓，其他列接地，交叉處OLED就可以發(fā)光。18.參考答案:多疇垂直排列技術通常采用取向層掩膜摩擦、光控取向或利用凸起物襯底等方法，在每個像素上形成多個液晶分子取向方向不同的疇，進而改善液晶由于單疇造成的各向異性過強，顯示視角特性差的缺點。19.參考答案:不加電壓下，液晶分子在液晶屏內并不是全部垂直基板排列。在垂直取向的作用下，一部分垂直基板排列，一部分垂直于凸起物排列，在交界處液晶分子會偏向某一個角度；上下偏振片光軸垂直，從一個偏振片通過的偏振光，穿過液晶層，到另一個偏振片后與光軸垂直，不透光呈黑態(tài)。 當加電壓后，n型液晶分子在電場下要垂直電場排列，但由于垂直取向的作用，使得液晶分子在液晶屏內傾斜排列，并趨向于水平。光可以通過各層，由于雙折射產(chǎn)生干涉，透光呈白態(tài)。在視覺觀察下，MVA技術上下基板交錯的三角棱狀的凸起物，共同作用下兩個疇的液晶分子排列更加整齊有序，利用這種不同指向的液晶分子長軸方向來實現(xiàn)光學補償。20.參考答案:1）下層Mo的作用：Al直接與a-Si接觸很容易向a-Si擴散使漏電流增大，影響TFT的關態(tài)特性，所以在Al層下面要增加一層Mo。 2）上層Mo的作用：Al容易產(chǎn)生小丘，表面粗超度不好，且Al與上面層ITO直接接觸，容易還原ITO材料，降低ITO的電阻率，引起接觸不良，因此要在Al的上面增加一層Mo。21.參考答案:限制發(fā)光效率的因素：1）單重激發(fā)態(tài)的自旋方向與基態(tài)相同，從單重激發(fā)態(tài)回到基態(tài)復合容易，壽命短。三重激發(fā)態(tài)的自旋方向與基態(tài)相反，向基態(tài)的躍遷屬于自旋禁戒的，只能衰減，壽命較長。單重激發(fā)態(tài)的激子躍遷發(fā)射熒光更容易； 2）處于激發(fā)態(tài)的激子也可以通過其他非輻射復合的方式釋放能量，如內轉換、外轉換、系間跨越等，顯然降低了有機發(fā)光的效率； 3）在電致激發(fā)中，單重激發(fā)態(tài)的激子只有25%，理論上發(fā)射熒光的最大量子效率為25％。實際上，由于存在各種非輻射衰減，OLED熒光外量子效率一般都遠遠低于25％。 提高OLED發(fā)光效率的方法：1）改善器件的結構和制備技術； 2）優(yōu)化電極材料、發(fā)光材料、載流子傳輸材料； 3）選擇能級匹配的材料； 4）研究三重激發(fā)態(tài)磷光的利用率。22.參考答案:激光顯示技術將成為未來高端顯示的主流。在公共信息大屏幕、激光電視、數(shù)碼影院、手機投影顯示、便攜式投影顯示、大屏幕指揮及個性化頭盔顯示系統(tǒng)等領域具有很大的發(fā)展空間和廣闊的市場應用前景。在超大屏幕顯示上展現(xiàn)更逼真、更絢麗的動態(tài)圖像，實現(xiàn)其他顯示技術所不能達到的視覺震撼效果。23.參考答案:白色光LED背光源采用能發(fā)出白色光的LED光源代替原來的CCFL熒光管。結構與CCFL背光源基本一致，主要差別是CCFL是線光源，而LED是點光源。優(yōu)點是：結構簡單、亮度可動態(tài)調節(jié)、容易實現(xiàn)區(qū)域控制、對比度很高。由于白光LED不涉及背光源的調光，在電路結構方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺點是：在色彩顯示特性方面上不如RGB-LED電視，一般只能達到NTSC色域的70%左右。 RGB-LED背光源的優(yōu)點是： 1）高色彩表現(xiàn)力。采用RGB三原色獨立發(fā)光器件，能實現(xiàn)廣色域； 2）高動態(tài)對比度。RGB-LED電視可以支持背光區(qū)域調光技術，亮度調節(jié)更容易實現(xiàn)，對比度能夠達到千萬：1級，提高了電視的圖像質量。RGB-LED背光源的缺點是：成本高；需要單獨的調光電路和更好的散熱結構；結構復雜，難以做到輕薄化。 從性能上比RGB三基色LED更有優(yōu)勢，從成本上比白光LED更有優(yōu)勢。24.參考答案:1）第一次光刻柵線，工藝流程是：濺射前清洗→AlNd/Mo濺射→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→濕法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠→O/S檢查。 2）第二次光刻有源島，工藝流程是：成膜前清洗→3層CVD（SiNx，a-Si：H，n+a-Si）→3層后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→干法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 3）第三次光刻源漏電極，工藝流程是：濺射前清洗→MoAlMo濺射→MoAlMo后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→MoAlMo濕刻→刻蝕后檢查→n+切斷PE刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 4）第四次鈍化層及過孔，工藝流程是：P-SiN前清洗→P-SiNCVD→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→P-SiN?PE干法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 5）第五次像素電極，工藝流程是：濺射前清洗→ITO濺射→ITO后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→ITO濕刻→刻蝕后檢查→去膠→退火→陣列終檢→激光修復。 25.參考答案:COF工藝更適合制作精細線路。COF工藝與傳統(tǒng)的窄帶驅動IC自動邦定的TAB工藝非常相似。由于TAB工藝要制作懸空引線，在目前線間距非常細、高引線密度的情況下，這種極細的懸空引線由于強度不夠很容易變形甚至折斷。COF工藝沒有這方面的問題，可以將線寬及間距做到非常精細，可以做到35μm的線距。第2卷參考答案一.參考題庫1.參考答案:漏光是黑色顯示時有不同程度的光透過的現(xiàn)象。常黑模式TN型液晶顯示器不加電壓下為黑態(tài)。入射的線偏振光，在扭曲的液晶分子作用下產(chǎn)生雙折射，導致通過液晶層的偏振光的光程差△n?d不同，引起不同程度的漏光，無法得到全黑色。2.參考答案:邊框膠是為了使TFT基板和CF基板緊密粘合。銀點膠用于連接TFT基板和CF基板的共用電極（COM電極），使CF基板上的ITO電極導通。3.參考答案:各種類型的液晶材料基本都用于開發(fā)液晶顯示器。如向列相液晶顯示器、聚合物分散液晶顯示器、雙（多）穩(wěn)態(tài)液晶顯示器、鐵電液晶顯示器和反鐵電液晶顯示器等。在多種液晶顯示器中，開發(fā)最成功、市場占有量最大、發(fā)展最快的是向列相液晶顯示器。 不可以互換。因為顯示原理不一樣，結構和參數(shù)設計都不一樣，所以不可以互換。4.參考答案:PI印刷后溶劑尚未揮發(fā)完全，PI的分子仍是聚酰亞胺酸。經(jīng)預固化均勻地揮發(fā)薄膜內的部分溶劑，聚酰亞胺酸轉變?yōu)榫埘啺繁∧?。?jīng)主固化完全轉變?yōu)榫埘啺繁∧ぁ?.參考答案:1）第一次光刻有源島； 2）第二次光刻柵極； 3）第三次光刻n-區(qū)和n+區(qū)摻雜； 4）第四次光刻p+區(qū)摻雜； 5）第五次光刻過孔及第六次光刻源漏電極； 6）第七次光刻金屬M3層和第八次光刻過孔 7）第九次光刻像素電極。 技術關鍵是第三次光刻采用SiNx等材料作為溝道保護層，而在頂柵結構中用柵極圖形自對準掩膜部分阻擋摻雜。首先利用涂膠曝光顯影后形成光刻膠的圖形。光刻膠的圖形覆蓋n溝道TFT的溝道區(qū)域和Los區(qū)、驅動部分p溝道TFT的有源島區(qū)域。用磷烷（PH3）通過離子摻雜（或離子注入）摻入磷P，除光刻膠覆蓋區(qū)域外形成了磷摻雜區(qū)域，摻雜濃度為1017~1018cm-3，為輕摻雜的電子導電的n-區(qū)。去膠后用柵極做掩膜，再進行磷摻雜。有源島的Los區(qū)域輕摻雜了磷，而有源島的源區(qū)和漏區(qū)第二次摻雜磷后，形成重摻雜區(qū)，摻雜濃度變?yōu)?020~1021cm-3。有源島形成了三種狀態(tài)，重摻雜的電子導電區(qū)n+區(qū)、部分輕摻雜的n-區(qū)和未摻雜的多晶硅溝道區(qū)。輕摻雜的n-區(qū)主要用于形成LDD結構的Los區(qū)。重摻雜的n+區(qū)主要用于作n溝道TFT的源區(qū)和漏區(qū)。6.參考答案:由玻璃基板、彩色層、黑矩陣、保護層、及ITO共用電極組成。玻璃基板為彩膜的載體。利用彩膜三基色混色原理來實現(xiàn)彩色顯示。黑矩陣有兩個作用：一是分割各種顏色層提高對比度，防止混色和像素間串色；二是起遮光的作用，遮擋TFT防止光照產(chǎn)生光生電流，引起薄膜晶體管關態(tài)電流增大的問題。保護層用來保護彩色層、增加表面的平滑性、作為黑矩陣與透明電極ITO層的絕緣層，以及隔離液晶和防止污染。ITO共用電極是液晶顯示器的一個電極，與陣列基板的像素電極構成正負極驅動液晶分子旋轉。7.參考答案:彈性常數(shù)和旋轉的粘度決定著液晶的響應時間和閾值電壓的主要因數(shù)；介電各向異性決定著液晶在電場下是p型還是n型的特性，大的介電常數(shù)可以降低閾值電壓；光學各向異性決定著液晶的光學性質；閾值電壓決定著在低功耗下的工作范圍。8.參考答案:多點觸屏是一種用戶可以通過多個手指同時對屏幕的應用控制輸入技術。特點是： 1）在同一屏幕上能夠實現(xiàn)多點或多用戶的操作，更加方便快捷； 2）用戶也可以進行單點觸摸，通過單雙擊、按壓、滾動等不同觸摸方式，實現(xiàn)隨心所欲的操控，方便對錄像、圖片、三維立體等信息進行全面的了解； 3）可以根據(jù)相應的要求來制定合適的觸控面板、觸控軟件、觸控系統(tǒng)等，也可以和專業(yè)圖形軟件配合使用。9.參考答案:非晶硅材料的特點： 1）非晶硅材料長程無序，短程有序； 2）配位數(shù)相同，非晶硅的鍵長和鍵角略有改變； 3）非晶硅中存在一些缺陷。 非晶硅是弱n型半導體。10.參考答案:PVA技術屬于常黑模式的液晶顯示器，不加電場下，屏幕為黑色。在生產(chǎn)制作中，如果有一個TFT壞點，也同樣不會產(chǎn)生“亮點”，大大降低了液晶顯示器面板出現(xiàn)“亮點”的可能性。 MVA技術、VA技術等。11.參考答案:TFT器件中主要的半導體現(xiàn)象是電導現(xiàn)象。 在電場的作用下載流子會定向地運動，導電能力由電導率決定。電導率反映半導體材料導電能力的物理量，又由載流子密度和遷移率來決定。非晶硅半導體材料沒有進行摻雜，載流子密度很低。因此，決定薄膜晶體管性質的主要參數(shù)是遷移率。 從半導體的角度應該提高遷移率，降低載流子濃度，或者降低暗電導率。12.參考答案:非晶硅材料的特點決定了非晶硅在載流子導電上與單晶硅不同。 1）非晶硅中費米能級通常是“釘扎”在帶隙中，不隨摻雜而變化，也基本上不隨溫度變化； 2）非晶硅的遷移率比單晶硅低2~3個數(shù)量級； 3）非晶硅在氫化后，禁帶寬度將隨著氫化程度的不同可在1.2~1.8eV之間變化，而單晶硅具有確定的禁帶寬度； 4）非晶硅存在擴展態(tài)、帶尾局域態(tài)、帶隙中的缺陷態(tài)，這些狀態(tài)中的電子都可能對導電有貢獻； 5）非晶硅的光吸收邊有很長的拖尾，而單晶硅的光吸收邊很陡。13.參考答案:存儲電容由兩個并聯(lián)的存儲電容相疊構成，一個存儲電容Cs1為源漏金屬M2和金屬層M3，中間夾著的SiNx介質層構成；另一個存儲電容Cs2由金屬層M3和像素電極ITO，中間夾著的第三介質層構成。液晶像素電容Clc由陣列基板的像素電極ITO和彩膜基板上的共用電極構成，中間夾著液晶材料構成。 14.參考答案:1）關態(tài)不同。TFT源和漏極處沒有形成pn結，關態(tài)電流是源漏之間的泄漏電流，主要是由非晶硅半導體的暗電導率引起的，關態(tài)電流大。而MOSFET的關態(tài)是pn結的零偏狀態(tài)或反偏狀態(tài)，關態(tài)電流小。 2）源極和漏極沒有正負之分。TFT源極和漏極，正常工作情況下沒有正負之分；而MOSFET為保證pn的反向偏置，有嚴格的源漏電極正負之分。 3）表面導電層狀態(tài)不同。當柵極加正壓達到一定程度時，TFT溝道積累電子形成n型導電溝道。源漏電極之間加上電壓，就會有電流在源漏電極之間流動。因此，TFT是n型半導體能形成n型導電溝道，是積累層導電而不是反型層導電。MOSFET是反型層導電，n型襯底形成了p型導電溝道。15.參考答案:當柵極上不加電壓或加負電壓時，在源到漏之間溝道沒有形成，TFT處于關態(tài)。當柵極施加正電壓到足夠大，在絕緣層與a-Si：H層的界面附近，非晶硅半導體一側感應出等量異號的負電荷形成電子的積累，形成導電溝道。當施加漏源加電壓時就會有電流從溝道流動。16.參考答案:高分子PLED具有制備簡單、成本低廉以及聚合物薄膜能夠彎曲等特點，壽命已可達幾萬小時。但高分子聚合物的純度不易提高，在亮度和彩色方面不及小分子OLED。小分子OLED工藝較成熟，良率高，率先走在新一代顯示的前列。17.參考答案:黑矩陣光刻→彩色層（R、G、B）分別光刻→形成保護層→形成ITO共用電極→檢查。18.參考答案:1）凸起物不同，MVA技術的上、下基板上間隔分布著三角棱狀的凸起物，經(jīng)垂直取向后，液晶分子在凸起物表面附近及上下基板表面上垂直取向。PVA技術直接改變了液晶顯示器單元像素結構，采用透明的ITO層代替MVA中的凸起物，具有更好的開口率、高的顯示亮度，最大限度減少背光源的浪費。 2）電極結構不同，MVA技術的下基板上形成像素電極，光刻出像素電極的形狀，而上基板的ITO電極是一個整面的結構，不需要光刻出圖形。PVA型液晶顯示器上基板的ITO電極，不再是一個完整的ITO薄膜，而是光刻出一道道平行的縫隙。19.參考答案:色調是指在物體反射的光線中以哪種波長占優(yōu)勢來決定的，不同波長產(chǎn)生不同顏色的感覺。色調是彩色最重要的特征，它決定了顏色本質的基本特征。 顏色的飽和度是指一個顏色的鮮明程度。飽和度是顏色色調的表現(xiàn)程度，它取決于表面反射光的波長范圍的狹窄性（即純度）。在物體反射光的組成中，白色光越少，則它的色彩飽和度越大。 明度是指刺激物的強度作用于眼睛所發(fā)生的效應，它的大小是由物體反射系數(shù)來決定的，反射系數(shù)越大，則物體的明度越大，反之越小。明度是人眼直接感受到的物體明亮程度，可描寫人眼主觀亮度感覺。20.參考答案:21.參考答案:22.參考答案:1）可以得到紅、藍、綠三色的OLED器件，也可以實現(xiàn)OLED的全彩色化顯示； 2）將能量轉移給熒光效率更強的客體發(fā)光材料，可以增加整個OLED器件的發(fā)光效率； 3）通過選擇合適的客體材料，可以增加OLED器件的壽命。23.參考答案:電流復制型驅動原理可以分為兩步信號電流寫入和復制發(fā)光兩步，以p溝道TFT為例。信號電流寫入階段，信號線輸入信號電流，同時要將驅動管T4流過的信號電流相應的柵源電壓VGS，存儲在儲存電容里；重新復制一樣或成比例的電流流過OLED發(fā)光。電流鏡驅動原理也是分為兩個過程，信號電流寫入、復制發(fā)光。24.參考答案:存儲電容在有源矩陣液晶顯示中有兩個作用： 1）維持液晶像素保持一幀的時間； 2）減少和消除圖像閃爍。25.參考答案:PE刻蝕和RIE刻蝕在設備結構上的不同，使得兩者的刻蝕特性不同。PE設備的上電極與電容耦合器及RF電源相連，而基板在下電極上，輝光放電區(qū)產(chǎn)生在距離基板很近的區(qū)域，等離子體離基板很近，轟擊能量小，物理作用弱。RIE刻蝕設備的RF電源與下電極相連，基板也放在下電極上，輝光放電區(qū)產(chǎn)生在距離基板很遠的上電極附近，等離子體離基板很遠。陰極電壓下降進一步增強了電場，轟擊能量加大。因此，在RF電場的作用下物理作用強。第3卷參考答案一.參考題庫1.參考答案:一般采用多層薄膜疊加的柵絕緣膜，還有許多采用連續(xù)生長的辦法。還有在兩層絕緣膜之間加清洗的方法。2.參考答案:ODF工藝是用液晶滴下機滴入液晶，可以形成均一的液晶屏。滴下液晶后，在真空中把涂布有邊框膠、滴有高精度量液晶的基板和均勻散布隔墊物的基板，通過高精度的對位后貼合在一起，再經(jīng)過UV照射和加熱固化邊框膠、液晶再取向等工藝技術形成液晶屏。3.參考答案:ODF工藝是用液晶滴下機滴入液晶，可以形成均一的液晶屏。滴下液晶后，在真空中把涂布有邊框膠、滴有高精度量液晶的基板和均勻散布隔墊物的基板，通過高精度的對位后貼合在一起，再經(jīng)過UV照射和加熱固化邊框膠、液晶再取向等工藝技術形成液晶屏。對于5代線以上的生產(chǎn)線的大型玻璃尺寸更實用。液晶滴填充的方法，時間短、效率高。4.參考答案:5.參考答案:在不加驅動電壓時（off態(tài)），來自光源的自然光經(jīng)過上偏振片后只剩下平行于透光軸的線偏振光。線偏振光射入液晶層。液晶層內的液晶分子，由于上下基板表面取向層的作用，從上到下剛好扭曲90°。光在傳播中，偏振方向隨液晶分子扭曲結構同步旋轉。光到達下偏振片時，偏振面剛好旋轉了90°，正好與另一片偏振片的光軸平行，光可以透過，呈現(xiàn)亮態(tài)。 在施加足夠電壓時（on態(tài)），由于正性液晶的介電各向異性和電場的相互作用，液晶分子扭曲結構解體，液晶分子長軸平行于電場方向，線偏振光的偏振方向在盒中傳播時不再旋轉，保持原來偏振方向到達下偏振片。正好與下偏振片的光軸正交，無光輸出，呈現(xiàn)暗態(tài)。 當一些像素透光，而另一些像素不透光，就會顯示出明暗不同的圖像。6.參考答案:面臨的問題主要有：1）材料穩(wěn)定性和壽命問題；2）驅動技術問題；3）成本問題；4）設備制造問題。另外，噴墨打印技術、彩色化技術還需進一步研究，設備也需要進一步改進。7.參考答案:一般為2-3層，4-9um，熒光粉呈弱電性。8.參考答案:優(yōu)點是光刻次數(shù)少，材料成本低，工藝節(jié)拍短；缺點是刻蝕選擇比小，a-Si：H層相應要做得厚些，一般為1500~2000?，工藝難度大，厚度控制要求嚴格。9.參考答案:在FFS技術中兩個電極都是透明的ITO電極，電極間距小。電極間的距離L小于液晶屏的盒厚d和電極寬度w。加電壓時整個液晶屏內的電場線呈拋物線形狀。電極上方有電場的水平分量，又有電場的垂直分量，液晶分子也可以旋轉，從而增大了開口率，提高了液晶屏的透光率。10.參考答案:液晶中快態(tài)離子在電場作用下引起離子的傳輸，導致在相對低的頻率下光傳輸中圖像的閃爍，獲得錯誤的灰度級。11.參考答案:液晶顯示器主要分為無源矩陣和有源矩陣液晶顯示器。無源矩陣液晶顯示器又包括TN、STN、HTN、FSTN、ECB、鐵電液晶、Ch-N相轉變模式等液晶顯示器。有源矩陣液晶顯示器又包括二端子和三端子器件兩類。二端子器件有MIM、MSI（SiNx硅氧化膜）、DR、BTB二極管、Pin二極管/（a-Si）等。三端子器件主要有MOSFET和TFT，TFT有非晶硅a-SiTFT、多晶硅p-SiTFT、氧化物ZnOTFT、化合物CdSeTFT，CdSTFT、有機TFT（OTFT）等。 12.參考答案:1）材料廣泛； 2）能耗低； 3）成本低； 4）厚度薄，重量輕； 5）響應速度快； 6）可實現(xiàn)柔性顯示。13.參考答案:柵極與柵線相連，源極與信號線相連，漏極與像素電極相連。陣列基板上的像素電極和彩膜基板上的共用電極，形成了液晶材料兩端的電極。液晶屏的像素電極部分等效于一個電容Clc。同時，像素電極與柵極同時制作出來的存儲電容電極之間隔著絕緣膜構成了存儲電容Cs，與液晶電容Clc并聯(lián)。因此，有源矩陣液晶顯示器的一個單元像素等效為一個晶體管開關，連接兩個并聯(lián)液晶電容Clc與存儲電容Cs的等效電路。 14.參考答案:激光光閥顯示由液晶盒、激光尋址組件、光源部分、屏幕四部分組成。?顯示原理可以分為四個過程： 1）激光束尋址，激光器發(fā)出的激光經(jīng)調制后照射到分束鏡上，聚焦后投射到液晶盒上。 2）液晶分子的光學參數(shù)發(fā)生改變。光學參數(shù)與附近沒有受到激光照射部分的近晶相不同，被激光投射的部分呈現(xiàn)出液體的光散射狀態(tài)，沒有被激光束投射到的液晶分子仍保持垂直表面取向的透明結構。光源的光透射狀態(tài)不一樣，因此控制激光束的掃描，在整個畫面上形成為穩(wěn)定的光散射部分和光透過部分，顯示出相應的圖像。 3）圖像保持，激光束尋址掃描到下一點時，剛剛掃描的點液晶溫度開始下降，又出現(xiàn)相變過程。在降溫相變過程中，形成了一種光散射的焦錐結構，會一直保持圖像到下一次激光照射掃描，也就是可以保持一幀的畫面，類似有源矩陣液晶顯示器中存儲電容的功能。 4）擦除過程，在液晶盒內的透明電極上施加高于液晶分子閾值電壓的電場，迫使液晶分子恢復到初始的透明狀態(tài)，為圖像的擦除過程。15.參考答案:金屬Mo薄膜起到光熱轉換的作用，使薄膜晶化為微晶硅薄膜。晶化后進行金屬MO層的光刻形成源漏電極。 制作工藝流程是先進行有源島位置處的Mo島和Mo柵線的光刻，再濺射AlNd金屬及光刻AlNd柵線。保證了金屬線的低電阻率，又可以獲得穩(wěn)定、高結晶度的微晶硅薄膜，還能降低缺陷提高成品率。16.參考答案:關鍵的TFT性能要求是： 1）更高的遷移率。對AMOLED顯示，要求陣列基板的驅動TFT有較大的電流流過的能力，也就是要求TFT具有更高的開態(tài)電流。在適合的開關比下，要有更高的載流子遷移率，一般需要≥1cm2/Vs，最好達到5cm2/Vs以上； 2）更高的均勻性和穩(wěn)定性。為保證顯示效果，需要控制流過每一個OLED器件電流的均勻性和穩(wěn)定性。因此，要求陣列基板上不同區(qū)域內的TFT特性具有更高的均勻性和穩(wěn)定性。穩(wěn)定性一般要求閾值電壓的偏移△VTH<1V。17.參考答案:背曝光是一種自對準的光刻工藝，不需要掩膜版，利用柵線和柵極的金屬圖形做掩膜進行曝光的工藝。柵線、柵極、存儲電容等有金屬薄膜的地方上面的光刻膠都沒有曝光，其他沒有遮擋的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻膠的性質發(fā)生改變。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把柵線和存儲電容上面的光刻膠被一次曝光的紫外光照射到，留下阻擋層圖像。 為了形成精確對準且能夠恰好在柵極上面的i/sSiNx阻擋層小圖形，采用連續(xù)兩次曝光，先背面曝光再一次曝光相結合的光刻工藝。僅采用一次曝光，對版精度和圖形的大小都要受到限制，工藝難度大。18.參考答案:彩色PDP利用調節(jié)維持脈沖個數(shù)的方法來實現(xiàn)多灰度級顯示。對于表面放電型彩色PDP，通常采用尋址與顯示分離（ADS）的子場驅動方法。在顯示一幅圖像時，是在一場時間內順序掃描尋址各顯示行，然后整屏所有顯示單元同時維持顯示。 ADS實現(xiàn)多灰度顯示的原理是將某一種顏色的電平信號量化為n位數(shù)據(jù)，對顯示數(shù)據(jù)按位進行顯示，每位的顯示期的維持放電時間長度，即發(fā)光脈沖個數(shù)和該位的權重相關聯(lián)，權重越大，該顯示期的發(fā)光脈沖個數(shù)越多，反之，則發(fā)光脈沖個數(shù)越少。這樣，各位顯示的亮度也就不同，一位的顯示時間稱為一個子場。每個子場包括準備期、尋址期和維持顯示期。通過不同子場的點亮的組合可以實現(xiàn)多灰度級的顯示。19.參考答案:1）操作新奇，電容式觸摸屏支持多點觸控，操作更加直觀、更具趣味性； 2）不易誤觸，電容式觸摸屏只感應人體的電流，只有人才能進行操作，